高效(xiao)多結太(tai)陽(yang)能電池技術 器件結構(gou)和系(xi)統的優化設(she)計

太陽能(neng)光伏技術經過近幾十年的(de)發(fa)展，已(yi)經在新能(neng)源領域確立了其重要地位。大力(li)發(fa)展太陽能(neng)光伏發(fa)電已(yi)成為(wei)人類解決未來(lai)能(neng)源問(wen)題的(de)重要途徑。在產業界，當前太陽能(neng)技術的(de)重點仍是硅(gui)太陽能(neng)電池，包括(kuo)多晶(jing)硅(gui)和非(fei)晶(jing)硅(gui)薄膜電池等。

由(you)于(yu)多晶硅和(he)非(fei)晶硅薄(bo)膜(mo)(mo)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)具(ju)有相對較高的轉換(huan)效(xiao)率(lv)和(he)相對較低的成(cheng)(cheng)(cheng)本，逐漸成(cheng)(cheng)(cheng)為(wei)(wei)市場的主(zhu)導產品。而(er)其它種類的薄(bo)膜(mo)(mo)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)由(you)于(yu)技(ji)術不是(shi)很成(cheng)(cheng)(cheng)熟，似乎很難在短期(qi)內替(ti)代(dai)硅系太陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)。目前的硅系太陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)最高轉換(huan)效(xiao)率(lv)只有20%左右(you)，要想再進一步提高已經非(fei)常困難。眾所(suo)周知(zhi)，提高轉換(huan)效(xiao)率(lv)和(he)降低成(cheng)(cheng)(cheng)本是(shi)太陽能(neng)光(guang)伏技(ji)術中的根(gen)本因素。開展高效(xiao)太陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)技(ji)術研究(jiu)，開發新的電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)材料、電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)結構，也一直是(shi)該領(ling)域的熱點。在這其中，高效(xiao)多結太陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)技(ji)術的研究(jiu)尤為(wei)(wei)引人(ren)注目。

認識高效多結太陽能電池技術

一(yi)般(ban)所說(shuo)的(de)高效多(duo)結太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)(dian)池是指針(zhen)對太(tai)陽(yang)光譜，在不(bu)同的(de)波段選取不(bu)同頻寬的(de)半導體(ti)材(cai)(cai)料做成(cheng)(cheng)多(duo)個太(tai)陽(yang)能子電(dian)(dian)(dian)池，最后將(jiang)這些子電(dian)(dian)(dian)池串聯形(xing)成(cheng)(cheng)多(duo)結太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)(dian)池。目前(qian)研究(jiu)較(jiao)多(duo)的(de)III-V族(zu)材(cai)(cai)料體(ti)系，如InGaP/GaAs/Ge三結電(dian)(dian)(dian)池，所報(bao)導的(de)轉換效率可達42.8%左右。也有選取II-VI族(zu)材(cai)(cai)料的(de)，但目前(qian)還處(chu)于(yu)研究(jiu)階段。本(ben)文將(jiang)主要介紹InGaP/GaAs/Ge等III-V族(zu)材(cai)(cai)料體(ti)系。

圖(tu)1是(shi)一(yi)個(ge)典型的(de)多結(jie)(jie)太陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)示意(yi)圖(tu)。其(qi)中頂層(ceng)的(de)InGaP電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)、中層(ceng)的(de)GaAs電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)和(he)底層(ceng)的(de)Ge電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)帶(dai)隙(xi)分別為1.86eV、1.40eV和(he)0.65eV。在頂層(ceng)和(he)中層(ceng)相鄰兩個(ge)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)間設有寬(kuan)帶(dai)隙(xi)的(de)異質結(jie)(jie)構隧道(dao)結(jie)(jie)，使得入(ru)射光能順(shun)利通過頂層(ceng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)到達(da)中層(ceng)的(de)GaAs電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)。同時提供高的(de)結(jie)(jie)間勢壘，防止(zhi)兩層(ceng)中產生的(de)少子(zi)擴散(san)。

