一、場效應晶體管有什么特點
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型,結型場效應(ying)管(junction FET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET),那么場效應晶體管有什么特點呢?
1、場效應管是電(dian)壓(ya)控制器件(jian),它(ta)通(tong)過VGS(柵源(yuan)電(dian)壓(ya))來控制ID(漏極(ji)電(dian)流)。
2、場(chang)效應(ying)管的(de)控制輸(shu)入端電流極小,因此它的(de)輸(shu)入電阻(zu)(107~1012Ω)很大(da)。
3、它是利用多數(shu)載(zai)流子導電,因此它的溫度穩(wen)定性較好。
4、它(ta)組成的(de)放大(da)電路的(de)電壓放大(da)系數要小于(yu)三極管(guan)組成放大(da)電路的(de)電壓放大(da)系數。
5、場效應(ying)管的抗輻射能力強(qiang)。
6、由于它不存在雜亂運動的電子擴散(san)引起的散(san)粒噪聲,所(suo)以噪聲低。
二、場效應晶體管工作原理是什么
在場(chang)效應晶體(ti)管中(zhong),柵極(ji)(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的電壓可(ke)以(yi)控(kong)制漏極(ji)(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的電流。當柵極(ji)(ji)(ji)電壓為零時,漏極(ji)(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的電流是最(zui)大的,這種(zhong)狀態被(bei)稱為飽(bao)和(he)狀態。當柵極(ji)(ji)(ji)電壓增加(jia)時,漏極(ji)(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)(ji)之間(jian)的電流會(hui)減小,這種(zhong)狀態被(bei)稱為截止狀態。
場效應晶(jing)體管(guan)是(shi)一(yi)種非(fei)常重要的(de)(de)(de)半導(dao)體器件,它的(de)(de)(de)工作(zuo)原理是(shi)利(li)用(yong)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場的(de)(de)(de)作(zuo)用(yong)來控制源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)和(he)漏(lou)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu),可以用(yong)一(yi)個簡單(dan)的(de)(de)(de)模型(xing)來解釋(shi)。假設柵(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)為零,漏(lou)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)為I0。當柵(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)為Vg時,柵(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場會產生(sheng)一(yi)個電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)勢差(cha),這個電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)勢差(cha)可以用(yong)公式Vg=Ed/d來計(ji)算,其中Ed是(shi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場強度,d是(shi)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)(de)距(ju)離。這個電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)勢差(cha)會影響漏(lou)極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu),使得電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)減(jian)小到I0*(1-Vg/Vp),其中Vp是(shi)場效應晶(jing)體管(guan)的(de)(de)(de)特(te)定(ding)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)。