一、igbt的保護分哪三個保護

IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，被廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐(nai)過(guo)流能力(li)與耐(nai)過(guo)壓能力(li)較差(cha)，一旦出(chu)現意外就會(hui)使它損壞。為(wei)此，必(bi)須(xu)對IGBT進行相關保護(hu)(hu)。IGBT的保護(hu)(hu)主(zhu)要分為(wei)三個(ge)部分：

1、過流保護

IGBT承受(shou)過電流(liu)(liu)的(de)時(shi)間僅(jin)為幾微秒，耐過流(liu)(liu)量小，因(yin)此使用(yong)(yong)IGBT首要注意(yi)的(de)是過流(liu)(liu)保護(hu)。IGBT的(de)過流(liu)(liu)保護(hu)可分為兩(liang)種(zhong)情況：驅動電路中無保護(hu)功(gong)(gong)能；驅動電路中設有保護(hu)功(gong)(gong)能。對(dui)于(yu)第一種(zhong)情況，我們可以(yi)在主電路中要設置過流(liu)(liu)檢測器件；針對(dui)第二(er)種(zhong)情況，由于(yu)不同型(xing)號(hao)(hao)的(de)混合驅動模塊，其輸(shu)出能力、開關速度與du/dt的(de)承受(shou)能力不同，使用(yong)(yong)時(shi)要根據實際情況恰當選(xuan)用(yong)(yong)。對(dui)于(yu)大功(gong)(gong)率電壓型(xing)逆變器新(xin)型(xing)組合式IGBT過流(liu)(liu)保護(hu)則可以(yi)通過封鎖驅動信(xin)號(hao)(hao)或者(zhe)減小柵壓來進行(xing)保護(hu)。

2、過壓保護

IGBT的過壓(ya)保護(hu)主(zhu)要從以(yi)下幾個方面進行：

（1）盡可能減少電路中的(de)雜散電感。

（2）采用吸收(shou)(shou)回路(lu)。吸收(shou)(shou)回路(lu)的(de)作(zuo)用是;當IGBT關斷時，吸收(shou)(shou)電(dian)感中釋放的(de)能量，以降低關斷過電(dian)壓。

（3）適當增(zeng)大(da)柵(zha)極電阻Rg。

3、過熱保護

IGBT的(de)過熱(re)保護一般是(shi)采用散熱(re)器(qi)（包(bao)括(kuo)普通散熱(re)器(qi)與熱(re)管(guan)散熱(re)器(qi)），并可(ke)進行強迫風冷(leng)。

二、IGBT的保護模式有哪些

不注意(yi)IGBT的(de)保護，就無法(fa)抵抗來(lai)自(zi)外界的(de)干擾和自(zi)身系(xi)統引起的(de)各(ge)種失效問題(ti)，因此需要做(zuo)好保護工作，IGBT的(de)保護模(mo)式主要有兩種：

1、傳統保護模式

防止柵極電荷積累及柵源電壓出現尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設置一些保護元件，如電阻RGE可以使柵極積累電荷泄放，兩個反向串聯的穩壓二極管可以防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。另外，還有(you)實(shi)現控制(zhi)電路部分與被驅(qu)動的IGBT之間的隔離設計(ji)，以及設計(ji)適合柵極的驅(qu)動脈(mo)沖電路等。

2、新型保護模式

將傳統的(de)(de)穩壓(ya)(ya)管改為新型的(de)(de)瞬態(tai)抑(yi)(yi)制(zhi)二極管（TVS），TVS反應(ying)速度極快（達(da)PS級(ji)），通(tong)流能力遠超(chao)穩壓(ya)(ya)二極管（可達(da)上千安培），同(tong)時，TVS對靜電(dian)具有非常好的(de)(de)抑(yi)(yi)制(zhi)效果。該產品可以通(tong)過IEC61000-4-2接(jie)觸放(fang)電(dian)8kV和空氣(qi)放(fang)電(dian)15kV的(de)(de)放(fang)電(dian)測試。

將(jiang)傳統電阻(zu)RG變更為正(zheng)溫度系數（PPTC）保險(xian)絲。它既具有電阻(zu)的效果(guo)，又對溫度比較敏感。當(dang)內部(bu)電流增加(jia)時，其阻(zu)抗也在增加(jia)，從而(er)對過流具有非常好的抑制效果(guo)。