高效多結(jie)太陽能電池(chi)技(ji)術 器件結(jie)構和系統的優化(hua)設計

多結太陽能電池(chi)經過近十幾年的發展，其(qi)在太空領域已經被(bei)廣泛應用(yong)，效(xiao)率(lv)紀(ji)錄也不斷被(bei)刷新。但由(you)于成(cheng)本等(deng)原(yuan)因(yin)，很難得以大規模地面推(tui)廣。因(yin)此必須(xu)盡可能地提高其(qi)轉換效(xiao)率(lv)，降低(di)成(cheng)本，才能顯(xian)出其(qi)優(you)勢(shi)。

目前降低成本(ben)主要采用聚(ju)光(guang)(guang)(guang)鏡技術，將太(tai)(tai)陽(yang)光(guang)(guang)(guang)通(tong)過(guo)透(tou)鏡收集起來，大(da)大(da)減小(xiao)了芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)面積。日(ri)本(ben)夏(xia)普公(gong)司(si)2007年底(di)公(gong)布了1000倍聚(ju)光(guang)(guang)(guang)、轉換(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)高(gao)達40％的(de)(de)(de)4.5mm2的(de)(de)(de)InGaPAs系多結太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池單元。2008年初，Delaware大(da)學的(de)(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)(de)研(yan)究(jiu)團隊(dui)研(yan)制(zhi)的(de)(de)(de)超高(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池（VHESC），僅在20個(ge)太(tai)(tai)陽(yang)的(de)(de)(de)聚(ju)光(guang)(guang)(guang)條件(jian)下(xia)即(ji)可實現42.8%的(de)(de)(de)組(zu)合(he)效(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)。2008年8月，美國能(neng)(neng)源(yuan)部可再生能(neng)(neng)源(yuan)實驗室（NREL）宣(xuan)布，采用倒置贗形(xing)三(san)結結構的(de)(de)(de)太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池在326個(ge)太(tai)(tai)陽(yang)的(de)(de)(de)聚(ju)光(guang)(guang)(guang)條件(jian)下(xia)，其光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)轉化效(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)可達40.8%，并宣(xuan)稱這是迄今為止光(guang)(guang)(guang)伏技術中(zhong)被證實的(de)(de)(de)最高(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)。隨(sui)著(zhu)效(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)紀(ji)錄不(bu)斷被刷新，高(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)多結太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)研(yan)發也正進(jin)一步(bu)深入。

太陽能電池新材料的研發現狀

為了提(ti)高(gao)多(duo)結(jie)太(tai)陽(yang)能電池(chi)的轉換效率，研究(jiu)者們從新(xin)材(cai)料(liao)(liao)開發(fa)(fa)、器件(jian)結(jie)構(gou)(gou)乃至整個系統等方(fang)面(mian)對多(duo)結(jie)太(tai)陽(yang)能電池(chi)進行了優化。在(zai)新(xin)材(cai)料(liao)(liao)開發(fa)(fa)方(fang)面(mian)，主要有(you)摻氮材(cai)料(liao)(liao)、量子點結(jie)構(gou)(gou)，以及In(Ga)N氮化物材(cai)料(liao)(liao)。

新型材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)的(de)(de)研(yan)發始終是(shi)一個活躍的(de)(de)領域(yu)，研(yan)究者(zhe)們首先想到的(de)(de)是(shi)摻氮材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)。因為(wei)從III-V族半(ban)導體能帶結(jie)構和(he)晶格(ge)(ge)常數關系(xi)圖(tu)中可以看出(chu)，對(dui)于GaInNAs材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)四(si)元材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)的(de)(de)晶格(ge)(ge)和(he)GaAs匹配，頻寬為(wei)在(zai)1.05eV附近，若將其加到GaInP/GaAs/Ge三結(jie)結(jie)構上，產生(sheng)的(de)(de)四(si)結(jie)電池(chi)（1.88/1.42/1.05/0.67eV），其頻寬更加接近理想值。在(zai)具有(you)相同結(jie)數的(de)(de)器件中，效率可達到最大。對(dui)于多結(jie)太陽能電池(chi)來說，它似(si)乎是(shi)實(shi)現高效率的(de)(de)最理想的(de)(de)方(fang)法(fa)。但(dan)是(shi)，復(fu)雜的(de)(de)四(si)元材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)體系(xi)在(zai)生(sheng)長(chang)(chang)上很難保(bao)(bao)證材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)的(de)(de)品質(zhi)，更無(wu)法(fa)保(bao)(bao)證材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)的(de)(de)重復(fu)性穩定性等問題(ti)。比如(ru)少數載流子擴散長(chang)(chang)度的(de)(de)問題(ti)就阻礙了GaInNAs材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)的(de)(de)進展。近十年來，GaInNAs在(zai)光伏方(fang)面(mian)的(de)(de)應(ying)用(yong)正在(zai)逐漸減少。

