cpu制程工藝7nm和5nm有什么區別

我們一般說的芯片14nm、10nm、7nm、5nm，指的是芯片的制程工藝，也就是處理內CPU和GPU表面晶(jing)體(ti)管門電路(lu)的(de)尺寸。一(yi)般來說制程工藝先進，晶(jing)體(ti)管的(de)體(ti)積就越(yue)小，那么相同尺寸的(de)芯片表面可以(yi)容納(na)的(de)晶(jing)體(ti)管數量就越(yue)多，性能也就越(yue)強。

在(zai)整(zheng)個芯片(pian)電(dian)路中(zhong)，晶(jing)體(ti)管的(de)(de)柵(zha)極是(shi)(shi)最窄的(de)(de)線條，如果柵(zha)極是(shi)(shi)14nm，則表明(ming)使用的(de)(de)是(shi)(shi)14nm工(gong)藝(yi)(yi)制程，同理(li)可(ke)推，7nm、5nm工(gong)藝(yi)(yi)制程就是(shi)(shi)指(zhi)不同規格的(de)(de)柵(zha)極。工(gong)藝(yi)(yi)制程越(yue)先進，意味著同樣面積的(de)(de)芯片(pian)可(ke)以容納更多的(de)(de)晶(jing)體(ti)管，帶(dai)來性能(neng)上的(de)(de)提升。工(gong)藝(yi)(yi)越(yue)先進，意味著需(xu)要的(de)(de)電(dian)壓、電(dian)流也(ye)就越(yue)小，發熱量勢(shi)(shi)必(bi)會同步降(jiang)低(di)，也(ye)就是(shi)(shi)說工(gong)藝(yi)(yi)的(de)(de)提升勢(shi)(shi)必(bi)會帶(dai)來功耗(hao)的(de)(de)降(jiang)低(di)。

所以從理論上來說，同一單位面積(ji)下，5nm柵極(ji)寬(kuan)(kuan)度的(de)(de)芯(xin)片(pian)(pian)比7nm柵極(ji)寬(kuan)(kuan)度的(de)(de)芯(xin)片(pian)(pian)性(xing)能(neng)更強，功耗更低。按照芯(xin)片(pian)(pian)制造工(gong)(gong)藝(yi)的(de)(de)技術(shu)角度來看(kan)，5nm制程工(gong)(gong)藝(yi)已經很接近極(ji)限了，但所謂的(de)(de)納米級芯(xin)片(pian)(pian)制造工(gong)(gong)藝(yi)的(de)(de)數值，并不能(neng)真正的(de)(de)代表柵極(ji)寬(kuan)(kuan)度的(de)(de)數值。

至于(yu)(yu)5nm芯(xin)(xin)片和(he)7nm芯(xin)(xin)片的(de)差(cha)別(bie)在哪(na)里，除了(le)(le)(le)工(gong)藝(yi)(yi)的(de)技術(shu)難(nan)(nan)度(du)(du)不(bu)(bu)同，感知最強的(de)差(cha)別(bie)就是性(xing)(xing)能(neng)了(le)(le)(le)，拿5nm工(gong)藝(yi)(yi)的(de)蘋果A14和(he)7nm工(gong)藝(yi)(yi)的(de)蘋果A13為例(li)，A14有118億(yi)個(ge)晶(jing)體(ti)管(guan)，A13有85億(yi)個(ge)晶(jing)體(ti)管(guan)，A14相(xiang)較(jiao)于(yu)(yu)A13，CPU性(xing)(xing)能(neng)增(zeng)幅大概16%，GPU性(xing)(xing)能(neng)增(zeng)幅大概8.3。雖說A14相(xiang)較(jiao)于(yu)(yu)A13的(de)整體(ti)性(xing)(xing)能(neng)提升不(bu)(bu)大，但5nm工(gong)藝(yi)(yi)現(xian)在已(yi)經很接近(jin)極限了(le)(le)(le)，A14芯(xin)(xin)片增(zeng)加了(le)(le)(le)5G基帶的(de)使用，對于(yu)(yu)芯(xin)(xin)片體(ti)積和(he)兼容度(du)(du)要(yao)求大大提高，CPU和(he)GPU能(neng)夠(gou)提升到如(ru)此已(yi)經很難(nan)(nan)得了(le)(le)(le)。

cpu工藝制程越小越好嗎

芯片本質上是一個集成電路，制程工藝越小，在同樣面積上集成的電路越復雜，電路的性能就越強。手機、電腦等設(she)備(bei)在追求輕(qing)薄的同時，實現(xian)能(neng)效的最大化，所以處理芯片(pian)的制(zhi)程(cheng)工藝當然(ran)是越(yue)小越(yue)好。

其實除了能(neng)(neng)耗(hao)以(yi)外(wai)，更小的制程意味著在同等的單(dan)位尺(chi)寸中(zhong)可(ke)以(yi)塞入更多(duo)的晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)，而作為運算芯(xin)(xin)片(pian)的基本(ben)組成(cheng)部分，更多(duo)的晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)數量(liang)顯然能(neng)(neng)夠(gou)提供更好(hao)的性能(neng)(neng)，畢竟芯(xin)(xin)片(pian)不能(neng)(neng)做到無窮大。而且由于單(dan)一芯(xin)(xin)片(pian)的面(mian)積(ji)越(yue)小，同一塊晶(jing)圓可(ke)以(yi)切割(ge)出更多(duo)的芯(xin)(xin)片(pian)，制造商的制作成(cheng)本(ben)也相應降低。

所以簡單概括就是(shi)，更小的(de)制程是(shi)硅芯片發展的(de)方向，得益于更小的(de)制程可以實現更少的(de)發熱和(he)更好的(de)能耗比(bi)，而且在完成初期投(tou)入(ru)之(zhi)后，也能帶來(lai)制造成本(ben)的(de)降低。