一、igbt的保護分哪三個保護

IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，被廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能(neng)力(li)與耐過壓能(neng)力(li)較差，一旦出現意外就會使它損(sun)壞。為(wei)此(ci)，必(bi)須(xu)對IGBT進(jin)行相關保護。IGBT的保護主要分(fen)為(wei)三個部(bu)分(fen)：

1、過流保護

IGBT承(cheng)(cheng)受(shou)過電(dian)流的時間僅為幾微秒，耐過流量小(xiao)，因(yin)此使用IGBT首要注(zhu)意的是過流保(bao)護(hu)(hu)。IGBT的過流保(bao)護(hu)(hu)可(ke)分為兩種情(qing)況：驅動(dong)電(dian)路(lu)中無保(bao)護(hu)(hu)功(gong)能；驅動(dong)電(dian)路(lu)中設(she)有保(bao)護(hu)(hu)功(gong)能。對于第(di)一種情(qing)況，我們可(ke)以(yi)在主電(dian)路(lu)中要設(she)置過流檢測器件；針對第(di)二(er)種情(qing)況，由于不(bu)同(tong)型(xing)號的混(hun)合(he)驅動(dong)模塊，其輸出能力、開關(guan)速度與du/dt的承(cheng)(cheng)受(shou)能力不(bu)同(tong)，使用時要根(gen)據實際情(qing)況恰當選(xuan)用。對于大功(gong)率電(dian)壓(ya)型(xing)逆變器新型(xing)組合(he)式IGBT過流保(bao)護(hu)(hu)則(ze)可(ke)以(yi)通過封鎖驅動(dong)信號或者減小(xiao)柵壓(ya)來進行保(bao)護(hu)(hu)。

2、過壓保護

IGBT的過壓保護(hu)主要從以(yi)下(xia)幾個方面進行：

（1）盡(jin)可能減少電路中的(de)雜散電感。

（2）采(cai)用吸收(shou)回(hui)路。吸收(shou)回(hui)路的(de)作用是;當(dang)IGBT關斷(duan)時，吸收(shou)電感中(zhong)釋放的(de)能量，以降低關斷(duan)過電壓。

（3）適當增大(da)柵極電阻Rg。

3、過熱保護

IGBT的過(guo)熱(re)保護一般是采用散(san)熱(re)器(qi)(qi)（包括(kuo)普通散(san)熱(re)器(qi)(qi)與熱(re)管散(san)熱(re)器(qi)(qi)），并可進行(xing)強迫風冷。

二、IGBT的保護模式有哪些

不注意IGBT的(de)保護，就無法抵抗來自外(wai)界的(de)干擾(rao)和(he)自身系(xi)統引起的(de)各種(zhong)(zhong)失效問題，因此需要做好保護工作，IGBT的(de)保護模式主要有兩種(zhong)(zhong)：

1、傳統保護模式

防止柵極電荷積累及柵源電壓出現尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設置一些保護元件，如電阻RGE可以使柵極積累電荷泄放，兩個反向串聯的穩壓二極管可以防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。另外，還(huan)有實現控制電路部分與被驅動(dong)的(de)IGBT之間的(de)隔離設計，以及設計適(shi)合(he)柵極的(de)驅動(dong)脈沖電路等(deng)。

2、新型保護模式

將傳統的(de)穩壓管(guan)改為(wei)新(xin)型的(de)瞬態抑(yi)制(zhi)二極管(guan)（TVS），TVS反(fan)應速度極快(kuai)（達(da)PS級），通(tong)流能力遠(yuan)超(chao)穩壓二極管(guan)（可(ke)達(da)上(shang)千安培(pei)），同時，TVS對靜(jing)電(dian)具(ju)有非常(chang)好的(de)抑(yi)制(zhi)效果。該產品可(ke)以通(tong)過IEC61000-4-2接觸放電(dian)8kV和空(kong)氣放電(dian)15kV的(de)放電(dian)測試。

將(jiang)傳統電(dian)(dian)阻(zu)RG變更(geng)為正溫度系(xi)數（PPTC）保險絲。它既具有電(dian)(dian)阻(zu)的效果，又對溫度比較敏(min)感。當內部電(dian)(dian)流(liu)增加(jia)時(shi)，其阻(zu)抗也在增加(jia)，從而對過流(liu)具有非常好(hao)的抑制效果。