其(qi)(qi)次，量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)結(jie)構也是(shi)新(xin)材料(liao)開發方面(mian)的(de)(de)(de)(de)熱(re)點(dian)(dian)(dian)。主要理(li)念是(shi)將量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)層放在(zai)(zai)p-n結(jie)的(de)(de)(de)(de)耗盡區內，在(zai)(zai)光(guang)生(sheng)載流子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)復合(he)之(zhi)前被集(ji)中起來。這其(qi)(qi)實是(shi)一種(zhong)使用中間(jian)帶(dai)的(de)(de)(de)(de)方法，通(tong)過提高(gao)(gao)量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)效率來獲得高(gao)(gao)效率。很容易看(kan)出，必須有(you)足夠多(duo)(duo)的(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)品(pin)質量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)作為吸收(shou)層才能(neng)(neng)(neng)(neng)實現提高(gao)(gao)效率的(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)，這就(jiu)在(zai)(zai)量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)材料(liao)生(sheng)長方面(mian)提出了(le)(le)很高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)要求。例如，日本筑波大(da)學的(de)(de)(de)(de)研究(jiu)(jiu)者利用量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)單元的(de)(de)(de)(de)光(guang)電(dian)(dian)轉換(huan)效率可達到8.54％。其(qi)(qi)量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)型太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)是(shi)在(zai)(zai)p-n結(jie)之(zhi)間(jian)層疊多(duo)(duo)個(ge)(ge)量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)層，在(zai)(zai)1cm2的(de)(de)(de)(de)GaAs襯底上(shang)(shang)交替疊加了(le)(le)30層GaNAs和30層InAs的(de)(de)(de)(de)超晶(jing)格結(jie)構（見圖(tu)2）。在(zai)(zai)GaNAs上(shang)(shang)生(sheng)長InAs時，自組(zu)織生(sheng)成高(gao)(gao)為3～4nm、直徑(jing)為20～30nm的(de)(de)(de)(de)量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)。同(tong)時，超晶(jing)格結(jie)構導(dao)致量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)之(zhi)間(jian)產生(sheng)結(jie)合(he)后，在(zai)(zai)傳導(dao)帶(dai)上(shang)(shang)形成微帶(dai)，使各種(zhong)波長的(de)(de)(de)(de)光(guang)吸收(shou)成為可能(neng)(neng)(neng)(neng)。多(duo)(duo)個(ge)(ge)早期研究(jiu)(jiu)量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)研究(jiu)(jiu)組(zu)目前正(zheng)對量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)在(zai)(zai)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)中的(de)(de)(de)(de)應用進行深入研究(jiu)(jiu)，如英國格拉(la)斯哥大(da)學、日本東京大(da)學等。量(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)型太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)理(li)論轉換(huan)效率可達60％以上(shang)(shang)，是(shi)頗受矚目的(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)效太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)(de)候選者之(zhi)一。

高效多結太陽(yang)能電池技(ji)術 器件結構和(he)系統的優(you)化設計

InN和(he)(he)InGaN的(de)全氮化物(wu)太陽能(neng)電池(chi)是一種(zhong)非常吸引人的(de)高效電池(chi)，理論上(shang)它可以連(lian)續復蓋0.7到2.4eV光(guang)譜。南京(jing)大學的(de)研(yan)究(jiu)(jiu)者們通過(guo)計算得(de)出，在(zai)理想情況下(xia)，InGaN材(cai)料(liao)應用(yong)于單結、雙結和(he)(he)三結太陽電池(chi)時，其轉換效率(lv)可分別高達27.3%、36.6%和(he)(he)41.3%。但是，氮化物(wu)本身也存在(zai)很多問(wen)題，如襯(chen)底(di)材(cai)料(liao)選(xuan)擇、材(cai)料(liao)品(pin)質控制、p型材(cai)料(liao)的(de)摻雜、隧(sui)道二極管的(de)問(wen)題等，因此目前的(de)研(yan)究(jiu)(jiu)還處于開發(fa)基礎材(cai)料(liao)和(he)(he)器件的(de)階段(duan)。

