汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉積步驟從(cong)晶圓開始，晶圓是從(cong)99.99%的(de)純硅圓柱體上切下來的(de)，并被打磨(mo)得極為(wei)光滑，再根據結構需求將導體、絕(jue)緣體或半導體材料薄膜沉積到晶圓上，以便能在(zai)上面印制第(di)一(yi)層。

2、光刻膠涂覆

晶(jing)圓隨(sui)后會(hui)被(bei)涂覆光(guang)(guang)敏材料“光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)”。光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)也分為兩種——“正性光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)”和“負性光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)”。正性和負性光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)的(de)主要區別(bie)在于材料的(de)化學(xue)結構和光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)對光(guang)(guang)的(de)反應方式(shi)。

3、光刻

光刻決定芯片上的晶(jing)體管可以做到多小。晶(jing)圓(yuan)會(hui)被放(fang)入光(guang)(guang)刻(ke)機中(zhong)，暴露在深(shen)紫外光(guang)(guang)下。光(guang)(guang)線會(hui)通過“掩模版”投射到晶(jing)圓(yuan)上，光(guang)(guang)刻(ke)機的光(guang)(guang)學系統(tong)（DUV系統(tong)的透鏡）將(jiang)掩模版上設(she)計好(hao)的電路圖案縮小并聚焦到晶(jing)圓(yuan)上的光(guang)(guang)刻(ke)膠。

4、刻蝕

在"刻(ke)蝕(shi)"過程中，晶(jing)(jing)圓被烘烤和顯影，一(yi)些光刻(ke)膠(jiao)被洗(xi)(xi)掉(diao)，從而顯示出一(yi)個開放通(tong)道的(de)3D圖案。刻(ke)蝕(shi)也分為“干式(shi)”和“濕式(shi)”兩種。干式(shi)刻(ke)蝕(shi)使用氣體來(lai)確定晶(jing)(jing)圓上的(de)暴露圖案。濕式(shi)刻(ke)蝕(shi)通(tong)過化(hua)學方(fang)法來(lai)清洗(xi)(xi)晶(jing)(jing)圓

5、離子注入

一旦(dan)圖案(an)(an)被刻(ke)蝕在晶圓上，晶圓會受到正離子或負離子的轟擊，以調整部(bu)分圖案(an)(an)的導(dao)(dao)電特性。將(jiang)帶電離子引導(dao)(dao)到硅晶體(ti)中，讓電的流動可(ke)以被控制，從而創造出芯片基本構件的電子開關——晶體(ti)管。

6、封裝

為了把芯片從晶(jing)(jing)(jing)圓(yuan)上取出(chu)(chu)來，要用(yong)(yong)金剛石鋸將其切成(cheng)單個芯片，稱為“裸(luo)(luo)晶(jing)(jing)(jing)”，這些裸(luo)(luo)晶(jing)(jing)(jing)隨后會(hui)被放置(zhi)在“基(ji)板(ban)”上——這種基(ji)板(ban)使(shi)用(yong)(yong)金屬箔將裸(luo)(luo)晶(jing)(jing)(jing)的輸入和(he)輸出(chu)(chu)信號引導到系統的其他部(bu)分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽車芯片的主(zhu)要材(cai)料是硅(gui)。硅(gui)是最常用(yong)的芯片材(cai)料之(zhi)一，價(jia)格低(di)廉、成(cheng)(cheng)(cheng)熟，適(shi)用(yong)于(yu)(yu)大規模生產。硅(gui)芯片的功(gong)率密(mi)度低(di)，特(te)別適(shi)用(yong)于(yu)(yu)低(di)功(gong)耗和(he)低(di)成(cheng)(cheng)(cheng)本的應用(yong)場(chang)景。硅(gui)材(cai)質(zhi)也易于(yu)(yu)加(jia)工和(he)集成(cheng)(cheng)(cheng)，可以輕松實(shi)現超大規模的集成(cheng)(cheng)(cheng)電路。

汽車芯片很難制造嗎

造汽車芯片的難度較大。

1、汽車對芯片和元器(qi)件的(de)(de)工作溫度(du)要(yao)求(qiu)比(bi)較(jiao)寬(kuan)，根(gen)據不(bu)同的(de)(de)安裝位置等有(you)不(bu)同的(de)(de)需求(qiu)，但一般都要(yao)高(gao)于(yu)民用產(chan)品的(de)(de)要(yao)求(qiu)，比(bi)如發動機艙(cang)要(yao)求(qiu)-40℃-150℃；車身控制要(yao)求(qiu)-40℃-125℃。

2、汽車在行進過程中會(hui)遭遇更多的(de)振動和沖(chong)擊，車規(gui)級(ji)半導(dao)體必須滿足(zu)在高低溫交變、震動風擊、防水防曬、高速移動等(deng)(deng)各類變化中持續保證穩定工作。另外(wai)汽車對器件的(de)抗干擾(rao)性(xing)能要求(qiu)極高，包括抗ESD靜電，EFT群脈沖(chong)，RS傳導(dao)輻射(she)、EMC，EMI等(deng)(deng)分析，芯(xin)片在這(zhe)些干擾(rao)下(xia)既(ji)不(bu)能不(bu)可控的(de)影響工作，也不(bu)能干擾(rao)車內別的(de)設(she)備(bei)（控制總線，MCU，傳感(gan)器，音響，等(deng)(deng)等(deng)(deng)）等(deng)(deng)。