該圖片由注冊用戶"Nico"提供，版權聲明反饋

人物簡介

中文名：尹志堯

出生地：北京

畢業院(yuan)校：中國科學(xue)(xue)技術大(da)學(xue)(xue)

人物履歷

1962年，考(kao)入科大化學物理系(xi)。由于文革(ge)的緣故，遲到1968年春才畢業(ye)。

1968-1971年，在蘭州煉油廠工作。

1973年，轉到中科(ke)院蘭州物理化(hua)學所(suo)。

1978-1980年，在北大化學系讀碩士學位。

1980年，在美國(guo)一(yi)些親戚的幫(bang)助下，來到加州大學洛杉嘰(ji)分校攻(gong)讀(du)博士學位。三年半就拿到物理(li)化學博士學位。

1984年(nian)，以后的(de)16年(nian)里(li)一直在(zai)(zai)硅谷工作(zuo)。開始是(shi)在(zai)(zai)Intel公司的(de)中心技術發展(zhan)部門做(zuo)電漿蝕刻工作(zuo)。

1986年，轉到LAM研究所，開始是(shi)高級(ji)工程(cheng)師，后來(lai)做到了技(ji)術發展經理。在那里尹志堯(yao)負責(ze)彩(cai)虹(hong)等離子體刻(ke)蝕設備的開發。LAM靠著一些非(fei)常好的產品成(cheng)為這個領(ling)域的領(ling)先者之一。

1991年，尹志(zhi)堯(yao)來到應用(yong)材(cai)料(liao)公司(si)(si)，負(fu)責(ze)同(tong)一(yi)領域的(de)研(yan)究(jiu)開發(fa)工(gong)作，先(xian)后(hou)獲得了(le)60多個(ge)美國和國外的(de)專利，還有一(yi)些(xie)正等著批準(zhun)。尹志(zhi)堯(yao)開發(fa)或參與開發(fa)的(de)產品，現在(zai)(zai)在(zai)(zai)這個(ge)領域大概(gai)占了(le)全世界的(de)50％。曾任(ren)Applied Materials應用(yong)材(cai)料(liao)公司(si)(si)的(de)副總裁，負(fu)責(ze)等離子體刻蝕部門(men)的(de)業務。另外，還幫助成立了(le)硅(gui)谷中國工(gong)程師協(xie)會，并擔(dan)任(ren)了(le)頭兩(liang)任(ren)的(de)主席(xi)。

2004年(nian)，他和美國硅谷(gu)幾個志(zhi)同道合(he)的伙(huo)伴回到上海，組建了中微半導體設(she)備公(gong)司(si)(si)（AMEC），他自(zi)己擔任(ren)公(gong)司(si)(si)董事長兼總裁。

榮譽成就

2012年，尹志堯獲(huo)得上海市“白(bai)玉蘭紀念獎”。