一、絕緣柵雙極型晶體管是以什么為柵極

絕(jue)緣柵雙(shuang)極(ji)晶體管(guan)(guan)綜合了電力晶體管(guan)(guan)和電力場效應晶體管(guan)(guan)的(de)優(you)點(dian)，具有良好(hao)的(de)特性，那(nei)么你知道絕(jue)緣柵雙(shuang)極(ji)型晶體管(guan)(guan)是以什么為(wei)柵極(ji)嗎(ma)？

絕緣柵雙極型晶體管是以電力場效應(ying)晶(jing)體管(guan)(guan)柵(zha)極(ji)(ji)為柵(zha)極(ji)(ji)，絕緣柵(zha)雙極(ji)(ji)晶(jing)體管(guan)(guan)綜合了電力晶(jing)體管(guan)(guan)和電力場效應(ying)晶(jing)體管(guan)(guan)的(de)優點，具有良好的(de)特性，應(ying)用領域很廣泛。

IGBT也是(shi)三端(duan)器件：柵極，集電極和(he)發射極。

二、絕緣柵雙極型晶體管有何優點

對于新人工程師而言，掌握絕緣柵雙極型晶體管原理知識是非常重要的，這將會對工程師日后的產品設計和研發工作提供極大的幫助。那么你知道絕緣柵雙極型晶體管有何優點嗎？

絕(jue)緣柵雙極(ji)型晶體(ti)管(guan)(guan)IGBT是一(yi)種由(you)單極(ji)型的(de)MOS和雙極(ji)型晶體(ti)管(guan)(guan)復合而成的(de)器(qi)件(jian)。它兼有MOS和晶體(ti)管(guan)(guan)二者(zhe)的(de)優(you)點，屬(shu)于電(dian)壓型驅動器(qi)件(jian)。其(qi)具有如下優(you)點：

1、輸入(ru)阻(zu)抗高，驅動功率(lv)小。

2、開關速(su)度快。

3、驅動電路簡單(dan)。

4、工作(zuo)頻率(lv)高。

5、導(dao)通壓降較低、功耗較小。

6、能承受高電壓大電流。

7、熱穩(wen)定性好(hao)。

IGBT是(shi)一(yi)種很有(you)發(fa)展前途的(de)新型電(dian)力半導體(ti)器件。在中、小容量電(dian)力電(dian)子應用(yong)方面有(you)取代其他(ta)全(quan)控型電(dian)力半導體(ti)器件的(de)趨勢。