一、igbt的保護分哪三個保護

IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，被廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的(de)耐過流能力(li)與(yu)耐過壓(ya)能力(li)較差(cha)，一旦出現(xian)意外(wai)就會(hui)使它損壞。為(wei)此，必須(xu)對IGBT進行相關保護。IGBT的(de)保護主要分為(wei)三(san)個(ge)部分：

1、過流保護

IGBT承(cheng)(cheng)受過電(dian)流的(de)時(shi)間僅為(wei)幾微秒(miao)，耐過流量小，因(yin)此使(shi)用(yong)IGBT首要(yao)注意的(de)是過流保護(hu)(hu)。IGBT的(de)過流保護(hu)(hu)可分為(wei)兩種(zhong)情況：驅動(dong)電(dian)路中無保護(hu)(hu)功能；驅動(dong)電(dian)路中設有(you)保護(hu)(hu)功能。對(dui)于第一種(zhong)情況，我們可以(yi)在主電(dian)路中要(yao)設置過流檢測(ce)器件；針對(dui)第二種(zhong)情況，由于不(bu)(bu)同(tong)型號(hao)的(de)混(hun)合驅動(dong)模塊，其(qi)輸出能力(li)、開關速度與du/dt的(de)承(cheng)(cheng)受能力(li)不(bu)(bu)同(tong)，使(shi)用(yong)時(shi)要(yao)根(gen)據實際(ji)情況恰當選用(yong)。對(dui)于大功率電(dian)壓(ya)型逆變器新型組合式IGBT過流保護(hu)(hu)則可以(yi)通(tong)過封鎖驅動(dong)信號(hao)或者減小柵壓(ya)來進行保護(hu)(hu)。

2、過壓保護

IGBT的過壓(ya)保護主要從以下幾個方面進行(xing)：

（1）盡可能減少電(dian)路中的雜散(san)電(dian)感。

（2）采用(yong)(yong)吸(xi)收(shou)回路(lu)。吸(xi)收(shou)回路(lu)的作用(yong)(yong)是(shi);當IGBT關斷(duan)(duan)時，吸(xi)收(shou)電感中釋放(fang)的能量，以降低關斷(duan)(duan)過電壓。

（3）適當增大柵極(ji)電阻(zu)Rg。

3、過熱保護

IGBT的過熱(re)保護一般是(shi)采(cai)用散熱(re)器（包括普通散熱(re)器與(yu)熱(re)管(guan)散熱(re)器），并(bing)可進行強迫風冷。

二、IGBT的保護模式有哪些

不注意IGBT的保(bao)護，就無法抵抗(kang)來自外界的干擾(rao)和自身系統引起的各種失效問題(ti)，因此需要做好(hao)保(bao)護工作，IGBT的保(bao)護模式主要有兩種：

1、傳統保護模式

防止柵極電荷積累及柵源電壓出現尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設置一些保護元件，如電阻RGE可以使柵極積累電荷泄放，兩個反向串聯的穩壓二極管可以防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。另外，還有實現控制電(dian)路(lu)部(bu)分與被驅(qu)動的IGBT之(zhi)間(jian)的隔離設計，以及設計適(shi)合柵極(ji)的驅(qu)動脈沖電(dian)路(lu)等。

2、新型保護模式

將傳(chuan)統的(de)穩壓管(guan)改為新型的(de)瞬態抑制二極(ji)管(guan)（TVS），TVS反應速(su)度極(ji)快（達(da)PS級(ji)），通流能力遠(yuan)超穩壓二極(ji)管(guan)（可(ke)達(da)上千(qian)安培），同時，TVS對靜電(dian)具有非常(chang)好的(de)抑制效果。該產品可(ke)以通過IEC61000-4-2接觸放(fang)電(dian)8kV和空氣(qi)放(fang)電(dian)15kV的(de)放(fang)電(dian)測試(shi)。

將傳統電阻(zu)RG變(bian)更為正(zheng)溫(wen)度(du)系(xi)數（PPTC）保險絲。它(ta)既具有電阻(zu)的效果，又對溫(wen)度(du)比較敏感。當內(nei)部電流(liu)(liu)增加時，其阻(zu)抗也在增加，從而(er)對過(guo)流(liu)(liu)具有非常(chang)好(hao)的抑制效果。