一、場效應晶體管有什么特點

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型，結型(xing)場效(xiao)應管（junction FET—JFET）和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），那么場效應晶體管有什么特點呢？

1、場(chang)效應管是電(dian)壓(ya)控制(zhi)器件，它通過VGS（柵(zha)源電(dian)壓(ya)）來控制(zhi)ID（漏(lou)極電(dian)流）。

2、場效(xiao)應管(guan)的控制輸入(ru)端(duan)電流極小，因(yin)此(ci)它的輸入(ru)電阻(zu)（107～1012Ω）很大。

3、它是(shi)利用(yong)多(duo)數載流子(zi)導電，因此它的溫度穩定(ding)性較(jiao)好。

4、它組成的放大電(dian)路(lu)的電(dian)壓放大系數(shu)要小于三(san)極管組成放大電(dian)路(lu)的電(dian)壓放大系數(shu)。

5、場效應管的(de)抗輻射(she)能力強。

6、由于(yu)它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲(sheng)，所以噪聲(sheng)低。

二、場效應晶體管工作原理是什么

在(zai)場效(xiao)應晶(jing)體管(guan)中，柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)和源極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的電(dian)壓(ya)可(ke)以控制(zhi)漏(lou)極(ji)(ji)(ji)(ji)和源極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的電(dian)流(liu)。當柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)壓(ya)為(wei)零時，漏(lou)極(ji)(ji)(ji)(ji)和源極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的電(dian)流(liu)是最大的，這種(zhong)狀(zhuang)(zhuang)態被(bei)稱(cheng)為(wei)飽(bao)和狀(zhuang)(zhuang)態。當柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)壓(ya)增(zeng)加時，漏(lou)極(ji)(ji)(ji)(ji)和源極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)的電(dian)流(liu)會(hui)減小，這種(zhong)狀(zhuang)(zhuang)態被(bei)稱(cheng)為(wei)截止狀(zhuang)(zhuang)態。

場(chang)效應晶體管是(shi)一種非(fei)常重要的(de)(de)(de)(de)(de)(de)半導(dao)體器件，它的(de)(de)(de)(de)(de)(de)工作原理是(shi)利用(yong)(yong)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)作用(yong)(yong)來(lai)控(kong)制源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)漏(lou)(lou)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)流，可(ke)以用(yong)(yong)一個(ge)簡單(dan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)模型來(lai)解(jie)釋。假設柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓(ya)為零，漏(lou)(lou)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)流為I0。當柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)壓(ya)為Vg時，柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)場(chang)會產生一個(ge)電(dian)(dian)勢(shi)差，這個(ge)電(dian)(dian)勢(shi)差可(ke)以用(yong)(yong)公式(shi)Vg=Ed/d來(lai)計算，其中Ed是(shi)電(dian)(dian)場(chang)強度，d是(shi)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)距(ju)離。這個(ge)電(dian)(dian)勢(shi)差會影響漏(lou)(lou)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)流，使得電(dian)(dian)流減小到I0*（1-Vg/Vp），其中Vp是(shi)場(chang)效應晶體管的(de)(de)(de)(de)(de)(de)特定電(dian)(dian)壓(ya)。