一、igbt是什么意思

igbt是(shi)英(ying)文Insulated Gate Bipolar Transistor的(de)首字母縮寫，翻譯過來的(de)中文全稱是(shi)絕(jue)(jue)緣柵雙極型晶體管，是(shi)由雙極型三極管和(he)絕(jue)(jue)緣柵型場效應(ying)管組成(cheng)的(de)復合全控型電(dian)壓驅動式功(gong)率(lv)半導體器件，是(shi)能源變(bian)換與(yu)傳輸的(de)核心器件。

IGBT俗稱(cheng)電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子裝(zhuang)(zhuang)置的“CPU”，具有驅動功率(lv)小而飽和(he)壓降低的優點，非常適(shi)合應(ying)用于直(zhi)流電(dian)(dian)壓為(wei)600V及以上的變流系(xi)統如交流電(dian)(dian)機(ji)、變頻器、開關電(dian)(dian)源(yuan)、照明電(dian)(dian)路、牽(qian)引(yin)傳動等領(ling)域，作為(wei)國家(jia)戰略性新(xin)興產業，在軌(gui)道交通、智(zhi)能電(dian)(dian)網、航(hang)空(kong)航(hang)天、電(dian)(dian)動汽車與(yu)新(xin)能源(yuan)裝(zhuang)(zhuang)備(bei)等領(ling)域應(ying)用極廣。

二、IGBT模塊是什么意思

IGBT是一種半導(dao)體器件(jian)，應用于高功率、高頻率的電力電子設備中，igbt模塊(kuai)(kuai)則是由多個(ge)IGBT芯片、驅動電路(lu)、保護電路(lu)、散熱器、連接器等(deng)組成的模塊(kuai)(kuai)化電子元件(jian)。

IGBT模塊具有(you)節能(neng)、安裝維修方便、散熱穩定等特點，封裝后的IGBT模塊直(zhi)接應用于變(bian)頻器、UPS不間斷(duan)電源等設備上。

IGBT芯(xin)片通(tong)常不(bu)會單獨使(shi)用，而是模塊(kuai)化(hua)使(shi)用，模塊(kuai)化(hua)處理通(tong)過內(nei)部的絕緣隔(ge)離(li)結構，使(shi)IGBT芯(xin)片與外界(jie)(jie)隔(ge)離(li)，以防止外界(jie)(jie)的干擾(rao)和(he)電(dian)磁干擾(rao)。同時，模塊(kuai)內(nei)部的驅動電(dian)路和(he)保(bao)護電(dian)路可以有效地控制和(he)保(bao)護IGBT芯(xin)片，提(ti)高設備(bei)的可靠性和(he)安(an)全性。

三、什么是IGBT功率模塊

IGBT功率(lv)(lv)模(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)采用IC驅動，各種驅動保護電(dian)(dian)路，高性能(neng)IGBT芯片，新(xin)型封(feng)裝(zhuang)技術，從復合功率(lv)(lv)模(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)PIM發展到智能(neng)功率(lv)(lv)模(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)IPM、電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子(zi)積木(mu)PEBB、電(dian)(dian)力(li)模(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)IPEM。PIM向高壓大電(dian)(dian)流發展，其產品水平為(wei)1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diao)速外，600A/2000V的IPM已用于電(dian)(dian)力(li)機車VVVF逆(ni)變器。平面(mian)低電(dian)(dian)感(gan)封(feng)裝(zhuang)技術是大電(dian)(dian)流IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)為(wei)有(you)源器件的PEBB，用于艦艇(ting)上的導(dao)彈發射(she)裝(zhuang)置。IPEM采用共(gong)燒(shao)瓷片多芯片模(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)技術組裝(zhuang)PEBB，大大降低電(dian)(dian)路接線(xian)電(dian)(dian)感(gan)，進步系統效率(lv)(lv)，現已開發成(cheng)功第二代IPEM，其中(zhong)所(suo)有(you)的無源元件以埋層(ceng)方式掩埋在襯底中(zhong)。智能(neng)化、模(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)化成(cheng)為(wei)IGBT發展熱門。