一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是柵極相對(dui)于源極的電壓。

與NMOS一(yi)樣，導通的PMOS的工作區(qu)域(yu)也分為非飽和(he)區(qu)，臨(lin)界飽和(he)點和(he)飽和(he)區(qu)。當(dang)然，不論(lun)NMOS還是PMOS，當(dang)未形(xing)成反(fan)型溝道(dao)時，都處于截(jie)止區(qu)，其電壓條件是：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值得注意的是，PMOS的VGS和(he)VTP都是負值。

PMOS集成(cheng)電(dian)路(lu)是一種適(shi)合(he)在低(di)速(su)、低(di)頻領(ling)域內應用(yong)的(de)器件(jian)。PMOS集成(cheng)電(dian)路(lu)采用(yong)-24V電(dian)壓供電(dian)。MOS場(chang)效應晶體管具(ju)有很高的(de)輸入阻(zu)抗，在電(dian)路(lu)中便于(yu)直接耦(ou)合(he)，容易制成(cheng)規模大(da)的(de)集成(cheng)電(dian)路(lu)。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開啟電壓(ya)（又稱閾(yu)值(zhi)電壓(ya)）：使(shi)得源極(ji)(ji)S和漏極(ji)(ji)D之間(jian)開始形成導(dao)電溝(gou)道所需(xu)的(de)柵極(ji)(ji)電壓(ya)，標(biao)準的(de)N溝(gou)道MOS管，VT約為(wei)3～6V，通過工藝上的(de)改進(jin)，可以使(shi)MOS管的(de)VT值(zhi)降到2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即在柵源極(ji)(ji)之間(jian)加的(de)電壓與(yu)柵極(ji)(ji)電流(liu)之比，這(zhe)一(yi)特性有時以流(liu)過(guo)柵極(ji)(ji)的(de)柵流(liu)表示，MOS管的(de)RGS可以很(hen)容易地超(chao)過(guo)1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在(zai)VGS=0（增強型）的(de)(de)條件下，在(zai)增加(jia)漏(lou)源電(dian)壓過程(cheng)中使ID開始劇(ju)增時(shi)的(de)(de)VDS稱(cheng)為漏(lou)源擊穿電(dian)壓BVDS，ID劇(ju)增的(de)(de)原因(yin)有下列兩個方面：（1）漏(lou)極附近耗(hao)(hao)盡(jin)(jin)層(ceng)的(de)(de)雪崩擊穿，（2）漏(lou)源極間(jian)的(de)(de)穿通(tong)擊穿，有些MOS管中，其溝(gou)道長(chang)度(du)較短，不斷增加(jia)VDS會使漏(lou)區的(de)(de)耗(hao)(hao)盡(jin)(jin)層(ceng)一(yi)直(zhi)擴(kuo)展(zhan)到(dao)源區，使溝(gou)道長(chang)度(du)為零(ling)，即產生(sheng)漏(lou)源間(jian)的(de)(de)穿通(tong)，穿通(tong)后，源區中的(de)(de)多數載流子，將直(zhi)接受耗(hao)(hao)盡(jin)(jin)層(ceng)電(dian)場的(de)(de)吸引，到(dao)達漏(lou)區，產生(sheng)大的(de)(de)ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增(zeng)加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增(zeng)時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

5、低頻跨導gm

在(zai)VDS為某(mou)一固定數值的條(tiao)件下(xia)，漏極(ji)電流(liu)的微變量和引(yin)起這個變化的柵源電壓微變量之比稱(cheng)為跨導(dao)，gm反映了柵源電壓對漏極(ji)電流(liu)的控制能力(li)，是表征MOS管放(fang)大能力(li)的一個重(zhong)要參數，一般在(zai)十分之幾(ji)至幾(ji)mA/V的范圍內。

6、導通電阻RON

導(dao)通電阻(zu)RON說明了VDS對(dui)ID的(de)(de)影響(xiang)，是漏(lou)極特性某一(yi)點切線的(de)(de)斜率的(de)(de)倒數(shu)(shu)，在(zai)飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的(de)(de)數(shu)(shu)值很大，一(yi)般(ban)在(zai)幾十(shi)千歐到幾百千歐之(zhi)間，由于在(zai)數(shu)(shu)字電路中，MOS管導(dao)通時經常工(gong)作在(zai)VDS=0的(de)(de)狀態下，所以(yi)這(zhe)時的(de)(de)導(dao)通電阻(zu)RON可用(yong)原點的(de)(de)RON來近(jin)似，對(dui)一(yi)般(ban)的(de)(de)MOS管而言(yan)，RON的(de)(de)數(shu)(shu)值在(zai)幾百歐以(yi)內。

7、極間電容

三個電(dian)極(ji)之間都存在著極(ji)間電(dian)容：柵源電(dian)容CGS、柵漏電(dian)容CGD和(he)漏源電(dian)容CDS，CGS和(he)CGD約(yue)為1～3pF，CDS約(yue)在0.1～1pF之間。

8、低頻噪聲系數NF

噪聲(sheng)(sheng)是(shi)由(you)管(guan)子(zi)內(nei)部載流子(zi)運動(dong)的(de)(de)不規(gui)則(ze)性(xing)所引起(qi)的(de)(de)，由(you)于(yu)它(ta)的(de)(de)存在，就使一個放大器即便(bian)在沒有信號(hao)輸人時，在輸出端也出現不規(gui)則(ze)的(de)(de)電(dian)壓或(huo)電(dian)流變化，噪聲(sheng)(sheng)性(xing)能(neng)的(de)(de)大小(xiao)(xiao)通常用噪聲(sheng)(sheng)系(xi)(xi)數NF來表示(shi)，它(ta)的(de)(de)單(dan)位為分貝（dB），這個數值(zhi)越小(xiao)(xiao)，代表管(guan)子(zi)所產生的(de)(de)噪聲(sheng)(sheng)越小(xiao)(xiao)，低(di)頻噪聲(sheng)(sheng)系(xi)(xi)數是(shi)在低(di)頻范圍(wei)內(nei)測出的(de)(de)噪聲(sheng)(sheng)系(xi)(xi)數，場效(xiao)應管(guan)的(de)(de)噪聲(sheng)(sheng)系(xi)(xi)數約為幾(ji)個分貝，它(ta)比雙極(ji)性(xing)三(san)極(ji)管(guan)的(de)(de)要小(xiao)(xiao)。