一、igbt的優點和缺點有哪些

IGBT?就是(shi)絕緣柵(zha)雙極晶體(ti)管(guan)，它(ta)主要用于多(duo)種(zhong)電子設備中(zhong)的(de)高效快速開(kai)關的(de)場景中(zhong)，兼有BJT和(he)MOS管(guan)的(de)好處(chu)，它(ta)的(de)優點(dian)(dian)和(he)缺點(dian)(dian)都(dou)是(shi)很明顯的(de)：

1、igbt的優點

（1）具有較高(gao)的電壓和電流(liu)處理能力、極高(gao)的輸入阻抗。

（2）可(ke)以使(shi)用非(fei)常低的(de)電(dian)壓切換非(fei)常高(gao)的(de)電(dian)流。

（3）具(ju)有電壓控制裝置(zhi)，沒(mei)有輸(shu)入電流和低輸(shu)入損耗。

（4）柵極驅動電路簡單且便宜，降低了柵極驅動的要(yao)求。

（5）通過(guo)施(shi)(shi)加正電(dian)壓(ya)可以很(hen)容易地(di)打開(kai)它，通過(guo)施(shi)(shi)加零電(dian)壓(ya)或(huo)稍微負(fu)電(dian)壓(ya)可以很(hen)容易地(di)關閉它。

（6）具(ju)有非(fei)常低(di)的(de)導通電阻(zu)。

（7）具有高電流密度，使其能(neng)夠(gou)具有更小的芯片尺寸(cun)。

（8）具有比(bi)BJT和(he)MOS管更高的功率(lv)增益。

（9）具有(you)比BJT更高的開關速度。

（10）可以使用低控制電壓切換高電流電平。

（11）具有雙(shuang)極性質，增強了傳導性。

（12）安全可靠。

2、igbt的缺點

（1）開關速度低于MOS管。

（2）因為是單向的，在沒有附加(jia)電路的情(qing)況(kuang)下無法處理AC波(bo)形(xing)。

（3）不能阻擋更高(gao)的反向電壓(ya)。

（4）比BJT和(he)MOS管價格更高。

（5）類(lei)似于晶閘(zha)管的P-N-P-N結構(gou)，因此它(ta)存在鎖存問題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有(you)良好的功率特性，其(qi)重復性能優(you)于(yu)MOSFET，可實現(xian)高效的恒(heng)定功率輸出，有(you)利于(yu)提高整個系統的工作效率。

2、控制特性

IGBT具(ju)有(you)良好的控(kong)制特(te)性，其輸入電壓范(fan)圍較寬，可實現電壓控(kong)制調(diao)節，可以有(you)效(xiao)抑制電壓波動(dong)。

3、可靠性

IGBT具有良好的可(ke)靠性(xing)，具有抗電磁干(gan)擾(rao)能力強、抗溫度變化性(xing)能好和耐久性(xing)高(gao)等優點(dian)，可(ke)以長(chang)期穩定運行。

4、結構特性

IGBT有著(zhu)緊湊的(de)(de)結(jie)構(gou)，體積(ji)(ji)小(xiao)，可以降低整個系(xi)(xi)統的(de)(de)體積(ji)(ji)，有利于系(xi)(xi)統的(de)(de)自動化程度的(de)(de)提高。

三、igbt的主要參數

1、電壓限制：IGBT的電(dian)壓范圍一般在(zai)600V-6.5kV之間(jian)。

2、功率限制：IGBT的功率范圍(wei)一般在1W-15MW之間。

3、漏電流：IGBT的漏電流比MOSFET要(yao)小得多(duo)，一般在1mA-100mA之間。

4、損耗：IGBT的(de)損耗一(yi)般比MOSFET要低，可以達到1W-15MW之(zhi)間。

5、熱效應：IGBT的熱效應比(bi)MOSFET要小，可(ke)以達到20°C-150°C之間。

6、反應時間：IGBT的反應時間一般比MOSFET要快，可以達到(dao)1ns-50ns之間。