一、igbt的優點和缺點有哪些

IGBT?就(jiu)是(shi)絕(jue)緣(yuan)柵雙極晶體管(guan)，它主要(yao)用于多種電子(zi)設(she)備中(zhong)的高(gao)效(xiao)快速開關的場(chang)景(jing)中(zhong)，兼有BJT和MOS管(guan)的好(hao)處，它的優點和缺點都是(shi)很明顯的：

1、igbt的優點

（1）具(ju)有較高(gao)的(de)電壓(ya)和電流處理能力、極(ji)高(gao)的(de)輸入阻抗。

（2）可以使用非常低的電壓切(qie)換非常高(gao)的電流(liu)。

（3）具有電(dian)(dian)壓控制(zhi)裝(zhuang)置，沒有輸(shu)(shu)入(ru)電(dian)(dian)流(liu)和低(di)輸(shu)(shu)入(ru)損耗。

（4）柵(zha)極驅動電路簡單且便(bian)宜(yi)，降低(di)了柵(zha)極驅動的要求。

（5）通過(guo)施加正電(dian)(dian)壓可以很容易地打開它(ta)，通過(guo)施加零電(dian)(dian)壓或稍微負電(dian)(dian)壓可以很容易地關閉它(ta)。

（6）具有非常低(di)的導(dao)通電阻。

（7）具有(you)高電流密度，使其能夠具有(you)更小的芯片(pian)尺寸(cun)。

（8）具(ju)有比BJT和MOS管更(geng)高的功率增益。

（9）具(ju)有比BJT更(geng)高的開關速度。

（10）可以使用低控制電壓切換(huan)高電流(liu)電平。

（11）具有雙極性質，增強了傳導性。

（12）安全可靠。

2、igbt的缺點

（1）開關速(su)度低于MOS管。

（2）因為是單向的，在沒有(you)附加電(dian)路(lu)的情(qing)況下無法處(chu)理AC波形。

（3）不能阻(zu)擋(dang)更高的(de)反(fan)向電壓。

（4）比BJT和MOS管(guan)價格更高。

（5）類似于晶(jing)閘管的P-N-P-N結構，因(yin)此它存在鎖(suo)存問題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有良好(hao)的(de)功率特性(xing)(xing)，其重復性(xing)(xing)能優(you)于MOSFET，可實現高效的(de)恒定功率輸出，有利于提(ti)高整個系統的(de)工作效率。

2、控制特性

IGBT具有良好的(de)控(kong)制(zhi)特性(xing)，其輸入電壓(ya)范(fan)圍較寬，可(ke)實現電壓(ya)控(kong)制(zhi)調節，可(ke)以有效(xiao)抑制(zhi)電壓(ya)波動(dong)。

3、可靠性

IGBT具有(you)良好(hao)的(de)可靠性，具有(you)抗(kang)電磁(ci)干擾能力強、抗(kang)溫度(du)變化性能好(hao)和耐久性高(gao)等優點(dian)，可以長(chang)期穩(wen)定運行。

4、結構特性

IGBT有著緊湊的結構(gou)，體(ti)積小，可以(yi)降(jiang)低整個系統的體(ti)積，有利(li)于(yu)系統的自動(dong)化(hua)程度的提高(gao)。

三、igbt的主要參數

1、電壓限制：IGBT的電壓范圍一般在600V-6.5kV之間。

2、功率限制：IGBT的(de)功率范圍一(yi)般在1W-15MW之間(jian)。

3、漏電流：IGBT的漏電流比(bi)MOSFET要小得多，一般在1mA-100mA之間。

4、損耗：IGBT的損耗一般(ban)比MOSFET要低，可以達到1W-15MW之間。

5、熱效應：IGBT的熱效應比(bi)MOSFET要小，可(ke)以達到20°C-150°C之間。

6、反應時間：IGBT的反應時間一般比(bi)MOSFET要快，可以達到1ns-50ns之間。