器件結構和系統的優化設計

器件結構和系(xi)(xi)統的(de)優化(hua)設(she)計也是提(ti)高多結太陽能電池效率(lv)的(de)重要方(fang)法。器件結構及系(xi)(xi)統改進方(fang)面主(zhu)要包括贗形層結構、機(ji)械疊加結結構等等。

贗形層(ceng)結構是指在已有的(de)GaInP/GaAs/Ge三結電池上(shang)增加一個晶格失配層(ceng)（贗形層(ceng)），其實這是結合(he)材(cai)料生長與器件結構優化的(de)一種方法(fa)。

一般多結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)電池(chi)的外延(yan)層(ceng)(ceng)是晶格(ge)失配生長(chang)，會產生很(hen)多位錯，減少了少子(zi)擴散長(chang)度，降低了器(qi)件性(xing)(xing)能(neng)。在(zai)(zai)贗(yan)(yan)形層(ceng)(ceng)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)構多結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)太陽(yang)能(neng)電池(chi)中(zhong)(zhong)，使(shi)(shi)用(yong)組分(fen)漸變方法在(zai)(zai)GaInP/GaAs雙結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)上(shang)生長(chang)InGaAs結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)，使(shi)(shi)得(de)所(suo)有位錯都局(ju)限在(zai)(zai)低頻寬(kuan)的InGaAs結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)中(zhong)(zhong)。其(qi)實贗(yan)(yan)形層(ceng)(ceng)方法在(zai)(zai)GaAs基(ji)HEMT的開發中(zhong)(zhong)廣(guang)泛應(ying)用(yong)，近幾年在(zai)(zai)GaAs基(ji)長(chang)波(bo)長(chang)雷射(she)器(qi)中(zhong)(zhong)也有應(ying)用(yong)。值(zhi)得(de)一提的是，倒(dao)(dao)置的贗(yan)(yan)形層(ceng)(ceng)多結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)太陽(yang)能(neng)電池(chi)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)構（IMM）是EMCORE公司的專利技術（見圖3），它(ta)采用(yong)倒(dao)(dao)置的方法生長(chang)和(he)(he)Ge或GaAs襯底(di)匹配的GaInP和(he)(he)GaAs結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)，InGaP首先被淀(dian)積(ji)在(zai)(zai)基(ji)于Ge襯底(di)的子(zi)電池(chi)上(shang)面。這種設(she)計(ji)保持了GaInP/GaAs結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)的品(pin)質，它(ta)對整個器(qi)件總的發電能(neng)力(li)具(ju)有決定性(xing)(xing)的作(zuo)用(yong)。倒(dao)(dao)置贗(yan)(yan)性(xing)(xing)三結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)構據稱可與多項(xiang)其(qi)它(ta)工(gong)藝相容，如(ru)柔(rou)性(xing)(xing)襯底(di)。因為Ge襯底(di)能(neng)夠(gou)被去(qu)除，從而器(qi)件可以安裝在(zai)(zai)如(ru)聚醯亞(ya)胺(an)膠帶等(deng)柔(rou)性(xing)(xing)襯底(di)上(shang)。

