汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉積步驟(zou)從晶(jing)圓(yuan)(yuan)開始(shi)，晶(jing)圓(yuan)(yuan)是從99.99%的(de)(de)純硅圓(yuan)(yuan)柱體上切下(xia)來的(de)(de)，并(bing)被打磨得(de)極為光滑，再根據結構需求將導(dao)體、絕緣(yuan)體或(huo)半導(dao)體材料薄膜(mo)沉積到晶(jing)圓(yuan)(yuan)上，以(yi)便能在上面印(yin)制第一層。

2、光刻膠涂覆

晶圓隨后會被(bei)涂覆(fu)光敏材料“光刻膠”。光刻膠也分為兩種——“正性(xing)光刻膠”和“負性(xing)光刻膠”。正性(xing)和負性(xing)光刻膠的主要區別在于材料的化學結構和光刻膠對光的反應方式。

3、光刻

光刻決定芯片上(shang)的晶體管可以做到多小。晶圓(yuan)會被放入光(guang)刻機中，暴露在深紫外光(guang)下。光(guang)線會通過“掩模版(ban)”投(tou)射到晶圓(yuan)上(shang)，光(guang)刻機的光(guang)學系統(tong)（DUV系統(tong)的透鏡）將掩模版(ban)上(shang)設計好的電路圖案縮小并聚焦(jiao)到晶圓(yuan)上(shang)的光(guang)刻膠。

4、刻蝕

在"刻(ke)蝕(shi)"過程(cheng)中，晶圓(yuan)被烘烤和(he)(he)顯(xian)影，一些光刻(ke)膠被洗(xi)掉(diao)，從而顯(xian)示出一個(ge)開(kai)放通(tong)道的3D圖案(an)。刻(ke)蝕(shi)也(ye)分為“干(gan)式(shi)”和(he)(he)“濕(shi)式(shi)”兩(liang)種。干(gan)式(shi)刻(ke)蝕(shi)使用氣體(ti)來確(que)定(ding)晶圓(yuan)上的暴露圖案(an)。濕(shi)式(shi)刻(ke)蝕(shi)通(tong)過化學方法來清洗(xi)晶圓(yuan)

5、離子注入

一旦圖案被刻蝕在晶圓(yuan)上，晶圓(yuan)會受到正離子(zi)(zi)(zi)(zi)或負離子(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)轟擊，以(yi)調整部(bu)分圖案的(de)導電(dian)特性。將帶(dai)電(dian)離子(zi)(zi)(zi)(zi)引導到硅(gui)晶體中，讓電(dian)的(de)流動可(ke)以(yi)被控(kong)制，從而創造(zao)出芯片基本構件(jian)的(de)電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)開關——晶體管。

6、封裝

為了把芯片(pian)從晶(jing)圓上取出來，要用金(jin)剛石(shi)鋸將其切(qie)成(cheng)單個(ge)芯片(pian)，稱為“裸(luo)晶(jing)”，這些裸(luo)晶(jing)隨后會被放(fang)置在(zai)“基板”上——這種基板使用金(jin)屬(shu)箔將裸(luo)晶(jing)的輸入和輸出信號(hao)引導到(dao)系統的其他部分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽(qi)車芯(xin)片(pian)的(de)主(zhu)要材(cai)料是硅(gui)。硅(gui)是最常用的(de)芯(xin)片(pian)材(cai)料之一(yi)，價格低(di)(di)廉、成(cheng)熟，適用于大(da)規模(mo)生產。硅(gui)芯(xin)片(pian)的(de)功率(lv)密度(du)低(di)(di)，特(te)別適用于低(di)(di)功耗和低(di)(di)成(cheng)本的(de)應用場(chang)景。硅(gui)材(cai)質也(ye)易于加(jia)工和集(ji)成(cheng)，可以輕松實現超(chao)大(da)規模(mo)的(de)集(ji)成(cheng)電路(lu)。

汽車芯片很難制造嗎

造汽車芯片的難(nan)度較大。

1、汽車對芯片和元器件的工作溫度要(yao)(yao)求(qiu)比較寬，根據不同的安裝位置等有不同的需求(qiu)，但一(yi)般都要(yao)(yao)高于民用產品的要(yao)(yao)求(qiu)，比如發動機艙要(yao)(yao)求(qiu)-40℃-150℃；車身(shen)控制要(yao)(yao)求(qiu)-40℃-125℃。

2、汽車在(zai)(zai)行進(jin)過(guo)程中會遭(zao)遇更(geng)多的振動和沖擊(ji)，車規(gui)級半導(dao)體必(bi)須滿(man)足在(zai)(zai)高低(di)溫交變(bian)、震動風擊(ji)、防(fang)(fang)水防(fang)(fang)曬、高速移動等(deng)(deng)各類變(bian)化中持續保證(zheng)穩定工(gong)作。另外(wai)汽(qi)車對(dui)器(qi)件的抗干(gan)擾性能要求極高，包括(kuo)抗ESD靜電，EFT群脈沖，RS傳導(dao)輻射、EMC，EMI等(deng)(deng)分析(xi)，芯(xin)片在(zai)(zai)這(zhe)些干(gan)擾下既不(bu)能不(bu)可控的影(ying)響工(gong)作，也(ye)不(bu)能干(gan)擾車內別的設備(bei)（控制總線，MCU，傳感器(qi)，音響，等(deng)(deng)等(deng)(deng)）等(deng)(deng)。