一、IGBT單管和IGBT模塊的區別是什么

IGBT是(shi)IGBT芯(xin)片、IGBT單(dan)管和(he)IGBT模(mo)塊的(de)統稱(cheng)，IGBT單(dan)管和(he)IGBT模(mo)塊都(dou)是(shi)由IGBT芯(xin)片制成的(de)，它們的(de)控制電路是(shi)一樣(yang)(yang)的(de)，作用和(he)工作原(yuan)理也基(ji)本(ben)一樣(yang)(yang)，IGBT模(mo)塊可以看成是(shi)多個IGBT單(dan)管集(ji)成的(de)模(mo)塊，那(nei)么(me)它們有啥區別呢？

1、IGBT單管：IGBT單管是分(fen)立(li)IGBT，封(feng)裝較(jiao)模塊小，電(dian)流(liu)通常(chang)在50A以下，它的的封(feng)裝形(xing)式(shi)比較(jiao)簡單，只有一個IGBT晶體管，一個反向恢復二(er)極管和一個可選的溫(wen)度傳感器。

2、IGBT模塊：IGBT模塊(kuai)是模塊(kuai)化封裝(zhuang)的IGBT芯片，封裝(zhuang)形式比較復(fu)雜(za)，除了IGBT晶體管(guan)，反向恢復(fu)二極管(guan)，溫度傳(chuan)感器(qi)外，還有漏電感，濾波電容器(qi)，放大器(qi)，控制電路等。

除此之(zhi)外，IGBT單(dan)管和(he)IGBT模塊(kuai)的區別還有：IGBT單(dan)管的功耗比(bi)IGBT模塊(kuai)低，IGBT模塊(kuai)的可靠性比(bi)IGBT單(dan)管更高(gao)。

二、IGBT單管能代替IGBT模塊嗎

應用IGBT的(de)時(shi)候，用IGBT單管還是IGBT模塊(kuai)主要看應用領域(yu)的(de)需(xu)求，一般來說(shuo)，不建(jian)議用IGBT單管代替IGBT模塊(kuai)，原因主要有兩點：

1、IGBT單管的(de)(de)散熱(re)條(tiao)(tiao)件沒(mei)有(you)IGBT模塊的(de)(de)散熱(re)條(tiao)(tiao)件好。

2、就制作來說，IGBT模塊的一致性(xing)比IGBT單管(guan)的一致性(xing)好，IGBT模塊(kuai)中，IGBT芯片的并聯排(pai)線(xian)肯定比單管(guan)的好，會降低很多雜(za)散參(can)數(shu)，IGBT模塊(kuai)并聯的芯片都是同(tong)一片wafer上取出相(xiang)鄰的IGBT芯片，IGBT芯片參(can)數(shu)非常相(xiang)似，如果換成單管(guan)，那就不一定了(le)。

當然，要用IGBT單管代替(ti)IGBT模塊也不(bu)是(shi)不(bu)行，只(zhi)是(shi)余量要留(liu)大(da)一(yi)些。