汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉積步(bu)驟從(cong)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)開始，晶圓(yuan)(yuan)(yuan)是(shi)從(cong)99.99%的純硅圓(yuan)(yuan)(yuan)柱(zhu)體(ti)上(shang)切下(xia)來的，并(bing)被打磨得極為光(guang)滑，再根據結構需求將導體(ti)、絕緣體(ti)或半(ban)導體(ti)材(cai)料薄膜沉積到晶圓(yuan)(yuan)(yuan)上(shang)，以便能在上(shang)面印制(zhi)第一層。

2、光刻膠涂覆

晶圓隨后(hou)會被涂(tu)覆(fu)光(guang)敏(min)材(cai)料(liao)(liao)“光(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)”。光(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)也分為兩種——“正性(xing)光(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)”和(he)“負性(xing)光(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)”。正性(xing)和(he)負性(xing)光(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)的主要(yao)區別在(zai)于(yu)材(cai)料(liao)(liao)的化學結構和(he)光(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)對光(guang)的反應方(fang)式。

3、光刻

光刻決定芯片上(shang)(shang)的晶(jing)體管可以做到(dao)(dao)多小。晶(jing)圓會被放入光(guang)刻機(ji)中(zhong)，暴(bao)露在(zai)深紫外光(guang)下。光(guang)線會通過“掩(yan)模版”投射到(dao)(dao)晶(jing)圓上(shang)(shang)，光(guang)刻機(ji)的光(guang)學(xue)系統（DUV系統的透鏡）將掩(yan)模版上(shang)(shang)設計好的電路圖(tu)案縮小并聚焦到(dao)(dao)晶(jing)圓上(shang)(shang)的光(guang)刻膠。

4、刻蝕

在"刻蝕(shi)"過(guo)程中，晶(jing)圓被烘烤(kao)和顯(xian)(xian)影，一些光刻膠被洗(xi)掉，從而顯(xian)(xian)示出一個開放通道的(de)(de)3D圖案(an)。刻蝕(shi)也分為(wei)“干(gan)(gan)式”和“濕式”兩種(zhong)。干(gan)(gan)式刻蝕(shi)使(shi)用氣體來(lai)確(que)定晶(jing)圓上的(de)(de)暴露圖案(an)。濕式刻蝕(shi)通過(guo)化(hua)學方法(fa)來(lai)清(qing)洗(xi)晶(jing)圓

5、離子注入

一旦圖案被刻(ke)蝕在晶(jing)(jing)圓上(shang)，晶(jing)(jing)圓會受到正離(li)子或負離(li)子的(de)轟擊，以調整部分圖案的(de)導電特性。將帶電離(li)子引導到硅晶(jing)(jing)體(ti)中，讓電的(de)流動可以被控(kong)制，從(cong)而創(chuang)造出芯片基本構件(jian)的(de)電子開關(guan)——晶(jing)(jing)體(ti)管。

6、封裝

為了把芯片從晶(jing)(jing)圓上取(qu)出(chu)來，要用金剛石鋸將(jiang)其切(qie)成單個芯片，稱為“裸晶(jing)(jing)”，這些裸晶(jing)(jing)隨(sui)后會被放置在“基板”上——這種基板使用金屬箔將(jiang)裸晶(jing)(jing)的(de)輸入(ru)和輸出(chu)信號引導到系統的(de)其他部分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽(qi)車(che)芯(xin)片(pian)的(de)(de)主要材料是(shi)硅。硅是(shi)最常用的(de)(de)芯(xin)片(pian)材料之一，價格低(di)(di)廉、成熟(shu)，適用于大(da)規模生產(chan)。硅芯(xin)片(pian)的(de)(de)功(gong)(gong)率密度低(di)(di)，特別(bie)適用于低(di)(di)功(gong)(gong)耗和低(di)(di)成本的(de)(de)應用場景。硅材質(zhi)也易(yi)于加(jia)工和集(ji)成，可以輕松(song)實(shi)現超大(da)規模的(de)(de)集(ji)成電路(lu)。

汽車芯片很難制造嗎

造汽車芯片的難度較(jiao)大。

1、汽車對芯片和元(yuan)器件的(de)工作溫度(du)要(yao)求比(bi)較(jiao)寬，根據不(bu)同的(de)安裝位置等有不(bu)同的(de)需求，但一般都要(yao)高于民用產品的(de)要(yao)求，比(bi)如(ru)發動機艙要(yao)求-40℃-150℃；車身(shen)控制要(yao)求-40℃-125℃。

2、汽車在行進過程(cheng)中會(hui)遭遇更(geng)多的(de)振動和沖擊，車(che)規級(ji)半導(dao)體必(bi)須滿足在高(gao)(gao)低溫交變(bian)、震(zhen)動風擊、防水防曬、高(gao)(gao)速(su)移動等各類變(bian)化中持續保證穩定工作。另外汽車(che)對(dui)器(qi)件的(de)抗(kang)干(gan)擾性能要求極高(gao)(gao)，包括(kuo)抗(kang)ESD靜電(dian)，EFT群脈沖，RS傳(chuan)(chuan)導(dao)輻射、EMC，EMI等分析，芯片在這些干(gan)擾下既不能不可控(kong)(kong)的(de)影響(xiang)工作，也不能干(gan)擾車(che)內別(bie)的(de)設(she)備（控(kong)(kong)制總線，MCU，傳(chuan)(chuan)感器(qi)，音響(xiang)，等等）等。