一、場效應管有幾種類型

場(chang)效應(ying)管(guan)(guan)分為結型場(chang)效應(ying)管(guan)(guan)（JFET）和絕(jue)緣(yuan)柵(zha)場(chang)效應(ying)管(guan)(guan)（MOS管(guan)(guan)）兩大(da)類。

按(an)溝(gou)道材料型(xing)和絕緣(yuan)柵型(xing)各分N溝(gou)道和P溝(gou)道兩種；按(an)導電方式：耗(hao)盡型(xing)與增(zeng)強(qiang)型(xing)，結型(xing)場(chang)效應管(guan)均為耗(hao)盡型(xing)，絕緣(yuan)柵型(xing)場(chang)效應管(guan)既有耗(hao)盡型(xing)的(de)，也有增(zeng)強(qiang)型(xing)的(de)。

場效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管可分為結場效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管和(he)(he)MOS場效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管，而MOS場效(xiao)應(ying)晶(jing)體(ti)管又分為N溝耗盡(jin)型(xing)(xing)和(he)(he)增強(qiang)型(xing)(xing)；P溝耗盡(jin)型(xing)(xing)和(he)(he)增強(qiang)型(xing)(xing)四大類。

二、怎么選擇場效應管

1、選擇須合適的勾道（N溝道還是P溝道）

挑選(xuan)好場(chang)(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)體(ti)管電(dian)(dian)子元(yuan)件的第一步是(shi)取決選(xuan)用N溝道(dao)或(huo)是(shi)P溝道(dao)場(chang)(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)體(ti)管。在典型的功率使用中(zhong)，當1個場(chang)(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)體(ti)管接地，而負載接入到(dao)干線電(dian)(dian)壓(ya)上時，該(gai)場(chang)(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)體(ti)管就(jiu)組成了低壓(ya)側開(kai)關。在低壓(ya)側開(kai)關中(zhong)，應(ying)選(xuan)用N溝道(dao)場(chang)(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)體(ti)管，它是(shi)出自于對關閉或(huo)導通電(dian)(dian)子元(yuan)件所要電(dian)(dian)壓(ya)的考慮。

2、確定場效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗

在實際情(qing)況下，場(chang)效應(ying)晶體(ti)(ti)管(guan)并(bing)不一定是理想的(de)電(dian)子元(yuan)件(jian)，歸因于在導(dao)電(dian)過程(cheng)中會有電(dian)能消耗，這叫做導(dao)通(tong)損(sun)耗。場(chang)效應(ying)晶體(ti)(ti)管(guan)在“導(dao)通(tong)”時好比一個可變電(dian)阻(zu)，由電(dian)子元(yuan)件(jian)的(de)RDS（ON）所確認，并(bing)隨(sui)溫度(du)而明顯變動。

電(dian)子元件的(de)(de)功率(lv)(lv)損(sun)耗(hao)可由Iload2×RDS（ON）估算，因為導(dao)通電(dian)阻隨溫度變(bian)動(dong)(dong)，因而功率(lv)(lv)損(sun)耗(hao)也會隨著(zhu)按(an)占比變(bian)動(dong)(dong)。對場(chang)效應晶體管施加(jia)的(de)(de)電(dian)壓VGS越(yue)高(gao)，RDS（ON）就會越(yue)小；反(fan)之RDS（ON）就會越(yue)高(gao)。注意RDS（ON）電(dian)阻會隨著(zhu)電(dian)流(liu)輕微(wei)升高(gao)。關于RDS（ON）電(dian)阻的(de)(de)各類電(dian)氣叁數變(bian)動(dong)(dong)可在生產(chan)商出示(shi)的(de)(de)技(ji)術資(zi)料表里得(de)知。

3、確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況

一(yi)般建議采用針對最壞的(de)結(jie)果(guo)計算，因為這個結(jie)果(guo)提(ti)供更大的(de)安全余量，能夠確(que)保系統不(bu)會失效。