一、igbt是什么意思

igbt是(shi)(shi)英文Insulated Gate Bipolar Transistor的(de)首字母縮(suo)寫，翻(fan)譯過來的(de)中文全稱是(shi)(shi)絕緣(yuan)柵(zha)雙(shuang)極(ji)(ji)型晶體(ti)管(guan)，是(shi)(shi)由(you)雙(shuang)極(ji)(ji)型三極(ji)(ji)管(guan)和絕緣(yuan)柵(zha)型場效(xiao)應管(guan)組成(cheng)的(de)復合全控型電(dian)壓驅(qu)動式功率半導(dao)體(ti)器件，是(shi)(shi)能源(yuan)變換(huan)與傳(chuan)輸的(de)核心器件。

IGBT俗稱(cheng)電(dian)力電(dian)子裝(zhuang)置的(de)“CPU”，具有驅(qu)動(dong)功率小(xiao)而飽和壓降低的(de)優(you)點，非常適合應用于直(zhi)流電(dian)壓為(wei)600V及(ji)以(yi)上(shang)的(de)變(bian)流系統如交流電(dian)機(ji)、變(bian)頻(pin)器、開(kai)關電(dian)源、照明(ming)電(dian)路、牽(qian)引傳動(dong)等領(ling)域(yu)，作為(wei)國家戰略性新興產業，在軌(gui)道交通、智能(neng)(neng)電(dian)網、航空航天、電(dian)動(dong)汽車(che)與新能(neng)(neng)源裝(zhuang)備(bei)等領(ling)域(yu)應用極(ji)廣。

二、IGBT模塊是什么意思

IGBT是(shi)一種(zhong)半(ban)導體器(qi)件，應(ying)用(yong)于高(gao)功(gong)率、高(gao)頻(pin)率的電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子設備中，igbt模(mo)(mo)塊(kuai)則是(shi)由多個IGBT芯片、驅(qu)動電(dian)(dian)路(lu)、保護電(dian)(dian)路(lu)、散熱器(qi)、連接器(qi)等組成的模(mo)(mo)塊(kuai)化電(dian)(dian)子元件。

IGBT模塊(kuai)(kuai)具有節能、安裝維修方便、散(san)熱穩(wen)定(ding)等特點，封裝后的IGBT模塊(kuai)(kuai)直接應用于變頻器、UPS不間(jian)斷電(dian)源等設備上。

IGBT芯(xin)片(pian)(pian)通(tong)常不會單(dan)獨使(shi)用，而是模塊化使(shi)用，模塊化處理通(tong)過內(nei)(nei)部的絕緣隔離(li)結(jie)構，使(shi)IGBT芯(xin)片(pian)(pian)與外(wai)界隔離(li)，以防止外(wai)界的干擾和(he)電(dian)磁干擾。同時，模塊內(nei)(nei)部的驅動(dong)電(dian)路和(he)保(bao)護電(dian)路可(ke)以有效地(di)控制和(he)保(bao)護IGBT芯(xin)片(pian)(pian)，提高設備(bei)的可(ke)靠性和(he)安(an)全性。

三、什么是IGBT功率模塊

IGBT功率模(mo)塊(kuai)采用(yong)IC驅動(dong)，各種驅動(dong)保護電(dian)(dian)路(lu)(lu)，高性能(neng)IGBT芯片(pian)，新型封裝技(ji)術，從(cong)復合功率模(mo)塊(kuai)PIM發(fa)展到智能(neng)功率模(mo)塊(kuai)IPM、電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子積木PEBB、電(dian)(dian)力模(mo)塊(kuai)IPEM。PIM向高壓大(da)電(dian)(dian)流發(fa)展，其產品水(shui)平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除(chu)用(yong)于(yu)變(bian)頻調速(su)外，600A/2000V的IPM已用(yong)于(yu)電(dian)(dian)力機車VVVF逆變(bian)器(qi)。平面低電(dian)(dian)感(gan)封裝技(ji)術是大(da)電(dian)(dian)流IGBT模(mo)塊(kuai)為有源(yuan)(yuan)器(qi)件(jian)的PEBB，用(yong)于(yu)艦艇上的導(dao)彈發(fa)射裝置(zhi)。IPEM采用(yong)共燒瓷(ci)片(pian)多芯片(pian)模(mo)塊(kuai)技(ji)術組裝PEBB，大(da)大(da)降低電(dian)(dian)路(lu)(lu)接線電(dian)(dian)感(gan)，進步系(xi)統效率，現已開發(fa)成(cheng)功第二代IPEM，其中所有的無源(yuan)(yuan)元件(jian)以(yi)埋層方式掩(yan)埋在襯底中。智能(neng)化(hua)、模(mo)塊(kuai)化(hua)成(cheng)為IGBT發(fa)展熱門。