一、中國芯片發展的4個階段

我(wo)國芯片產業的(de)發(fa)(fa)展(zhan)大致可分(fen)為四個階段(duan)，分(fen)別是1956-1978年(nian)自力更生的(de)初創期、1979-1989年(nian)改革開放后的(de)探索(suo)發(fa)(fa)展(zhan)期、1990-1999年(nian)重點建設時(shi)期、2000年(nian)以來的(de)快速(su)發(fa)(fa)展(zhan)時(shi)期。

自2000年以來，我國(guo)的(de)芯(xin)片(pian)產(chan)業(ye)進(jin)入了(le)(le)快(kuai)速(su)發展時期。在(zai)該(gai)時期內，國(guo)家及各級政府從財稅、投(tou)融(rong)資環(huan)境、研(yan)究(jiu)開發、進(jin)出口、人才等幾(ji)個(ge)方面在(zai)國(guo)內市場(chang)加大了(le)(le)對(dui)芯(xin)片(pian)和相(xiang)關軟件(jian)產(chan)業(ye)的(de)扶(fu)持力度，這些舉措進(jin)一步優化(hua)了(le)(le)芯(xin)片(pian)產(chan)業(ye)發展環(huan)境，培育了(le)(le)一批(pi)具有實力和影響力的(de)企(qi)業(ye)。

二、中國芯片的發展歷程

中國的芯片發展史(shi)，最早要追(zhui)溯到20世紀五十年代。

1956年，在周恩(en)來總理的重點關(guan)注(zhu)下，半(ban)導(dao)體(ti)技術(shu)被列入國家重要的科學技術(shu)項目(mu)。由此(ci)中國開始了(le)漫長的半(ban)導(dao)體(ti)全面攻堅戰。

1947年12月23日，美國貝爾實驗(yan)室正式地成功演示了(le)第一個基于(yu)鍺半導體的具有(you)放大(da)功能的點接觸式晶體管，標(biao)志著現代(dai)半導體產業的誕生和信息(xi)時代(dai)的開啟(qi)。

1960年(nian)，中科院半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)所和(he)河北(bei)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)所正式(shi)成(cheng)立，標志(zhi)著我(wo)國半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)工(gong)業(ye)體(ti)(ti)系(xi)初步建成(cheng)。

此(ci)時全世界(jie)各國(guo)(guo)都(dou)在(zai)(zai)積蓄力(li)量(liang)發展科技(ji)，然(ran)而(er)此(ci)時的中國(guo)(guo)在(zai)(zai)這(zhe)場(chang)科技(ji)戰爭打響前時期，中國(guo)(guo)卻顯現出(chu)無(wu)力(li)感，集成電路等先進(jin)技(ji)術在(zai)(zai)國(guo)(guo)際社會的施壓之下，讓(rang)中國(guo)(guo)斷了與國(guo)(guo)際技(ji)術交流。再者就是(shi)當時中國(guo)(guo)還在(zai)(zai)進(jin)行(xing)文革(ge)，街上浮現的是(shi)甚是(shi)夸(kua)張的標語(yu)：街邊隨便的一(yi)個(ge)老太太在(zai)(zai)弄堂里拉(la)一(yi)個(ge)爐子(zi)都(dou)能(neng)做出(chu)半導體。

技術更(geng)迭速(su)(su)度是(shi)非常的迅速(su)(su)，中國至此已經開始落后。

1960年，國營江南無線電器材廠就成(cheng)立(li)于無錫一(yi)個名(ming)為棉花巷(xiang)的(de)地方，200左右名(ming)員工(gong)的(de)主要(yao)任務就是生產(chan)二極管。隨后在1968年底，國家“大力發(fa)展(zhan)電子(zi)工(gong)業”的(de)號召從(cong)上傳到下，國防(fang)工(gong)業軍管小組(zu)大手一(yi)揮，無錫無線電機械學校與“742”廠合并(bing)，開(kai)始搞(gao)新型半導體工(gong)藝設備的(de)研究、試制和(he)生產(chan)。

