一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是柵極(ji)相對于源極(ji)的(de)電壓。

與NMOS一樣，導通(tong)的(de)PMOS的(de)工作區(qu)(qu)域也分(fen)為非飽和區(qu)(qu)，臨界(jie)飽和點(dian)和飽和區(qu)(qu)。當然(ran)，不論NMOS還是(shi)PMOS，當未形成反型溝道時，都處(chu)于(yu)截止(zhi)區(qu)(qu)，其電(dian)壓(ya)條件(jian)是(shi)：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值得注意的(de)是(shi)，PMOS的(de)VGS和VTP都是(shi)負(fu)值。

PMOS集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)是一種適合在低速、低頻(pin)領域內應(ying)用(yong)(yong)的(de)器件。PMOS集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)采用(yong)(yong)-24V電(dian)壓供電(dian)。MOS場(chang)效應(ying)晶體管具有(you)很高的(de)輸(shu)入阻抗，在電(dian)路(lu)中(zhong)便于直接耦合，容易制成(cheng)規模大(da)的(de)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開(kai)啟電壓（又稱閾值(zhi)(zhi)電壓）：使(shi)得源極S和漏(lou)極D之間開(kai)始(shi)形成導電溝(gou)道所需(xu)的(de)柵極電壓，標準(zhun)的(de)N溝(gou)道MOS管(guan)(guan)，VT約為3～6V，通過(guo)工(gong)藝(yi)上的(de)改進，可以使(shi)MOS管(guan)(guan)的(de)VT值(zhi)(zhi)降(jiang)到2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即在柵源極(ji)之間加的電(dian)壓與柵極(ji)電(dian)流(liu)之比，這(zhe)一特性有(you)時以流(liu)過柵極(ji)的柵流(liu)表示，MOS管(guan)的RGS可以很容(rong)易地超過1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在(zai)VGS=0（增(zeng)強(qiang)型(xing)）的(de)(de)(de)條件下，在(zai)增(zeng)加(jia)漏(lou)(lou)(lou)(lou)(lou)源(yuan)電(dian)壓過程中使(shi)ID開始(shi)劇增(zeng)時的(de)(de)(de)VDS稱為漏(lou)(lou)(lou)(lou)(lou)源(yuan)擊(ji)穿(chuan)(chuan)電(dian)壓BVDS，ID劇增(zeng)的(de)(de)(de)原(yuan)因有下列兩(liang)個方面：（1）漏(lou)(lou)(lou)(lou)(lou)極附近耗盡(jin)層的(de)(de)(de)雪崩擊(ji)穿(chuan)(chuan)，（2）漏(lou)(lou)(lou)(lou)(lou)源(yuan)極間的(de)(de)(de)穿(chuan)(chuan)通(tong)(tong)擊(ji)穿(chuan)(chuan)，有些MOS管中，其溝道長(chang)(chang)度較(jiao)短，不斷(duan)增(zeng)加(jia)VDS會使(shi)漏(lou)(lou)(lou)(lou)(lou)區(qu)的(de)(de)(de)耗盡(jin)層一直擴展到源(yuan)區(qu)，使(shi)溝道長(chang)(chang)度為零，即產生漏(lou)(lou)(lou)(lou)(lou)源(yuan)間的(de)(de)(de)穿(chuan)(chuan)通(tong)(tong)，穿(chuan)(chuan)通(tong)(tong)后，源(yuan)區(qu)中的(de)(de)(de)多(duo)數載流子，將直接受耗盡(jin)層電(dian)場的(de)(de)(de)吸引，到達漏(lou)(lou)(lou)(lou)(lou)區(qu)，產生大的(de)(de)(de)ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增加柵(zha)源電壓過程中，使柵(zha)極電流IG由零(ling)開始劇增時的VGS，稱為(wei)柵(zha)源擊穿電壓BVGS。

5、低頻跨導gm

在VDS為(wei)某一固定數(shu)值的(de)條件(jian)下(xia)，漏(lou)極(ji)電(dian)(dian)流(liu)的(de)微變量和(he)引(yin)起這個(ge)變化的(de)柵(zha)源電(dian)(dian)壓微變量之比稱為(wei)跨導，gm反映了柵(zha)源電(dian)(dian)壓對漏(lou)極(ji)電(dian)(dian)流(liu)的(de)控制能力，是表征MOS管放大能力的(de)一個(ge)重要參數(shu)，一般在十分(fen)之幾(ji)至幾(ji)mA/V的(de)范圍內。

6、導通電阻RON

導通(tong)(tong)電阻(zu)(zu)RON說明了(le)VDS對(dui)ID的(de)(de)(de)影響，是(shi)漏極特性某一(yi)點切線(xian)的(de)(de)(de)斜(xie)率的(de)(de)(de)倒數，在(zai)飽(bao)和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的(de)(de)(de)數值(zhi)很大，一(yi)般在(zai)幾十千歐到幾百千歐之間，由(you)于在(zai)數字電路(lu)中，MOS管(guan)導通(tong)(tong)時(shi)經常工(gong)作在(zai)VDS=0的(de)(de)(de)狀態下，所(suo)以這時(shi)的(de)(de)(de)導通(tong)(tong)電阻(zu)(zu)RON可用(yong)原(yuan)點的(de)(de)(de)RON來近(jin)似，對(dui)一(yi)般的(de)(de)(de)MOS管(guan)而言，RON的(de)(de)(de)數值(zhi)在(zai)幾百歐以內。

7、極間電容

三個電(dian)極之(zhi)間都存在著(zhu)極間電(dian)容(rong)：柵源(yuan)電(dian)容(rong)CGS、柵漏電(dian)容(rong)CGD和漏源(yuan)電(dian)容(rong)CDS，CGS和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之(zhi)間。

8、低頻噪聲系數NF

噪(zao)聲(sheng)(sheng)是由管子(zi)(zi)內部載流子(zi)(zi)運動的(de)(de)不(bu)規(gui)則(ze)性所引起(qi)的(de)(de)，由于它(ta)的(de)(de)存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現不(bu)規(gui)則(ze)的(de)(de)電壓(ya)或電流變化，噪(zao)聲(sheng)(sheng)性能的(de)(de)大小(xiao)通(tong)常用噪(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數(shu)NF來表示(shi)，它(ta)的(de)(de)單(dan)位(wei)為(wei)分貝（dB），這個數(shu)值越小(xiao)，代表管子(zi)(zi)所產生的(de)(de)噪(zao)聲(sheng)(sheng)越小(xiao)，低頻(pin)噪(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數(shu)是在低頻(pin)范圍內測出的(de)(de)噪(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數(shu)，場效(xiao)應管的(de)(de)噪(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數(shu)約為(wei)幾個分貝，它(ta)比雙(shuang)極性三極管的(de)(de)要小(xiao)。