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光耦參數主要有哪些 光電耦合器有哪些基本工作特性

本文章由注冊用戶 知無涯 上傳提供 2024-05-17 評論 0
摘要:光耦是利用光線耦合實現電-光-電轉換的半導體器件,其主要的參數有反向電流、反向擊穿電壓、正向壓降、正向電流、輸出飽和壓降、反向截止電流、電流傳輸比等。光電耦合器工作中,具有共模抑制比很高、輸出特性、輸出特性和傳輸特性等基本特性。下面一起來詳細了解一下光耦參數主要有哪些以及光電耦合器有哪些基本工作特性吧。

一、光耦參數主要有哪些

光耦,即光耦合器,是把發光器件(如發光二極體)和光敏器件(如光敏三極管)組裝在一起,通過光線實現耦合構成電—光和光—電的轉換器件,光耦的參數主要有:

1、反向電流IR:在被測管兩端加(jia)規(gui)定反向(xiang)工作電(dian)壓VR時,二極管中流(liu)過(guo)的電(dian)流(liu)。

2、反向擊穿電壓VBR:被測管(guan)通過的(de)反向電(dian)流IR為規定值(zhi)時,在兩極間所產(chan)生(sheng)的(de)電(dian)壓降。

3、正向壓降VF:二極管通(tong)過的(de)正向電(dian)流為(wei)規定值時(shi),正負極之間所產(chan)生的(de)電(dian)壓降。

4、正向電流IF:在被測(ce)管兩(liang)端加(jia)一定(ding)的(de)(de)正向電壓時(shi)二(er)極(ji)管中流過的(de)(de)電流。結(jie)電容(rong)CJ:在規定(ding)偏壓下(xia),被測(ce)管兩(liang)端的(de)(de)電容(rong)值(zhi)。

5、反向擊穿電壓V(BR)CEO:發光二極管開(kai)路,集(ji)電極電流(liu)IC為規定(ding)值(zhi),集(ji)電極與(yu)發射集(ji)間(jian)的電壓降。

6、輸出飽和壓降VCE(sat):發(fa)光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規定值時,并(bing)保(bao)持IC/IF≤CTRmin時(CTRmin在被測管技術條件(jian)中規定)集電極與(yu)發(fa)射極之間的(de)電壓降(jiang)。

7、反向截止電流ICEO:發光二(er)極(ji)管(guan)開路,集電極(ji)至發射極(ji)間的電壓為(wei)(wei)規定值時,流(liu)過集電極(ji)的電流(liu)為(wei)(wei)反向截止(zhi)電流(liu)。

8、電(dian)流傳(chuan)輸(shu)比(bi)CTR:輸(shu)出管的工作電(dian)壓為(wei)規定值時,輸(shu)出電(dian)流和發光(guang)二極管正向電(dian)流之(zhi)比(bi)為(wei)電(dian)流傳(chuan)輸(shu)比(bi)CTR。

9、脈沖上升時間tr,下降時間tf:光耦合器(qi)在規(gui)定工作條件(jian)下,發光二(er)極管輸(shu)入規(gui)定電流IFP的脈沖(chong)波(bo),輸(shu)出(chu)端管則輸(shu)出(chu)相應的脈沖(chong)波(bo),從(cong)輸(shu)出(chu)脈沖(chong)前(qian)沿(yan)幅度的10%到90%,所需時間(jian)為(wei)脈沖(chong)上(shang)升時間(jian)tr。從(cong)輸(shu)出(chu)脈沖(chong)后沿(yan)幅度的90%到10%,所需時間(jian)為(wei)脈沖(chong)下降時間(jian)tf。

10、傳輸延遲時間tPHL,tPLH:從輸(shu)入脈(mo)沖(chong)前沿幅度的(de)50%到(dao)輸(shu)出(chu)(chu)脈(mo)沖(chong)電平下(xia)降(jiang)到(dao)1.5V時(shi)所需時(shi)間為(wei)(wei)傳輸(shu)延(yan)遲時(shi)間tPHL。從輸(shu)入脈(mo)沖(chong)后沿幅度的(de)50%到(dao)輸(shu)出(chu)(chu)脈(mo)沖(chong)電平上升到(dao)1.5V時(shi)所需時(shi)間為(wei)(wei)傳輸(shu)延(yan)遲時(shi)間tPLH。

