一、場效應管有幾種類型

場效(xiao)應管(guan)(guan)分(fen)為結型場效(xiao)應管(guan)(guan)（JFET）和絕緣(yuan)柵場效(xiao)應管(guan)(guan)（MOS管(guan)(guan)）兩大類(lei)。

按溝道材(cai)料型(xing)和絕緣柵(zha)型(xing)各分N溝道和P溝道兩(liang)種；按導電方式(shi)：耗盡型(xing)與增強型(xing)，結型(xing)場(chang)效應管均為耗盡型(xing)，絕緣柵(zha)型(xing)場(chang)效應管既有耗盡型(xing)的，也有增強型(xing)的。

場效應晶(jing)體(ti)(ti)管可分(fen)為(wei)結場效應晶(jing)體(ti)(ti)管和(he)MOS場效應晶(jing)體(ti)(ti)管，而MOS場效應晶(jing)體(ti)(ti)管又(you)分(fen)為(wei)N溝耗盡(jin)型和(he)增強(qiang)型；P溝耗盡(jin)型和(he)增強(qiang)型四(si)大(da)類(lei)。

二、怎么選擇場效應管

1、選擇須合適的勾道（N溝道還是P溝道）

挑選(xuan)(xuan)好場效應晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)(guan)電子(zi)元件的第一步是取(qu)決選(xuan)(xuan)用(yong)N溝(gou)(gou)道或(huo)是P溝(gou)(gou)道場效應晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)(guan)。在典(dian)型的功(gong)率使用(yong)中，當1個場效應晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)(guan)接(jie)地，而負載接(jie)入到干線電壓(ya)上時，該場效應晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)(guan)就組成(cheng)了(le)低壓(ya)側(ce)開(kai)(kai)關。在低壓(ya)側(ce)開(kai)(kai)關中，應選(xuan)(xuan)用(yong)N溝(gou)(gou)道場效應晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)(guan)，它是出自于對(dui)關閉或(huo)導通電子(zi)元件所要電壓(ya)的考慮。

2、確定場效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗

在(zai)實際情況下，場效(xiao)應晶體管并不一定(ding)是理想的電(dian)子元(yuan)件(jian)，歸因(yin)于(yu)在(zai)導(dao)(dao)電(dian)過程中會(hui)有電(dian)能消(xiao)耗(hao)，這叫做導(dao)(dao)通損耗(hao)。場效(xiao)應晶體管在(zai)“導(dao)(dao)通”時好比一個可變(bian)電(dian)阻，由(you)電(dian)子元(yuan)件(jian)的RDS（ON）所確認(ren)，并隨溫度而明顯變(bian)動。

電子元件的功率(lv)損(sun)耗可由Iload2×RDS（ON）估(gu)算(suan)，因為導(dao)通電阻隨(sui)溫度變(bian)(bian)動，因而功率(lv)損(sun)耗也會(hui)隨(sui)著按占比(bi)變(bian)(bian)動。對場(chang)效應晶體(ti)管施加的電壓VGS越高(gao)(gao)，RDS（ON）就會(hui)越小；反之RDS（ON）就會(hui)越高(gao)(gao)。注意(yi)RDS（ON）電阻會(hui)隨(sui)著電流(liu)輕微升(sheng)高(gao)(gao)。關(guan)于RDS（ON）電阻的各類(lei)電氣叁數變(bian)(bian)動可在生(sheng)產商(shang)出示的技術資料表里得(de)知。

3、確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況

一般建議采用針對最壞的結果(guo)計算，因為這個(ge)結果(guo)提供更大的安(an)全余量，能夠確(que)保系統不(bu)會失效。