一、IGBT內部結構是怎樣的

IGBT是絕緣柵雙極晶體管的英文簡稱，是一種三端半導體開關的器件，可用于多種電子設備中的高效快速開關的場景中，一般igbt有三個(ge)(ge)端子：集電極、發(fa)射極和柵極，它們都是附(fu)有金(jin)屬(shu)(shu)層，但是柵極端子上的(de)金(jin)屬(shu)(shu)材(cai)料(liao)具有二氧化硅層。IGBT結構(gou)其實(shi)就相當于是一個(ge)(ge)四層半導體的(de)器件。四層器件是通過組合(he)PNP和NPN晶體管來實(shi)現的(de)，它們構(gou)成了P-N-P-N排(pai)列。

IGBT模塊(kuai)是由IGBT芯片(pian)和(he)反并聯二(er)極管、驅(qu)動電路等組(zu)成的(de)(de)，它的(de)(de)結構(gou)相(xiang)比IGBT芯片(pian)要復雜很多，一(yi)般(ban)由以下幾(ji)部分(fen)組(zu)成：

1、散熱基板：IGBT模塊最下面的(de)就(jiu)是(shi)散熱基板，主(zhu)要目(mu)的(de)是(shi)把IGBT開關過程產生(sheng)的(de)熱量(liang)快速傳遞出(chu)去。

2、DBC基板：全(quan)稱為直(zhi)接(jie)覆(fu)銅(tong)基板(ban)，一(yi)(yi)共包含3層(ceng)(ceng)，中間為陶瓷絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)，上(shang)下為覆(fu)銅(tong)層(ceng)(ceng)，簡單來(lai)講就是(shi)在一(yi)(yi)個(ge)絕(jue)(jue)緣材料的(de)(de)兩面覆(fu)上(shang)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)銅(tong)皮(pi)，然(ran)后在正面刻蝕出能夠走電流(liu)的(de)(de)圖(tu)形(xing)，背面要直(zhi)接(jie)焊(han)接(jie)在散熱基板(ban)上(shang)，因此就不需要刻蝕了。

3、IGBT芯片：IGBT芯(xin)片是(shi)IGBT模塊的核心。

4、Diode芯片：二極管的電流(liu)方向是從(cong)上至(zhi)下的，正好與IGBT的電流(liu)方向相反。

5、鍵合線：IGBT芯片(pian)、Diode芯片(pian)以及DBC的上銅層(ceng)互連一般采(cai)用鍵合(he)線(xian)(xian)實現，常用的鍵合(he)線(xian)(xian)有(you)鋁線(xian)(xian)和銅線(xian)(xian)兩(liang)種。

二、igbt工作原理是什么

IGBT是(shi)一種功(gong)率(lv)(lv)晶體管，主(zhu)要用于變(bian)頻器逆變(bian)和其他逆變(bian)電路，將直流電壓逆變(bian)成頻率(lv)(lv)可調的交(jiao)流電，其工作原理是(shi)通過不(bu)斷激活和停用其柵(zha)極端子(zi)來開(kai)啟、關閉：

IGBT的(de)開關(guan)作(zuo)用是通過(guo)加正(zheng)(zheng)向柵極電壓(ya)(ya)形成(cheng)溝道，給PNP晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)提供基極電流，使(shi)(shi)IGBT導通。反之，加反向門極電壓(ya)(ya)消除溝道，切斷(duan)(duan)基極電，使(shi)(shi)IGBT關(guan)斷(duan)(duan)。若在IGBT的(de)柵極和發射極之間(jian)加上驅動(dong)正(zheng)(zheng)電壓(ya)(ya)，則(ze)MOSFET導通，這樣PNP晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)的(de)集(ji)電極與基極之間(jian)成(cheng)低阻狀態而(er)使(shi)(shi)得(de)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)導通;若IGBT的(de)柵極和發射極之間(jian)電壓(ya)(ya)為0V，則(ze)MOSFET截(jie)止(zhi)，切斷(duan)(duan)PNP晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)基極電流的(de)供給，使(shi)(shi)得(de)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)截(jie)止(zhi)。