一、相機cmos是什么意思

數碼相機上的cmos很多人都不知道是什么，其實它是數碼相機的核心成(cheng)像部件(jian)，英文全稱(cheng)是(shi)Complementary Metal Oxide Semiconductor，翻譯過來是(shi)互(hu)補(bu)金屬氧化(hua)物半導體。

CMOS原本是指制造大(da)(da)規(gui)模集(ji)成電路芯(xin)片(pian)(pian)用(yong)的(de)(de)(de)(de)一種(zhong)技(ji)術或用(yong)這種(zhong)技(ji)術制造出來(lai)的(de)(de)(de)(de)芯(xin)片(pian)(pian)，因為可讀(du)寫的(de)(de)(de)(de)特性，所(suo)以在(zai)電腦主板上用(yong)來(lai)保存BIOS設(she)置完(wan)電腦硬件參數(shu)后(hou)的(de)(de)(de)(de)數(shu)據，后(hou)來(lai)CMOS制造工(gong)藝也被應用(yong)于制作數(shu)碼影像(xiang)(xiang)器材的(de)(de)(de)(de)感光(guang)(guang)元件，尤其是片(pian)(pian)幅規(gui)格較大(da)(da)的(de)(de)(de)(de)單反(fan)數(shu)碼相機，它能接收外界光(guang)(guang)線后(hou)轉(zhuan)化為電能，再(zai)透(tou)過芯(xin)片(pian)(pian)上的(de)(de)(de)(de)模-數(shu)轉(zhuan)換器（ADC）將獲得的(de)(de)(de)(de)影像(xiang)(xiang)訊號(hao)轉(zhuan)變為數(shu)字(zi)信號(hao)輸出。

二、相機cmos在哪個位置

在相機中(zhong)，cmos被(bei)用作圖像(xiang)傳(chuan)感器，用于捕(bu)捉光線(xian)并(bing)將(jiang)其(qi)轉換(huan)為(wei)數字信號，以便在相機中(zhong)形(xing)成圖像(xiang)，一(yi)般就在相機的(de)鏡(jing)頭后(hou)面，位于傳(chuan)感器板上，這是(shi)一(yi)個平坦的(de)電(dian)路(lu)板，其(qi)中(zhong)包含(han)了所(suo)有的(de)電(dian)子元件。

不同相(xiang)機的cmos位置可能略有不同，一(yi)般微單相(xiang)機的cmos通常拆(chai)下(xia)鏡頭(tou)就(jiu)看到(dao)了，而單反相(xiang)機因為結構的問(wen)題，得把(ba)反光(guang)板抬起來才(cai)能看到(dao)。

三、相機的cmos有幾種

相機的cmos按(an)照結(jie)構不同，可分為三種類型：前照式(shi)（FSI）、背照式(shi)（BSI）以及堆棧式(shi)：

1、傳統的前照式(shi)結(jie)構(gou)下，光(guang)(guang)線(xian)(xian)經(jing)過微透鏡和(he)彩色(se)濾光(guang)(guang)片(pian)后，會(hui)先從(cong)光(guang)(guang)電(dian)(dian)二(er)極(ji)管前方的金(jin)(jin)屬(shu)排線(xian)(xian)之間進入，再聚集在光(guang)(guang)電(dian)(dian)二(er)極(ji)管上。這種結(jie)構(gou)就導(dao)致金(jin)(jin)屬(shu)排線(xian)(xian)會(hui)阻(zu)擋和(he)折射部分光(guang)(guang)線(xian)(xian)，光(guang)(guang)電(dian)(dian)二(er)極(ji)管吸收和(he)利用的光(guang)(guang)線(xian)(xian)會(hui)變少到70%甚(shen)至更少，甚(shen)至金(jin)(jin)屬(shu)排線(xian)(xian)造成的反射還(huan)有可(ke)能會(hui)串(chuan)擾旁(pang)邊的像素(su)，導(dao)致顏色(se)失真。

2、因為前照(zhao)式的這個缺(que)點，背(bei)照(zhao)式結構(gou)誕(dan)生了(le)(le)(le)。與前照(zhao)式的不(bu)同在(zai)(zai)于其金屬排線的位置在(zai)(zai)光電二(er)極管下方(fang)，因此光線幾(ji)乎沒有受到干擾就到達了(le)(le)(le)光電二(er)極管，極大地提(ti)升(sheng)了(le)(le)(le)光線利用(yong)率(lv)，最明(ming)顯的改善就是提(ti)升(sheng)了(le)(le)(le)暗光下的成像質量。

3、前照式(shi)(shi)和(he)背照式(shi)(shi)都屬于非堆(dui)棧(zhan)式(shi)(shi)結構，堆(dui)棧(zhan)式(shi)(shi)cmos和(he)它們比起來(lai)，體積更小，功(gong)能和(he)尺(chi)寸甚至(zhi)還更佳，它是將處理電路(lu)區(qu)域和(he)像素(su)區(qu)域分開，用(yong)兩個硅片使用(yong)不同的制(zhi)程制(zhi)造(zao)，再堆(dui)疊在一(yi)起，這樣就形成了(le)(le)堆(dui)棧(zhan)式(shi)(shi)CMOS，這樣做不僅提升了(le)(le)像素(su)區(qu)域的大小，還增強(qiang)了(le)(le)處理電路(lu)的性能，更是減(jian)小了(le)(le)攝(she)像頭的體積。