一、igbt的優點和缺點有哪些

IGBT?就是絕(jue)緣柵雙極晶(jing)體(ti)管(guan)，它主要用于多種(zhong)電子設備中的(de)(de)高效快速開關(guan)的(de)(de)場(chang)景中，兼有BJT和MOS管(guan)的(de)(de)好處，它的(de)(de)優點(dian)和缺(que)點(dian)都(dou)是很明顯的(de)(de)：

1、igbt的優點

（1）具有較高(gao)的(de)電壓(ya)和電流(liu)處理能(neng)力、極高(gao)的(de)輸入阻抗。

（2）可以使用非常(chang)低的電壓切換非常(chang)高的電流。

（3）具有電壓控(kong)制裝置，沒有輸(shu)(shu)入(ru)電流和低輸(shu)(shu)入(ru)損耗。

（4）柵極驅動電路簡單且便(bian)宜，降低了柵極驅動的要求。

（5）通過施加正電(dian)(dian)壓可以(yi)(yi)很(hen)容易地打開它(ta)(ta)，通過施加零電(dian)(dian)壓或稍微負電(dian)(dian)壓可以(yi)(yi)很(hen)容易地關閉它(ta)(ta)。

（6）具有(you)非常低的導通電(dian)阻。

（7）具有高電流密度，使其(qi)能夠(gou)具有更小的芯(xin)片(pian)尺(chi)寸(cun)。

（8）具有比(bi)BJT和MOS管更高的功率增益。

（9）具(ju)有比BJT更高的開關(guan)速(su)度。

（10）可以(yi)使用低控制電壓切換高電流電平。

（11）具有雙極性(xing)質，增強了傳(chuan)導性(xing)。

（12）安全可靠。

2、igbt的缺點

（1）開關(guan)速度(du)低于MOS管(guan)。

（2）因為是單向的(de)(de)，在(zai)沒有附(fu)加(jia)電路的(de)(de)情況下無法處(chu)理AC波形。

（3）不能阻擋更(geng)高的反向電壓(ya)。

（4）比BJT和MOS管價格更高。

（5）類似于(yu)晶閘管的P-N-P-N結構(gou)，因此它(ta)存(cun)在鎖存(cun)問題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有(you)良(liang)好的功率特(te)性(xing)，其重復性(xing)能優于(yu)MOSFET，可實現高效的恒定功率輸出，有(you)利于(yu)提高整(zheng)個系統(tong)的工作效率。

2、控制特性

IGBT具(ju)有(you)良好的控制(zhi)特性，其輸入電壓范圍較寬(kuan)，可(ke)實現(xian)電壓控制(zhi)調(diao)節，可(ke)以有(you)效抑制(zhi)電壓波動。

3、可靠性

IGBT具(ju)有良好(hao)的可靠(kao)性(xing)(xing)，具(ju)有抗電磁干擾能力(li)強、抗溫度變化性(xing)(xing)能好(hao)和耐(nai)久性(xing)(xing)高等優點(dian)，可以長期(qi)穩定(ding)運行。

4、結構特性

IGBT有著緊湊(cou)的(de)結(jie)構，體(ti)積小，可以降低整個系統(tong)的(de)體(ti)積，有利于系統(tong)的(de)自動化程度的(de)提高。

三、igbt的主要參數

1、電壓限制：IGBT的電壓范圍一般(ban)在600V-6.5kV之間。

2、功率限制：IGBT的(de)功率范圍(wei)一般在1W-15MW之間。

3、漏電流：IGBT的(de)漏電流比MOSFET要小得多(duo)，一(yi)般在1mA-100mA之間。

4、損耗：IGBT的損耗一般比MOSFET要低，可以(yi)達(da)到1W-15MW之間。

5、熱效應：IGBT的熱效應比(bi)MOSFET要小，可(ke)以達到20°C-150°C之(zhi)間。

6、反應時間：IGBT的反應時間一般比MOSFET要快(kuai)，可以達到1ns-50ns之間。