一、igbt的優點和缺點有哪些

IGBT?就是絕緣柵(zha)雙極(ji)晶體(ti)管，它主(zhu)要(yao)用于(yu)多種電子設備(bei)中(zhong)(zhong)的高效快速開關的場(chang)景中(zhong)(zhong)，兼有BJT和(he)MOS管的好(hao)處(chu)，它的優點和(he)缺點都(dou)是很明顯(xian)的：

1、igbt的優點

（1）具有較高(gao)的電壓和電流(liu)處理(li)能力(li)、極(ji)高(gao)的輸入阻抗。

（2）可以使用非(fei)(fei)常低的電(dian)壓(ya)切(qie)換(huan)非(fei)(fei)常高的電(dian)流。

（3）具有(you)電壓控制裝置，沒有(you)輸(shu)(shu)入電流和低(di)輸(shu)(shu)入損耗。

（4）柵極驅動電路簡單(dan)且便宜，降低了柵極驅動的要求。

（5）通過施加正電壓(ya)(ya)可以(yi)很(hen)容易地打開它(ta)，通過施加零電壓(ya)(ya)或稍微(wei)負(fu)電壓(ya)(ya)可以(yi)很(hen)容易地關閉它(ta)。

（6）具有非常低的導(dao)通電阻。

（7）具(ju)有高電流密度，使(shi)其能夠具(ju)有更小的芯片(pian)尺寸。

（8）具有比BJT和MOS管更高的功率增益。

（9）具有(you)比BJT更高的(de)開關速度。

（10）可以使(shi)用(yong)低(di)控制電(dian)壓切換(huan)高電(dian)流(liu)電(dian)平。

（11）具有雙極性質，增強(qiang)了傳(chuan)導性。

（12）安全可靠(kao)。

2、igbt的缺點

（1）開關(guan)速(su)度低于MOS管。

（2）因為是單向的，在(zai)沒有附(fu)加電路的情況下無法(fa)處理AC波(bo)形。

（3）不能(neng)阻擋(dang)更高的(de)反(fan)向(xiang)電壓(ya)。

（4）比(bi)BJT和MOS管價格更高(gao)。

（5）類似(si)于晶(jing)閘(zha)管的P-N-P-N結構，因此它(ta)存在鎖(suo)存問題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具(ju)有(you)良(liang)好(hao)的(de)功(gong)率特性(xing)，其(qi)重復性(xing)能(neng)優于MOSFET，可實現高效的(de)恒定功(gong)率輸出，有(you)利于提(ti)高整個系統(tong)的(de)工(gong)作效率。

2、控制特性

IGBT具有良好的控制(zhi)特性，其輸入電壓(ya)范(fan)圍較寬，可(ke)實現電壓(ya)控制(zhi)調節，可(ke)以有效抑(yi)制(zhi)電壓(ya)波動。

3、可靠性

IGBT具有良好(hao)的可靠性(xing)，具有抗電磁干擾能(neng)力強、抗溫度變化(hua)性(xing)能(neng)好(hao)和耐久性(xing)高(gao)等優點，可以長期穩定運行。

4、結構特性

IGBT有(you)著緊湊的(de)(de)結構，體(ti)積小(xiao)，可以降(jiang)低整個系統(tong)的(de)(de)體(ti)積，有(you)利于系統(tong)的(de)(de)自動化程度(du)的(de)(de)提高。

三、igbt的主要參數

1、電壓限制：IGBT的電(dian)壓范圍一般在600V-6.5kV之(zhi)間。

2、功率限制：IGBT的功率范圍(wei)一(yi)般在1W-15MW之間。

3、漏電流：IGBT的漏電流(liu)比MOSFET要(yao)小得多，一般在1mA-100mA之間。

4、損耗：IGBT的(de)損(sun)耗(hao)一般比(bi)MOSFET要低，可以達到1W-15MW之間。

5、熱效應：IGBT的熱效應比MOSFET要小，可以達到20°C-150°C之間。

6、反應時間：IGBT的(de)反應(ying)時間一般比(bi)MOSFET要快，可以(yi)達到1ns-50ns之間。