一、igbt是什么意思

igbt是英(ying)文(wen)Insulated Gate Bipolar Transistor的(de)首字母縮寫，翻譯(yi)過(guo)來的(de)中文(wen)全稱(cheng)是絕緣柵雙(shuang)極型晶體管(guan)，是由雙(shuang)極型三極管(guan)和絕緣柵型場效應管(guan)組成的(de)復合全控型電壓驅動(dong)式功率(lv)半導體器(qi)件，是能源變換與(yu)傳輸的(de)核心器(qi)件。

IGBT俗稱電(dian)力電(dian)子裝(zhuang)置的(de)“CPU”，具有(you)驅動功率(lv)小而飽和(he)壓降低的(de)優(you)點(dian)，非常適合應用于直(zhi)流電(dian)壓為600V及以上的(de)變流系統如(ru)交流電(dian)機、變頻器、開關電(dian)源(yuan)、照明(ming)電(dian)路、牽引傳動等領域，作為國家戰略性(xing)新興產業，在軌道交通、智能電(dian)網(wang)、航(hang)空(kong)航(hang)天、電(dian)動汽車與新能源(yuan)裝(zhuang)備等領域應用極廣。

二、IGBT模塊是什么意思

IGBT是一種半導體器(qi)件，應用于高功(gong)率(lv)、高頻率(lv)的電力(li)電子(zi)設備中，igbt模塊則(ze)是由多個IGBT芯(xin)片、驅動電路、保(bao)護電路、散熱(re)器(qi)、連接器(qi)等(deng)組成的模塊化(hua)電子(zi)元(yuan)件。

IGBT模(mo)塊具(ju)有節能、安(an)裝維修方便、散熱穩(wen)定等特點，封裝后(hou)的IGBT模(mo)塊直接(jie)應(ying)用于變頻(pin)器、UPS不間斷電源(yuan)等設備上。

IGBT芯(xin)片(pian)通(tong)常(chang)不會單獨(du)使(shi)用，而(er)是模(mo)塊(kuai)化(hua)使(shi)用，模(mo)塊(kuai)化(hua)處理通(tong)過內部(bu)的(de)絕緣(yuan)隔離(li)結構，使(shi)IGBT芯(xin)片(pian)與外(wai)界隔離(li)，以(yi)(yi)防(fang)止外(wai)界的(de)干擾(rao)和電磁干擾(rao)。同(tong)時，模(mo)塊(kuai)內部(bu)的(de)驅動(dong)電路(lu)和保護電路(lu)可(ke)以(yi)(yi)有效(xiao)地控制和保護IGBT芯(xin)片(pian)，提高設備的(de)可(ke)靠性和安全性。

三、什么是IGBT功率模塊

IGBT功(gong)(gong)率(lv)模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)采用(yong)IC驅動，各種驅動保護電(dian)(dian)路，高(gao)性(xing)能IGBT芯片，新型封裝(zhuang)技(ji)(ji)術，從復合功(gong)(gong)率(lv)模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)PIM發(fa)展到智能功(gong)(gong)率(lv)模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)IPM、電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子積木(mu)PEBB、電(dian)(dian)力(li)模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)IPEM。PIM向高(gao)壓大電(dian)(dian)流發(fa)展，其(qi)產品水平為(wei)1200—1800A/1800—3300V，IPM除用(yong)于變頻調速外，600A/2000V的IPM已(yi)用(yong)于電(dian)(dian)力(li)機(ji)車VVVF逆變器。平面低電(dian)(dian)感封裝(zhuang)技(ji)(ji)術是大電(dian)(dian)流IGBT模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)為(wei)有源(yuan)器件的PEBB，用(yong)于艦艇(ting)上的導彈發(fa)射裝(zhuang)置。IPEM采用(yong)共燒瓷(ci)片多芯片模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)技(ji)(ji)術組裝(zhuang)PEBB，大大降低電(dian)(dian)路接線電(dian)(dian)感，進步系統(tong)效率(lv)，現(xian)已(yi)開發(fa)成(cheng)功(gong)(gong)第二代IPEM，其(qi)中(zhong)所有的無源(yuan)元件以埋(mai)層方式掩埋(mai)在襯底(di)中(zhong)。智能化(hua)、模(mo)(mo)(mo)塊(kuai)化(hua)成(cheng)為(wei)IGBT發(fa)展熱(re)門。