1、沉積

制造芯片的第一步，通常是將材料薄(bo)膜沉積到晶圓上。材料可以是導體、絕(jue)緣體或半導體。

2、光刻膠涂覆

進行光(guang)刻前，首先要在晶圓上涂(tu)覆光(guang)敏(min)材料“光(guang)刻膠”或(huo)“光(guang)阻”，然后將(jiang)晶圓放入光(guang)刻機(ji)。

3、曝光

在掩(yan)模(mo)版上(shang)(shang)制(zhi)作需要印刷的圖案藍圖。晶圓放入光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)機(ji)后，光(guang)(guang)(guang)(guang)束會(hui)通過掩(yan)模(mo)版投射到(dao)晶圓上(shang)(shang)。光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)機(ji)內的光(guang)(guang)(guang)(guang)學(xue)(xue)元件(jian)將圖案縮(suo)小并聚焦(jiao)到(dao)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)涂(tu)層(ceng)上(shang)(shang)。在光(guang)(guang)(guang)(guang)束的照(zhao)射下，光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)發生(sheng)化學(xue)(xue)反應，光(guang)(guang)(guang)(guang)罩上(shang)(shang)的圖案由此印刻(ke)到(dao)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)涂(tu)層(ceng)。

4、計算光刻

光刻期間產生(sheng)的(de)物理、化學效應可能(neng)造成圖(tu)案(an)形變，因此需要事先對(dui)掩模版上的(de)圖(tu)案(an)進行調整，確保最終光刻圖(tu)案(an)的(de)準確。

5、烘烤與顯影

晶圓離開光(guang)(guang)刻機后，要進(jin)行烘(hong)烤及(ji)顯影，使(shi)光(guang)(guang)刻的圖案永久固定(ding)。洗去多余光(guang)(guang)刻膠，部分(fen)涂(tu)層留出空白部分(fen)。

6、刻蝕

顯影完成(cheng)后，使用(yong)氣體等材(cai)料去除多(duo)余(yu)的(de)空白部分，形(xing)成(cheng)3D電路圖案(an)。

7、計量和檢驗

芯片生(sheng)產過程中，始終(zhong)對(dui)晶(jing)圓進(jin)行計量和(he)檢(jian)驗，確保沒有誤差。檢(jian)測結果反饋至光刻(ke)系統，進(jin)一(yi)步優化、調整(zheng)設(she)備(bei)。這一(yi)部(bu)，就(jiu)需要用到納米級(ji)超精密(mi)運動平臺這一(yi)關(guan)鍵設(she)備(bei)了。

8、離子注入

在去除剩余的(de)光刻膠之前，可以(yi)用正離子或負離子轟擊晶(jing)圓，對部分圖案的(de)半導(dao)體特性進行(xing)調整。

9、視需要重復制程步驟

從薄膜沉積到去(qu)除光刻膠(jiao)，整個流程(cheng)為晶圓片(pian)覆蓋上一(yi)(yi)層(ceng)圖(tu)案。而要在(zai)晶圓片(pian)上形成集成電(dian)路，完(wan)成芯片(pian)制作(zuo)，這一(yi)(yi)流程(cheng)需(xu)要不斷重復，可(ke)多達100次(ci)。

10、封裝芯片

最后一(yi)步，運用超精密運動平臺，進行晶圓切割(ge)，獲得單個芯片，封裝(zhuang)在保(bao)護殼中。這樣，成品芯片就可(ke)以用來生產電(dian)視、平板電(dian)腦或(huo)者其他數字設備了！