cpu制程工藝7nm和5nm有什么區別

我們一般說的芯片14nm、10nm、7nm、5nm，指的是芯片的制程工藝，也就是處理內CPU和GPU表面(mian)晶(jing)(jing)體管(guan)(guan)門電路(lu)的(de)(de)尺寸(cun)。一(yi)般來說制程工藝先進(jin)，晶(jing)(jing)體管(guan)(guan)的(de)(de)體積就(jiu)(jiu)越(yue)小，那么相(xiang)同尺寸(cun)的(de)(de)芯片(pian)表面(mian)可(ke)以容(rong)納(na)的(de)(de)晶(jing)(jing)體管(guan)(guan)數量就(jiu)(jiu)越(yue)多，性能(neng)也就(jiu)(jiu)越(yue)強(qiang)。

在整個(ge)芯(xin)(xin)片(pian)電路中，晶體(ti)管的(de)(de)柵(zha)極(ji)是(shi)(shi)最窄的(de)(de)線(xian)條，如果柵(zha)極(ji)是(shi)(shi)14nm，則表(biao)明使用的(de)(de)是(shi)(shi)14nm工藝(yi)制(zhi)(zhi)程，同理可推，7nm、5nm工藝(yi)制(zhi)(zhi)程就(jiu)是(shi)(shi)指不同規格的(de)(de)柵(zha)極(ji)。工藝(yi)制(zhi)(zhi)程越(yue)先(xian)進(jin)，意味(wei)著同樣面積(ji)的(de)(de)芯(xin)(xin)片(pian)可以(yi)容納更多的(de)(de)晶體(ti)管，帶來性能上的(de)(de)提(ti)升(sheng)。工藝(yi)越(yue)先(xian)進(jin)，意味(wei)著需(xu)要的(de)(de)電壓、電流也(ye)就(jiu)越(yue)小(xiao)，發熱量勢必(bi)(bi)會(hui)同步降低(di)，也(ye)就(jiu)是(shi)(shi)說工藝(yi)的(de)(de)提(ti)升(sheng)勢必(bi)(bi)會(hui)帶來功(gong)耗的(de)(de)降低(di)。

所(suo)以從理論上來說(shuo)，同一單位面積下，5nm柵(zha)極(ji)(ji)寬度的(de)(de)芯(xin)(xin)片比7nm柵(zha)極(ji)(ji)寬度的(de)(de)芯(xin)(xin)片性能更(geng)強，功耗更(geng)低。按照(zhao)芯(xin)(xin)片制(zhi)造工藝(yi)的(de)(de)技術角度來看，5nm制(zhi)程工藝(yi)已(yi)經很接近極(ji)(ji)限(xian)了，但(dan)所(suo)謂(wei)的(de)(de)納米(mi)級芯(xin)(xin)片制(zhi)造工藝(yi)的(de)(de)數值，并不能真正的(de)(de)代(dai)表柵(zha)極(ji)(ji)寬度的(de)(de)數值。

至于(yu)5nm芯(xin)片和(he)7nm芯(xin)片的(de)(de)差(cha)別(bie)在哪里，除了(le)(le)工藝的(de)(de)技術(shu)難(nan)度不(bu)同，感知(zhi)最強的(de)(de)差(cha)別(bie)就是性(xing)能(neng)了(le)(le)，拿5nm工藝的(de)(de)蘋果(guo)(guo)A14和(he)7nm工藝的(de)(de)蘋果(guo)(guo)A13為例，A14有118億個(ge)晶體(ti)(ti)(ti)管，A13有85億個(ge)晶體(ti)(ti)(ti)管，A14相較于(yu)A13，CPU性(xing)能(neng)增(zeng)幅大(da)概(gai)16%，GPU性(xing)能(neng)增(zeng)幅大(da)概(gai)8.3。雖(sui)說A14相較于(yu)A13的(de)(de)整體(ti)(ti)(ti)性(xing)能(neng)提(ti)(ti)升不(bu)大(da)，但5nm工藝現在已(yi)經(jing)很接近極限了(le)(le)，A14芯(xin)片增(zeng)加(jia)了(le)(le)5G基帶的(de)(de)使用，對于(yu)芯(xin)片體(ti)(ti)(ti)積和(he)兼容(rong)度要求大(da)大(da)提(ti)(ti)高，CPU和(he)GPU能(neng)夠提(ti)(ti)升到如(ru)此已(yi)經(jing)很難(nan)得了(le)(le)。

cpu工藝制程越小越好嗎

芯片本質上是一個集成電路，制程工藝越小，在同樣面積上集成的電路越復雜，電路的性能就越強。手機、電腦等設備在追求輕(qing)薄(bo)的(de)(de)同時，實(shi)現能效的(de)(de)最大化，所以處理(li)芯片(pian)的(de)(de)制程工藝當然是越小越好。

其實(shi)除了能耗(hao)以(yi)外，更(geng)小的(de)(de)制(zhi)(zhi)程意味(wei)著(zhu)在同等的(de)(de)單(dan)位尺寸中可以(yi)塞入更(geng)多(duo)(duo)的(de)(de)晶(jing)體管，而作為運算芯(xin)片(pian)的(de)(de)基本(ben)組成(cheng)部分，更(geng)多(duo)(duo)的(de)(de)晶(jing)體管數(shu)量顯然能夠提(ti)供更(geng)好的(de)(de)性(xing)能，畢竟芯(xin)片(pian)不(bu)能做到無窮大。而且由于單(dan)一芯(xin)片(pian)的(de)(de)面積越(yue)小，同一塊晶(jing)圓可以(yi)切割出更(geng)多(duo)(duo)的(de)(de)芯(xin)片(pian)，制(zhi)(zhi)造商的(de)(de)制(zhi)(zhi)作成(cheng)本(ben)也相應降低(di)。

所以(yi)(yi)簡單概括就是，更(geng)小的(de)制程(cheng)是硅芯(xin)片發展的(de)方(fang)向(xiang)，得益于更(geng)小的(de)制程(cheng)可以(yi)(yi)實(shi)現更(geng)少的(de)發熱和更(geng)好(hao)的(de)能(neng)耗比，而且在(zai)完成(cheng)初期投(tou)入之后，也能(neng)帶來(lai)制造成(cheng)本的(de)降低。