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氮化鎵充電器安全嗎 氮化鎵充電器可以一直插著嗎

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摘要:氮化鎵充電器安全嗎?氮化鎵充電器具有開關頻率高、禁帶寬度大、更低的導通電阻的特點。氮化鎵充電器不僅可以充我們的手機,還可以充平板,充筆記本電腦,充耳機等等,只要是在功率之內基本都可以充。并且氮化鎵充電器的安全性比傳統充電器更高。但在使用氮化鎵充電器的時候也不要一直插著,會對充電器有影響。

一、氮化鎵充電器安全嗎

其(qi)實(shi)氮(dan)化(hua)鎵的(de)安(an)(an)全性(xing)完全不需要擔心(xin),作(zuo)為第三(san)代半導(dao)體材(cai)料,氮(dan)化(hua)鎵的(de)禁帶寬度比(bi)(bi)硅(gui)大3倍,意(yi)味著它(ta)能(neng)承(cheng)受(shou)更高的(de)電(dian)(dian)壓,擁有更好的(de)導(dao)熱(re)能(neng)力。對比(bi)(bi)過去的(de)充電(dian)(dian)器,氮(dan)化(hua)鎵在(zai)縮(suo)小(xiao)體積的(de)同時提高了充電(dian)(dian)功率,因(yin)為其(qi)降低了損耗(hao)從而(er)降低了發熱(re)。溫度更低、對電(dian)(dian)池損耗(hao)更低、安(an)(an)全性(xing)比(bi)(bi)傳統(tong)充電(dian)(dian)器更高了。

二、氮化鎵充電器可以一直插著嗎

不(bu)(bu)建議一(yi)(yi)直將充(chong)電(dian)器(qi)(qi)插著(zhu)(zhu),無(wu)論(lun)是(shi)氮化鎵(jia)充(chong)電(dian)器(qi)(qi)還是(shi)普通充(chong)電(dian)器(qi)(qi)都(dou)不(bu)(bu)建議插著(zhu)(zhu)。我們人(ren)(ren)類(lei)有(you)一(yi)(yi)定的(de)壽(shou)(shou)命(ming),長期處(chu)于(yu)(yu)工作(zuo)狀態(tai)也(ye)會導(dao)致人(ren)(ren)類(lei)壽(shou)(shou)命(ming)縮(suo)短。充(chong)電(dian)器(qi)(qi)也(ye)是(shi)這個(ge)道理,一(yi)(yi)直把(ba)它(ta)插在(zai)插座(zuo)上(shang)不(bu)(bu)拔下來,它(ta)的(de)內部橋式(shi)整流(liu)電(dian)路、高(gao)頻變(bian)壓器(qi)(qi)、電(dian)阻、電(dian)容(rong)、高(gao)壓電(dian)容(rong)、開關(guan)管等一(yi)(yi)系列元器(qi)(qi)件都(dou)處(chu)于(yu)(yu)小電(dian)流(liu)的(de)工作(zuo)狀態(tai),這會加速(su)它(ta)們的(de)老化速(su)度,讓(rang)它(ta)們的(de)壽(shou)(shou)命(ming)變(bian)短。另外(wai)一(yi)(yi)直插在(zai)插座(zuo)上(shang)不(bu)(bu)拔下來,還有(you)可(ke)能會引發火災,不(bu)(bu)僅給(gei)自(zi)己(ji)帶來了財產損失,也(ye)有(you)可(ke)能危及鄰居的(de)生(sheng)命(ming)財產安全。

三、氮化鎵充電器對手機電池會造成損害嗎

首先手機的(de)電(dian)池(chi)無(wu)論你是(shi)(shi)使(shi)用原裝充電(dian)器(qi)(qi)或(huo)是(shi)(shi)氮(dan)化鎵充電(dian)器(qi)(qi)每次充電(dian)使(shi)用都是(shi)(shi)一(yi)個充放電(dian)的(de)完整過程(cheng),在這(zhe)期間電(dian)池(chi)的(de)使(shi)用壽命肯定會縮(suo)短(duan),這(zhe)也是(shi)(shi)正常損耗。

其次無論你是使用原裝還是氮化鎵充電器,電(dian)池在(zai)經過一(yi)年乃(nai)至(zhi)兩年以上(shang)的使(shi)用(yong)(yong)時間也是不(bu)耐用(yong)(yong)了,所以和原裝充電(dian)器使(shi)用(yong)(yong)的結果是一(yi)樣的。

四、氮化鎵充電器是什么原理

氮化(hua)該被稱為第三代(dai)半導體材(cai)(cai)料。相比硅(gui),它的(de)性(xing)能(neng)成倍(bei)提升(sheng),而且比硅(gui)更適合做(zuo)大功率(lv)器(qi)件、體積(ji)更小、功率(lv)密(mi)度更大。氮化(hua)嫁芯片頻率(lv)遠高(gao)于硅(gui),有效(xiao)降低內(nei)部(bu)變(bian)壓器(qi)等原(yuan)件體積(ji),同時優秀的(de)散熱性(xing)能(neng)也使內(nei)部(bu)原(yuan)件排布(bu)可以更加精密(mi),最終完(wan)美解決了充電(dian)速率(lv)和便攜性(xing)的(de)矛盾。很明顯(xian),氮化(hua)該就(jiu)是(shi)我們要尋(xun)找的(de)代(dai)替材(cai)(cai)料。

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