一、IGBT單管和IGBT模塊的區別是什么

IGBT是(shi)IGBT芯片、IGBT單(dan)管和(he)IGBT模(mo)(mo)塊的(de)統稱，IGBT單(dan)管和(he)IGBT模(mo)(mo)塊都是(shi)由IGBT芯片制成的(de)，它們(men)的(de)控(kong)制電路是(shi)一(yi)樣的(de)，作用和(he)工作原理也基本(ben)一(yi)樣，IGBT模(mo)(mo)塊可(ke)以看成是(shi)多個IGBT單(dan)管集成的(de)模(mo)(mo)塊，那么它們(men)有啥區別呢？

1、IGBT單管：IGBT單管(guan)是分立IGBT，封裝較模塊小，電流(liu)通常在50A以下，它(ta)的(de)的(de)封裝形式比較簡單，只有一(yi)個(ge)IGBT晶體(ti)管(guan)，一(yi)個(ge)反(fan)向恢復(fu)二極管(guan)和一(yi)個(ge)可選(xuan)的(de)溫度傳感器(qi)。

2、IGBT模塊：IGBT模(mo)塊是(shi)模(mo)塊化封(feng)裝的IGBT芯片，封(feng)裝形式比較復(fu)雜，除了IGBT晶體管，反(fan)向恢復(fu)二極管，溫度(du)傳感器外，還有漏(lou)電感，濾波電容器，放大(da)器，控制電路(lu)等。

除此之(zhi)外，IGBT單管(guan)和IGBT模(mo)塊(kuai)的區別(bie)還有：IGBT單管(guan)的功耗比IGBT模(mo)塊(kuai)低，IGBT模(mo)塊(kuai)的可(ke)靠(kao)性比IGBT單管(guan)更高。

二、IGBT單管能代替IGBT模塊嗎

應用(yong)(yong)IGBT的時候，用(yong)(yong)IGBT單(dan)管(guan)還是IGBT模塊主(zhu)要(yao)看(kan)應用(yong)(yong)領域(yu)的需求(qiu)，一般來說，不建議(yi)用(yong)(yong)IGBT單(dan)管(guan)代(dai)替IGBT模塊，原(yuan)因主(zhu)要(yao)有兩點：

1、IGBT單管的(de)散(san)熱(re)條件沒(mei)有IGBT模塊的(de)散(san)熱(re)條件好。

2、就制作來說，IGBT模塊的(de)一(yi)致性比IGBT單管(guan)的(de)一(yi)致性好(hao)，IGBT模塊中，IGBT芯片的(de)并聯(lian)排線肯(ken)定比單管(guan)的(de)好(hao)，會降(jiang)低很(hen)多(duo)雜散參數，IGBT模塊并聯(lian)的(de)芯片都(dou)是同一(yi)片wafer上取(qu)出相鄰(lin)的(de)IGBT芯片，IGBT芯片參數非常相似(si)，如果(guo)換成單管(guan)，那就不一(yi)定了。

當然，要用IGBT單(dan)管代(dai)替(ti)IGBT模塊也(ye)不是不行，只是余量要留(liu)大一(yi)些。