一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是柵極(ji)相(xiang)對(dui)于源極(ji)的電壓。

與NMOS一樣，導通的(de)PMOS的(de)工作區(qu)(qu)域(yu)也分為(wei)非飽(bao)和區(qu)(qu)，臨(lin)界飽(bao)和點(dian)和飽(bao)和區(qu)(qu)。當然，不(bu)論NMOS還是PMOS，當未形(xing)成反型(xing)溝道(dao)時，都處于截止區(qu)(qu)，其電壓條件是：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值得(de)注意的(de)是，PMOS的(de)VGS和VTP都是負值。

PMOS集成電路是一種適(shi)合在(zai)低速、低頻領域內應(ying)用的(de)器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。MOS場效(xiao)應(ying)晶體管具有(you)很高(gao)的(de)輸入阻(zu)抗，在(zai)電路中便于直接耦合，容易制成規模大的(de)集成電路。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開啟電(dian)壓(ya)（又稱(cheng)閾(yu)值電(dian)壓(ya)）：使得(de)源極(ji)S和(he)漏(lou)極(ji)D之間(jian)開始形成導電(dian)溝(gou)道所需的(de)柵極(ji)電(dian)壓(ya)，標(biao)準(zhun)的(de)N溝(gou)道MOS管(guan)，VT約為(wei)3～6V，通過工藝上的(de)改進，可以使MOS管(guan)的(de)VT值降到2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即在(zai)柵源極之間加的(de)電壓與柵極電流之比，這一特性有(you)時以流過(guo)柵極的(de)柵流表示，MOS管的(de)RGS可(ke)以很容易(yi)地超過(guo)1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強型）的(de)(de)(de)條件下，在增加(jia)漏(lou)(lou)源電(dian)壓(ya)過程中使ID開始劇(ju)增時的(de)(de)(de)VDS稱為(wei)漏(lou)(lou)源擊穿(chuan)電(dian)壓(ya)BVDS，ID劇(ju)增的(de)(de)(de)原因有下列兩個(ge)方面：（1）漏(lou)(lou)極(ji)附近耗盡(jin)(jin)層的(de)(de)(de)雪崩擊穿(chuan)，（2）漏(lou)(lou)源極(ji)間的(de)(de)(de)穿(chuan)通(tong)擊穿(chuan)，有些(xie)MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加(jia)VDS會(hui)使漏(lou)(lou)區的(de)(de)(de)耗盡(jin)(jin)層一(yi)直擴展到源區，使溝道長度為(wei)零(ling)，即產生漏(lou)(lou)源間的(de)(de)(de)穿(chuan)通(tong)，穿(chuan)通(tong)后(hou)，源區中的(de)(de)(de)多數載(zai)流子，將直接(jie)受耗盡(jin)(jin)層電(dian)場的(de)(de)(de)吸引，到達漏(lou)(lou)區，產生大的(de)(de)(de)ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在(zai)增加(jia)柵(zha)源電(dian)(dian)壓(ya)過(guo)程中，使柵(zha)極電(dian)(dian)流IG由零開始劇增時的VGS，稱(cheng)為柵(zha)源擊穿電(dian)(dian)壓(ya)BVGS。

5、低(di)頻跨導gm

在VDS為某(mou)一固定數值(zhi)的條件(jian)下，漏極電(dian)(dian)流的微變(bian)(bian)量和引起這個變(bian)(bian)化的柵源電(dian)(dian)壓微變(bian)(bian)量之比稱為跨導，gm反映了柵源電(dian)(dian)壓對漏極電(dian)(dian)流的控制能力，是表征(zheng)MOS管放大能力的一個重要(yao)參數，一般在十分之幾至幾mA/V的范圍(wei)內。

6、導通電阻RON

導通(tong)電(dian)阻(zu)(zu)RON說明了VDS對ID的(de)(de)影響(xiang)，是漏(lou)極特(te)性某一點切線的(de)(de)斜率的(de)(de)倒數(shu)，在(zai)飽(bao)和區，ID幾(ji)(ji)乎不(bu)隨VDS改變，RON的(de)(de)數(shu)值(zhi)很大，一般在(zai)幾(ji)(ji)十千(qian)歐(ou)到幾(ji)(ji)百千(qian)歐(ou)之間，由于在(zai)數(shu)字電(dian)路中，MOS管(guan)導通(tong)時(shi)(shi)經常工作在(zai)VDS=0的(de)(de)狀態(tai)下，所以(yi)這時(shi)(shi)的(de)(de)導通(tong)電(dian)阻(zu)(zu)RON可用(yong)原點的(de)(de)RON來近似，對一般的(de)(de)MOS管(guan)而言，RON的(de)(de)數(shu)值(zhi)在(zai)幾(ji)(ji)百歐(ou)以(yi)內。

7、極間電容

三個電(dian)極(ji)之(zhi)間都(dou)存在著極(ji)間電(dian)容(rong)：柵源電(dian)容(rong)CGS、柵漏電(dian)容(rong)CGD和漏源電(dian)容(rong)CDS，CGS和CGD約(yue)為1～3pF，CDS約(yue)在0.1～1pF之(zhi)間。

8、低頻噪聲系數NF

噪(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)是(shi)(shi)由管子內部載流子運動的(de)(de)(de)不規則性(xing)所(suo)引(yin)起(qi)的(de)(de)(de)，由于它的(de)(de)(de)存(cun)在，就使(shi)一(yi)個(ge)放大器即便在沒有信(xin)號輸人時(shi)，在輸出(chu)端也出(chu)現不規則的(de)(de)(de)電壓或電流變化，噪(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)性(xing)能的(de)(de)(de)大小(xiao)通常(chang)用噪(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數(shu)NF來(lai)表示，它的(de)(de)(de)單位(wei)為分(fen)(fen)貝(bei)（dB），這個(ge)數(shu)值(zhi)越小(xiao)，代表管子所(suo)產(chan)生的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)越小(xiao)，低頻噪(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數(shu)是(shi)(shi)在低頻范圍(wei)內測(ce)出(chu)的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數(shu)，場效應管的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數(shu)約為幾個(ge)分(fen)(fen)貝(bei)，它比雙(shuang)極性(xing)三(san)極管的(de)(de)(de)要小(xiao)。