一、IGBT單管和IGBT模塊的區別是什么

IGBT是(shi)(shi)IGBT芯片、IGBT單(dan)(dan)管(guan)(guan)和(he)IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)的(de)統稱，IGBT單(dan)(dan)管(guan)(guan)和(he)IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)都(dou)是(shi)(shi)由IGBT芯片制成的(de)，它們的(de)控制電(dian)路是(shi)(shi)一樣的(de)，作用和(he)工作原理也基(ji)本一樣，IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)可以看成是(shi)(shi)多個(ge)IGBT單(dan)(dan)管(guan)(guan)集成的(de)模(mo)(mo)塊(kuai)，那么(me)它們有(you)啥區別呢(ni)？

1、IGBT單管：IGBT單(dan)(dan)管是分立IGBT，封(feng)裝較(jiao)模塊小，電流通常(chang)在50A以下(xia)，它的的封(feng)裝形式(shi)比較(jiao)簡(jian)單(dan)(dan)，只有一(yi)個IGBT晶體管，一(yi)個反向恢復二(er)極管和(he)一(yi)個可選的溫度傳感器。

2、IGBT模塊：IGBT模塊是模塊化封(feng)裝的IGBT芯片，封(feng)裝形式比較復雜(za)，除(chu)了(le)IGBT晶(jing)體管，反(fan)向恢復二極管，溫度傳感(gan)器外，還有漏電感(gan)，濾(lv)波電容(rong)器，放大器，控(kong)制電路等。

除此之外，IGBT單(dan)管(guan)和IGBT模(mo)塊(kuai)的(de)區(qu)別(bie)還有(you)：IGBT單(dan)管(guan)的(de)功耗比IGBT模(mo)塊(kuai)低，IGBT模(mo)塊(kuai)的(de)可靠性(xing)比IGBT單(dan)管(guan)更(geng)高(gao)。

二、IGBT單管能代替IGBT模塊嗎

應用(yong)(yong)IGBT的時候，用(yong)(yong)IGBT單管還是(shi)IGBT模塊(kuai)主(zhu)要看應用(yong)(yong)領(ling)域的需求，一般來說(shuo)，不建議(yi)用(yong)(yong)IGBT單管代(dai)替IGBT模塊(kuai)，原因主(zhu)要有(you)兩點：

1、IGBT單管的散熱(re)條(tiao)件沒有IGBT模塊(kuai)的散熱(re)條(tiao)件好。

2、就制作來說，IGBT模塊的一(yi)致性比IGBT單管(guan)(guan)的一(yi)致性好，IGBT模(mo)塊中，IGBT芯片(pian)的并聯排線肯定比單管(guan)(guan)的好，會(hui)降低很多雜散參數(shu)，IGBT模(mo)塊并聯的芯片(pian)都(dou)是同一(yi)片(pian)wafer上取出相鄰(lin)的IGBT芯片(pian)，IGBT芯片(pian)參數(shu)非(fei)常相似(si)，如(ru)果換成(cheng)單管(guan)(guan)，那就(jiu)不一(yi)定了。

當然，要(yao)用(yong)IGBT單管代替IGBT模(mo)塊也不(bu)是不(bu)行，只是余量(liang)要(yao)留大一(yi)些。