一、igbt的優點和缺點有哪些

IGBT?就是絕緣柵雙極晶體管，它主要用于多種電子設備中(zhong)的(de)高效快速開(kai)關的(de)場景中(zhong)，兼有BJT和MOS管的(de)好(hao)處，它的(de)優點和缺點都(dou)是很明(ming)顯(xian)的(de)：

1、igbt的優點

（1）具有(you)較(jiao)高(gao)的電(dian)壓和電(dian)流處理能力、極(ji)高(gao)的輸(shu)入阻抗。

（2）可以(yi)使用(yong)非常(chang)低的電壓切(qie)換(huan)非常(chang)高的電流。

（3）具有電(dian)壓控制(zhi)裝(zhuang)置(zhi)，沒有輸(shu)入(ru)電(dian)流和低輸(shu)入(ru)損耗。

（4）柵(zha)極驅動(dong)電路簡單且(qie)便宜，降低(di)了柵(zha)極驅動(dong)的(de)要求(qiu)。

（5）通過施加正(zheng)電(dian)壓可(ke)以很容(rong)易地打開它(ta)(ta)，通過施加零電(dian)壓或稍微負電(dian)壓可(ke)以很容(rong)易地關閉它(ta)(ta)。

（6）具有非常低的導通(tong)電(dian)阻。

（7）具有高電(dian)流密度，使其(qi)能夠具有更小的芯片尺(chi)寸。

（8）具有比BJT和MOS管更高的功率(lv)增益。

（9）具有比BJT更高的(de)開(kai)關速(su)度。

（10）可以使(shi)用低控制(zhi)電壓切(qie)換高電流(liu)電平。

（11）具有(you)雙(shuang)極性(xing)質(zhi)，增強了傳(chuan)導性(xing)。

（12）安全可靠。

2、igbt的缺點

（1）開關速度低于(yu)MOS管(guan)。

（2）因為(wei)是單向(xiang)的，在沒有附加電路(lu)的情況下無(wu)法處理AC波形(xing)。

（3）不能(neng)阻擋(dang)更高的反向電壓。

（4）比BJT和(he)MOS管價格更高。

（5）類似(si)于(yu)晶閘管的P-N-P-N結構，因此它存(cun)在鎖存(cun)問題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有良好的功(gong)(gong)率(lv)特性(xing)，其重復性(xing)能優于MOSFET，可實(shi)現(xian)高(gao)效的恒定(ding)功(gong)(gong)率(lv)輸(shu)出，有利于提(ti)高(gao)整個系統(tong)的工作效率(lv)。

2、控制特性

IGBT具(ju)有良好的控制特性，其(qi)輸入電壓范圍較寬，可實現電壓控制調節，可以有效抑(yi)制電壓波動。

3、可靠性

IGBT具(ju)有(you)良好(hao)的可(ke)靠(kao)性(xing)，具(ju)有(you)抗電(dian)磁干擾能力強、抗溫(wen)度變化性(xing)能好(hao)和耐久性(xing)高(gao)等(deng)優點(dian)，可(ke)以長期穩定運行。

4、結構特性

IGBT有著緊湊的(de)(de)結(jie)構，體積小，可以降低整個系統(tong)的(de)(de)體積，有利于系統(tong)的(de)(de)自(zi)動(dong)化程(cheng)度(du)的(de)(de)提高(gao)。

三、igbt的主要參數

1、電壓限制：IGBT的(de)電(dian)壓范(fan)圍一般在(zai)600V-6.5kV之間。

2、功率限制：IGBT的(de)功率范圍一般在1W-15MW之間。

3、漏電流：IGBT的漏電(dian)流比(bi)MOSFET要小(xiao)得(de)多，一般在1mA-100mA之間。

4、損耗：IGBT的損耗一般比MOSFET要低，可以達到1W-15MW之間。

5、熱效應：IGBT的熱效(xiao)應比(bi)MOSFET要小，可(ke)以達到(dao)20°C-150°C之間(jian)。

6、反應時間：IGBT的反應時間(jian)一般比MOSFET要快，可以達到1ns-50ns之間(jian)。