一、光耦參數主要有哪些
光耦,即光耦合器,是把發光器件(如發光二極體)和光敏器件(如光敏三極管)組裝在一起,通過光線實現耦合構成電—光和光—電的轉換器件,光耦的參數主要有:
1、反向電流IR:在被測管兩端加規定(ding)反(fan)向工作電(dian)壓VR時,二極管中(zhong)流過的電(dian)流。
2、反向擊穿電壓VBR:被測管通過的反(fan)向電流IR為規定(ding)值時(shi),在(zai)兩極間所產生的電壓(ya)降。
3、正向壓降VF:二極管通過的正向電流為規定值時,正負極之(zhi)間所(suo)產生的電壓降(jiang)。
4、正向電流IF:在被測管(guan)兩端加一定(ding)的(de)正向(xiang)電(dian)壓時二極管(guan)中流(liu)過(guo)的(de)電(dian)流(liu)。結電(dian)容(rong)CJ:在規定(ding)偏壓下,被測管(guan)兩端的(de)電(dian)容(rong)值。
5、反向擊穿電壓V(BR)CEO:發光二極管(guan)開路,集電(dian)(dian)極電(dian)(dian)流IC為規定值,集電(dian)(dian)極與(yu)發射集間的電(dian)(dian)壓(ya)降。
6、輸出飽和壓降VCE(sat):發(fa)光二極(ji)管(guan)工作(zuo)電(dian)流IF和集(ji)電(dian)極(ji)電(dian)流IC為(wei)規定值時,并保持IC/IF≤CTRmin時(CTRmin在被測管(guan)技(ji)術條件(jian)中規定)集(ji)電(dian)極(ji)與發(fa)射極(ji)之間的(de)電(dian)壓降。
7、反向截止電流ICEO:發(fa)(fa)光(guang)二極(ji)管開路,集(ji)電(dian)(dian)(dian)極(ji)至發(fa)(fa)射極(ji)間的電(dian)(dian)(dian)壓(ya)為規定值(zhi)時,流(liu)過集(ji)電(dian)(dian)(dian)極(ji)的電(dian)(dian)(dian)流(liu)為反向截止電(dian)(dian)(dian)流(liu)。
8、電流(liu)傳輸比(bi)(bi)CTR:輸出(chu)管的(de)工作電壓為(wei)規定值時(shi),輸出(chu)電流(liu)和發(fa)光二極(ji)管正向電流(liu)之比(bi)(bi)為(wei)電流(liu)傳輸比(bi)(bi)CTR。
9、脈沖上升時間tr,下降時間tf:光(guang)耦合器在規定工作條件下(xia),發(fa)光(guang)二(er)極管輸(shu)(shu)入規定電流(liu)IFP的脈(mo)沖波,輸(shu)(shu)出(chu)端管則(ze)輸(shu)(shu)出(chu)相(xiang)應的脈(mo)沖波,從輸(shu)(shu)出(chu)脈(mo)沖前沿幅(fu)度(du)的10%到(dao)(dao)90%,所(suo)需(xu)(xu)時(shi)間為脈(mo)沖上升時(shi)間tr。從輸(shu)(shu)出(chu)脈(mo)沖后(hou)沿幅(fu)度(du)的90%到(dao)(dao)10%,所(suo)需(xu)(xu)時(shi)間為脈(mo)沖下(xia)降時(shi)間tf。
10、傳輸延遲時間tPHL,tPLH:從輸入(ru)脈(mo)沖前(qian)沿(yan)幅度的(de)(de)50%到(dao)輸出脈(mo)沖電(dian)平下降到(dao)1.5V時所需時間(jian)為(wei)(wei)傳(chuan)輸延(yan)遲時間(jian)tPHL。從輸入(ru)脈(mo)沖后沿(yan)幅度的(de)(de)50%到(dao)輸出脈(mo)沖電(dian)平上(shang)升(sheng)到(dao)1.5V時所需時間(jian)為(wei)(wei)傳(chuan)輸延(yan)遲時間(jian)tPLH。
11、入出間隔離電容CIO:光耦合器件(jian)輸入端和輸出(chu)端之間的電容值。
