一、場效應晶體管有什么特點

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型，結(jie)型場效應管（junction FET—JFET）和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），那么場效應晶體管有什么特點呢？

1、場效應管(guan)是電壓(ya)控制(zhi)器件，它通過VGS（柵(zha)源電壓(ya)）來控制(zhi)ID（漏極電流）。

2、場效(xiao)應管的(de)控制輸入(ru)端(duan)電(dian)流極小(xiao)，因此(ci)它的(de)輸入(ru)電(dian)阻(zu)（107～1012Ω）很大。

3、它是利(li)用多(duo)數載流(liu)子(zi)導電，因此(ci)它的溫度穩定性較(jiao)好。

4、它組(zu)成(cheng)的(de)放(fang)大(da)電(dian)路(lu)的(de)電(dian)壓放(fang)大(da)系數(shu)要小(xiao)于三極管組(zu)成(cheng)放(fang)大(da)電(dian)路(lu)的(de)電(dian)壓放(fang)大(da)系數(shu)。

5、場效應管的抗(kang)輻射能力強(qiang)。

6、由于它不(bu)存在(zai)雜亂運(yun)動(dong)的電子擴散引起的散粒噪聲，所(suo)以噪聲低(di)。

二、場效應晶體管工作原理是什么

在場效(xiao)應晶體管中(zhong)，柵極(ji)和(he)源極(ji)之(zhi)間的(de)電壓(ya)可(ke)以(yi)控制漏(lou)極(ji)和(he)源極(ji)之(zhi)間的(de)電流。當(dang)柵極(ji)電壓(ya)為(wei)(wei)零時，漏(lou)極(ji)和(he)源極(ji)之(zhi)間的(de)電流是(shi)最大的(de)，這種狀(zhuang)態(tai)被稱為(wei)(wei)飽和(he)狀(zhuang)態(tai)。當(dang)柵極(ji)電壓(ya)增加時，漏(lou)極(ji)和(he)源極(ji)之(zhi)間的(de)電流會(hui)減(jian)小(xiao)，這種狀(zhuang)態(tai)被稱為(wei)(wei)截止狀(zhuang)態(tai)。

場(chang)(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管是(shi)(shi)一種非常(chang)重要的(de)(de)(de)(de)(de)半導(dao)體(ti)器件，它的(de)(de)(de)(de)(de)工作原(yuan)理是(shi)(shi)利用柵極(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場(chang)(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)作用來(lai)控制源極(ji)(ji)和漏極(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，可以用一個簡單(dan)的(de)(de)(de)(de)(de)模型來(lai)解(jie)釋(shi)。假設(she)柵極(ji)(ji)和源極(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓為零，漏極(ji)(ji)和源極(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)為I0。當柵極(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓為Vg時，柵極(ji)(ji)和源極(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場(chang)(chang)會產(chan)生一個電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)勢(shi)差，這個電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)勢(shi)差可以用公(gong)式Vg=Ed/d來(lai)計算，其中(zhong)Ed是(shi)(shi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場(chang)(chang)強度，d是(shi)(shi)柵極(ji)(ji)和源極(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)距離。這個電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)勢(shi)差會影(ying)響漏極(ji)(ji)和源極(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，使得(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)減小(xiao)到I0*（1-Vg/Vp），其中(zhong)Vp是(shi)(shi)場(chang)(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管的(de)(de)(de)(de)(de)特(te)定電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓。