1、沉積

制(zhi)造芯片的第一(yi)步，通常(chang)是(shi)將材料薄膜沉(chen)積到晶圓(yuan)上。材料可以是(shi)導(dao)體(ti)(ti)、絕緣體(ti)(ti)或(huo)半導(dao)體(ti)(ti)。

2、光刻膠涂覆

進(jin)行(xing)光(guang)刻前(qian)，首先要(yao)在晶(jing)圓上涂(tu)覆光(guang)敏材料“光(guang)刻膠”或(huo)“光(guang)阻”，然后將晶(jing)圓放入光(guang)刻機(ji)。

3、曝光

在掩(yan)模(mo)版上制作需要(yao)印刷的(de)圖案藍圖。晶(jing)圓放入光(guang)刻(ke)機后，光(guang)束會通過掩(yan)模(mo)版投射(she)到晶(jing)圓上。光(guang)刻(ke)機內(nei)的(de)光(guang)學元件將圖案縮(suo)小(xiao)并聚焦到光(guang)刻(ke)膠(jiao)涂層上。在光(guang)束的(de)照射(she)下，光(guang)刻(ke)膠(jiao)發生(sheng)化學反應，光(guang)罩上的(de)圖案由此(ci)印刻(ke)到光(guang)刻(ke)膠(jiao)涂層。

4、計算光刻

光刻(ke)期間產生的(de)(de)物理、化學效應可能造成圖(tu)案形變(bian)，因此需(xu)要事先對掩模版上的(de)(de)圖(tu)案進行調整，確(que)保最終光刻(ke)圖(tu)案的(de)(de)準確(que)。

5、烘烤與顯影

晶圓離開(kai)光(guang)刻(ke)機后，要(yao)進行烘烤及(ji)顯影，使光(guang)刻(ke)的(de)圖案永久固定。洗去多余(yu)光(guang)刻(ke)膠，部(bu)分涂層留(liu)出空白部(bu)分。

6、刻蝕

顯影完成(cheng)后，使用氣體等材料去除多(duo)余的空白部分(fen)，形成(cheng)3D電路圖(tu)案。

7、計量和檢驗

芯片生產過程中，始終(zhong)對晶圓(yuan)進行計(ji)量和檢驗，確保沒有誤差(cha)。檢測結果反饋至光刻系統，進一步優化、調整設備(bei)。這一部，就需要用(yong)到納米級超精密運(yun)動平臺這一關鍵設備(bei)了。

8、離子注入

在去(qu)除剩余的光刻(ke)膠之前，可(ke)以用正(zheng)離子(zi)或負離子(zi)轟(hong)擊晶圓，對部(bu)分(fen)圖案(an)的半導體特性進行調整。

9、視需要重(zhong)復(fu)制程步(bu)驟

從薄膜沉積到去除(chu)光(guang)刻膠，整個流程(cheng)(cheng)為晶(jing)圓片(pian)(pian)覆蓋上(shang)(shang)一層圖(tu)案。而要(yao)在晶(jing)圓片(pian)(pian)上(shang)(shang)形成集成電路，完(wan)成芯(xin)片(pian)(pian)制作，這一流程(cheng)(cheng)需要(yao)不斷重復，可多達100次。

10、封裝芯片

最后一步，運(yun)用超精密運(yun)動平(ping)臺，進行晶圓切割，獲(huo)得單個芯片，封裝在保護殼中。這(zhe)樣，成(cheng)品芯片就可(ke)以(yi)用來生產電(dian)視、平(ping)板電(dian)腦或者其他數字設備了！