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場效應管有幾種類型 怎么選擇場效應管

本文章由注冊用戶 淺嘗不止— 上傳提供 2024-04-17 評論 0
摘要:隨著電子設備升級換代的速度,大家對于電子設備性能的標準也愈來愈高,在某些電子設備的電路設計與研發中,不僅是開關電源電路中,也有在攜帶式電子設備的電路中都是會運用到性能更好的電子元器件——場效應管。那么場效應管有幾種類型以及怎么選擇場效應管呢?趕緊和我一起到文中來看看吧!

一、場效應管有幾種類型

場效(xiao)應(ying)管(guan)分(fen)為結型場效(xiao)應(ying)管(guan)(JFET)和(he)絕緣柵(zha)場效(xiao)應(ying)管(guan)(MOS管(guan))兩大類。

按溝(gou)道材料(liao)型(xing)(xing)(xing)(xing)和絕緣柵(zha)(zha)型(xing)(xing)(xing)(xing)各分N溝(gou)道和P溝(gou)道兩種;按導電方式:耗盡型(xing)(xing)(xing)(xing)與增(zeng)強(qiang)(qiang)型(xing)(xing)(xing)(xing),結型(xing)(xing)(xing)(xing)場(chang)(chang)效應(ying)管(guan)均為耗盡型(xing)(xing)(xing)(xing),絕緣柵(zha)(zha)型(xing)(xing)(xing)(xing)場(chang)(chang)效應(ying)管(guan)既有耗盡型(xing)(xing)(xing)(xing)的(de),也(ye)有增(zeng)強(qiang)(qiang)型(xing)(xing)(xing)(xing)的(de)。

場(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)可分為結場(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)和MOS場(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan),而MOS場(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)又分為N溝耗盡型和增(zeng)強(qiang)(qiang)型;P溝耗盡型和增(zeng)強(qiang)(qiang)型四(si)大類(lei)。

二、怎么選擇場效應管

1、選擇須合適的勾道(N溝道還是P溝道)

挑(tiao)選(xuan)(xuan)好(hao)場(chang)效應(ying)(ying)晶體管(guan)(guan)電(dian)子元件的(de)第一步是取決選(xuan)(xuan)用(yong)(yong)N溝道(dao)或(huo)是P溝道(dao)場(chang)效應(ying)(ying)晶體管(guan)(guan)。在典(dian)型的(de)功率使(shi)用(yong)(yong)中,當(dang)1個場(chang)效應(ying)(ying)晶體管(guan)(guan)接(jie)地,而負(fu)載(zai)接(jie)入到干線電(dian)壓上時(shi),該場(chang)效應(ying)(ying)晶體管(guan)(guan)就(jiu)組成了低壓側開(kai)關(guan)(guan)。在低壓側開(kai)關(guan)(guan)中,應(ying)(ying)選(xuan)(xuan)用(yong)(yong)N溝道(dao)場(chang)效應(ying)(ying)晶體管(guan)(guan),它是出自于(yu)對關(guan)(guan)閉(bi)或(huo)導通電(dian)子元件所要(yao)電(dian)壓的(de)考慮。

2、確定場效應管的額定電流,選好額定電流以后,還需計算導通損耗

在實(shi)際(ji)情(qing)況下,場效應(ying)晶(jing)體管并(bing)不一(yi)定是理想的(de)電(dian)子(zi)元件,歸(gui)因于(yu)在導(dao)電(dian)過(guo)程(cheng)中會(hui)有電(dian)能消(xiao)耗,這(zhe)叫做導(dao)通(tong)損耗。場效應(ying)晶(jing)體管在“導(dao)通(tong)”時(shi)好比一(yi)個可變電(dian)阻,由電(dian)子(zi)元件的(de)RDS(ON)所確認,并(bing)隨溫度(du)而(er)明顯(xian)變動(dong)。

電(dian)子元件的(de)功率(lv)損耗可由(you)Iload2×RDS(ON)估算(suan),因(yin)為(wei)導通電(dian)阻隨(sui)溫度變動(dong),因(yin)而功率(lv)損耗也(ye)會隨(sui)著按占比變動(dong)。對場效應(ying)晶體管施加的(de)電(dian)壓VGS越高,RDS(ON)就會越小;反之RDS(ON)就會越高。注意RDS(ON)電(dian)阻會隨(sui)著電(dian)流輕微升高。關于(yu)RDS(ON)電(dian)阻的(de)各(ge)類電(dian)氣叁數變動(dong)可在生產商出示的(de)技術資料(liao)表里(li)得知。

3、確定熱要求,設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況

一般(ban)建議采用針對(dui)最(zui)壞的結果(guo)(guo)計算(suan),因(yin)為這個(ge)結果(guo)(guo)提供更大(da)的安(an)全(quan)余(yu)量,能夠(gou)確保系統不會(hui)失效。

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