一、mos管燒掉的原因有哪些

mos管，全稱為金屬氧化物半導體場效應管，是一種常用于電子電路中的半導體器件。但是，在電路設計和操作過程中，常常會發生mos管燒毀的情況，導致電子設備的故障。那么，mos管燒毀的原因是什(shen)么呢？本文將從多個方面分步(bu)驟(zou)闡(chan)述。

1、加熱過程中因氧化層受損

mos管的(de)核心是(shi)由(you)金屬控制電流(liu)(liu)流(liu)(liu)動(dong)的(de)金屬柵極和半導(dao)(dao)體材料組成(cheng)的(de)氧(yang)化(hua)層(ceng)。氧(yang)化(hua)層(ceng)中的(de)氧(yang)化(hua)物具有良好的(de)隔(ge)離性(xing)，以(yi)防止電流(liu)(liu)流(liu)(liu)入。但(dan)是(shi)，如(ru)果氧(yang)化(hua)層(ceng)在制造過程中受(shou)到損壞，或在使(shi)(shi)用過程中由(you)于局部(bu)加熱(re)導(dao)(dao)致損壞，將(jiang)使(shi)(shi)mos管的(de)隔(ge)離性(xing)大大降低(di)，從而(er)導(dao)(dao)致電路短路，隨之而(er)來的(de)是(shi)mos管的(de)燒毀。

2、通電時因超過承受電壓

mos管在(zai)使用過(guo)程中，必須保持適當的電壓(ya)和(he)電流范圍。如果電路設(she)計或(huo)(huo)使用中對電壓(ya)過(guo)高或(huo)(huo)電流過(guo)大(da)，將(jiang)導致mos管內部的元器件無法承受(shou)，致使內部失效和(he)燒毀。

3、外部應力因素作用

在電(dian)子電(dian)路中(zhong)，mos管(guan)的工作溫(wen)度受到外界(jie)環境(jing)因素的影響。如地(di)震(zhen)、高溫(wen)、潮濕等極端環境(jing)下，mos管(guan)可(ke)能(neng)會受到損壞，從而導致失效和(he)燒毀。此外，日常(chang)使(shi)用(yong)中(zhong)人(ren)為因素，如不當連接(jie)、彎曲(qu)、撞擊等亦可(ke)能(neng)導致mos管(guan)損壞。

4、由于使用壽命過長

mos管(guan)(guan)是一種(zhong)電(dian)子元器件，其使(shi)用(yong)壽命是有限的(de)。在使(shi)用(yong)時(shi)間過(guo)長、性能(neng)下降的(de)情況下，會(hui)出現(xian)(xian)各種(zhong)各樣(yang)的(de)燒(shao)毀現(xian)(xian)象。在mos管(guan)(guan)老化過(guo)程中，電(dian)極之(zhi)間漸(jian)漸(jian)失(shi)(shi)去隔離性能(neng)，同時(shi)通電(dian)時(shi)也會(hui)出現(xian)(xian)許多(duo)“噪聲”，這些因素(su)都可能(neng)導致mos管(guan)(guan)的(de)失(shi)(shi)效(xiao)。總(zong)的(de)來(lai)說，mos管(guan)(guan)燒(shao)毀是由多(duo)種(zhong)因素(su)共同作用(yong)而形成的(de)。想要有效(xiao)避免mos管(guan)(guan)燒(shao)毀，我(wo)們應該在選擇和(he)使(shi)用(yong)mos管(guan)(guan)時(shi)嚴格按照規范操作。對于一旦有了(le)問題，及時(shi)采(cai)取維修措施以確保設(she)備(bei)正常運轉。

二、MOS管失效的5大原因及解決措施介紹

1、雪崩失效（電壓失效）

雪崩失效也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一(yi)定(ding)的能力從(cong)而(er)導致MOSFET失效。

雪崩失(shi)效(xiao)的預(yu)防措施：雪崩失(shi)效(xiao)歸(gui)根結底是電壓失(shi)效(xiao)，因(yin)此預(yu)防我們(men)著重從電壓來考慮。

2、柵極電壓失效

造成柵極電壓異常高的主要原因有三：生產、運輸、裝配過程中的靜電；電力系統運行中設備和電路寄生參數引起的高(gao)壓諧(xie)振；在(zai)高(gao)壓沖擊過(guo)(guo)程中，高(gao)壓通過(guo)(guo)Ggd傳輸到電網（在(zai)雷擊試驗中，這種原因引起的故障(zhang)更(geng)常見）。

柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)電(dian)壓(ya)(ya)失效的(de)預防措施(shi)：柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)和(he)源(yuan)極(ji)(ji)之間(jian)(jian)的(de)過電(dian)壓(ya)(ya)保護(hu)：如果(guo)(guo)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)和(he)源(yuan)極(ji)(ji)之間(jian)(jian)的(de)阻(zu)抗(kang)過高，漏極(ji)(ji)和(he)源(yuan)極(ji)(ji)之間(jian)(jian)電(dian)壓(ya)(ya)的(de)突(tu)然變化將通過電(dian)極(ji)(ji)間(jian)(jian)電(dian)容耦(ou)合到柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)上，導致非常高的(de)UGS電(dian)壓(ya)(ya)超調，從而導致柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)超調。氧化物層永久性損壞。如果(guo)(guo)是正方向上的(de)UGS瞬態電(dian)壓(ya)(ya)，設(she)備(bei)也可能導通錯誤。為此，應(ying)適(shi)當降低柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)驅動電(dian)路的(de)阻(zu)抗(kang)，并(bing)在柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)和(he)源(yuan)極(ji)(ji)之間(jian)(jian)并(bing)聯一(yi)(yi)個阻(zu)尼電(dian)阻(zu)或一(yi)(yi)個穩壓(ya)(ya)約20V的(de)調壓(ya)(ya)器。必須(xu)特別注意防止開門操作。

3、SOA失效（電流失效）

SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發熱而導致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續的(de)發(fa)熱(re)使溫度超過氧化層(ceng)限制而(er)導(dao)致的(de)熱(re)擊穿模(mo)式。

SOA失效(xiao)的預防措施：（1）確(que)保在(zai)最差條件下，MOSFET的所有功(gong)率限制(zhi)條件均(jun)在(zai)SOA限制(zhi)線以內。（2）將OCP功(gong)能一定要做(zuo)精確(que)細致。

4、靜電失效

靜(jing)電(dian)的基本物(wu)理特性是：有吸(xi)引(yin)力或斥力；有電(dian)場，與(yu)地球有電(dian)位差；產生放電(dian)電(dian)流。

靜電(dian)(dian)(dian)失(shi)效(xiao)預防措施(shi)：MOS電(dian)(dian)(dian)路輸(shu)入(ru)端(duan)(duan)的保(bao)護二(er)極管(guan)在(zai)通(tong)電(dian)(dian)(dian)時(shi)(shi)(shi)的電(dian)(dian)(dian)流容限為1毫安。當可(ke)能(neng)(neng)出現過(guo)(guo)大(da)的瞬時(shi)(shi)(shi)輸(shu)入(ru)電(dian)(dian)(dian)流（大(da)于10mA）時(shi)(shi)(shi)，輸(shu)入(ru)保(bao)護電(dian)(dian)(dian)阻應串聯，同時(shi)(shi)(shi)，由于保(bao)護電(dian)(dian)(dian)路吸(xi)收的瞬時(shi)(shi)(shi)能(neng)(neng)量有限，過(guo)(guo)大(da)的瞬時(shi)(shi)(shi)信號和過(guo)(guo)高(gao)的靜電(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)壓會使保(bao)護電(dian)(dian)(dian)路失(shi)效(xiao)。因此，在(zai)焊接過(guo)(guo)程(cheng)中，烙鐵必須可(ke)靠接地(di)，以防止設(she)備輸(shu)入(ru)端(duan)(duan)子泄漏。一般使用(yong)時(shi)(shi)(shi)，斷(duan)電(dian)(dian)(dian)后，可(ke)利用(yong)烙鐵的余熱進行焊接，其接地(di)腳應先焊好。

5、體二極管故障

在(zai)(zai)橋式、LLC等有(you)用到體二極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)進行續(xu)流的(de)拓(tuo)撲結(jie)構(gou)中，由于體二極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)遭受破壞而導致的(de)失效。在(zai)(zai)不同(tong)(tong)的(de)拓(tuo)撲和電(dian)(dian)路中，MOS管(guan)具有(you)不同(tong)(tong)的(de)作用。例(li)如(ru)，在(zai)(zai)LLC中，體二極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)的(de)速度也是(shi)影響MOS管(guan)可靠(kao)性的(de)一個重(zhong)要(yao)因素。由于二極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)本身(shen)是(shi)寄生參(can)數，因此很(hen)難區分漏源(yuan)(yuan)體二極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)故(gu)障和漏源(yuan)(yuan)電(dian)(dian)壓(ya)故(gu)障。二極(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)故(gu)障的(de)解決方案(an)主要(yao)是(shi)通過結(jie)合自身(shen)電(dian)(dian)路來分析。