1982年，國務院專門成立領導小組，制定詳細的中國芯片發(fa)展規(gui)劃(hua)，四年之后，籌備(bei)許久的關于中國芯的第一個發(fa)展戰略(lve)誕生——“531”戰略(lve)。

1988年(nian)(nian)，我(wo)(wo)國(guo)(guo)集(ji)成電路(lu)產(chan)量達(da)到1億塊，標志著我(wo)(wo)國(guo)(guo)開(kai)始進入工業化大生產(chan)，比老(lao)美晚了(le)22年(nian)(nian)，比日本(ben)晚了(le)20年(nian)(nian)，從(cong)1965年(nian)(nian)的第一塊集(ji)成電路(lu)，中(zhong)國(guo)(guo)用了(le)漫漫的23年(nian)(nian)。

“531”戰略的(de)成功，讓(rang)當時(shi)(shi)(shi)的(de)中國人(ren)充(chong)滿了斗志，于(yu)是(shi)908工程順利誕生，當時(shi)(shi)(shi)計劃(hua)投入20億資(zi)金(jin)，但是(shi)這(zhe)一(yi)計劃(hua)在審核階(jie)段就花費了整整兩(liang)年(nian)(nian)的(de)時(shi)(shi)(shi)間(jian)，兩(liang)年(nian)(nian)時(shi)(shi)(shi)間(jian)說(shuo)(shuo)長不長，但是(shi)對(dui)于(yu)高新技術發(fa)展(zhan)來說(shuo)(shuo)卻是(shi)漫(man)長的(de)一(yi)段時(shi)(shi)(shi)間(jian)。1997年(nian)(nian)無(wu)錫華晶才建(jian)成，此時(shi)(shi)(shi)已(yi)經(jing)整整落后其他國家一(yi)大截。

20世紀90年代，國(guo)家領導人在(zai)參觀了三(san)星集(ji)成電路生(sheng)產線后(hou)意識到(dao)了中國(guo)在(zai)集(ji)成電路方面的(de)落后(hou)。當時帶回來的(de)是“觸(chu)目驚心”的(de)四(si)字感(gan)嘆。在(zai)如此背(bei)景下誕(dan)生(sheng)了909工程。909工程的(de)審(shen)批上吸取了908的(de)教訓。資(zi)金計(ji)劃(hua)審(shen)批幾乎是即刻就到(dao)位了。

2001年對中國人(ren)來說(shuo)是(shi)一(yi)個不平(ping)凡的(de)一(yi)年，2001年中國申奧(ao)成功，2001年“方舟1號”誕生(sheng)。此時(shi)中國的(de)龍芯項(xiang)目也在(zai)悄然地進行著。當(dang)時(shi)龍芯項(xiang)目所遇也是(shi)困難重(zhong)(zhong)重(zhong)(zhong)，由于技術(shu)上面的(de)不成熟，無法得到市場(chang)的(de)認可。

2006年，“核高(gao)基”重大(da)專項正(zheng)式上馬。“核高(gao)基”是“核心電子器件、高(gao)端通用(yong)芯片及基礎軟(ruan)件產品”的(de)簡(jian)稱(cheng)。當(dang)年，國務院頒布了(le)《國家(jia)中(zhong)長期(qi)科(ke)學和技術發展規劃綱要（2006－2020年）》，將“核高(gao)基”列(lie)為16個科(ke)技重大(da)專項之(zhi)首，與載人航天(tian)、探(tan)月工程等并列(lie)。

現在的(de)(de)美(mei)國(guo)(guo)技術制(zhi)裁的(de)(de)情況(kuang)下，換種思路考慮何嘗不是(shi)促(cu)進中國(guo)(guo)的(de)(de)高新(xin)技術發展了，希望國(guo)(guo)家砥礪前(qian)行，美(mei)國(guo)(guo)是(shi)否是(shi)搬(ban)起石頭砸(za)自己的(de)(de)腳，讓(rang)我們拭目(mu)以待(dai)。