一、mos管的vgs電壓是什么意思

Vgs是柵極(ji)相對于(yu)源極(ji)的電壓(ya)。

與NMOS一樣，導通的(de)(de)PMOS的(de)(de)工作(zuo)區域也分為非(fei)飽和(he)區，臨界飽和(he)點(dian)和(he)飽和(he)區。當(dang)然，不(bu)論NMOS還(huan)是PMOS，當(dang)未形成反型溝道時，都(dou)處于截止區，其電壓條件是：|VGS|>|VTP（PMOS）|，值得注意的(de)(de)是，PMOS的(de)(de)VGS和(he)VTP都(dou)是負值。

PMOS集成(cheng)電(dian)路(lu)是一種適(shi)合(he)在(zai)低(di)(di)速、低(di)(di)頻領域內(nei)應(ying)用(yong)的(de)器件。PMOS集成(cheng)電(dian)路(lu)采用(yong)-24V電(dian)壓供電(dian)。MOS場效應(ying)晶體管具(ju)有很(hen)高的(de)輸入阻抗，在(zai)電(dian)路(lu)中便于直接耦合(he)，容易(yi)制成(cheng)規模大的(de)集成(cheng)電(dian)路(lu)。

二、MOS管各項參數分別是什么含義

1、開啟電壓VT

開啟電(dian)壓(ya)（又稱閾值電(dian)壓(ya)）：使得源極(ji)S和漏極(ji)D之間開始形成(cheng)導電(dian)溝道(dao)所需的柵極(ji)電(dian)壓(ya)，標(biao)準的N溝道(dao)MOS管，VT約(yue)為3～6V，通(tong)過工藝(yi)上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、直流輸入電阻RGS

即(ji)在柵源極之間加的(de)(de)電(dian)壓與柵極電(dian)流之比(bi)，這一特性有時以(yi)(yi)流過柵極的(de)(de)柵流表示，MOS管的(de)(de)RGS可(ke)以(yi)(yi)很(hen)容易地(di)超(chao)過1010Ω。

3、漏源擊穿電壓BVDS

在(zai)(zai)VGS=0（增(zeng)強型(xing)）的(de)(de)(de)條件下，在(zai)(zai)增(zeng)加漏(lou)源(yuan)(yuan)電(dian)壓過程中使(shi)ID開始劇(ju)增(zeng)時的(de)(de)(de)VDS稱為(wei)漏(lou)源(yuan)(yuan)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓BVDS，ID劇(ju)增(zeng)的(de)(de)(de)原(yuan)因有下列兩個(ge)方面(mian)：（1）漏(lou)極附近耗(hao)(hao)盡(jin)層的(de)(de)(de)雪崩擊(ji)穿(chuan)，（2）漏(lou)源(yuan)(yuan)極間(jian)的(de)(de)(de)穿(chuan)通(tong)(tong)擊(ji)穿(chuan)，有些MOS管(guan)中，其溝(gou)道(dao)長度較短，不(bu)斷增(zeng)加VDS會使(shi)漏(lou)區的(de)(de)(de)耗(hao)(hao)盡(jin)層一直擴展到源(yuan)(yuan)區，使(shi)溝(gou)道(dao)長度為(wei)零，即產生漏(lou)源(yuan)(yuan)間(jian)的(de)(de)(de)穿(chuan)通(tong)(tong)，穿(chuan)通(tong)(tong)后，源(yuan)(yuan)區中的(de)(de)(de)多數載流子，將直接受耗(hao)(hao)盡(jin)層電(dian)場的(de)(de)(de)吸引，到達漏(lou)區，產生大的(de)(de)(de)ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增(zeng)(zeng)加柵(zha)(zha)源電(dian)壓過程(cheng)中，使柵(zha)(zha)極電(dian)流IG由零開始劇(ju)增(zeng)(zeng)時的(de)VGS，稱為柵(zha)(zha)源擊穿(chuan)電(dian)壓BVGS。

5、低頻跨導gm

在VDS為某一(yi)固定(ding)數(shu)值(zhi)的(de)條件下(xia)，漏極電流的(de)微變量和(he)引(yin)起這個變化的(de)柵(zha)源電壓(ya)微變量之(zhi)比稱為跨導，gm反映了(le)柵(zha)源電壓(ya)對漏極電流的(de)控制能(neng)力(li)，是表征MOS管放大能(neng)力(li)的(de)一(yi)個重要參數(shu)，一(yi)般(ban)在十分之(zhi)幾至幾mA/V的(de)范圍內。

6、導通電阻RON

導通(tong)電阻RON說明了VDS對(dui)ID的影(ying)響，是漏(lou)極(ji)特性某一點(dian)切(qie)線(xian)的斜率的倒數(shu)，在(zai)(zai)飽和區，ID幾(ji)乎不隨VDS改變，RON的數(shu)值很(hen)大，一般在(zai)(zai)幾(ji)十千(qian)歐(ou)(ou)到(dao)幾(ji)百千(qian)歐(ou)(ou)之間，由于在(zai)(zai)數(shu)字電路中，MOS管導通(tong)時經常工作在(zai)(zai)VDS=0的狀(zhuang)態下(xia)，所以這時的導通(tong)電阻RON可用(yong)原(yuan)點(dian)的RON來近(jin)似，對(dui)一般的MOS管而言，RON的數(shu)值在(zai)(zai)幾(ji)百歐(ou)(ou)以內(nei)。

7、極間電容

三個(ge)電(dian)極之間(jian)都存在著極間(jian)電(dian)容：柵源電(dian)容CGS、柵漏電(dian)容CGD和漏源電(dian)容CDS，CGS和CGD約(yue)為1～3pF，CDS約(yue)在0.1～1pF之間(jian)。

8、低頻噪聲系數NF

噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)是由(you)管子內(nei)部載流(liu)子運動的(de)(de)(de)不規則性(xing)所(suo)引(yin)起的(de)(de)(de)，由(you)于(yu)它(ta)的(de)(de)(de)存在(zai)，就(jiu)使一個放大器即便在(zai)沒有信號輸(shu)(shu)人時，在(zai)輸(shu)(shu)出端也出現(xian)不規則的(de)(de)(de)電壓或(huo)電流(liu)變(bian)化，噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)性(xing)能的(de)(de)(de)大小通常用噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數NF來表(biao)示，它(ta)的(de)(de)(de)單(dan)位為分(fen)貝（dB），這個數值(zhi)越(yue)小，代表(biao)管子所(suo)產生的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)越(yue)小，低頻(pin)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數是在(zai)低頻(pin)范(fan)圍內(nei)測(ce)出的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數，場效應管的(de)(de)(de)噪(zao)(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)系(xi)數約為幾個分(fen)貝，它(ta)比雙(shuang)極性(xing)三極管的(de)(de)(de)要小。