一、場效應管有幾種類型

場效應管(guan)分(fen)為結型場效應管(guan)（JFET）和絕緣柵場效應管(guan)（MOS管(guan)）兩大類。

按溝道材料(liao)型(xing)和絕緣柵型(xing)各分N溝道和P溝道兩種；按導(dao)電方式：耗盡(jin)型(xing)與增強型(xing)，結型(xing)場(chang)效(xiao)應管均為(wei)耗盡(jin)型(xing)，絕緣柵型(xing)場(chang)效(xiao)應管既有耗盡(jin)型(xing)的，也有增強型(xing)的。

場效(xiao)(xiao)應(ying)(ying)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)可分(fen)為(wei)結場效(xiao)(xiao)應(ying)(ying)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)和MOS場效(xiao)(xiao)應(ying)(ying)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)，而MOS場效(xiao)(xiao)應(ying)(ying)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)又分(fen)為(wei)N溝耗(hao)盡型(xing)和增強型(xing)；P溝耗(hao)盡型(xing)和增強型(xing)四大類。

二、怎么選擇場效應管

1、選擇須合適的勾道（N溝道還是P溝道）

挑選(xuan)好場(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)電子元件的第一步(bu)是取決選(xuan)用N溝(gou)道(dao)或是P溝(gou)道(dao)場(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)。在(zai)(zai)典型的功(gong)率使用中，當1個(ge)場(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)接(jie)地(di)，而負載接(jie)入到干線電壓上時，該場(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)就組成了低壓側(ce)(ce)開關(guan)。在(zai)(zai)低壓側(ce)(ce)開關(guan)中，應(ying)選(xuan)用N溝(gou)道(dao)場(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)，它是出自于對關(guan)閉或導通電子元件所要電壓的考慮。

2、確定場效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗

在實際情況下(xia)，場效應晶(jing)(jing)體(ti)管并(bing)不(bu)一定是理想的(de)電(dian)(dian)子(zi)元件(jian)，歸(gui)因于(yu)在導電(dian)(dian)過程中會有(you)電(dian)(dian)能(neng)消耗(hao)，這叫做導通損耗(hao)。場效應晶(jing)(jing)體(ti)管在“導通”時(shi)好比一個可變電(dian)(dian)阻，由電(dian)(dian)子(zi)元件(jian)的(de)RDS（ON）所確認，并(bing)隨(sui)溫度而明顯變動。

電(dian)子元(yuan)件的功率損耗(hao)可(ke)由Iload2×RDS（ON）估算，因為導通電(dian)阻(zu)隨(sui)(sui)溫度變動(dong)，因而功率損耗(hao)也(ye)會隨(sui)(sui)著(zhu)按占(zhan)比變動(dong)。對場效(xiao)應(ying)晶(jing)體管施加的電(dian)壓VGS越高，RDS（ON）就(jiu)會越小；反之(zhi)RDS（ON）就(jiu)會越高。注意(yi)RDS（ON）電(dian)阻(zu)會隨(sui)(sui)著(zhu)電(dian)流(liu)輕微升高。關于RDS（ON）電(dian)阻(zu)的各類電(dian)氣(qi)叁數變動(dong)可(ke)在(zai)生產商出示的技術資料表里得知。

3、確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況

一般(ban)建(jian)議采(cai)用針對最壞的結果計算，因(yin)為(wei)這個結果提供更大的安全余量，能夠(gou)確保系統(tong)不會失效。