一、固態硬盤的種類有哪些

（一）根據接口分

1、SATA 3.0接口

作為最常見的接口，采用SATA 3.0接口的固態硬盤擁有(you)較高的性價比(bi)。和上代(dai)SATA 2.0接(jie)口相比(bi)，SATA 3.0接(jie)口的傳輸速度可達6GB/S。

2、MSATA接口

MSATA接(jie)(jie)口(kou)全(quan)稱為【Mini-SATA】接(jie)(jie)口(kou)，采(cai)用(yong)該接(jie)(jie)口(kou)的(de)固(gu)態(tai)硬(ying)(ying)盤(pan)比SATA 3.0接(jie)(jie)口(kou)的(de)固(gu)態(tai)硬(ying)(ying)盤(pan)在體積上要小很多。由于體積的(de)優勢(shi)，MSATA接(jie)(jie)口(kou)的(de)固(gu)態(tai)硬(ying)(ying)盤(pan)常見(jian)用(yong)于輕薄筆記本(ben)，其(qi)傳輸速度和(he)穩定性和(he)SATA 3.0接(jie)(jie)口(kou)的(de)固(gu)態(tai)硬(ying)(ying)盤(pan)沒有區別。

3、M.2接口

M.2接口的固態硬盤擁有體積(ji)小，性能強(qiang)的優點。目前，主流的主板和(he)M.2接口固態硬盤都支持PCI-E 3.0 x 4通道，理論帶寬可達32Gbps，性能十分出眾。

4、PCI-E接口

PCI-E接(jie)口(kou)的固(gu)態硬盤(pan)只能用(yong)于臺式機，它采用(yong)通過總(zong)線與CPU直連(lian)的方式，擁有優(you)于M.2接(jie)口(kou)固(gu)態硬盤(pan)的性能，但是(shi)價格(ge)比(bi)較高，適用(yong)性也比(bi)較低。

除(chu)此之外，固(gu)態硬盤還(huan)有(you)SATA-express、SAS、U.2等接口類型。

（二）根據存儲介質分

固態硬盤的存(cun)(cun)儲(chu)介質(zhi)分為兩種(zhong)，一(yi)種(zhong)是(shi)采(cai)用閃存(cun)(cun)（FLASH芯片）作為存(cun)(cun)儲(chu)介質(zhi)，另外一(yi)種(zhong)是(shi)采(cai)用DRAM作為存(cun)(cun)儲(chu)介質(zhi)。最新(xin)還有英特(te)爾的XPoint顆(ke)粒(li)技術(shu)。

1、基于閃存的固態硬盤

基于閃(shan)存的(de)(de)固(gu)態(tai)硬盤(pan)（IDEFLASH DISK、Serial ATA Flash Disk）：采用FLASH芯(xin)片作(zuo)為存儲介質，這也(ye)是(shi)通(tong)(tong)常所說(shuo)的(de)(de)SSD。它的(de)(de)外觀可(ke)以(yi)(yi)被(bei)制作(zuo)成(cheng)多種模樣，例如：筆記本硬盤(pan)、微硬盤(pan)、存儲卡、U盤(pan)等(deng)樣式。這種SSD固(gu)態(tai)硬盤(pan)最(zui)大的(de)(de)優點就是(shi)可(ke)以(yi)(yi)移動(dong)，而且數據保(bao)護不受電源(yuan)控制，能適(shi)應于各種環境，適(shi)合于個人用戶使用，壽命(ming)較長，可(ke)靠性很高，高品(pin)質的(de)(de)家(jia)用固(gu)態(tai)硬盤(pan)可(ke)輕松達到(dao)普通(tong)(tong)家(jia)用機械硬盤(pan)十分(fen)之(zhi)一的(de)(de)故障率。

2、基于DRAM類

基(ji)于DRAM的固態硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)：采用(yong)(yong)DRAM作為存(cun)儲介質，應(ying)用(yong)(yong)范圍(wei)較窄。它(ta)仿效傳統硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)的設(she)計，可(ke)被絕大部分操作系統的文件系統工(gong)具(ju)進行(xing)卷(juan)設(she)置和管理(li)，并(bing)提供工(gong)業標準(zhun)的PCI和FC接口(kou)用(yong)(yong)于連接主機或者服務器。應(ying)用(yong)(yong)方式可(ke)分為SSD硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)和SSD硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)陣列(lie)兩種(zhong)。它(ta)是一種(zhong)高性能的存(cun)儲器，理(li)論上可(ke)以無限(xian)寫入，美中不足的是需要獨立電源來保護數據安全。DRAM固態硬(ying)(ying)盤(pan)(pan)屬于比較非主流的設(she)備。

