1、沉積

制造芯片(pian)的第(di)一步，通常(chang)是將材料薄膜沉積到晶圓上。材料可(ke)以是導體(ti)、絕(jue)緣體(ti)或半導體(ti)。

2、光刻膠涂覆

進行光(guang)(guang)刻(ke)前，首先要在晶圓上涂覆光(guang)(guang)敏材料(liao)“光(guang)(guang)刻(ke)膠”或(huo)“光(guang)(guang)阻”，然后將晶圓放入光(guang)(guang)刻(ke)機。

3、曝光

在掩模(mo)版上制(zhi)作需要印(yin)刷(shua)的(de)圖(tu)(tu)案(an)藍圖(tu)(tu)。晶圓放(fang)入光(guang)刻(ke)機后，光(guang)束(shu)會通(tong)過掩模(mo)版投射到(dao)晶圓上。光(guang)刻(ke)機內的(de)光(guang)學元件將圖(tu)(tu)案(an)縮小并聚焦到(dao)光(guang)刻(ke)膠涂(tu)(tu)層(ceng)上。在光(guang)束(shu)的(de)照射下(xia)，光(guang)刻(ke)膠發生(sheng)化學反應，光(guang)罩上的(de)圖(tu)(tu)案(an)由此印(yin)刻(ke)到(dao)光(guang)刻(ke)膠涂(tu)(tu)層(ceng)。

4、計算光刻

光(guang)刻期(qi)間產生的(de)(de)物(wu)理、化學效(xiao)應可(ke)能(neng)造成圖案形(xing)變，因(yin)此(ci)需要事先對掩模版(ban)上的(de)(de)圖案進行調整，確(que)保最終光(guang)刻圖案的(de)(de)準確(que)。

5、烘烤與顯影

晶圓離開(kai)光刻機后，要進行烘烤及顯影，使(shi)光刻的圖案永久固定。洗去多余光刻膠，部分(fen)涂層(ceng)留(liu)出空白部分(fen)。

6、刻蝕

顯影完成(cheng)后，使用(yong)氣體等材(cai)料去除多余的空白部分，形成(cheng)3D電路圖案(an)。

7、計量和檢驗

芯片生產(chan)過程(cheng)中，始終(zhong)對(dui)晶圓進行計量(liang)和(he)檢驗(yan)，確保沒(mei)有誤差。檢測(ce)結果反饋至光刻系(xi)統，進一(yi)步優化、調整設備(bei)。這一(yi)部(bu)，就(jiu)需要用到納米級超精密運動平臺(tai)這一(yi)關(guan)鍵設備(bei)了。

8、離子注入

在去(qu)除(chu)剩余(yu)的(de)(de)光刻膠之前，可(ke)以用(yong)正離子(zi)或負離子(zi)轟(hong)擊晶圓，對部(bu)分(fen)圖案的(de)(de)半導體(ti)特性進行調整。

9、視需要(yao)重復制程步驟

從薄膜(mo)沉積到去除光刻膠，整個流(liu)程(cheng)為晶(jing)圓(yuan)片(pian)覆蓋上(shang)一(yi)層圖案(an)。而要在(zai)晶(jing)圓(yuan)片(pian)上(shang)形成集成電路(lu)，完成芯片(pian)制作(zuo)，這一(yi)流(liu)程(cheng)需要不斷(duan)重復，可多達(da)100次。

10、封裝芯片

最后一步，運(yun)用超精密運(yun)動平臺，進行(xing)晶圓切割(ge)，獲得單(dan)個芯片(pian)，封(feng)裝在保護(hu)殼中。這樣，成品(pin)芯片(pian)就可以用來生產電視、平板電腦或者其他數字設備了！