一、IGBT單管和IGBT模塊的區別是什么

IGBT是(shi)IGBT芯片、IGBT單管(guan)和(he)IGBT模塊(kuai)(kuai)的統稱，IGBT單管(guan)和(he)IGBT模塊(kuai)(kuai)都是(shi)由(you)IGBT芯片制成(cheng)的，它們(men)的控制電路是(shi)一(yi)樣的，作用和(he)工作原理(li)也基本一(yi)樣，IGBT模塊(kuai)(kuai)可(ke)以看成(cheng)是(shi)多(duo)個IGBT單管(guan)集成(cheng)的模塊(kuai)(kuai)，那(nei)么它們(men)有啥區(qu)別(bie)呢？

1、IGBT單管：IGBT單管是分立IGBT，封裝較(jiao)模塊(kuai)小，電流通常在50A以下(xia)，它的(de)的(de)封裝形式比較(jiao)簡單，只(zhi)有一(yi)(yi)個(ge)(ge)IGBT晶(jing)體(ti)管，一(yi)(yi)個(ge)(ge)反向恢復(fu)二極管和一(yi)(yi)個(ge)(ge)可選的(de)溫(wen)度(du)傳感器。

2、IGBT模塊：IGBT模塊(kuai)是模塊(kuai)化封裝的IGBT芯(xin)片，封裝形(xing)式比(bi)較復(fu)雜，除了IGBT晶(jing)體管，反向(xiang)恢復(fu)二極管，溫度(du)傳感器(qi)外，還(huan)有漏電(dian)感，濾波電(dian)容器(qi)，放大(da)器(qi)，控制(zhi)電(dian)路等(deng)。

除此(ci)之外(wai)，IGBT單管和(he)IGBT模(mo)塊(kuai)的區別(bie)還(huan)有：IGBT單管的功耗比IGBT模(mo)塊(kuai)低，IGBT模(mo)塊(kuai)的可靠性比IGBT單管更高。

二、IGBT單管能代替IGBT模塊嗎

應(ying)(ying)用(yong)(yong)IGBT的(de)時候(hou)，用(yong)(yong)IGBT單(dan)管(guan)還是IGBT模塊主要看應(ying)(ying)用(yong)(yong)領域的(de)需(xu)求(qiu)，一般來(lai)說，不建議(yi)用(yong)(yong)IGBT單(dan)管(guan)代替IGBT模塊，原因主要有兩點：

1、IGBT單管的散(san)熱條件沒有(you)IGBT模塊的散(san)熱條件好。

2、就制作來說，IGBT模塊的(de)一(yi)致(zhi)性比IGBT單管(guan)的(de)一(yi)致(zhi)性好，IGBT模塊(kuai)中，IGBT芯片的(de)并聯排線肯(ken)定比單管(guan)的(de)好，會降低很多(duo)雜散參(can)數(shu)，IGBT模塊(kuai)并聯的(de)芯片都是同一(yi)片wafer上取(qu)出相(xiang)鄰的(de)IGBT芯片，IGBT芯片參(can)數(shu)非常相(xiang)似，如(ru)果換成(cheng)單管(guan)，那就不一(yi)定了。

當然，要(yao)用IGBT單管代替IGBT模塊也(ye)不是(shi)不行，只是(shi)余量(liang)要(yao)留大(da)一些。