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場效應管有幾種類型 怎么選擇場效應管

本文章由注冊用戶 淺嘗不止— 上傳提供 2024-04-17 評論 0
摘要:隨著電子設備升級換代的速度,大家對于電子設備性能的標準也愈來愈高,在某些電子設備的電路設計與研發中,不僅是開關電源電路中,也有在攜帶式電子設備的電路中都是會運用到性能更好的電子元器件——場效應管。那么場效應管有幾種類型以及怎么選擇場效應管呢?趕緊和我一起到文中來看看吧!

一、場效應管有幾種類型

場(chang)效(xiao)(xiao)應(ying)管分(fen)為結型場(chang)效(xiao)(xiao)應(ying)管(JFET)和絕(jue)緣柵(zha)場(chang)效(xiao)(xiao)應(ying)管(MOS管)兩(liang)大(da)類。

按溝(gou)道(dao)材料型(xing)(xing)(xing)(xing)和絕(jue)緣(yuan)柵型(xing)(xing)(xing)(xing)各(ge)分N溝(gou)道(dao)和P溝(gou)道(dao)兩(liang)種;按導電方式:耗盡(jin)型(xing)(xing)(xing)(xing)與增強(qiang)型(xing)(xing)(xing)(xing),結型(xing)(xing)(xing)(xing)場(chang)效應管均為(wei)耗盡(jin)型(xing)(xing)(xing)(xing),絕(jue)緣(yuan)柵型(xing)(xing)(xing)(xing)場(chang)效應管既(ji)有(you)耗盡(jin)型(xing)(xing)(xing)(xing)的,也有(you)增強(qiang)型(xing)(xing)(xing)(xing)的。

場(chang)效應晶(jing)(jing)體管可分(fen)為結場(chang)效應晶(jing)(jing)體管和(he)MOS場(chang)效應晶(jing)(jing)體管,而(er)MOS場(chang)效應晶(jing)(jing)體管又分(fen)為N溝(gou)耗盡型(xing)和(he)增(zeng)強(qiang)型(xing);P溝(gou)耗盡型(xing)和(he)增(zeng)強(qiang)型(xing)四大類(lei)。

二、怎么選擇場效應管

1、選擇須合適的勾道(N溝道還是P溝道)

挑選(xuan)好場(chang)(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)(jing)體管(guan)電(dian)子(zi)元件的(de)第一步是(shi)取決選(xuan)用(yong)N溝道(dao)或是(shi)P溝道(dao)場(chang)(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)(jing)體管(guan)。在典型的(de)功率使用(yong)中(zhong),當1個場(chang)(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)(jing)體管(guan)接地,而負載接入到干線電(dian)壓(ya)上時,該場(chang)(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)(jing)體管(guan)就組成了低壓(ya)側開(kai)關(guan)(guan)。在低壓(ya)側開(kai)關(guan)(guan)中(zhong),應(ying)選(xuan)用(yong)N溝道(dao)場(chang)(chang)(chang)效應(ying)晶(jing)(jing)(jing)體管(guan),它是(shi)出自(zi)于(yu)對(dui)關(guan)(guan)閉或導通電(dian)子(zi)元件所要電(dian)壓(ya)的(de)考(kao)慮。

2、確定場效應管的額定電流,選好額定電流以后,還需計算導通損耗

在實際情況(kuang)下,場(chang)(chang)效應晶體(ti)管并不一(yi)定是理想的電(dian)子元件,歸因(yin)于在導(dao)電(dian)過程中會有電(dian)能消耗(hao),這叫做導(dao)通損(sun)耗(hao)。場(chang)(chang)效應晶體(ti)管在“導(dao)通”時好比(bi)一(yi)個可變(bian)電(dian)阻,由電(dian)子元件的RDS(ON)所確認,并隨溫度而明(ming)顯變(bian)動。

電子(zi)元件的(de)(de)功率損耗可由Iload2×RDS(ON)估(gu)算,因(yin)為(wei)導(dao)通電阻隨溫度變(bian)(bian)動(dong)(dong),因(yin)而(er)功率損耗也(ye)會隨著按占比(bi)變(bian)(bian)動(dong)(dong)。對場(chang)效應晶體管施(shi)加的(de)(de)電壓(ya)VGS越高,RDS(ON)就(jiu)會越小(xiao);反之RDS(ON)就(jiu)會越高。注(zhu)意RDS(ON)電阻會隨著電流輕(qing)微升高。關于RDS(ON)電阻的(de)(de)各類(lei)電氣叁數變(bian)(bian)動(dong)(dong)可在生產(chan)商出示的(de)(de)技術資料表里得知。

3、確定熱要求,設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況

一般建(jian)議采用針對最壞(huai)的(de)結果(guo)計算,因(yin)為(wei)這(zhe)個結果(guo)提(ti)供更(geng)大的(de)安全余量,能夠確保系統不會失效。

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