3、基于3D XPoint類

基于3D XPoint的(de)(de)(de)固態硬盤：原理(li)上接近DRAM，但是屬于非(fei)易失(shi)存(cun)儲。讀取延時極(ji)低，可輕松達(da)到(dao)現(xian)有固態硬盤的(de)(de)(de)百分(fen)之一，并(bing)且有接近無限的(de)(de)(de)存(cun)儲壽命。缺(que)點是密度相對NAND較(jiao)低，成本(ben)極(ji)高，多用于發燒級(ji)臺式(shi)機和(he)數據中心(xin)。

二、固態硬盤的內部結構

簡(jian)單一句(ju)概括：固態硬(ying)盤(pan)=PCB板+主控(kong)芯片+緩存顆(ke)粒+閃存芯片。

固態硬盤的(de)內部構造十分簡單，固態硬盤(pan)內主體其實就是一塊PCB板(ban)(ban)，而(er)這塊PCB板(ban)(ban)上最基本的(de)配件就是控制芯(xin)片(pian)(pian)，緩存(cun)芯(xin)片(pian)(pian)（部分低端硬盤(pan)無(wu)緩存(cun)芯(xin)片(pian)(pian)）和用于(yu)存(cun)儲(chu)數據的(de)閃存(cun)芯(xin)片(pian)(pian)。

1、PCB板

主要負責板(ban)上各部(bu)件(jian)、外(wai)部(bu)的電腦各硬件(jian)進行數據(ju)交互。

2、主控芯片

市(shi)面上(shang)比(bi)較常見的固態(tai)硬盤(pan)有LSISandForce、Indilinx、JMicron、Marvell、Phison、Sandisk、Goldendisk、Samsung以及Intel等(deng)多(duo)種主控芯(xin)片。主控芯(xin)片是(shi)(shi)固態(tai)硬盤(pan)的大腦，其(qi)作用(yong)一是(shi)(shi)合理調(diao)配(pei)數(shu)據在各(ge)個(ge)閃存芯(xin)片上(shang)的負(fu)荷，二(er)則是(shi)(shi)承(cheng)擔了整個(ge)數(shu)據中轉，連(lian)接閃存芯(xin)片和外部SATA接口。不同(tong)(tong)的主控之(zhi)間能力相差非常大，在數(shu)據處理能力、算法，對閃存芯(xin)片的讀取寫入控制上(shang)會有非常大的不同(tong)(tong)，直接會導致固態(tai)硬盤(pan)產(chan)品在性能上(shang)差距(ju)高(gao)達數(shu)倍(bei)。

3、緩存顆粒

主(zhu)控(kong)芯片(pian)旁邊是(shi)緩(huan)(huan)(huan)(huan)存顆(ke)(ke)粒(li)，固態(tai)硬盤和傳統硬盤一(yi)樣需要高(gao)速的緩(huan)(huan)(huan)(huan)存芯片(pian)輔助主(zhu)控(kong)芯片(pian)進(jin)(jin)行(xing)數據處理。緩(huan)(huan)(huan)(huan)存顆(ke)(ke)粒(li)容量比同一(yi)塊PCB板上的閃存顆(ke)(ke)粒(li)小很多，但讀(du)寫速度會快很多，電腦(nao)進(jin)(jin)行(xing)硬盤讀(du)寫，一(yi)般(ban)會優(you)先使(shi)(shi)用(yong)緩(huan)(huan)(huan)(huan)存顆(ke)(ke)粒(li)。不過(guo)有一(yi)些廉價(jia)固態(tai)硬盤方案為了節(jie)省(sheng)(sheng)成本，省(sheng)(sheng)去了這塊緩(huan)(huan)(huan)(huan)存芯片(pian)，這樣對于(yu)使(shi)(shi)用(yong)時(shi)的性(xing)能(neng)會有一(yi)定的影(ying)響(xiang)，尤其是(shi)小文(wen)件的讀(du)寫性(xing)能(neng)和使(shi)(shi)用(yong)壽命上。

4、閃存芯片

除了(le)主控芯(xin)(xin)片(pian)和緩存芯(xin)(xin)片(pian)外，PCB板上其(qi)余大部分(fen)位置(zhi)都是NAND Flash閃(shan)存芯(xin)(xin)片(pian)。

NAND Flash閃存芯片(pian)又分(fen)為SLC（Single-Level Cell，單層(ceng)單元(yuan)）、MLC（Multi-Level Cell，雙層(ceng)單元(yuan)）、TLC（Trinary-Level Cell，三層(ceng)單元(yuan)）、QLC（Quad-Level Cell，四(si)層(ceng)單元(yuan)）這四(si)種規格。

另還有一(yi)種(zhong)eMLC（Enterprise Multi-Level Cell，企業多層(ceng)單元）是MLC NAND閃(shan)存的一(yi)個“增(zeng)強型”的版本，它在一(yi)定程度上(shang)彌補了(le)SLC和(he)MLC之間(jian)的性能和(he)耐久差距。