一、中國芯片發展的4個階段

我國芯片產業的(de)發展大致可分為四個階(jie)段，分別是1956-1978年(nian)自力更生的(de)初創期(qi)、1979-1989年(nian)改革開放后的(de)探索發展期(qi)、1990-1999年(nian)重點建(jian)設時期(qi)、2000年(nian)以來的(de)快速發展時期(qi)。

自2000年以來，我國(guo)的芯(xin)片產(chan)業進(jin)入了快速發展(zhan)時(shi)期。在(zai)該(gai)時(shi)期內(nei)，國(guo)家及各級(ji)政府從財稅(shui)、投融資環(huan)境(jing)、研究開發、進(jin)出(chu)口、人才等幾(ji)個方面在(zai)國(guo)內(nei)市場加大了對芯(xin)片和相關軟件產(chan)業的扶(fu)持力(li)度，這些舉措進(jin)一步(bu)優化了芯(xin)片產(chan)業發展(zhan)環(huan)境(jing)，培育了一批(pi)具(ju)有(you)實力(li)和影(ying)響力(li)的企業。

二、中國芯片的發展歷程

中國的芯(xin)片發展史，最早要追溯(su)到20世紀五十年代。

1956年，在周恩來總理的重點(dian)關(guan)注下，半導體技(ji)(ji)術被列入國家重要的科學(xue)技(ji)(ji)術項(xiang)目(mu)。由此中國開始了漫長(chang)的半導體全面攻堅(jian)戰(zhan)。

1947年12月23日，美(mei)國貝爾(er)實驗室正式地成功演(yan)示了第一個基于鍺半導(dao)體(ti)的(de)具有放大功能的(de)點接觸式晶(jing)體(ti)管(guan)，標志著現代(dai)半導(dao)體(ti)產業的(de)誕生和信息(xi)時代(dai)的(de)開(kai)啟。

1960年，中(zhong)科院半(ban)導(dao)體所和河(he)北半(ban)導(dao)體所正(zheng)式成(cheng)立，標志著我國半(ban)導(dao)體工業體系初步建成(cheng)。

此時全世界(jie)各國(guo)都在(zai)(zai)積蓄力量發展(zhan)科技，然而此時的(de)中(zhong)國(guo)在(zai)(zai)這場科技戰爭打響前時期，中(zhong)國(guo)卻顯現出無力感，集成電(dian)路(lu)等先進技術(shu)在(zai)(zai)國(guo)際(ji)社會的(de)施壓之(zhi)下，讓中(zhong)國(guo)斷(duan)了(le)與國(guo)際(ji)技術(shu)交流。再(zai)者就是當時中(zhong)國(guo)還在(zai)(zai)進行(xing)文革，街上浮(fu)現的(de)是甚是夸張的(de)標(biao)語：街邊隨便的(de)一個老太(tai)太(tai)在(zai)(zai)弄堂(tang)里拉(la)一個爐子都能做出半導體(ti)。

技術更(geng)迭(die)速度是非常的(de)迅(xun)速，中國至此已經(jing)開(kai)始落后。

1960年，國(guo)(guo)營江南無線電器材廠就成立(li)于無錫(xi)一個(ge)名(ming)為棉花巷的地方(fang)，200左右名(ming)員工的主要(yao)任(ren)務就是生(sheng)產二(er)極管。隨后在1968年底(di)，國(guo)(guo)家“大力發展(zhan)電子工業(ye)”的號(hao)召(zhao)從上傳(chuan)到下(xia)，國(guo)(guo)防工業(ye)軍管小組大手一揮，無錫(xi)無線電機(ji)械學校與(yu)“742”廠合并，開始搞(gao)新型半導(dao)體(ti)工藝設備的研究(jiu)、試(shi)制和生(sheng)產。

1982年，國務院專門成立領導小組，制定詳細的中國芯片發(fa)展規劃，四年之后，籌備許久的關于中(zhong)國芯的第一個發(fa)展戰略誕生——“531”戰略。

1988年(nian)，我國(guo)集(ji)成電路(lu)產量達到1億塊，標(biao)志著我國(guo)開始(shi)進入工業化大生產，比老美(mei)晚了22年(nian)，比日本晚了20年(nian)，從1965年(nian)的第一塊集(ji)成電路(lu)，中(zhong)國(guo)用了漫(man)漫(man)的23年(nian)。

“531”戰略的(de)(de)成(cheng)功(gong)，讓當時的(de)(de)中國人充滿了斗志(zhi)，于是(shi)908工程(cheng)順利(li)誕生(sheng)，當時計(ji)劃投入20億(yi)資金，但是(shi)這一計(ji)劃在(zai)審核階段(duan)就花(hua)費了整整兩年的(de)(de)時間(jian)，兩年時間(jian)說長不長，但是(shi)對于高(gao)新技術發(fa)展(zhan)來說卻是(shi)漫(man)長的(de)(de)一段(duan)時間(jian)。1997年無錫華(hua)晶才建成(cheng)，此時已經整整落后其(qi)他(ta)國家一大截(jie)。

20世紀90年(nian)代，國家領導(dao)人在(zai)(zai)參觀了(le)(le)三星集成(cheng)電(dian)路生產線后(hou)意識到(dao)了(le)(le)中國在(zai)(zai)集成(cheng)電(dian)路方(fang)面的(de)落后(hou)。當時帶回來的(de)是“觸目驚心”的(de)四字感嘆。在(zai)(zai)如此背景下誕生了(le)(le)909工程(cheng)。909工程(cheng)的(de)審(shen)批上吸取(qu)了(le)(le)908的(de)教訓。資金計劃審(shen)批幾乎是即(ji)刻就到(dao)位了(le)(le)。

2001年對中國(guo)人來說是一個不平凡的(de)一年，2001年中國(guo)申奧成功，2001年“方舟1號”誕生。此時中國(guo)的(de)龍芯項(xiang)目(mu)(mu)也(ye)在悄然地進行著(zhu)。當(dang)時龍芯項(xiang)目(mu)(mu)所遇(yu)也(ye)是困難(nan)重重，由于技術(shu)上(shang)面(mian)的(de)不成熟，無(wu)法得到市場的(de)認可(ke)。

2006年(nian)，“核(he)高(gao)(gao)基”重大(da)專(zhuan)項(xiang)(xiang)正式上馬。“核(he)高(gao)(gao)基”是“核(he)心電子器(qi)件、高(gao)(gao)端(duan)通用芯片及(ji)基礎軟件產(chan)品(pin)”的簡(jian)稱(cheng)。當年(nian)，國(guo)務(wu)院頒(ban)布了(le)《國(guo)家中長(chang)期科(ke)學和技術發(fa)展規劃(hua)綱要（2006－2020年(nian)）》，將“核(he)高(gao)(gao)基”列為(wei)16個科(ke)技重大(da)專(zhuan)項(xiang)(xiang)之首，與載人航(hang)天(tian)、探月(yue)工程等(deng)并列。

現在的(de)美國技術(shu)制裁(cai)的(de)情況下，換種思路考(kao)慮何嘗不是(shi)促(cu)進(jin)中國的(de)高新技術(shu)發展(zhan)了，希望國家(jia)砥(di)礪(li)前行，美國是(shi)否是(shi)搬(ban)起石頭砸自己的(de)腳，讓我們(men)拭目以待(dai)。