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IGBT內部結構是怎樣的 igbt工作原理是什么

本文章由注冊用戶 荊湖酒徒 上傳提供 2024-05-16 評論 0
摘要:igbt結構相當于一個四層半導體的器件,四層器件通過組合PNP和NPN晶體管構成了P-N-P-N排列;igbt模塊則由散熱基板、DBC基板、IGBT芯片、Diode芯片以及鍵合線組成。IGBT主要用于把高壓直流變為交流,以及變頻,這是通過不斷激活和停用其柵極端子來實現的。下面一起來了解一下IGBT內部結構是怎樣的以及igbt工作原理是什么吧。

一、IGBT內部結構是怎樣的

IGBT是絕緣柵雙極晶體管的英文簡稱,是一種三端半導體開關的器件,可用于多種電子設備中的高效快速開關的場景中,一般igbt有(you)三個端(duan)子(zi):集電(dian)極(ji)、發射極(ji)和(he)柵(zha)極(ji),它們都是(shi)附有(you)金(jin)屬層,但是(shi)柵(zha)極(ji)端(duan)子(zi)上(shang)的(de)金(jin)屬材料(liao)具有(you)二氧化硅層。IGBT結構其實就相當于是(shi)一個四(si)層半(ban)導(dao)體的(de)器件。四(si)層器件是(shi)通(tong)過(guo)組(zu)合PNP和(he)NPN晶(jing)體管(guan)來實現的(de),它們構成(cheng)了P-N-P-N排(pai)列。

IGBT模(mo)塊是由IGBT芯(xin)(xin)片(pian)和反并聯二極管(guan)、驅(qu)動電路等組成的(de),它的(de)結構相(xiang)比IGBT芯(xin)(xin)片(pian)要(yao)復雜(za)很多,一般由以下幾(ji)部分組成:

1、散熱基板:IGBT模塊最下面的(de)(de)就是散熱基板,主要目的(de)(de)是把IGBT開關過程產生的(de)(de)熱量快(kuai)速傳遞出去。

2、DBC基板:全(quan)稱為(wei)直接覆(fu)(fu)銅(tong)基板(ban),一共包含(han)3層,中間(jian)為(wei)陶瓷絕緣層,上下為(wei)覆(fu)(fu)銅(tong)層,簡單來(lai)講就是在一個絕緣材料(liao)的兩面(mian)覆(fu)(fu)上一層銅(tong)皮(pi),然(ran)后在正面(mian)刻蝕(shi)出能夠走電流的圖形,背面(mian)要(yao)直接焊(han)接在散(san)熱基板(ban)上,因(yin)此就不需(xu)要(yao)刻蝕(shi)了。

3、IGBT芯片:IGBT芯片是(shi)IGBT模塊的核(he)心。

4、Diode芯片:二極管的電流方向(xiang)是從上至下的,正好與IGBT的電流方向(xiang)相反。

5、鍵合線:IGBT芯(xin)片(pian)、Diode芯(xin)片(pian)以及DBC的上(shang)銅層互連一般采用鍵合(he)線實(shi)現(xian),常用的鍵合(he)線有(you)鋁線和(he)銅線兩(liang)種。

二、igbt工作原理是什么

IGBT是一種功率(lv)晶(jing)體管,主要用于變(bian)(bian)頻器逆變(bian)(bian)和其(qi)他逆變(bian)(bian)電(dian)(dian)路,將直流電(dian)(dian)壓逆變(bian)(bian)成頻率(lv)可調的交流電(dian)(dian),其(qi)工作原理是通過不斷激活和停用其(qi)柵極(ji)端子來開啟、關閉(bi):

IGBT的(de)開(kai)關作用是(shi)通過加(jia)(jia)正(zheng)向柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)壓形成溝道,給(gei)PNP晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)提供基(ji)極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)流,使IGBT導(dao)通。反之(zhi),加(jia)(jia)反向門極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)壓消(xiao)除溝道,切(qie)斷(duan)基(ji)極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian),使IGBT關斷(duan)。若在IGBT的(de)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)和發(fa)射極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間加(jia)(jia)上(shang)驅動正(zheng)電(dian)(dian)壓,則(ze)MOSFET導(dao)通,這樣(yang)PNP晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)的(de)集電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)與基(ji)極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間成低阻(zu)狀(zhuang)態而(er)使得晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)導(dao)通;若IGBT的(de)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)和發(fa)射極(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)間電(dian)(dian)壓為0V,則(ze)MOSFET截止(zhi),切(qie)斷(duan)PNP晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)基(ji)極(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)流的(de)供給(gei),使得晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)截止(zhi)。

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