一、igbt是什么意思
igbt是(shi)(shi)英文Insulated Gate Bipolar Transistor的首(shou)字母(mu)縮寫,翻譯過來的中文全稱是(shi)(shi)絕(jue)緣柵雙極(ji)型(xing)晶體管,是(shi)(shi)由雙極(ji)型(xing)三(san)極(ji)管和絕(jue)緣柵型(xing)場效應(ying)管組成的復合全控(kong)型(xing)電(dian)壓(ya)驅動式功率半導體器(qi)件,是(shi)(shi)能(neng)源變(bian)換與傳(chuan)輸的核心器(qi)件。
IGBT俗稱(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)(dian)子裝置的“CPU”,具有(you)驅動功率小而(er)飽和(he)壓(ya)降低的優(you)點,非常適合應用于直流(liu)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)為600V及以上的變流(liu)系統如交(jiao)流(liu)電(dian)(dian)(dian)(dian)機、變頻器、開(kai)關電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)、照明電(dian)(dian)(dian)(dian)路、牽引(yin)傳動等領(ling)域,作為國家戰略(lve)性(xing)新興產(chan)業,在(zai)軌道交(jiao)通、智能(neng)電(dian)(dian)(dian)(dian)網、航空航天、電(dian)(dian)(dian)(dian)動汽車(che)與新能(neng)源(yuan)裝備等領(ling)域應用極廣。
二、IGBT模塊是什么意思
IGBT是一種半導體器(qi)件,應用于高功率(lv)、高頻(pin)率(lv)的電力電子(zi)設備中(zhong),igbt模塊則(ze)是由多個IGBT芯片、驅動電路、保護(hu)電路、散(san)熱器(qi)、連接器(qi)等組成(cheng)的模塊化電子(zi)元件。
IGBT模塊具有(you)節能(neng)、安裝維修方便、散熱穩定等特點(dian),封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻(pin)器、UPS不間(jian)斷電(dian)源等設備上。
IGBT芯(xin)片(pian)通常不會單獨使用,而(er)是模(mo)塊(kuai)化使用,模(mo)塊(kuai)化處理通過內(nei)部的絕緣隔(ge)離結構,使IGBT芯(xin)片(pian)與(yu)外界(jie)隔(ge)離,以防止外界(jie)的干擾和(he)電磁干擾。同時,模(mo)塊(kuai)內(nei)部的驅動電路和(he)保(bao)(bao)護電路可以有效地控(kong)制和(he)保(bao)(bao)護IGBT芯(xin)片(pian),提高(gao)設備的可靠性(xing)和(he)安(an)全性(xing)。
三、什么是IGBT功率模塊
IGBT功率模(mo)(mo)塊(kuai)采(cai)用(yong)(yong)IC驅(qu)動(dong),各種(zhong)驅(qu)動(dong)保護電路,高性能IGBT芯片,新(xin)型封(feng)裝(zhuang)技術,從復(fu)合(he)功率模(mo)(mo)塊(kuai)PIM發(fa)展(zhan)到智能功率模(mo)(mo)塊(kuai)IPM、電力(li)電子積木(mu)PEBB、電力(li)模(mo)(mo)塊(kuai)IPEM。PIM向(xiang)高壓大電流(liu)發(fa)展(zhan),其產品水平(ping)為(wei)1200—1800A/1800—3300V,IPM除用(yong)(yong)于變(bian)(bian)頻調(diao)速外,600A/2000V的(de)(de)IPM已(yi)用(yong)(yong)于電力(li)機車VVVF逆變(bian)(bian)器。平(ping)面低電感封(feng)裝(zhuang)技術是大電流(liu)IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)為(wei)有源器件的(de)(de)PEBB,用(yong)(yong)于艦艇上的(de)(de)導(dao)彈發(fa)射(she)裝(zhuang)置。IPEM采(cai)用(yong)(yong)共燒瓷(ci)片多(duo)芯片模(mo)(mo)塊(kuai)技術組裝(zhuang)PEBB,大大降低電路接線電感,進步(bu)系(xi)統效率,現已(yi)開發(fa)成(cheng)功第二(er)代IPEM,其中所有的(de)(de)無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模(mo)(mo)塊(kuai)化成(cheng)為(wei)IGBT發(fa)展(zhan)熱門。