高效多結(jie)太陽能電池(chi)技術 器件結(jie)構和系(xi)統的(de)優化設計

機械(xie)疊(die)加多芯(xin)片(pian)(pian)結(jie)(jie)一般是(shi)指(zhi)，將生(sheng)長在不(bu)同(tong)(tong)襯(chen)(chen)底(di)(di)(di)(di)上(shang)不(bu)同(tong)(tong)頻寬的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)池(chi)壓(ya)焊(han)到一起而形成所謂(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)多芯(xin)片(pian)(pian)結(jie)(jie)。如將Ge或GaAs襯(chen)(chen)底(di)(di)(di)(di)上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)頻寬較(jiao)(jiao)寬的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)GaInP/GaAs多結(jie)(jie)結(jie)(jie)構電(dian)(dian)池(chi)壓(ya)焊(han)到InP襯(chen)(chen)底(di)(di)(di)(di)上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)頻寬較(jiao)(jiao)窄的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)GaInAsP/GaInAs（1.05/0.75eV）串聯(lian)結(jie)(jie)構電(dian)(dian)池(chi)之上(shang)。也可采(cai)用光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)互連以及機械(xie)疊(die)加相結(jie)(jie)合的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)方法，如Delaware大學的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究團隊研(yan)制的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)超高(gao)效太陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)（VHESC），組合效率(lv)在20個太陽聚光(guang)(guang)(guang)條件下(xia)可達42.8%。這種超高(gao)效太陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)采(cai)用全新的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)橫(heng)向光(guang)(guang)(guang)學聚焦系統(tong)，使入射光(guang)(guang)(guang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)不(bu)同(tong)(tong)光(guang)(guang)(guang)譜波段被光(guang)(guang)(guang)學地分離(li)(li)和(he)(he)定(ding)向，然后(hou)被不(bu)同(tong)(tong)頻寬的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)太陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)所吸收（見圖4）。這種光(guang)(guang)(guang)學聚焦系統(tong)具有較(jiao)(jiao)寬的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)接收角度，從而不(bu)需(xu)要(yao)復雜的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)定(ding)位跟蹤系統(tong)。但是(shi)我們可以看出，機械(xie)疊(die)加類型的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)構設計在生(sheng)長工(gong)藝(yi)需(xu)要(yao)多種襯(chen)(chen)底(di)(di)(di)(di)，工(gong)藝(yi)中需(xu)要(yao)襯(chen)(chen)底(di)(di)(di)(di)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)剝(bo)離(li)(li)，在外延層上(shang)壓(ya)焊(han)芯(xin)片(pian)(pian)等，成本(ben)較(jiao)(jiao)高(gao)和(he)(he)而且器件品(pin)質很難保證。

高效多結太陽能電池技術 器件結構和系統的優化設計

發展前景廣闊

高(gao)(gao)(gao)效多結太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)技術(shu)的(de)(de)研究一直是太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能光伏技術(shu)中(zhong)的(de)(de)熱點之一，國(guo)外(wai)(wai)多家研究機(ji)構(gou)(gou)、公司等投(tou)入(ru)了大量(liang)的(de)(de)人力(li)物力(li)。我國(guo)在這方面的(de)(de)研究起步也較早，如電(dian)(dian)子18所、航太(tai)811所、中(zhong)科院半導體(ti)所等等。最近廈門三安(an)的(de)(de)GaAs/Ge多結太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)外(wai)(wai)延片關鍵技術(shu)研制及產業化項目(mu)宣稱，其研制的(de)(de)多結太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)光電(dian)(dian)轉換效率(lv)達(da)27%，遠高(gao)(gao)(gao)于19.5%的(de)(de)硅(gui)電(dian)(dian)池(chi)(chi)最高(gao)(gao)(gao)轉換效率(lv)。并具有(you)更強的(de)(de)抗輻照(zhao)能力(li)、更好的(de)(de)耐高(gao)(gao)(gao)性(xing)能，加上聚光技術(shu)的(de)(de)應用(yong)（降低(di)(di)成本），將是新(xin)一代高(gao)(gao)(gao)性(xing)能長壽命太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)最具發展潛力(li)的(de)(de)產品(pin)。但(dan)我們可以看出，相比國(guo)外(wai)(wai)來說，轉換效率(lv)相對較低(di)(di)，并且器件(jian)指標還有(you)一定(ding)差(cha)距。總之，從新(xin)材料開發、器件(jian)結構(gou)(gou)乃至整個系(xi)統設計(ji)方面，在高(gao)(gao)(gao)效多結太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能電(dian)(dian)池(chi)(chi)方面還有(you)很多工作值得進(jin)一步深入(ru)研究。