一、中國芯片發展的4個階段

我國芯片產(chan)業的(de)(de)發展大致(zhi)可分(fen)為四個階(jie)段，分(fen)別是1956-1978年(nian)(nian)自力更生的(de)(de)初(chu)創(chuang)期、1979-1989年(nian)(nian)改革開放后的(de)(de)探索(suo)發展期、1990-1999年(nian)(nian)重點建設(she)時(shi)期、2000年(nian)(nian)以來的(de)(de)快速(su)發展時(shi)期。

自(zi)2000年以來，我國的芯片產(chan)業(ye)進入(ru)了(le)(le)快速發(fa)展(zhan)時期。在該時期內(nei)，國家及(ji)各級政府(fu)從(cong)財稅、投融(rong)資環境、研(yan)究開發(fa)、進出口、人(ren)才等幾個方(fang)面在國內(nei)市場加大了(le)(le)對芯片和相關軟件產(chan)業(ye)的扶(fu)持力度(du)，這些舉(ju)措(cuo)進一(yi)步優(you)化了(le)(le)芯片產(chan)業(ye)發(fa)展(zhan)環境，培育了(le)(le)一(yi)批具有實力和影響力的企業(ye)。

二、中國芯片的發展歷程

中國的芯片發(fa)展史，最早要追(zhui)溯到(dao)20世紀五十年(nian)代。

1956年(nian)，在周恩來總理的重(zhong)點關(guan)注下(xia)，半(ban)導體技術(shu)被列入國家重(zhong)要(yao)的科學技術(shu)項目。由此中(zhong)國開(kai)始了漫長(chang)的半(ban)導體全(quan)面(mian)攻(gong)堅戰。

1947年12月23日，美國貝爾實(shi)驗(yan)室正式地成功(gong)(gong)演示了第一(yi)個基于鍺半導體的(de)具有(you)放大功(gong)(gong)能的(de)點接觸(chu)式晶體管，標(biao)志著(zhu)現代半導體產業的(de)誕生和信息時代的(de)開(kai)啟(qi)。

1960年(nian)，中科院半(ban)導體所和河北半(ban)導體所正式成立，標志著我國半(ban)導體工(gong)業體系初步建成。

此時(shi)全世界(jie)各國(guo)都在積蓄力量發展科技(ji)，然而此時(shi)的(de)(de)中(zhong)(zhong)國(guo)在這場科技(ji)戰爭打響前時(shi)期，中(zhong)(zhong)國(guo)卻顯現出(chu)(chu)無力感(gan)，集成電路等先進技(ji)術(shu)在國(guo)際(ji)社會(hui)的(de)(de)施(shi)壓之下(xia)，讓中(zhong)(zhong)國(guo)斷了(le)與國(guo)際(ji)技(ji)術(shu)交流。再者(zhe)就是(shi)當時(shi)中(zhong)(zhong)國(guo)還在進行(xing)文革(ge)，街(jie)上浮現的(de)(de)是(shi)甚是(shi)夸張(zhang)的(de)(de)標語(yu)：街(jie)邊(bian)隨(sui)便的(de)(de)一個(ge)老(lao)太太在弄堂(tang)里(li)拉一個(ge)爐子都能(neng)做出(chu)(chu)半導體。

技術(shu)更(geng)迭(die)速度是(shi)非常的(de)迅速，中(zhong)國至此(ci)已(yi)經開始落(luo)后。

1960年(nian)，國(guo)營江南無線(xian)電器材廠就(jiu)成(cheng)立(li)于無錫(xi)一個名(ming)為棉花巷的地(di)方(fang)，200左(zuo)右名(ming)員工(gong)的主要(yao)任務就(jiu)是生產二極管。隨后在1968年(nian)底(di)，國(guo)家“大(da)(da)力發展電子(zi)工(gong)業(ye)(ye)”的號(hao)召(zhao)從上傳到(dao)下(xia)，國(guo)防(fang)工(gong)業(ye)(ye)軍管小組大(da)(da)手(shou)一揮(hui)，無錫(xi)無線(xian)電機械(xie)學校與“742”廠合并，開(kai)始搞新型半導體工(gong)藝(yi)設(she)備的研究、試(shi)制和生產。

1982年，國務院專門成立領導小組，制定詳細的中國芯片發(fa)展規(gui)劃(hua)，四(si)年之后，籌備許久的(de)關(guan)于中國芯的(de)第一個發(fa)展戰略誕生——“531”戰略。

1988年(nian)(nian)，我(wo)國(guo)(guo)集成電(dian)路(lu)產量達(da)到1億塊，標志著我(wo)國(guo)(guo)開始進入工(gong)業化大(da)生產，比老美晚(wan)了22年(nian)(nian)，比日本(ben)晚(wan)了20年(nian)(nian)，從1965年(nian)(nian)的(de)(de)第(di)一塊集成電(dian)路(lu)，中國(guo)(guo)用了漫漫的(de)(de)23年(nian)(nian)。

“531”戰(zhan)略(lve)的成功，讓當(dang)時(shi)的中國(guo)人充滿了斗(dou)志，于(yu)(yu)是908工(gong)程(cheng)順利誕生，當(dang)時(shi)計劃(hua)投入20億(yi)資金，但是這一計劃(hua)在審核(he)階(jie)段(duan)就花費了整整兩年(nian)的時(shi)間(jian)，兩年(nian)時(shi)間(jian)說長不長，但是對(dui)于(yu)(yu)高新技術(shu)發展來說卻是漫(man)長的一段(duan)時(shi)間(jian)。1997年(nian)無錫華晶才(cai)建成，此時(shi)已經整整落后其他國(guo)家(jia)一大截。

20世紀90年代(dai)，國(guo)家領導人在(zai)參觀(guan)了(le)三星集成電路(lu)生產(chan)線后意識(shi)到了(le)中(zhong)國(guo)在(zai)集成電路(lu)方(fang)面的落(luo)后。當時(shi)帶回來的是“觸(chu)目(mu)驚心(xin)”的四字(zi)感嘆(tan)。在(zai)如(ru)此(ci)背景下誕生了(le)909工程(cheng)。909工程(cheng)的審(shen)批(pi)上吸取(qu)了(le)908的教訓。資金計劃審(shen)批(pi)幾乎是即刻就到位(wei)了(le)。

2001年(nian)對(dui)中國人來(lai)說是一個不(bu)平凡的(de)一年(nian)，2001年(nian)中國申奧成功，2001年(nian)“方舟(zhou)1號(hao)”誕生。此時中國的(de)龍芯(xin)(xin)項目(mu)也在悄然地進行著。當時龍芯(xin)(xin)項目(mu)所遇也是困難重重，由(you)于(yu)技術上面(mian)的(de)不(bu)成熟，無法得到市場的(de)認可。

2006年，“核高基(ji)”重大(da)(da)專項正式(shi)上馬。“核高基(ji)”是“核心電子器件(jian)、高端通(tong)用芯片及基(ji)礎軟件(jian)產(chan)品(pin)”的簡稱。當年，國務院頒(ban)布了《國家中長期科(ke)學(xue)和技術發(fa)展規劃綱要（2006－2020年）》，將“核高基(ji)”列為16個科(ke)技重大(da)(da)專項之首，與(yu)載人航天、探月工程等(deng)并列。

現在的美國(guo)技術制裁的情況(kuang)下，換種思路考(kao)慮何嘗不是(shi)促進中國(guo)的高(gao)新(xin)技術發展了，希(xi)望國(guo)家砥礪(li)前(qian)行，美國(guo)是(shi)否是(shi)搬起石(shi)頭(tou)砸自己的腳，讓我們拭目以待。