一、IGBT單管和IGBT模塊的區別是什么

IGBT是(shi)IGBT芯(xin)片、IGBT單管(guan)和IGBT模塊的(de)(de)統稱，IGBT單管(guan)和IGBT模塊都(dou)是(shi)由IGBT芯(xin)片制成(cheng)的(de)(de)，它們(men)的(de)(de)控制電路(lu)是(shi)一樣的(de)(de)，作用和工作原(yuan)理也基本一樣，IGBT模塊可以看成(cheng)是(shi)多個(ge)IGBT單管(guan)集(ji)成(cheng)的(de)(de)模塊，那(nei)么(me)它們(men)有啥區(qu)別呢？

1、IGBT單管：IGBT單管是分(fen)立(li)IGBT，封裝較模塊小，電流通常在(zai)50A以下，它(ta)的的封裝形式比較簡單，只有一(yi)個(ge)IGBT晶(jing)體管，一(yi)個(ge)反向(xiang)恢復二極管和一(yi)個(ge)可選的溫度(du)傳感(gan)器。

2、IGBT模塊：IGBT模(mo)塊是模(mo)塊化(hua)封裝的(de)IGBT芯片，封裝形式比較復雜，除了IGBT晶(jing)體管(guan)，反向恢復二(er)極管(guan)，溫度傳感(gan)器外，還有漏電(dian)感(gan)，濾波(bo)電(dian)容器，放(fang)大器，控制(zhi)電(dian)路等。

除(chu)此之外(wai)，IGBT單(dan)管和IGBT模(mo)塊的區別還有：IGBT單(dan)管的功耗比IGBT模(mo)塊低，IGBT模(mo)塊的可靠性比IGBT單(dan)管更高。

二、IGBT單管能代替IGBT模塊嗎

應(ying)用(yong)IGBT的(de)時候，用(yong)IGBT單(dan)管還是IGBT模塊主(zhu)要看應(ying)用(yong)領域的(de)需求，一(yi)般來說，不建議用(yong)IGBT單(dan)管代替IGBT模塊，原因(yin)主(zhu)要有兩點：

1、IGBT單(dan)管的(de)散熱條(tiao)件(jian)沒(mei)有IGBT模塊的(de)散熱條(tiao)件(jian)好。

2、就制作來說，IGBT模塊的(de)一(yi)致性(xing)比IGBT單管(guan)的(de)一(yi)致性(xing)好，IGBT模(mo)塊中，IGBT芯(xin)片的(de)并(bing)聯排(pai)線肯(ken)定比單管(guan)的(de)好，會降(jiang)低很多雜散(san)參(can)(can)數(shu)，IGBT模(mo)塊并(bing)聯的(de)芯(xin)片都(dou)是同一(yi)片wafer上取出相鄰的(de)IGBT芯(xin)片，IGBT芯(xin)片參(can)(can)數(shu)非(fei)常相似，如果換成單管(guan)，那就不一(yi)定了(le)。

當然，要用IGBT單管代替IGBT模塊也不是不行，只是余(yu)量要留大一些。