一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是柵極相對于源(yuan)極的電壓。

與(yu)NMOS一(yi)樣，導通的(de)(de)PMOS的(de)(de)工(gong)作區域也分為非飽(bao)和(he)(he)區，臨界飽(bao)和(he)(he)點和(he)(he)飽(bao)和(he)(he)區。當(dang)然(ran)，不論NMOS還是(shi)(shi)PMOS，當(dang)未(wei)形成反型溝道時(shi)，都(dou)處于截(jie)止區，其電壓條件是(shi)(shi)：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值得注意的(de)(de)是(shi)(shi)，PMOS的(de)(de)VGS和(he)(he)VTP都(dou)是(shi)(shi)負值。

PMOS集成電(dian)路(lu)(lu)是一種適合在低速、低頻領域(yu)內應用的器件(jian)。PMOS集成電(dian)路(lu)(lu)采用-24V電(dian)壓(ya)供(gong)電(dian)。MOS場效應晶體(ti)管具有很(hen)高的輸入(ru)阻(zu)抗(kang)，在電(dian)路(lu)(lu)中便于直接(jie)耦合，容(rong)易制(zhi)成規模大的集成電(dian)路(lu)(lu)。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開(kai)啟(qi)電(dian)壓(ya)(ya)（又稱閾值(zhi)電(dian)壓(ya)(ya)）：使得(de)源極S和漏(lou)極D之間開(kai)始形成導電(dian)溝道所需的柵極電(dian)壓(ya)(ya)，標準(zhun)的N溝道MOS管，VT約(yue)為3～6V，通(tong)過(guo)工藝(yi)上的改(gai)進(jin)，可(ke)以使MOS管的VT值(zhi)降(jiang)到2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即在(zai)柵源極(ji)之(zhi)(zhi)間加的(de)(de)電(dian)(dian)壓與柵極(ji)電(dian)(dian)流(liu)(liu)之(zhi)(zhi)比，這一特性(xing)有時以(yi)流(liu)(liu)過(guo)柵極(ji)的(de)(de)柵流(liu)(liu)表示，MOS管的(de)(de)RGS可以(yi)很容易地超過(guo)1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強型）的(de)條件下(xia)(xia)，在增加(jia)漏(lou)源電(dian)壓(ya)過(guo)程中(zhong)(zhong)使(shi)ID開(kai)始劇增時的(de)VDS稱為漏(lou)源擊穿(chuan)電(dian)壓(ya)BVDS，ID劇增的(de)原因有下(xia)(xia)列兩個方面：（1）漏(lou)極(ji)附近(jin)耗盡(jin)層(ceng)的(de)雪崩擊穿(chuan)，（2）漏(lou)源極(ji)間(jian)(jian)的(de)穿(chuan)通擊穿(chuan)，有些MOS管中(zhong)(zhong)，其溝道長度較短(duan)，不斷(duan)增加(jia)VDS會使(shi)漏(lou)區(qu)的(de)耗盡(jin)層(ceng)一直擴展到源區(qu)，使(shi)溝道長度為零(ling)，即(ji)產(chan)生(sheng)漏(lou)源間(jian)(jian)的(de)穿(chuan)通，穿(chuan)通后，源區(qu)中(zhong)(zhong)的(de)多數載流子，將直接(jie)受耗盡(jin)層(ceng)電(dian)場的(de)吸引(yin)，到達漏(lou)區(qu)，產(chan)生(sheng)大(da)的(de)ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增加(jia)柵(zha)源電壓(ya)過(guo)程中，使(shi)柵(zha)極(ji)電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵(zha)源擊穿電壓(ya)BVGS。

5、低頻跨導(dao)gm

在(zai)VDS為(wei)某一固定數值的條(tiao)件下(xia)，漏極電流的微變量和引起這個(ge)變化的柵(zha)源(yuan)電壓微變量之比稱(cheng)為(wei)跨導，gm反(fan)映了柵(zha)源(yuan)電壓對漏極電流的控制(zhi)能力(li)，是表征MOS管放大能力(li)的一個(ge)重要參數，一般(ban)在(zai)十(shi)分之幾至幾mA/V的范圍內。

6、導通電阻RON

導通電阻RON說明了VDS對ID的(de)(de)(de)影響，是(shi)漏(lou)極特性某一點(dian)切線的(de)(de)(de)斜率的(de)(de)(de)倒數，在(zai)飽和區，ID幾(ji)(ji)乎不隨VDS改變，RON的(de)(de)(de)數值很大，一般(ban)在(zai)幾(ji)(ji)十千歐到幾(ji)(ji)百(bai)千歐之間，由于(yu)在(zai)數字電路中，MOS管導通時經常工(gong)作在(zai)VDS=0的(de)(de)(de)狀態(tai)下，所以(yi)這時的(de)(de)(de)導通電阻RON可用(yong)原點(dian)的(de)(de)(de)RON來近似(si)，對一般(ban)的(de)(de)(de)MOS管而言，RON的(de)(de)(de)數值在(zai)幾(ji)(ji)百(bai)歐以(yi)內。

7、極間電容

三(san)個電(dian)極之(zhi)間都(dou)存在著(zhu)極間電(dian)容(rong)(rong)：柵源(yuan)電(dian)容(rong)(rong)CGS、柵漏電(dian)容(rong)(rong)CGD和漏源(yuan)電(dian)容(rong)(rong)CDS，CGS和CGD約為(wei)1～3pF，CDS約在0.1～1pF之(zhi)間。

8、低頻噪聲系數NF

噪(zao)(zao)聲(sheng)是(shi)由管(guan)子內部載流(liu)子運(yun)動(dong)的(de)(de)(de)不規則性所引起的(de)(de)(de)，由于(yu)它(ta)的(de)(de)(de)存(cun)在(zai)(zai)，就使一(yi)個放大(da)器即便在(zai)(zai)沒有信號輸人時(shi)，在(zai)(zai)輸出(chu)端也出(chu)現(xian)不規則的(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓(ya)或(huo)電(dian)(dian)流(liu)變化，噪(zao)(zao)聲(sheng)性能的(de)(de)(de)大(da)小(xiao)(xiao)通常用噪(zao)(zao)聲(sheng)系(xi)(xi)數(shu)NF來(lai)表(biao)示，它(ta)的(de)(de)(de)單位(wei)為(wei)分(fen)(fen)貝(bei)（dB），這個數(shu)值越小(xiao)(xiao)，代表(biao)管(guan)子所產(chan)生的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)聲(sheng)越小(xiao)(xiao)，低頻噪(zao)(zao)聲(sheng)系(xi)(xi)數(shu)是(shi)在(zai)(zai)低頻范(fan)圍內測出(chu)的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)聲(sheng)系(xi)(xi)數(shu)，場效應(ying)管(guan)的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)聲(sheng)系(xi)(xi)數(shu)約為(wei)幾個分(fen)(fen)貝(bei)，它(ta)比(bi)雙極性三極管(guan)的(de)(de)(de)要小(xiao)(xiao)。