12、入出間隔離電阻RIO:半導體光耦(ou)合器輸入端和輸出端之間的絕緣電(dian)阻值。
13、入出間隔離電壓VIO:光耦合(he)器輸入端和(he)輸出端之間絕緣耐壓值。
二、光電耦合器有哪些基本工作特性
1、共模抑制比很高
在光電(dian)耦(ou)合(he)器(qi)內(nei)部,由(you)于發光管和受光器(qi)之(zhi)間的耦(ou)合(he)電(dian)容很(hen)小(2pF以(yi)內(nei))所以(yi)共模(mo)輸(shu)入電(dian)壓通過極間耦(ou)合(he)電(dian)容對輸(shu)出(chu)電(dian)流的影響很(hen)小,因而共模(mo)抑制比很(hen)高。
2、輸出特性
光(guang)電(dian)(dian)(dian)耦合器的(de)輸(shu)(shu)出(chu)特性是指在一定(ding)的(de)發光(guang)電(dian)(dian)(dian)流(liu)IF下,光(guang)敏管(guan)所(suo)加偏(pian)置電(dian)(dian)(dian)壓(ya)VCE與(yu)(yu)輸(shu)(shu)出(chu)電(dian)(dian)(dian)流(liu)IC之間的(de)關(guan)系,當IF=0時(shi),發光(guang)二極管(guan)不發光(guang),此時(shi)的(de)光(guang)敏晶體(ti)管(guan)集電(dian)(dian)(dian)極輸(shu)(shu)出(chu)電(dian)(dian)(dian)流(liu)稱為(wei)暗電(dian)(dian)(dian)流(liu),一般(ban)很小。當IF>0時(shi),在一定(ding)的(de)IF作(zuo)用(yong)下,所(suo)對應的(de)IC基本上與(yu)(yu)VCE無關(guan)。IC與(yu)(yu)IF之間的(de)變(bian)化成線(xian)性關(guan)系,用(yong)半導體(ti)管(guan)特性圖示儀測出(chu)的(de)光(guang)電(dian)(dian)(dian)耦合器的(de)輸(shu)(shu)出(chu)特性與(yu)(yu)普通晶體(ti)三(san)極管(guan)輸(shu)(shu)出(chu)特性相似。
3、隔離特性
(1)隔離電壓Vio:光耦合器輸入(ru)端和(he)輸出(chu)端之(zhi)間絕緣耐壓值。
(2)隔離電容Cio:光耦合器輸入端(duan)和輸出端(duan)之間的電容(rong)值。
(3)隔離電阻Rio:半導體光耦合器輸入端和(he)輸出端之間(jian)的(de)絕緣電阻值。
4、傳輸特性
(1)電(dian)(dian)流傳(chuan)輸(shu)(shu)比(bi)CTR:輸(shu)(shu)出管的工作電(dian)(dian)壓為(wei)規(gui)定值時(shi),輸(shu)(shu)出電(dian)(dian)流和發光二極管正(zheng)向電(dian)(dian)流之比(bi)為(wei)電(dian)(dian)流傳(chuan)輸(shu)(shu)比(bi)CTR。
(2)上(shang)升(sheng)時(shi)間(jian)和下降(jiang)時(shi)間(jian):光電耦(ou)合器在規(gui)定工(gong)作條件下,發光二(er)極(ji)管輸(shu)入規(gui)定電流(liu)IFP的(de)脈(mo)(mo)沖波(bo),輸(shu)出端管則輸(shu)出相應(ying)的(de)脈(mo)(mo)沖波(bo),從(cong)輸(shu)出脈(mo)(mo)沖前沿(yan)幅度的(de)10%到90%,所(suo)需時(shi)間(jian)為脈(mo)(mo)沖上(shang)升(sheng)時(shi)間(jian)tr。從(cong)輸(shu)出脈(mo)(mo)沖后沿(yan)幅度的(de)90%到10%,所(suo)需時(shi)間(jian)為脈(mo)(mo)沖下降(jiang)時(shi)間(jian)tf。