一、中國芯片發展的4個階段

我(wo)國芯(xin)片產業的發(fa)(fa)展大致可分(fen)為(wei)四個階段，分(fen)別(bie)是1956-1978年自力(li)更生(sheng)的初創期(qi)、1979-1989年改革開放(fang)后的探(tan)索發(fa)(fa)展期(qi)、1990-1999年重(zhong)點建(jian)設時期(qi)、2000年以來(lai)的快速發(fa)(fa)展時期(qi)。

自2000年(nian)以來，我國(guo)的(de)芯片(pian)產業進入了快速(su)發展時(shi)期(qi)。在該時(shi)期(qi)內(nei)，國(guo)家及各(ge)級政府(fu)從財稅、投(tou)融資環境(jing)、研究開發、進出口(kou)、人(ren)才等幾個方面在國(guo)內(nei)市場加大了對芯片(pian)和相關軟件產業的(de)扶持力(li)(li)度，這些舉措(cuo)進一步優化了芯片(pian)產業發展環境(jing)，培育(yu)了一批(pi)具有實力(li)(li)和影響力(li)(li)的(de)企業。

二、中國芯片的發展歷程

中國的芯片發展(zhan)史，最早要追溯(su)到20世(shi)紀五十年代。

1956年，在周恩來總理的(de)重點關注下，半(ban)導體技術被(bei)列入(ru)國家重要的(de)科學技術項目。由此(ci)中國開(kai)始了(le)漫(man)長的(de)半(ban)導體全面攻堅戰。

1947年12月23日，美國貝爾實驗室正(zheng)式(shi)地成(cheng)功(gong)演示了第一(yi)個基于鍺半(ban)導體的(de)具有放大功(gong)能的(de)點接觸式(shi)晶體管，標志著(zhu)現代(dai)(dai)半(ban)導體產業(ye)的(de)誕生和信息時代(dai)(dai)的(de)開啟。

1960年(nian)，中(zhong)科院半(ban)導(dao)體(ti)所(suo)和河北半(ban)導(dao)體(ti)所(suo)正式成立，標志著我國半(ban)導(dao)體(ti)工(gong)業(ye)體(ti)系初步建(jian)成。

此時全世界(jie)各國(guo)(guo)都在(zai)積蓄(xu)力(li)量發展科技，然而此時的(de)中國(guo)(guo)在(zai)這場科技戰爭(zheng)打響前時期(qi)，中國(guo)(guo)卻顯現(xian)出無力(li)感，集成電路等先進(jin)技術(shu)在(zai)國(guo)(guo)際社會(hui)的(de)施壓之下，讓中國(guo)(guo)斷了(le)與國(guo)(guo)際技術(shu)交流。再者就是當時中國(guo)(guo)還在(zai)進(jin)行(xing)文革，街(jie)上(shang)浮現(xian)的(de)是甚是夸(kua)張(zhang)的(de)標語：街(jie)邊隨便的(de)一(yi)個老太(tai)太(tai)在(zai)弄堂里(li)拉一(yi)個爐子都能做出半(ban)導(dao)體。

技術更(geng)迭速度是非(fei)常的迅速，中國(guo)至此已經開始落后。

1960年(nian)，國(guo)營江南無線電(dian)器材廠就成立于無錫(xi)一個名(ming)為棉花巷的(de)地方，200左右名(ming)員工的(de)主(zhu)要任(ren)務就是生產(chan)二極(ji)管(guan)。隨后在1968年(nian)底，國(guo)家(jia)“大力發展(zhan)電(dian)子工業(ye)”的(de)號召(zhao)從上傳到下，國(guo)防工業(ye)軍管(guan)小(xiao)組大手一揮(hui)，無錫(xi)無線電(dian)機械學(xue)校與(yu)“742”廠合(he)并，開始搞新型半導體(ti)工藝設(she)備(bei)的(de)研究(jiu)、試(shi)制和(he)生產(chan)。

1982年，國務院專門成立領導小組，制定詳細的中國芯片發展規劃，四年之(zhi)后(hou)，籌(chou)備許久(jiu)的(de)(de)關于中國芯的(de)(de)第一個發展戰略(lve)誕生——“531”戰略(lve)。

1988年(nian)，我國(guo)集(ji)成電(dian)(dian)路產(chan)量達到(dao)1億塊，標志著(zhu)我國(guo)開始進入工(gong)業化大生產(chan)，比(bi)老美晚(wan)了(le)22年(nian)，比(bi)日本晚(wan)了(le)20年(nian)，從1965年(nian)的第一塊集(ji)成電(dian)(dian)路，中國(guo)用(yong)了(le)漫(man)(man)漫(man)(man)的23年(nian)。

“531”戰略的(de)成功(gong)，讓當時的(de)中國人充滿了斗(dou)志，于是(shi)908工程(cheng)順利誕生(sheng)，當時計劃投入(ru)20億資金，但(dan)是(shi)這一(yi)計劃在(zai)審核(he)階(jie)段就(jiu)花(hua)費了整整兩(liang)年的(de)時間，兩(liang)年時間說長(chang)不長(chang)，但(dan)是(shi)對于高新技術發展來說卻是(shi)漫(man)長(chang)的(de)一(yi)段時間。1997年無(wu)錫(xi)華(hua)晶才(cai)建成，此(ci)時已經整整落(luo)后其(qi)他國家一(yi)大截。

20世紀90年代(dai)，國家領導人(ren)在(zai)參觀了三(san)星集(ji)成電(dian)路生(sheng)產線后意識到了中國在(zai)集(ji)成電(dian)路方面的(de)落后。當時帶回來的(de)是(shi)“觸目驚(jing)心”的(de)四字感嘆。在(zai)如此背景(jing)下誕生(sheng)了909工程。909工程的(de)審(shen)(shen)批上(shang)吸(xi)取了908的(de)教(jiao)訓。資金計劃(hua)審(shen)(shen)批幾乎(hu)是(shi)即刻就到位了。

2001年對中國(guo)(guo)人來(lai)說是(shi)一(yi)個不平凡(fan)的(de)一(yi)年，2001年中國(guo)(guo)申奧成功，2001年“方舟1號”誕生。此時(shi)(shi)中國(guo)(guo)的(de)龍芯(xin)項(xiang)目也在(zai)悄然(ran)地進(jin)行著。當(dang)時(shi)(shi)龍芯(xin)項(xiang)目所遇也是(shi)困難重重，由于技術上面(mian)的(de)不成熟，無法(fa)得(de)到市場的(de)認可(ke)。

2006年，“核(he)高基(ji)(ji)”重大專項正式(shi)上馬。“核(he)高基(ji)(ji)”是“核(he)心電(dian)子器件、高端通用芯(xin)片(pian)及基(ji)(ji)礎軟件產品(pin)”的簡稱。當年，國務(wu)院(yuan)頒布(bu)了《國家中長期(qi)科學和(he)技(ji)術發展規劃綱要（2006－2020年）》，將“核(he)高基(ji)(ji)”列為16個(ge)科技(ji)重大專項之首，與載人航天、探月工(gong)程等并列。

現在的(de)美國技(ji)(ji)術制裁的(de)情況下，換(huan)種思路考慮何嘗不是促進(jin)中國的(de)高新技(ji)(ji)術發展(zhan)了，希(xi)望國家(jia)砥礪前行，美國是否是搬起(qi)石頭砸自己的(de)腳，讓我們拭目以(yi)待。