1、沉積

制造芯片(pian)的第一步(bu)，通常是(shi)將材料薄膜沉積到晶圓(yuan)上。材料可以是(shi)導(dao)體(ti)、絕緣體(ti)或半導(dao)體(ti)。

2、光刻膠涂覆

進行光(guang)刻(ke)前，首(shou)先要(yao)在晶圓上涂覆光(guang)敏材料“光(guang)刻(ke)膠”或“光(guang)阻”，然(ran)后將晶圓放(fang)入光(guang)刻(ke)機。

3、曝光

在掩模版上(shang)(shang)制作需要(yao)印(yin)刷的圖(tu)案(an)藍圖(tu)。晶圓放入(ru)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)機(ji)后，光(guang)(guang)(guang)束會通過(guo)掩模版投(tou)射到晶圓上(shang)(shang)。光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)機(ji)內的光(guang)(guang)(guang)學(xue)元件(jian)將圖(tu)案(an)縮小并聚(ju)焦到光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)涂層上(shang)(shang)。在光(guang)(guang)(guang)束的照(zhao)射下，光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)發生化(hua)學(xue)反應，光(guang)(guang)(guang)罩上(shang)(shang)的圖(tu)案(an)由此印(yin)刻(ke)(ke)到光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)涂層。

4、計算光刻

光(guang)刻(ke)期(qi)間(jian)產(chan)生(sheng)的物理、化學效應可能造成圖(tu)案形變，因此(ci)需要事(shi)先對(dui)掩模版(ban)上的圖(tu)案進(jin)行調整，確保最終(zhong)光(guang)刻(ke)圖(tu)案的準(zhun)確。

5、烘烤與顯影

晶圓離(li)開光刻(ke)機后，要進(jin)行烘烤(kao)及顯(xian)影，使光刻(ke)的圖案永久固定。洗去多余光刻(ke)膠，部(bu)分涂層留出空白(bai)部(bu)分。

6、刻蝕

顯影完(wan)成后，使用(yong)氣體等(deng)材料去(qu)除多余的空(kong)白部分，形成3D電路圖案。

7、計量和檢驗

芯片(pian)生產過程中，始(shi)終對晶圓進行計量和檢驗(yan)，確保沒有誤差(cha)。檢測結(jie)果反(fan)饋至光(guang)刻系統，進一(yi)步優(you)化、調整設(she)備(bei)。這一(yi)部，就需(xu)要用(yong)到(dao)納米級超精(jing)密(mi)運動(dong)平(ping)臺這一(yi)關(guan)鍵(jian)設(she)備(bei)了(le)。

8、離子注入

在去除(chu)剩(sheng)余的光刻膠之前，可以用正離(li)子或(huo)負(fu)離(li)子轟擊晶圓，對部分圖案(an)的半(ban)導體特性進(jin)行(xing)調(diao)整。

9、視需要重復(fu)制程步驟

從(cong)薄膜沉積到(dao)去除光刻(ke)膠，整個流(liu)程為晶圓片覆蓋(gai)上(shang)一層(ceng)圖案。而要在晶圓片上(shang)形成集成電路(lu)，完成芯片制(zhi)作，這一流(liu)程需要不斷重(zhong)復，可多達100次。

10、封裝芯片

最后一步(bu)，運(yun)用(yong)超精(jing)密(mi)運(yun)動平臺(tai)，進行晶圓切割，獲得(de)單個芯片(pian)，封裝(zhuang)在(zai)保護(hu)殼中。這樣，成品(pin)芯片(pian)就可以(yi)用(yong)來生產電視、平板(ban)電腦或者其他(ta)數字設備(bei)了(le)！