一、igbt的優點和缺點有哪些

IGBT?就是(shi)絕緣(yuan)柵雙極晶體管(guan)，它主要用于多種電子設備中的高效(xiao)快速開關(guan)的場(chang)景中，兼有BJT和MOS管(guan)的好處，它的優(you)點(dian)和缺點(dian)都(dou)是(shi)很明顯的：

1、igbt的優點

（1）具有較高的電壓和電流處理能力(li)、極高的輸入阻抗。

（2）可以使用非常低的電(dian)壓切換(huan)非常高的電(dian)流(liu)。

（3）具(ju)有(you)電壓控(kong)制裝置，沒有(you)輸入(ru)電流和低輸入(ru)損耗。

（4）柵極驅動(dong)電路簡單且(qie)便宜，降低了柵極驅動(dong)的(de)要求(qiu)。

（5）通(tong)過(guo)(guo)施加正電(dian)壓可以很容(rong)易地打(da)開(kai)它，通(tong)過(guo)(guo)施加零電(dian)壓或稍(shao)微負(fu)電(dian)壓可以很容(rong)易地關(guan)閉(bi)它。

（6）具有非(fei)常低的(de)導通(tong)電阻。

（7）具有高電流密度，使(shi)其能夠具有更小(xiao)的芯片尺寸。

（8）具(ju)有(you)比(bi)BJT和(he)MOS管更(geng)高(gao)的功(gong)率增益。

（9）具有比BJT更高的開關速度(du)。

（10）可以使(shi)用低控制電(dian)壓切(qie)換高(gao)電(dian)流電(dian)平。

（11）具有(you)雙極(ji)性(xing)質，增強了傳(chuan)導性(xing)。

（12）安(an)全可靠。

2、igbt的缺點

（1）開關速(su)度低于MOS管。

（2）因為是(shi)單向的，在沒有附加電路(lu)的情況下無法(fa)處理AC波形。

（3）不能阻擋更高的反向電壓(ya)。

（4）比BJT和MOS管價格更高。

（5）類似于晶閘(zha)管的(de)P-N-P-N結構，因此它存在(zai)鎖(suo)存問(wen)題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有良好的功率(lv)(lv)特性，其重復性能優于(yu)MOSFET，可實現高效(xiao)的恒定功率(lv)(lv)輸出(chu)，有利于(yu)提高整個(ge)系統的工(gong)作效(xiao)率(lv)(lv)。

2、控制特性

IGBT具有良好的控(kong)制特(te)性，其輸入(ru)電(dian)壓(ya)范(fan)圍較寬，可(ke)實現電(dian)壓(ya)控(kong)制調節，可(ke)以(yi)有效抑制電(dian)壓(ya)波動。

3、可靠性

IGBT具有良好(hao)的可靠性(xing)，具有抗電磁干擾能(neng)力強、抗溫度(du)變化性(xing)能(neng)好(hao)和耐久(jiu)性(xing)高等優點，可以長期穩(wen)定(ding)運行(xing)。

4、結構特性

IGBT有(you)著緊湊的結構，體積(ji)小，可以降低整個(ge)系(xi)統的體積(ji)，有(you)利于(yu)系(xi)統的自動(dong)化程度的提高。

三、igbt的主要參數

1、電壓限制：IGBT的電壓范(fan)圍一般在600V-6.5kV之間(jian)。

2、功率限制：IGBT的功率范圍一(yi)般(ban)在(zai)1W-15MW之間。

3、漏電流：IGBT的漏電流比MOSFET要小得(de)多，一般在1mA-100mA之間。

4、損耗：IGBT的損耗一般比MOSFET要低，可以達到1W-15MW之間。

5、熱效應：IGBT的熱效應比MOSFET要小(xiao)，可以達到20°C-150°C之間。

6、反應時間：IGBT的反(fan)應時間(jian)一般比MOSFET要快，可以達到1ns-50ns之間(jian)。