一、場效應晶體管有什么特點

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型，結型場效應(ying)管（junction FET—JFET）和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），那么場效應晶體管有什么特點呢？

1、場效應管是電(dian)壓控制器件，它(ta)通過VGS（柵源電(dian)壓）來控制ID（漏極電(dian)流(liu)）。

2、場(chang)效應(ying)管的控制輸入端電(dian)流極小，因(yin)此它的輸入電(dian)阻（107～1012Ω）很大。

3、它(ta)是利(li)用多數載(zai)流(liu)子導電，因(yin)此它(ta)的溫度穩定(ding)性較好(hao)。

4、它組(zu)成(cheng)的(de)(de)放(fang)(fang)大電(dian)路的(de)(de)電(dian)壓放(fang)(fang)大系(xi)數(shu)要(yao)小于三(san)極管組(zu)成(cheng)放(fang)(fang)大電(dian)路的(de)(de)電(dian)壓放(fang)(fang)大系(xi)數(shu)。

5、場效(xiao)應(ying)管的抗(kang)輻(fu)射能力強。

6、由于它不存在雜亂運動的電子擴散(san)引(yin)起的散(san)粒噪(zao)聲，所(suo)以噪(zao)聲低。

二、場效應晶體管工作原理是什么

在場效(xiao)應晶體管中，柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間(jian)的(de)電(dian)壓(ya)可(ke)以控制漏(lou)極(ji)(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間(jian)的(de)電(dian)流。當柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)壓(ya)為(wei)零時，漏(lou)極(ji)(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間(jian)的(de)電(dian)流是最(zui)大的(de)，這種(zhong)狀(zhuang)態(tai)(tai)(tai)被(bei)稱(cheng)為(wei)飽和狀(zhuang)態(tai)(tai)(tai)。當柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)壓(ya)增加時，漏(lou)極(ji)(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間(jian)的(de)電(dian)流會(hui)減小，這種(zhong)狀(zhuang)態(tai)(tai)(tai)被(bei)稱(cheng)為(wei)截止狀(zhuang)態(tai)(tai)(tai)。

場(chang)效應晶(jing)體(ti)管是(shi)一種非常重要(yao)的(de)(de)(de)(de)半導體(ti)器件，它的(de)(de)(de)(de)工(gong)作原理是(shi)利用柵極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)(de)(de)作用來控制(zhi)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)漏(lou)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)流，可以用一個(ge)簡單的(de)(de)(de)(de)模型(xing)來解釋。假設柵極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓(ya)為零，漏(lou)極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)流為I0。當柵極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)壓(ya)為Vg時，柵極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)場(chang)會產生一個(ge)電(dian)(dian)勢(shi)差(cha)，這個(ge)電(dian)(dian)勢(shi)差(cha)可以用公(gong)式(shi)Vg=Ed/d來計算，其中Ed是(shi)電(dian)(dian)場(chang)強度(du)，d是(shi)柵極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)(de)距離。這個(ge)電(dian)(dian)勢(shi)差(cha)會影響漏(lou)極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)流，使(shi)得(de)電(dian)(dian)流減小到I0*（1-Vg/Vp），其中Vp是(shi)場(chang)效應晶(jing)體(ti)管的(de)(de)(de)(de)特定電(dian)(dian)壓(ya)。