汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉積步驟從晶圓開始(shi)，晶圓是(shi)從99.99%的純(chun)硅圓柱(zhu)體(ti)上切下(xia)來的，并被打磨得極為光滑，再根據結構需求將導(dao)體(ti)、絕緣體(ti)或半導(dao)體(ti)材料薄膜沉積到(dao)晶圓上，以便能(neng)在上面印(yin)制第一層。

2、光刻膠涂覆

晶圓隨(sui)后會被涂覆光(guang)(guang)敏材(cai)料“光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)”。光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)也分為(wei)兩種——“正(zheng)性光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)”和“負性光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)”。正(zheng)性和負性光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)的(de)主要區(qu)別在于材(cai)料的(de)化學結構和光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)對光(guang)(guang)的(de)反應方式。

3、光刻

光刻決定芯片上(shang)的晶體(ti)管可以做到多小。晶圓(yuan)會被放入光刻(ke)機中，暴露在深紫外光下。光線會通過“掩模(mo)版”投射到晶圓(yuan)上(shang)，光刻(ke)機的光學系(xi)統（DUV系(xi)統的透鏡）將掩模(mo)版上(shang)設(she)計好(hao)的電路圖案縮小并聚焦到晶圓(yuan)上(shang)的光刻(ke)膠。

4、刻蝕

在"刻(ke)蝕"過程中，晶圓(yuan)被烘(hong)烤(kao)和(he)顯(xian)(xian)影，一些光刻(ke)膠(jiao)被洗掉，從而顯(xian)(xian)示出(chu)一個開放通道的3D圖(tu)案。刻(ke)蝕也分為(wei)“干式”和(he)“濕(shi)式”兩種。干式刻(ke)蝕使用氣(qi)體來(lai)確定晶圓(yuan)上(shang)的暴露圖(tu)案。濕(shi)式刻(ke)蝕通過化學方法來(lai)清洗晶圓(yuan)

5、離子注入

一旦圖(tu)案被(bei)刻(ke)蝕在晶圓上，晶圓會(hui)受到正離子或負離子的(de)轟擊，以(yi)調整部分圖(tu)案的(de)導電特性。將帶電離子引導到硅(gui)晶體中，讓電的(de)流動可以(yi)被(bei)控制，從(cong)而創造(zao)出芯片基本構(gou)件的(de)電子開(kai)關——晶體管。

6、封裝

為了把芯片從晶(jing)圓上(shang)取出(chu)來，要用(yong)(yong)金剛石鋸(ju)將(jiang)(jiang)其切成單個芯片，稱為“裸(luo)晶(jing)”，這些裸(luo)晶(jing)隨(sui)后會被放置在“基板”上(shang)——這種基板使用(yong)(yong)金屬箔將(jiang)(jiang)裸(luo)晶(jing)的輸入和(he)輸出(chu)信號引導到系統(tong)的其他部分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽車芯(xin)片的(de)(de)主(zhu)要材料是硅(gui)。硅(gui)是最常用的(de)(de)芯(xin)片材料之一，價格低廉、成(cheng)熟，適(shi)用于大規模(mo)生產。硅(gui)芯(xin)片的(de)(de)功率密度低，特別(bie)適(shi)用于低功耗和低成(cheng)本的(de)(de)應用場景(jing)。硅(gui)材質也易于加工(gong)和集成(cheng)，可(ke)以輕松實現超大規模(mo)的(de)(de)集成(cheng)電路(lu)。

汽車芯片很難制造嗎

造汽車芯(xin)片的(de)難度較大。

1、汽車(che)對芯片和元器件的(de)(de)工作溫度要(yao)求比(bi)較(jiao)寬，根據不同(tong)的(de)(de)安裝位置等有不同(tong)的(de)(de)需求，但一般都要(yao)高于民用產品(pin)的(de)(de)要(yao)求，比(bi)如發(fa)動機艙要(yao)求-40℃-150℃；車(che)身控制要(yao)求-40℃-125℃。

2、汽車在(zai)(zai)行進過程中(zhong)會遭遇(yu)更多的(de)(de)振動和沖(chong)擊，車規級(ji)半(ban)導(dao)體必須(xu)滿足在(zai)(zai)高(gao)低(di)溫(wen)交變(bian)、震動風擊、防水防曬(shai)、高(gao)速移動等(deng)(deng)(deng)各(ge)類變(bian)化中(zhong)持續保證穩(wen)定工作。另(ling)外汽車對(dui)器件的(de)(de)抗(kang)干(gan)擾性能要求極(ji)高(gao)，包括抗(kang)ESD靜電，EFT群脈沖(chong)，RS傳導(dao)輻射、EMC，EMI等(deng)(deng)(deng)分析，芯片在(zai)(zai)這些干(gan)擾下既不能不可(ke)控的(de)(de)影響(xiang)工作，也(ye)不能干(gan)擾車內別的(de)(de)設備（控制總線，MCU，傳感器，音(yin)響(xiang)，等(deng)(deng)(deng)等(deng)(deng)(deng)）等(deng)(deng)(deng)。