一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是柵(zha)極相對于源(yuan)極的電壓。

與NMOS一樣(yang)，導通(tong)的(de)(de)(de)PMOS的(de)(de)(de)工作區(qu)(qu)域也分(fen)為非(fei)飽和(he)(he)(he)區(qu)(qu)，臨界(jie)飽和(he)(he)(he)點和(he)(he)(he)飽和(he)(he)(he)區(qu)(qu)。當然，不(bu)論(lun)NMOS還(huan)是(shi)PMOS，當未形成反(fan)型溝道時，都處于截止區(qu)(qu)，其電壓(ya)條件(jian)是(shi)：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值得(de)注(zhu)意(yi)的(de)(de)(de)是(shi)，PMOS的(de)(de)(de)VGS和(he)(he)(he)VTP都是(shi)負(fu)值。

PMOS集(ji)成電路是一種適合在低速、低頻(pin)領域內(nei)應用(yong)的(de)(de)器件(jian)。PMOS集(ji)成電路采用(yong)-24V電壓供電。MOS場效應晶體管具有很高的(de)(de)輸入阻抗，在電路中(zhong)便于(yu)直接耦(ou)合，容易(yi)制成規模大(da)的(de)(de)集(ji)成電路。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開(kai)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極(ji)S和(he)漏極(ji)D之間開(kai)始形成導電溝道所需(xu)的柵極(ji)電壓，標(biao)準的N溝道MOS管，VT約為3～6V，通(tong)過工藝上的改(gai)進，可以(yi)使MOS管的VT值降到2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即(ji)在柵(zha)源極之(zhi)間(jian)加的(de)電(dian)壓與柵(zha)極電(dian)流(liu)之(zhi)比(bi)，這一特(te)性有(you)時以流(liu)過(guo)柵(zha)極的(de)柵(zha)流(liu)表(biao)示，MOS管的(de)RGS可(ke)以很容易地超過(guo)1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增(zeng)(zeng)強(qiang)型(xing)）的條(tiao)件(jian)下(xia)，在增(zeng)(zeng)加漏(lou)源(yuan)電壓過程中使ID開始(shi)劇增(zeng)(zeng)時的VDS稱為漏(lou)源(yuan)擊穿(chuan)電壓BVDS，ID劇增(zeng)(zeng)的原因有下(xia)列(lie)兩個(ge)方面：（1）漏(lou)極附近耗盡(jin)層的雪崩(beng)擊穿(chuan)，（2）漏(lou)源(yuan)極間(jian)的穿(chuan)通擊穿(chuan)，有些MOS管中，其溝(gou)道(dao)長度較短，不斷增(zeng)(zeng)加VDS會使漏(lou)區(qu)的耗盡(jin)層一直擴展到(dao)源(yuan)區(qu)，使溝(gou)道(dao)長度為零，即產(chan)生(sheng)漏(lou)源(yuan)間(jian)的穿(chuan)通，穿(chuan)通后，源(yuan)區(qu)中的多(duo)數載流子(zi)，將直接受耗盡(jin)層電場的吸引，到(dao)達漏(lou)區(qu)，產(chan)生(sheng)大的ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增(zeng)加柵源(yuan)電壓過程中，使(shi)柵極(ji)電流(liu)IG由零開始劇增(zeng)時的(de)VGS，稱為柵源(yuan)擊穿電壓BVGS。

5、低(di)頻跨導gm

在(zai)VDS為某(mou)一固(gu)定數值(zhi)的(de)條(tiao)件(jian)下，漏極(ji)電(dian)流的(de)微(wei)變(bian)量和引起這個(ge)變(bian)化的(de)柵源(yuan)電(dian)壓微(wei)變(bian)量之比稱為跨導，gm反映(ying)了柵源(yuan)電(dian)壓對漏極(ji)電(dian)流的(de)控(kong)制能(neng)力，是表征MOS管放大能(neng)力的(de)一個(ge)重要參數，一般在(zai)十分之幾至(zhi)幾mA/V的(de)范圍內。

6、導通電阻RON

導通電(dian)阻RON說明(ming)了(le)VDS對(dui)ID的(de)(de)(de)影(ying)響，是漏極特性(xing)某一點(dian)(dian)切線的(de)(de)(de)斜率的(de)(de)(de)倒數(shu)，在(zai)(zai)飽和區，ID幾乎不隨VDS改變(bian)，RON的(de)(de)(de)數(shu)值(zhi)(zhi)很大，一般(ban)在(zai)(zai)幾十(shi)千歐到(dao)幾百千歐之間，由于在(zai)(zai)數(shu)字電(dian)路中，MOS管導通時經(jing)常工作在(zai)(zai)VDS=0的(de)(de)(de)狀態(tai)下，所以這時的(de)(de)(de)導通電(dian)阻RON可(ke)用原點(dian)(dian)的(de)(de)(de)RON來近似，對(dui)一般(ban)的(de)(de)(de)MOS管而(er)言，RON的(de)(de)(de)數(shu)值(zhi)(zhi)在(zai)(zai)幾百歐以內。

7、極間電容

三(san)個電(dian)極之間都存在著極間電(dian)容(rong)：柵源(yuan)電(dian)容(rong)CGS、柵漏(lou)電(dian)容(rong)CGD和漏(lou)源(yuan)電(dian)容(rong)CDS，CGS和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間。

8、低頻噪聲系數NF

噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)是由管子(zi)內部(bu)載(zai)流子(zi)運動的(de)不規(gui)(gui)則性所(suo)引(yin)起的(de)，由于它(ta)(ta)的(de)存在(zai)，就使一個放(fang)大器(qi)即便在(zai)沒(mei)有信號輸(shu)人時，在(zai)輸(shu)出(chu)端也出(chu)現不規(gui)(gui)則的(de)電(dian)(dian)壓(ya)或電(dian)(dian)流變化，噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)性能的(de)大小(xiao)通常(chang)用噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)系數(shu)NF來表(biao)(biao)示，它(ta)(ta)的(de)單位(wei)為(wei)分貝(bei)（dB），這(zhe)個數(shu)值越小(xiao)，代(dai)表(biao)(biao)管子(zi)所(suo)產生的(de)噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)越小(xiao)，低頻噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)系數(shu)是在(zai)低頻范圍內測(ce)出(chu)的(de)噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)系數(shu)，場效應管的(de)噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)系數(shu)約(yue)為(wei)幾個分貝(bei)，它(ta)(ta)比雙極性三極管的(de)要(yao)小(xiao)。