一、場效應晶體管有什么特點

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型，結型場效應管(guan)（junction FET—JFET）和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET），那么場效應晶體管有什么特點呢？

1、場效(xiao)應管(guan)是電(dian)壓(ya)控(kong)制器件，它通過VGS（柵源(yuan)電(dian)壓(ya)）來控(kong)制ID（漏極電(dian)流）。

2、場效應管的控(kong)制輸入端(duan)電(dian)(dian)流(liu)極(ji)小，因此它(ta)的輸入電(dian)(dian)阻（107～1012Ω）很(hen)大。

3、它(ta)是(shi)利用多數(shu)載流子導電，因(yin)此它(ta)的溫度穩定性較好。

4、它組成(cheng)(cheng)的(de)放(fang)大(da)電(dian)路(lu)的(de)電(dian)壓(ya)放(fang)大(da)系(xi)數(shu)要小于三極管組成(cheng)(cheng)放(fang)大(da)電(dian)路(lu)的(de)電(dian)壓(ya)放(fang)大(da)系(xi)數(shu)。

5、場效應管的(de)抗輻射能力強。

6、由(you)于它不存在雜亂運動的電子擴散(san)(san)引起的散(san)(san)粒噪聲，所以噪聲低(di)。

二、場效應晶體管工作原理是什么

在場效應晶體(ti)管(guan)中，柵(zha)極(ji)(ji)(ji)和源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的電(dian)(dian)壓可(ke)以控制漏極(ji)(ji)(ji)和源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的電(dian)(dian)流。當(dang)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)壓為(wei)零時，漏極(ji)(ji)(ji)和源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的電(dian)(dian)流是(shi)最大的，這種(zhong)狀態被(bei)(bei)稱為(wei)飽和狀態。當(dang)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)壓增加時，漏極(ji)(ji)(ji)和源極(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)間的電(dian)(dian)流會減小(xiao)，這種(zhong)狀態被(bei)(bei)稱為(wei)截止狀態。

場(chang)效應(ying)晶體管是(shi)(shi)一(yi)(yi)種非(fei)常重要的(de)(de)半導體器件，它的(de)(de)工作原(yuan)理(li)是(shi)(shi)利用(yong)(yong)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)作用(yong)(yong)來控(kong)制源(yuan)極(ji)(ji)(ji)和漏(lou)(lou)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，可以(yi)用(yong)(yong)一(yi)(yi)個簡(jian)單(dan)的(de)(de)模型來解釋。假(jia)設柵(zha)極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)壓為(wei)(wei)零，漏(lou)(lou)極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)為(wei)(wei)I0。當(dang)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)壓為(wei)(wei)Vg時，柵(zha)極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)場(chang)會產生一(yi)(yi)個電(dian)(dian)(dian)勢(shi)差，這個電(dian)(dian)(dian)勢(shi)差可以(yi)用(yong)(yong)公(gong)式(shi)Vg=Ed/d來計(ji)算，其中Ed是(shi)(shi)電(dian)(dian)(dian)場(chang)強度，d是(shi)(shi)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)距離。這個電(dian)(dian)(dian)勢(shi)差會影響漏(lou)(lou)極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，使得電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)減小到I0*（1-Vg/Vp），其中Vp是(shi)(shi)場(chang)效應(ying)晶體管的(de)(de)特定電(dian)(dian)(dian)壓。