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mos管的vgs電壓是什么意思 MOS管各項參數分別是什么含義

本文章由注冊用戶 淺嘗不止— 上傳提供 2024-04-17 評論 0
摘要:當MOS管開始導通時,這個電壓值較小,當柵極和源極間的電壓值達到一個值時,MOS管才能完全導通。加載這兩端的電壓值也有個極限,不能超過給出的最大值,這個最大值指的就是Vgs,那么除了Vgs外,MOS管還有哪些參數呢?不用擔心,文中為您帶來了MOS管各項參數含義介紹,一起到文中來看看吧!

一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是(shi)柵(zha)極(ji)相對于(yu)源極(ji)的電(dian)壓。

與(yu)NMOS一樣,導(dao)通的(de)PMOS的(de)工(gong)作區域也分為(wei)非飽和(he)區,臨界飽和(he)點和(he)飽和(he)區。當然(ran),不論NMOS還是(shi)(shi)(shi)PMOS,當未形成反型溝(gou)道時,都處于(yu)截(jie)止(zhi)區,其電壓條(tiao)件是(shi)(shi)(shi):|VGS|>|VTP(PMOS)|,值得(de)注意(yi)的(de)是(shi)(shi)(shi),PMOS的(de)VGS和(he)VTP都是(shi)(shi)(shi)負值。

PMOS集成(cheng)電路(lu)是一(yi)種適合(he)(he)在低速、低頻領(ling)域內應用的器件。PMOS集成(cheng)電路(lu)采用-24V電壓供電。MOS場效應晶體(ti)管具有(you)很高(gao)的輸入阻抗,在電路(lu)中便于直接耦合(he)(he),容易制成(cheng)規模大的集成(cheng)電路(lu)。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開啟(qi)電(dian)壓(又稱(cheng)閾值電(dian)壓):使得源(yuan)極S和漏極D之間(jian)開始(shi)形(xing)成導電(dian)溝道所需的(de)柵極電(dian)壓,標準的(de)N溝道MOS管(guan),VT約為3~6V,通(tong)過工藝上(shang)的(de)改進,可以使MOS管(guan)的(de)VT值降到2~3V。

2、直流輸入電阻RGS

即在柵(zha)源極之間加的(de)(de)電壓與柵(zha)極電流(liu)之比(bi),這(zhe)一特(te)性有時以(yi)流(liu)過柵(zha)極的(de)(de)柵(zha)流(liu)表(biao)示,MOS管的(de)(de)RGS可(ke)以(yi)很(hen)容易(yi)地超過1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0(增(zeng)強型)的(de)(de)(de)(de)條件下,在增(zeng)加漏源電壓過(guo)程中使(shi)ID開始劇增(zeng)時(shi)的(de)(de)(de)(de)VDS稱(cheng)為(wei)漏源擊(ji)(ji)穿電壓BVDS,ID劇增(zeng)的(de)(de)(de)(de)原因(yin)有下列兩個方面:(1)漏極附近耗(hao)盡(jin)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)雪崩擊(ji)(ji)穿,(2)漏源極間的(de)(de)(de)(de)穿通(tong)擊(ji)(ji)穿,有些MOS管(guan)中,其溝道長度(du)較短,不(bu)斷增(zeng)加VDS會使(shi)漏區的(de)(de)(de)(de)耗(hao)盡(jin)層(ceng)一(yi)直擴(kuo)展到源區,使(shi)溝道長度(du)為(wei)零,即產生(sheng)漏源間的(de)(de)(de)(de)穿通(tong),穿通(tong)后,源區中的(de)(de)(de)(de)多數載流(liu)子(zi),將直接受耗(hao)盡(jin)層(ceng)電場的(de)(de)(de)(de)吸(xi)引,到達漏區,產生(sheng)大的(de)(de)(de)(de)ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增(zeng)加柵(zha)源電(dian)(dian)壓過(guo)程中,使柵(zha)極電(dian)(dian)流(liu)IG由零開始劇增(zeng)時的(de)VGS,稱為柵(zha)源擊穿電(dian)(dian)壓BVGS。

5、低頻跨導gm

在(zai)VDS為某一(yi)固(gu)定數值(zhi)的(de)條件(jian)下,漏極電(dian)(dian)流的(de)微變量(liang)和引起這個(ge)(ge)變化的(de)柵源電(dian)(dian)壓(ya)微變量(liang)之比稱為跨導(dao),gm反映了(le)柵源電(dian)(dian)壓(ya)對漏極電(dian)(dian)流的(de)控制能力,是表征MOS管放大能力的(de)一(yi)個(ge)(ge)重要(yao)參(can)數,一(yi)般在(zai)十分之幾至(zhi)幾mA/V的(de)范圍內。

6、導通電阻RON

導通(tong)電(dian)阻RON說(shuo)明了VDS對(dui)(dui)ID的(de)(de)(de)影響(xiang),是漏極特性(xing)某一(yi)點切線的(de)(de)(de)斜(xie)率的(de)(de)(de)倒數,在(zai)飽(bao)和(he)區(qu),ID幾(ji)(ji)乎(hu)不(bu)隨VDS改(gai)變,RON的(de)(de)(de)數值很(hen)大,一(yi)般在(zai)幾(ji)(ji)十千(qian)歐到(dao)幾(ji)(ji)百千(qian)歐之間,由于在(zai)數字(zi)電(dian)路中,MOS管導通(tong)時經常工作(zuo)在(zai)VDS=0的(de)(de)(de)狀態下,所以這時的(de)(de)(de)導通(tong)電(dian)阻RON可(ke)用原(yuan)點的(de)(de)(de)RON來近似,對(dui)(dui)一(yi)般的(de)(de)(de)MOS管而言(yan),RON的(de)(de)(de)數值在(zai)幾(ji)(ji)百歐以內。

7、極間電容

三個電(dian)極(ji)之(zhi)間都存在著極(ji)間電(dian)容(rong):柵源電(dian)容(rong)CGS、柵漏電(dian)容(rong)CGD和(he)漏源電(dian)容(rong)CDS,CGS和(he)CGD約為1~3pF,CDS約在0.1~1pF之(zhi)間。

8、低頻噪聲系數NF

噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)是由管(guan)(guan)子(zi)(zi)內部載流子(zi)(zi)運(yun)動的(de)(de)(de)(de)(de)不規則(ze)性所引起的(de)(de)(de)(de)(de),由于它的(de)(de)(de)(de)(de)存在(zai),就(jiu)使一個(ge)放大器(qi)即(ji)便在(zai)沒有信號輸(shu)人時,在(zai)輸(shu)出端也出現不規則(ze)的(de)(de)(de)(de)(de)電壓或(huo)電流變(bian)化,噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)性能的(de)(de)(de)(de)(de)大小(xiao)通(tong)常用(yong)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系(xi)數(shu)(shu)NF來表示(shi),它的(de)(de)(de)(de)(de)單(dan)位為分(fen)貝(bei)(dB),這個(ge)數(shu)(shu)值越小(xiao),代表管(guan)(guan)子(zi)(zi)所產生的(de)(de)(de)(de)(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)越小(xiao),低頻噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系(xi)數(shu)(shu)是在(zai)低頻范圍內測出的(de)(de)(de)(de)(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系(xi)數(shu)(shu),場效應管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)系(xi)數(shu)(shu)約(yue)為幾個(ge)分(fen)貝(bei),它比雙極性三極管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)要小(xiao)。

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