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IGBT內部結構是怎樣的 igbt工作原理是什么

本文章由注冊用戶 荊湖酒徒 上傳提供 2024-05-16 評論 0
摘要:igbt結構相當于一個四層半導體的器件,四層器件通過組合PNP和NPN晶體管構成了P-N-P-N排列;igbt模塊則由散熱基板、DBC基板、IGBT芯片、Diode芯片以及鍵合線組成。IGBT主要用于把高壓直流變為交流,以及變頻,這是通過不斷激活和停用其柵極端子來實現的。下面一起來了解一下IGBT內部結構是怎樣的以及igbt工作原理是什么吧。

一、IGBT內部結構是怎樣的

IGBT是絕緣柵雙極晶體管的英文簡稱,是一種三端半導體開關的器件,可用于多種電子設備中的高效快速開關的場景中,一般igbt有三個端子(zi):集(ji)電極、發射(she)極和柵極,它們(men)都是(shi)(shi)附有金屬(shu)層,但是(shi)(shi)柵極端子(zi)上(shang)的(de)金屬(shu)材(cai)料具有二氧(yang)化硅層。IGBT結構其(qi)實就相(xiang)當于是(shi)(shi)一個四(si)層半導(dao)體的(de)器(qi)件。四(si)層器(qi)件是(shi)(shi)通過組合PNP和NPN晶(jing)體管(guan)來實現的(de),它們(men)構成(cheng)了(le)P-N-P-N排列。

IGBT模塊是由IGBT芯(xin)(xin)片和反并聯二極管、驅動(dong)電路等組成的(de),它的(de)結(jie)構相比(bi)IGBT芯(xin)(xin)片要復雜很(hen)多(duo),一般由以下幾(ji)部(bu)分(fen)組成:

1、散熱基板:IGBT模塊最下面的就是散(san)熱基板(ban),主(zhu)要目的是把IGBT開關(guan)過程產生的熱量快速傳遞出(chu)去(qu)。

2、DBC基板:全稱為直(zhi)接覆(fu)銅(tong)基板(ban),一共包含3層(ceng),中(zhong)間為陶瓷絕緣(yuan)(yuan)層(ceng),上(shang)下為覆(fu)銅(tong)層(ceng),簡單(dan)來講就(jiu)是(shi)在(zai)一個(ge)絕緣(yuan)(yuan)材料的(de)(de)兩面(mian)覆(fu)上(shang)一層(ceng)銅(tong)皮,然后(hou)在(zai)正面(mian)刻蝕出能夠走電(dian)流(liu)的(de)(de)圖形,背面(mian)要直(zhi)接焊接在(zai)散熱基板(ban)上(shang),因此就(jiu)不(bu)需(xu)要刻蝕了。

3、IGBT芯片:IGBT芯(xin)片是IGBT模塊的核心。

4、Diode芯片:二(er)極管的電流方(fang)向(xiang)是從(cong)上至下(xia)的,正好與(yu)IGBT的電流方(fang)向(xiang)相反(fan)。

5、鍵合線:IGBT芯片、Diode芯片以(yi)及DBC的(de)上銅(tong)層互連一般采用鍵合(he)線(xian)實現,常用的(de)鍵合(he)線(xian)有鋁(lv)線(xian)和銅(tong)線(xian)兩種。

二、igbt工作原理是什么

IGBT是(shi)一種功(gong)率(lv)晶體管,主(zhu)要(yao)用(yong)于變頻(pin)器逆(ni)變和(he)其他逆(ni)變電(dian)路,將直流電(dian)壓逆(ni)變成頻(pin)率(lv)可調的交流電(dian),其工(gong)作原(yuan)理是(shi)通過不斷激(ji)活和(he)停用(yong)其柵(zha)極端(duan)子來(lai)開啟、關閉(bi):

IGBT的開關(guan)作用是通(tong)(tong)過加正(zheng)向柵(zha)(zha)極(ji)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)形成溝道,給PNP晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)提供基極(ji)電(dian)(dian)(dian)流,使(shi)IGBT導(dao)通(tong)(tong)。反(fan)之(zhi)(zhi),加反(fan)向門極(ji)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)消(xiao)除溝道,切(qie)斷基極(ji)電(dian)(dian)(dian),使(shi)IGBT關(guan)斷。若在(zai)IGBT的柵(zha)(zha)極(ji)和(he)發(fa)射極(ji)之(zhi)(zhi)間加上驅(qu)動正(zheng)電(dian)(dian)(dian)壓(ya),則MOSFET導(dao)通(tong)(tong),這樣PNP晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)的集電(dian)(dian)(dian)極(ji)與基極(ji)之(zhi)(zhi)間成低阻狀態而使(shi)得晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)導(dao)通(tong)(tong);若IGBT的柵(zha)(zha)極(ji)和(he)發(fa)射極(ji)之(zhi)(zhi)間電(dian)(dian)(dian)壓(ya)為0V,則MOSFET截止,切(qie)斷PNP晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)基極(ji)電(dian)(dian)(dian)流的供給,使(shi)得晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)截止。

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