一、場效應管有幾種類型

場(chang)(chang)效應管(guan)(guan)(guan)分為結型場(chang)(chang)效應管(guan)(guan)(guan)（JFET）和絕(jue)緣柵場(chang)(chang)效應管(guan)(guan)(guan)（MOS管(guan)(guan)(guan)）兩大(da)類。

按溝(gou)(gou)(gou)道材料型(xing)(xing)和絕緣(yuan)柵型(xing)(xing)各(ge)分(fen)N溝(gou)(gou)(gou)道和P溝(gou)(gou)(gou)道兩種；按導電方式：耗(hao)(hao)盡型(xing)(xing)與增強型(xing)(xing)，結型(xing)(xing)場效(xiao)應(ying)管均為耗(hao)(hao)盡型(xing)(xing)，絕緣(yuan)柵型(xing)(xing)場效(xiao)應(ying)管既有耗(hao)(hao)盡型(xing)(xing)的，也有增強型(xing)(xing)的。

場(chang)效(xiao)應晶體管可分為結場(chang)效(xiao)應晶體管和(he)MOS場(chang)效(xiao)應晶體管，而MOS場(chang)效(xiao)應晶體管又分為N溝耗(hao)盡型(xing)和(he)增強型(xing)；P溝耗(hao)盡型(xing)和(he)增強型(xing)四大類。

二、怎么選擇場效應管

1、選擇須合適的勾道（N溝道還是P溝道）

挑選好場(chang)效(xiao)應晶(jing)體管(guan)(guan)電(dian)子(zi)元件的(de)第一步是取決選用(yong)(yong)N溝道(dao)(dao)或是P溝道(dao)(dao)場(chang)效(xiao)應晶(jing)體管(guan)(guan)。在典型的(de)功率使(shi)用(yong)(yong)中，當1個場(chang)效(xiao)應晶(jing)體管(guan)(guan)接地，而(er)負載接入到干線(xian)電(dian)壓(ya)(ya)上時，該場(chang)效(xiao)應晶(jing)體管(guan)(guan)就組成了低壓(ya)(ya)側開關(guan)。在低壓(ya)(ya)側開關(guan)中，應選用(yong)(yong)N溝道(dao)(dao)場(chang)效(xiao)應晶(jing)體管(guan)(guan)，它是出自于對(dui)關(guan)閉或導通電(dian)子(zi)元件所要電(dian)壓(ya)(ya)的(de)考慮。

2、確定場效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗

在實(shi)際(ji)情況下，場效應晶體(ti)管并(bing)不一定是(shi)理想的電子(zi)(zi)元件，歸(gui)因(yin)于在導電過(guo)程(cheng)中會有電能消耗(hao)，這叫做導通(tong)損耗(hao)。場效應晶體(ti)管在“導通(tong)”時好比一個可(ke)變電阻，由(you)電子(zi)(zi)元件的RDS（ON）所確(que)認，并(bing)隨溫度(du)而明(ming)顯變動。

電(dian)子元件的(de)功率損耗可(ke)由(you)Iload2×RDS（ON）估算，因(yin)(yin)為(wei)導通電(dian)阻(zu)隨溫度變動，因(yin)(yin)而功率損耗也(ye)會(hui)隨著按占比變動。對場(chang)效應晶體管施加的(de)電(dian)壓VGS越高(gao)，RDS（ON）就(jiu)會(hui)越小(xiao)；反(fan)之RDS（ON）就(jiu)會(hui)越高(gao)。注意(yi)RDS（ON）電(dian)阻(zu)會(hui)隨著電(dian)流輕(qing)微升(sheng)高(gao)。關于(yu)RDS（ON）電(dian)阻(zu)的(de)各類電(dian)氣(qi)叁數變動可(ke)在生產商出示的(de)技術資料(liao)表(biao)里得知。

3、確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況

一(yi)般建議采用針(zhen)對最壞(huai)的(de)(de)結果計算，因為這個結果提(ti)供更大的(de)(de)安全余量(liang)，能夠確保系(xi)統(tong)不會失(shi)效。