一、中國芯片發展的4個階段

我(wo)國芯片(pian)產業的(de)(de)(de)發展大(da)致可分(fen)為四(si)個階段，分(fen)別是1956-1978年自力更生(sheng)的(de)(de)(de)初創(chuang)期、1979-1989年改革開放后的(de)(de)(de)探(tan)索發展期、1990-1999年重點建設時期、2000年以來的(de)(de)(de)快速發展時期。

自2000年以來，我國(guo)(guo)的芯(xin)片(pian)產(chan)業進(jin)入(ru)了(le)(le)快(kuai)速發展時(shi)期。在(zai)該時(shi)期內，國(guo)(guo)家及(ji)各級政(zheng)府從財稅、投融資(zi)環境(jing)、研究開發、進(jin)出口、人才等(deng)幾個方面在(zai)國(guo)(guo)內市場加(jia)大了(le)(le)對芯(xin)片(pian)和相關軟(ruan)件產(chan)業的扶持(chi)力度，這些舉措進(jin)一(yi)步優化了(le)(le)芯(xin)片(pian)產(chan)業發展環境(jing)，培育了(le)(le)一(yi)批具有實力和影響力的企(qi)業。

二、中國芯片的發展歷程

中(zhong)國的芯片發展史，最(zui)早(zao)要(yao)追溯到20世紀五十(shi)年代。

1956年，在周恩來總理的重(zhong)點關注下(xia)，半(ban)導體技術被列入國(guo)家重(zhong)要的科學技術項目。由此中國(guo)開始了漫長的半(ban)導體全(quan)面(mian)攻堅戰。

1947年12月23日，美國貝(bei)爾實驗室正(zheng)式(shi)地(di)成功演示了第一個基(ji)于鍺半導體(ti)的(de)具有放大功能的(de)點接(jie)觸式(shi)晶(jing)體(ti)管，標志著現代半導體(ti)產業的(de)誕生和信息時代的(de)開啟。

1960年，中科院半(ban)導(dao)體(ti)所和河北(bei)半(ban)導(dao)體(ti)所正式成立，標(biao)志著我國半(ban)導(dao)體(ti)工業(ye)體(ti)系初步建成。

此(ci)時全(quan)世(shi)界各國(guo)都(dou)(dou)在積蓄力量發展(zhan)科技(ji)，然而(er)此(ci)時的(de)(de)中(zhong)國(guo)在這場科技(ji)戰(zhan)爭打響前時期(qi)，中(zhong)國(guo)卻顯現出無力感，集成(cheng)電(dian)路等先(xian)進技(ji)術(shu)在國(guo)際社會的(de)(de)施(shi)壓之(zhi)下，讓中(zhong)國(guo)斷了(le)與(yu)國(guo)際技(ji)術(shu)交流。再(zai)者(zhe)就(jiu)是(shi)(shi)當時中(zhong)國(guo)還在進行文革，街上(shang)浮(fu)現的(de)(de)是(shi)(shi)甚是(shi)(shi)夸張的(de)(de)標語：街邊隨便(bian)的(de)(de)一個老太(tai)太(tai)在弄堂里拉一個爐(lu)子都(dou)(dou)能(neng)做出半導體。

技術更(geng)迭速度是非常的(de)迅速，中國至此已經開始落后。

1960年(nian)，國(guo)營江(jiang)南無(wu)線電(dian)(dian)器材廠就成立于無(wu)錫一個名(ming)為棉花巷的地方，200左右名(ming)員工(gong)的主要任(ren)務就是(shi)生產二極(ji)管。隨后(hou)在1968年(nian)底(di)，國(guo)家(jia)“大力(li)發展電(dian)(dian)子工(gong)業”的號(hao)召從(cong)上(shang)傳(chuan)到(dao)下，國(guo)防工(gong)業軍管小組大手一揮，無(wu)錫無(wu)線電(dian)(dian)機械學校與“742”廠合并，開始搞新型(xing)半導體工(gong)藝設備的研(yan)究(jiu)、試制和生產。

1982年，國務院專門成立領導小組，制定詳細的中國芯片發展(zhan)規劃(hua)，四年(nian)之后，籌備許久的(de)關于中國芯的(de)第一個發展(zhan)戰略誕生——“531”戰略。

1988年(nian)，我國(guo)集成電(dian)路(lu)產量達(da)到1億塊，標志著我國(guo)開(kai)始進入工業化大生(sheng)產，比老美晚(wan)了22年(nian)，比日本晚(wan)了20年(nian)，從1965年(nian)的(de)第一(yi)塊集成電(dian)路(lu)，中國(guo)用了漫漫的(de)23年(nian)。

“531”戰略(lve)的(de)成(cheng)功，讓當(dang)時的(de)中國(guo)人充(chong)滿了斗志(zhi)，于是908工程順利誕生，當(dang)時計劃投入20億資金(jin)，但(dan)是這(zhe)一計劃在審核階段(duan)就花(hua)費(fei)了整整兩(liang)年(nian)的(de)時間(jian)(jian)，兩(liang)年(nian)時間(jian)(jian)說(shuo)長不(bu)長，但(dan)是對于高新技術發展來說(shuo)卻是漫長的(de)一段(duan)時間(jian)(jian)。1997年(nian)無錫華晶(jing)才建(jian)成(cheng)，此時已經整整落后(hou)其(qi)他(ta)國(guo)家(jia)一大截。

20世紀90年(nian)代(dai)，國家(jia)領(ling)導人(ren)在參觀了三星集成電路生產線后意(yi)識(shi)到了中國在集成電路方面的(de)落后。當時帶(dai)回(hui)來的(de)是“觸目驚心”的(de)四字感嘆。在如此(ci)背(bei)景下誕(dan)生了909工(gong)程。909工(gong)程的(de)審(shen)批上吸取了908的(de)教訓。資金計劃審(shen)批幾乎(hu)是即(ji)刻就到位了。

2001年對(dui)中(zhong)國人來(lai)說(shuo)是(shi)一個不平凡的一年，2001年中(zhong)國申奧成功(gong)，2001年“方(fang)舟(zhou)1號”誕生(sheng)。此時(shi)中(zhong)國的龍芯項目也(ye)在悄(qiao)然地進行著。當時(shi)龍芯項目所遇也(ye)是(shi)困難重重，由于技(ji)術上面的不成熟，無法得到(dao)市場的認可(ke)。

2006年(nian)，“核(he)高基”重(zhong)大(da)專項正式上馬。“核(he)高基”是(shi)“核(he)心電子器件(jian)、高端通用芯(xin)片(pian)及基礎軟件(jian)產品(pin)”的簡稱。當年(nian)，國務院頒布了《國家中長期科學(xue)和技術(shu)發展規劃綱(gang)要(yao)（2006－2020年(nian)）》，將“核(he)高基”列(lie)為(wei)16個科技重(zhong)大(da)專項之首，與(yu)載人航天(tian)、探月工(gong)程等并列(lie)。

現(xian)在的(de)美國(guo)技(ji)術制裁的(de)情況(kuang)下，換種(zhong)思路考(kao)慮何嘗不是促進(jin)中國(guo)的(de)高新技(ji)術發展(zhan)了(le)，希(xi)望國(guo)家砥礪前行，美國(guo)是否(fou)是搬起(qi)石頭砸自己的(de)腳(jiao)，讓(rang)我們(men)拭(shi)目以待(dai)。