【電阻(zu)率(lv)】影響電阻(zu)率(lv)的外界因素電阻(zu)率(lv)的計算方法

影響電阻率的外界因素

電阻率是用來表示各種物質電阻特性的(de)物理量。某種物質所制成的(de)原件（常溫下(xia)20°C）的(de)電阻與橫截面積(ji)的(de)乘積(ji)與長(chang)(chang)度(du)(du)的(de)比(bi)值(zhi)叫做這種物質的(de)電阻率(lv)。電阻率(lv)與導(dao)體的(de)長(chang)(chang)度(du)(du)、橫截面積(ji)等(deng)因素無關(guan)，是導(dao)體材料(liao)本身(shen)的(de)電學(xue)性質，由導(dao)體的(de)材料(liao)決定，且與溫度(du)(du)有(you)關(guan)。

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電阻率不僅與材料種類有關，而且還與溫度、壓力和磁場等外界因素有關。金屬材料在溫度不高時，ρ與溫度t(℃)的關系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρ1與ρ0分別是t℃和0℃時的電阻率;α是電阻率的溫度系數，與材料有關。錳銅的α約為1×10-1/℃(其數值極小)，用其制成的電阻器的電阻值在常溫范圍下隨溫度變化極小，適合于作標準電阻。已知材料的ρ值隨溫度而變化的規律后，可制成電阻式溫度計來測量溫度。半導體材料的α一般是負值且有較大的量值。制成的電阻式溫度計具有較高的靈敏度。有些金屬(如Nb和Pb)或它們的化合物，當溫度降到幾K或十幾K(絕對溫度)時，ρ突然減少到接近零，出現超導現象，超導材料有廣泛的應用前景。利用材料的ρ隨磁場或所受應力而改變的性質，可制成磁敏電阻或(huo)電(dian)阻(zu)應變片，分別被用(yong)(yong)來測量磁場或(huo)物體所受到的機械應力，在(zai)工(gong)程上獲得廣泛應用(yong)(yong)。

電阻率的計算方法

電阻(zu)率的計算公式為：

ρ為電(dian)阻率——常用單位Ω·m

S為(wei)橫截面積——常(chang)用單位(wei)㎡

R為(wei)電(dian)阻值——常用單位Ω

L為導線(xian)的長度——常用單位m

ρ=Rs/L

電阻率的另一計(ji)算公式為：

ρ為電阻率(lv)——常(chang)用單位Ω·mm2/m

E為電(dian)場強(qiang)度——常用單位N/C

J為電流密度——常用單位A/㎡

（E，J可以為矢量）

ρ=E/J

電阻率的應用

電阻率(lv)較低(di)的(de)(de)(de)物質被(bei)稱為(wei)導體(ti)(ti)(ti)，常見導體(ti)(ti)(ti)主要為(wei)金(jin)屬(shu)，而(er)自(zi)然界中(zhong)導電(dian)(dian)(dian)(dian)性最佳的(de)(de)(de)是銀，其次為(wei)半導體(ti)(ti)(ti)，硅(gui)鍺。當(dang)存在外電(dian)(dian)(dian)(dian)場時(shi)，金(jin)屬(shu)的(de)(de)(de)自(zi)由(you)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)在運動中(zhong)不斷和晶格節點上做熱振子(zi)的(de)(de)(de)正離子(zi)相(xiang)碰撞，使電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)運動受到阻(zu)(zu)礙，因而(er)就具有了一(yi)定的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)。其他不易導電(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)物質如玻璃、橡膠等，電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)率(lv)較高(gao)，一(yi)般稱為(wei)絕緣體(ti)(ti)(ti)。介于導體(ti)(ti)(ti)和絕緣體(ti)(ti)(ti)之(zhi)間的(de)(de)(de)物質(如硅(gui))則稱半導體(ti)(ti)(ti)。電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)率(lv)的(de)(de)(de)科學符號為(wei) ρ(Rho)。 已(yi)知物體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，可(ke)由(you)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)率(lv)ρ、長度l與(yu)截面(mian)面(mian)積A計算：ρ=RA/I，在該(gai)式(shi)中(zhong)， 電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)R單(dan)位(wei)為(wei)歐(ou)姆，長度l單(dan)位(wei)為(wei)米(mi)，截面(mian)面(mian)積A單(dan)位(wei)為(wei)平方(fang)米(mi)，電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)率(lv) ρ單(dan)位(wei)為(wei)歐(ou)姆·米(mi)