一、mos管燒掉的原因有哪些

mos管，全稱為金屬氧化物半導體場效應管，是一種常用于電子電路中的半導體器件。但是，在電路設計和操作過程中，常常會發生mos管燒毀的情況，導致電子設備的故障。那么，mos管燒毀的原因是什么呢？本文將從多個方面分步驟闡述。

1、加熱過程中因氧化層受損

mos管的(de)(de)核心是(shi)由金(jin)屬(shu)控(kong)制電流流動(dong)的(de)(de)金(jin)屬(shu)柵極和半導體材料組成的(de)(de)氧(yang)化(hua)層。氧(yang)化(hua)層中的(de)(de)氧(yang)化(hua)物具有良好的(de)(de)隔(ge)(ge)離性(xing)(xing)，以防(fang)止電流流入。但(dan)是(shi)，如果氧(yang)化(hua)層在(zai)(zai)制造過(guo)程(cheng)中受到損壞，或在(zai)(zai)使(shi)用過(guo)程(cheng)中由于局部加熱(re)導致損壞，將使(shi)mos管的(de)(de)隔(ge)(ge)離性(xing)(xing)大大降低，從而(er)導致電路(lu)短路(lu)，隨之而(er)來的(de)(de)是(shi)mos管的(de)(de)燒毀。

2、通電時因超過承受電壓

mos管在(zai)使(shi)(shi)用過程中(zhong)，必須保持適當的電(dian)壓和電(dian)流范圍(wei)。如(ru)果(guo)電(dian)路設計或使(shi)(shi)用中(zhong)對電(dian)壓過高或電(dian)流過大，將導致(zhi)(zhi)mos管內部(bu)的元器件無法承(cheng)受，致(zhi)(zhi)使(shi)(shi)內部(bu)失效(xiao)和燒(shao)毀。

3、外部應力因素作用

在(zai)電子電路中(zhong)，mos管(guan)的工(gong)作溫(wen)度受到(dao)外界環境因素的影響(xiang)。如(ru)地震、高溫(wen)、潮濕等極端環境下，mos管(guan)可(ke)能會受到(dao)損壞(huai)，從而(er)導(dao)致(zhi)失效(xiao)和燒(shao)毀。此外，日常使用中(zhong)人為(wei)因素，如(ru)不當連接(jie)、彎曲(qu)、撞擊等亦(yi)可(ke)能導(dao)致(zhi)mos管(guan)損壞(huai)。

4、由于使用壽命過長

mos管(guan)(guan)是一(yi)種(zhong)電(dian)子元器件，其使(shi)用壽命是有(you)限的。在(zai)使(shi)用時間(jian)過長、性能下降(jiang)的情況下，會(hui)出現各(ge)種(zhong)各(ge)樣(yang)的燒毀(hui)現象(xiang)。在(zai)mos管(guan)(guan)老化過程中，電(dian)極(ji)之間(jian)漸漸失(shi)去隔離(li)性能，同時通(tong)電(dian)時也會(hui)出現許(xu)多(duo)“噪聲(sheng)”，這些因(yin)素都(dou)可能導致mos管(guan)(guan)的失(shi)效。總的來說，mos管(guan)(guan)燒毀(hui)是由多(duo)種(zhong)因(yin)素共同作用而(er)形(xing)成(cheng)的。想要有(you)效避免(mian)mos管(guan)(guan)燒毀(hui)，我們應該在(zai)選擇和使(shi)用mos管(guan)(guan)時嚴格按照規范(fan)操作。對于一(yi)旦有(you)了問題，及時采取維(wei)修措施(shi)以確保(bao)設備正常運轉(zhuan)。

二、MOS管失效的5大原因及解決措施介紹

1、雪崩失效（電壓失效）

雪崩失效也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過(guo)達到了一定的(de)能力(li)從而導(dao)致MOSFET失效。

雪崩(beng)(beng)失效(xiao)的預防(fang)措施(shi)：雪崩(beng)(beng)失效(xiao)歸(gui)根(gen)結底是電(dian)壓失效(xiao)，因此(ci)預防(fang)我(wo)們著重(zhong)從電(dian)壓來考(kao)慮。

2、柵極電壓失效

造成柵極電壓異常高的主要原因有三：生產、運輸、裝配過程中的靜電；電力系統運行中設備和電(dian)路寄生參(can)數引起的高壓諧振(zhen)；在高壓沖擊(ji)過程中，高壓通(tong)過Ggd傳輸到電(dian)網（在雷擊(ji)試驗(yan)中，這種(zhong)原因引起的故障更(geng)常見(jian)）。

柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)壓失(shi)效(xiao)的(de)(de)(de)預(yu)防(fang)措施：柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的(de)(de)(de)過電(dian)壓保護：如果柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的(de)(de)(de)阻抗過高(gao)，漏極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間(jian)電(dian)壓的(de)(de)(de)突然變化(hua)將通過電(dian)極(ji)(ji)(ji)間(jian)電(dian)容耦合(he)到柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)上，導(dao)(dao)致非常(chang)高(gao)的(de)(de)(de)UGS電(dian)壓超調，從而導(dao)(dao)致柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)超調。氧化(hua)物層永久性損(sun)壞。如果是(shi)正方(fang)向上的(de)(de)(de)UGS瞬態電(dian)壓，設備也可能導(dao)(dao)通錯誤。為此，應適當降低(di)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)驅動電(dian)路的(de)(de)(de)阻抗，并在(zai)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間(jian)并聯一個(ge)阻尼電(dian)阻或(huo)一個(ge)穩(wen)壓約20V的(de)(de)(de)調壓器。必須特別注意防(fang)止開(kai)門操作(zuo)。

3、SOA失效（電流失效）

SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發熱而導致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續(xu)的發熱使溫度(du)超(chao)過氧化層(ceng)限制而(er)導致的熱擊穿模式(shi)。

SOA失效的(de)預防措施：（1）確(que)保在最(zui)差條(tiao)件(jian)下，MOSFET的(de)所有功(gong)率限制條(tiao)件(jian)均在SOA限制線以(yi)內。（2）將(jiang)OCP功(gong)能(neng)一(yi)定(ding)要(yao)做(zuo)精確(que)細致。

4、靜電失效

靜電(dian)(dian)的基(ji)本(ben)物(wu)理特性是：有吸引(yin)力或斥力；有電(dian)(dian)場，與(yu)地球有電(dian)(dian)位(wei)差(cha)；產生放電(dian)(dian)電(dian)(dian)流。

靜(jing)電(dian)失效(xiao)預防措施：MOS電(dian)路輸入端(duan)的(de)(de)保護二極管在(zai)(zai)通電(dian)時(shi)(shi)的(de)(de)電(dian)流(liu)容(rong)限為1毫安(an)。當可能(neng)出現過(guo)大(da)的(de)(de)瞬時(shi)(shi)輸入電(dian)流(liu)（大(da)于10mA）時(shi)(shi)，輸入保護電(dian)阻(zu)應(ying)串聯，同時(shi)(shi)，由于保護電(dian)路吸收的(de)(de)瞬時(shi)(shi)能(neng)量有限，過(guo)大(da)的(de)(de)瞬時(shi)(shi)信號(hao)和過(guo)高(gao)的(de)(de)靜(jing)電(dian)電(dian)壓(ya)會使保護電(dian)路失效(xiao)。因此(ci)，在(zai)(zai)焊接過(guo)程中，烙(luo)鐵必須可靠接地，以防止設備輸入端(duan)子泄(xie)漏。一般使用(yong)時(shi)(shi)，斷電(dian)后(hou)，可利用(yong)烙(luo)鐵的(de)(de)余熱(re)進行焊接，其接地腳(jiao)應(ying)先(xian)焊好。

5、體二極管故障

在(zai)橋式、LLC等有用到體二(er)(er)極(ji)(ji)管進(jin)行(xing)續流的(de)拓(tuo)(tuo)撲(pu)結構中(zhong)，由(you)于體二(er)(er)極(ji)(ji)管遭受破(po)壞而導致的(de)失效。在(zai)不同(tong)的(de)拓(tuo)(tuo)撲(pu)和電(dian)路中(zhong)，MOS管具有不同(tong)的(de)作用。例如，在(zai)LLC中(zhong)，體二(er)(er)極(ji)(ji)管的(de)速度(du)也(ye)是影響MOS管可靠性的(de)一個(ge)重要因素。由(you)于二(er)(er)極(ji)(ji)管本身是寄(ji)生參數，因此很(hen)難區分(fen)漏源體二(er)(er)極(ji)(ji)管故障(zhang)和漏源電(dian)壓故障(zhang)。二(er)(er)極(ji)(ji)管故障(zhang)的(de)解決方(fang)案主要是通過(guo)結合自身電(dian)路來分(fen)析。