一、場效應晶體管有什么特點
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型,結型場效(xiao)應管(junction FET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET),那么場效應晶體管有什么特點呢?
1、場(chang)效(xiao)應管(guan)是電(dian)壓控(kong)制器件(jian),它通(tong)過VGS(柵源電(dian)壓)來控(kong)制ID(漏(lou)極電(dian)流)。
2、場效應管的控(kong)制輸入(ru)端電流(liu)極小,因此它的輸入(ru)電阻(107~1012Ω)很大。
3、它(ta)是(shi)利用(yong)多數載(zai)流子(zi)導電,因(yin)此(ci)它(ta)的溫度穩定性較(jiao)好。
4、它(ta)組(zu)成的放(fang)大(da)電路(lu)的電壓放(fang)大(da)系(xi)數要小(xiao)于三極管組(zu)成放(fang)大(da)電路(lu)的電壓放(fang)大(da)系(xi)數。
5、場(chang)效應管(guan)的抗(kang)輻射(she)能力強。
6、由于(yu)它不存在雜亂(luan)運動的電(dian)子擴散引起的散粒噪(zao)聲,所(suo)以(yi)噪(zao)聲低。
二、場效應晶體管工作原理是什么
在場效應晶(jing)體管(guan)中,柵極(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)之間(jian)的(de)電(dian)(dian)(dian)壓可以控制漏極(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)之間(jian)的(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)。當柵極(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)壓為零時,漏極(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)之間(jian)的(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)是(shi)最大(da)的(de),這種(zhong)狀態(tai)(tai)被(bei)稱(cheng)為飽和(he)狀態(tai)(tai)。當柵極(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)壓增(zeng)加時,漏極(ji)(ji)和(he)源極(ji)(ji)之間(jian)的(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)會減小,這種(zhong)狀態(tai)(tai)被(bei)稱(cheng)為截止狀態(tai)(tai)。
場(chang)(chang)效應晶(jing)體管是一(yi)種非常(chang)重要(yao)的(de)(de)(de)半導體器件,它的(de)(de)(de)工作原理是利用柵(zha)(zha)極(ji)(ji)電(dian)場(chang)(chang)的(de)(de)(de)作用來控制源(yuan)極(ji)(ji)和(he)(he)漏極(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)電(dian)流,可以用一(yi)個(ge)(ge)簡單(dan)的(de)(de)(de)模型來解釋。假設(she)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)電(dian)壓(ya)為(wei)零,漏極(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)電(dian)流為(wei)I0。當柵(zha)(zha)極(ji)(ji)電(dian)壓(ya)為(wei)Vg時,柵(zha)(zha)極(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)電(dian)場(chang)(chang)會產生一(yi)個(ge)(ge)電(dian)勢差,這個(ge)(ge)電(dian)勢差可以用公式Vg=Ed/d來計算(suan),其中Ed是電(dian)場(chang)(chang)強度,d是柵(zha)(zha)極(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)距離(li)。這個(ge)(ge)電(dian)勢差會影響漏極(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)電(dian)流,使得電(dian)流減(jian)小到I0*(1-Vg/Vp),其中Vp是場(chang)(chang)效應晶(jing)體管的(de)(de)(de)特定電(dian)壓(ya)。