11、入出間隔離電容CIO:光(guang)耦合器件輸入(ru)端和輸出端之間的電容(rong)值。

12、入出間隔離電阻RIO:半導體光耦合(he)器輸入(ru)端和輸出端之間(jian)的絕緣電阻值(zhi)。

13、入出間隔離電壓VIO:光耦合器輸入(ru)端(duan)和輸出端(duan)之(zhi)間(jian)絕緣耐壓值。

二、光電耦合器有哪些基本工作特性

1、共模抑制比很高

在(zai)光電(dian)(dian)(dian)耦(ou)合器內部,由(you)于發(fa)光管和受光器之間的耦(ou)合電(dian)(dian)(dian)容很(hen)小(2pF以內)所以共模輸入電(dian)(dian)(dian)壓(ya)通過(guo)極間耦(ou)合電(dian)(dian)(dian)容對輸出電(dian)(dian)(dian)流(liu)的影響很(hen)小,因而共模抑制比(bi)很(hen)高。

2、輸出特性

光(guang)(guang)(guang)電耦合器的(de)輸(shu)出特(te)(te)性(xing)是指在一(yi)定的(de)發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)電流(liu)(liu)IF下(xia),光(guang)(guang)(guang)敏管所加偏置(zhi)電壓VCE與(yu)輸(shu)出電流(liu)(liu)IC之間的(de)關系(xi),當IF=0時,發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)二(er)極管不發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang),此時的(de)光(guang)(guang)(guang)敏晶體(ti)管集電極輸(shu)出電流(liu)(liu)稱為暗電流(liu)(liu),一(yi)般很(hen)小。當IF>0時,在一(yi)定的(de)IF作用(yong)下(xia),所對應的(de)IC基本上(shang)與(yu)VCE無(wu)關。IC與(yu)IF之間的(de)變化(hua)成線(xian)性(xing)關系(xi),用(yong)半導體(ti)管特(te)(te)性(xing)圖示儀測(ce)出的(de)光(guang)(guang)(guang)電耦合器的(de)輸(shu)出特(te)(te)性(xing)與(yu)普通晶體(ti)三極管輸(shu)出特(te)(te)性(xing)相(xiang)似。

3、隔離特性

(1)隔離電(dian)壓Vio:光耦合(he)器輸入端和輸出(chu)端之間絕緣耐(nai)壓值(zhi)。

(2)隔離電容Cio:光耦合器輸入端(duan)和輸出(chu)端(duan)之間的電容值。

(3)隔離電(dian)阻Rio:半導體光耦合器輸(shu)入端和(he)輸(shu)出端之(zhi)間的絕緣電(dian)阻值。

4、傳輸特性

(1)電(dian)流傳輸(shu)比(bi)CTR:輸(shu)出管(guan)的工作(zuo)電(dian)壓為規定值時,輸(shu)出電(dian)流和發光二極管(guan)正向電(dian)流之(zhi)比(bi)為電(dian)流傳輸(shu)比(bi)CTR。

(2)上升時(shi)(shi)間(jian)(jian)和下降時(shi)(shi)間(jian)(jian):光(guang)電(dian)(dian)耦合器在規定工作條件下,發光(guang)二極管輸(shu)入規定電(dian)(dian)流(liu)IFP的(de)(de)(de)脈(mo)(mo)沖(chong)(chong)波(bo),輸(shu)出(chu)端管則輸(shu)出(chu)相應的(de)(de)(de)脈(mo)(mo)沖(chong)(chong)波(bo),從輸(shu)出(chu)脈(mo)(mo)沖(chong)(chong)前(qian)沿幅度(du)的(de)(de)(de)10%到90%,所(suo)需(xu)時(shi)(shi)間(jian)(jian)為(wei)脈(mo)(mo)沖(chong)(chong)上升時(shi)(shi)間(jian)(jian)tr。從輸(shu)出(chu)脈(mo)(mo)沖(chong)(chong)后沿幅度(du)的(de)(de)(de)90%到10%,所(suo)需(xu)時(shi)(shi)間(jian)(jian)為(wei)脈(mo)(mo)沖(chong)(chong)下降時(shi)(shi)間(jian)(jian)tf。

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