一、中國芯片發展的4個階段

我國芯片產(chan)業(ye)的(de)(de)發展(zhan)大(da)致(zhi)可分為四個階段，分別是1956-1978年自力更(geng)生(sheng)的(de)(de)初創期(qi)、1979-1989年改(gai)革開放(fang)后(hou)的(de)(de)探索(suo)發展(zhan)期(qi)、1990-1999年重(zhong)點建設時期(qi)、2000年以來的(de)(de)快速發展(zhan)時期(qi)。

自(zi)2000年以來，我國(guo)的(de)芯片產(chan)業進入了快速發(fa)(fa)(fa)展時期。在該時期內(nei)，國(guo)家及各級(ji)政府從財稅(shui)、投融資環(huan)境(jing)、研究開發(fa)(fa)(fa)、進出口、人才等(deng)幾個方面在國(guo)內(nei)市場加大了對芯片和相關軟件產(chan)業的(de)扶持(chi)力度，這些舉措進一步(bu)優化了芯片產(chan)業發(fa)(fa)(fa)展環(huan)境(jing)，培育了一批(pi)具(ju)有實(shi)力和影響(xiang)力的(de)企(qi)業。

二、中國芯片的發展歷程

中國的芯片發展(zhan)史(shi)，最早要追溯到20世紀(ji)五十年代。

1956年，在周(zhou)恩來(lai)總理的重點關注下，半(ban)導體技(ji)術被列入國家重要的科學技(ji)術項(xiang)目。由此中國開始了漫長的半(ban)導體全(quan)面攻堅戰。

1947年12月23日，美國貝爾實驗室正式地成功演示了(le)第一個基于(yu)鍺半導(dao)體的具(ju)有(you)放大功能的點接觸式晶體管，標志著(zhu)現代半導(dao)體產業(ye)的誕(dan)生和信息時(shi)代的開(kai)啟。

1960年，中(zhong)科(ke)院(yuan)半(ban)導體所和河北(bei)半(ban)導體所正式成(cheng)立(li)，標(biao)志著我國半(ban)導體工業體系初步建(jian)成(cheng)。

此(ci)時全世界(jie)各(ge)國都在積蓄力量(liang)發(fa)展科技，然而此(ci)時的中(zhong)國在這場科技戰爭打響前時期，中(zhong)國卻顯現出(chu)無力感(gan)，集成電路等先(xian)進(jin)(jin)技術(shu)在國際社會的施壓之下，讓中(zhong)國斷(duan)了與國際技術(shu)交流(liu)。再者就是當時中(zhong)國還在進(jin)(jin)行文革，街(jie)上浮現的是甚是夸張的標語：街(jie)邊(bian)隨便的一個(ge)老太(tai)太(tai)在弄堂里拉一個(ge)爐(lu)子都能做出(chu)半導體。

技術更迭速度是非常的迅(xun)速，中國至此已經(jing)開(kai)始落后。

1960年，國營江南無(wu)(wu)線電器材廠(chang)就成立于無(wu)(wu)錫一(yi)個名為(wei)棉花巷(xiang)的地(di)方，200左右名員工(gong)的主(zhu)要(yao)任務就是生(sheng)產二極管(guan)。隨后在1968年底(di)，國家“大力發展電子工(gong)業”的號召(zhao)從上傳到下，國防工(gong)業軍管(guan)小(xiao)組大手一(yi)揮，無(wu)(wu)錫無(wu)(wu)線電機械學校與“742”廠(chang)合(he)并，開始搞新型(xing)半導體工(gong)藝設(she)備的研(yan)究、試制和生(sheng)產。

1982年，國務院專門成立領導小組，制定詳細的中國芯片發(fa)展規劃(hua)，四年之后，籌備許久的關于中國(guo)芯(xin)的第一個發(fa)展戰略(lve)誕生(sheng)——“531”戰略(lve)。

1988年，我國集成電(dian)路產量達到1億塊(kuai)，標志(zhi)著我國開始進入(ru)工(gong)業化大生產，比(bi)老美晚了(le)(le)(le)22年，比(bi)日(ri)本晚了(le)(le)(le)20年，從1965年的(de)第一塊(kuai)集成電(dian)路，中(zhong)國用了(le)(le)(le)漫漫的(de)23年。

“531”戰略的成功，讓當時(shi)的中國(guo)人充滿(man)了斗志，于(yu)是(shi)(shi)908工程順利誕(dan)生(sheng)，當時(shi)計劃投入20億資金，但是(shi)(shi)這一計劃在審核階段就花費(fei)了整整兩年的時(shi)間，兩年時(shi)間說(shuo)長不長，但是(shi)(shi)對(dui)于(yu)高新技術(shu)發展(zhan)來說(shuo)卻是(shi)(shi)漫長的一段時(shi)間。1997年無錫華晶才建成，此時(shi)已經整整落后其他國(guo)家一大(da)截。

20世紀(ji)90年(nian)代，國家(jia)領導(dao)人在(zai)(zai)參觀了三星(xing)集成電路生(sheng)產線后(hou)意識到(dao)了中國在(zai)(zai)集成電路方面的(de)(de)落后(hou)。當時(shi)帶回來的(de)(de)是(shi)“觸目驚心”的(de)(de)四字(zi)感嘆。在(zai)(zai)如此背景下(xia)誕(dan)生(sheng)了909工程。909工程的(de)(de)審批上吸取了908的(de)(de)教訓。資金(jin)計(ji)劃審批幾乎是(shi)即(ji)刻(ke)就到(dao)位(wei)了。

2001年對中(zhong)(zhong)國(guo)人來說是一個不平凡的一年，2001年中(zhong)(zhong)國(guo)申(shen)奧成功，2001年“方舟1號”誕生。此時(shi)中(zhong)(zhong)國(guo)的龍(long)(long)芯項目也在悄(qiao)然地進行(xing)著。當(dang)時(shi)龍(long)(long)芯項目所遇(yu)也是困(kun)難重重，由于技術上(shang)面的不成熟，無法得到市場的認可(ke)。

2006年(nian)，“核高基(ji)”重大(da)專項正式上馬。“核高基(ji)”是“核心電子器件、高端通用芯(xin)片及基(ji)礎軟(ruan)件產品”的簡稱。當年(nian)，國務院(yuan)頒布(bu)了《國家(jia)中長(chang)期科學和技術發展規劃綱(gang)要(yao)（2006－2020年(nian)）》，將(jiang)“核高基(ji)”列為16個科技重大(da)專項之首，與載人航(hang)天、探月工程等并(bing)列。

現(xian)在的(de)美(mei)國(guo)技術制裁的(de)情(qing)況下(xia)，換種(zhong)思路考(kao)慮何嘗不(bu)是(shi)促進中(zhong)國(guo)的(de)高新技術發展了，希望國(guo)家砥(di)礪前行(xing)，美(mei)國(guo)是(shi)否(fou)是(shi)搬起石頭砸自己的(de)腳，讓我們(men)拭目以待。