SSD固態硬盤的優點

1、SSD不需(xu)要機(ji)械結構，完(wan)全的(de)半(ban)導(dao)體化(hua)，不存(cun)在數據(ju)查找時(shi)間、延遲(chi)時(shi)間和磁盤尋道時(shi)間，數據(ju)存(cun)取速(su)度快，讀(du)取數據(ju)的(de)能(neng)力(li)在400M/s以(yi)上(shang)(shang)，最高的(de)目前可達(da)500M/s以(yi)上(shang)(shang)。

2、SSD全(quan)部(bu)采(cai)用閃存芯片，經久耐用，防震抗摔，即使(shi)發生與(yu)硬物碰撞，數據丟失的可能(neng)性也能(neng)夠降(jiang)到最小。

3、得益于無機械部(bu)件及FLASH閃存芯片，SSD沒(mei)有(you)任何噪音，功耗低(di)。

4、質量輕，比常規1.8英寸(cun)硬盤重量輕20-30克，使得便攜設備(bei)搭載多塊SSD成為(wei)可能(neng)。同時因其(qi)完全半導體化(hua)，無結構(gou)限制，可根據實際情況(kuang)設計(ji)成各(ge)種不同接口(kou)、形狀(zhuang)的特殊電子(zi)硬盤。

SSD固態硬盤的缺點

1、固態硬盤成本高

目前SSD成本已(yi)經大(da)幅下(xia)降。128G SSD已(yi)經在(zai)1000元級別。但是相對機械硬(ying)盤，價格(ge)還(huan)是很(hen)高的~而作為筆記本廠(chang)商，在(zai)將(jiang)固態(tai)硬(ying)盤當作可選配件后，升級的費(fei)用更(geng)是要(yao)遠高于實際(ji)成本，這也就(jiu)導致了(le)配備傳統硬(ying)盤筆記本和固態(tai)硬(ying)盤筆記本之間千(qian)元的價差。

2、存儲容量有待提高

如今傳(chuan)統機械(xie)式硬(ying)盤憑借最(zui)新的(de)垂直(zhi)記(ji)錄(lu)技(ji)術已經向2TB級(ji)別邁進(jin)，而固(gu)態硬(ying)盤的(de)最(zui)高紀錄(lu)仍停留幾(ji)百GB(PQI推(tui)出(chu)的(de)2.5英寸SSD產品)左右(you)，由(you)于閃存(cun)成(cheng)本(ben)一(yi)直(zhi)居高不下，很少有(you)廠(chang)商涉及這種高容量的(de)SSD產品的(de)研(yan)發，即使有(you)相關(guan)的(de)產品出(chu)現，離(li)量產還有(you)很長很長的(de)路，現階(jie)段可以買到(dao)的(de)固(gu)態硬(ying)盤最(zui)實際的(de)存(cun)儲容量只(zhi)有(you)最(zui)高幾(ji)百GB。但(dan)是價(jia)格高昂。

如何選購SSD固態硬盤

1 、看主控芯片

目前市面上占有率最高的(de)(de)SandForce二代(dai)主控(kong)(kong)，由于它提(ti)供了一套成熟的(de)(de)主控(kong)(kong)方案。硬(ying)盤(pan)廠商只需(xu)買(mai)來方案，在加(jia)入(ru)自(zi)己的(de)(de)PCB設計、閃存搭(da)配、固件(jian)算法就(jiu)能(neng)制造出固態硬(ying)盤(pan)。有點(dian)類似于谷(gu)歌(ge)的(de)(de)Android開(kai)源模式，不(bu)過(guo)其弊病也是相(xiang)同(tong)的(de)(de)，那就(jiu)是同(tong)樣的(de)(de)主控(kong)(kong)要兼容(rong)各種不(bu)同(tong)的(de)(de)芯片、固件(jian)，所以各大SandForce主控(kong)(kong)的(de)(de)硬(ying)盤(pan)產(chan)品性能(neng)也是參差不(bu)齊的(de)(de)。另外(wai)還有Marvell主控(kong)(kong)和Intel主控(kong)(kong)，只是產(chan)品較少(shao)，但性能(neng)都相(xiang)當給力。

2 、看閃存顆粒

前固態硬盤采用的閃存顆(ke)(ke)粒(li)(li)(li)有(you)著25/34nm制(zhi)程、MLC/SLC、同(tong)步/異步、ONFI/Toggle Mode等(deng)等(deng)不(bu)(bu)同(tong)。不(bu)(bu)同(tong)閃存顆(ke)(ke)粒(li)(li)(li)數據傳輸率有(you)著很大(da)的差異，異步ONFI顆(ke)(ke)粒(li)(li)(li)只有(you)50MT/s（Intel或(huo)者Micron早期顆(ke)(ke)粒(li)(li)(li)），同(tong)步ONFI 2.x顆(ke)(ke)粒(li)(li)(li)則可以達(da)到133MT/s ~ 200MT/s （Intel或(huo)者Micron顆(ke)(ke)粒(li)(li)(li)），異步Toggly DDR 1.0顆(ke)(ke)粒(li)(li)(li)也可以達(da)到133MT/s ~ 200MT/s （TOSHIBA或(huo)者Samsung顆(ke)(ke)粒(li)(li)(li)）。

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