該圖片由注冊用戶"Nico"提供，版權聲明反饋

人物簡介

中文名：尹志堯

出生地：北京

畢業院校：中(zhong)國科學技術大(da)學

人物履歷

1962年，考入(ru)科大化學物理系。由(you)于(yu)文革(ge)的緣故，遲到1968年春才畢業。

1968-1971年，在蘭州煉油廠工作。

1973年，轉到中科院(yuan)蘭州物理化學(xue)所。

1978-1980年，在(zai)北大化學系讀(du)碩士學位。

1980年(nian)，在美國(guo)一些親戚的(de)幫助下，來到加州大學洛杉嘰分(fen)校攻讀(du)博(bo)士(shi)學位。三年(nian)半就拿到物理化學博(bo)士(shi)學位。

1984年(nian)，以(yi)后的(de)(de)16年(nian)里一(yi)直在(zai)硅谷工(gong)作。開始是(shi)在(zai)Intel公司(si)的(de)(de)中心技術發展(zhan)部門做電(dian)漿(jiang)蝕刻工(gong)作。

1986年，轉到(dao)LAM研究(jiu)所(suo)，開始是高級(ji)工程師，后(hou)來做到(dao)了技術(shu)發展(zhan)經理。在(zai)那里尹志堯負責彩虹等離(li)子體刻(ke)蝕設備的開發。LAM靠(kao)著一(yi)(yi)些(xie)非常(chang)好的產品成(cheng)為這個領域的領先(xian)者(zhe)之一(yi)(yi)。

1991年，尹(yin)志堯來到(dao)應用材料(liao)公(gong)(gong)司，負(fu)責同一領域的(de)(de)研究開發(fa)工(gong)作，先后獲得了60多個美國和國外(wai)的(de)(de)專利，還有一些正等著批準。尹(yin)志堯開發(fa)或參與開發(fa)的(de)(de)產品，現在在這個領域大概占了全世界的(de)(de)50％。曾(ceng)任(ren)Applied Materials應用材料(liao)公(gong)(gong)司的(de)(de)副(fu)總(zong)裁，負(fu)責等離子體刻蝕部(bu)門(men)的(de)(de)業務。另(ling)外(wai)，還幫助成立(li)了硅谷(gu)中國工(gong)程師協會，并擔任(ren)了頭兩任(ren)的(de)(de)主席。

2004年，他和(he)美(mei)國硅谷幾(ji)個志同道(dao)合(he)的伙伴回(hui)到上海，組(zu)建了中微(wei)半導體(ti)設備公(gong)司(si)（AMEC），他自(zi)己擔任公(gong)司(si)董事(shi)長兼總裁。

榮譽成就

2012年，尹志堯獲得上海市“白玉蘭紀(ji)念獎”。