高效多結(jie)太(tai)陽能電池技術 器件結(jie)構(gou)和系統的優化設計(ji)

太(tai)(tai)陽能光伏技(ji)(ji)術經過近幾(ji)十年的(de)發展，已經在(zai)(zai)新能源領域(yu)確立(li)了(le)其重要地位。大(da)力(li)發展太(tai)(tai)陽能光伏發電(dian)已成為人類解決未來能源問題的(de)重要途徑(jing)。在(zai)(zai)產業界，當前太(tai)(tai)陽能技(ji)(ji)術的(de)重點(dian)仍是硅太(tai)(tai)陽能電(dian)池(chi)，包括多晶(jing)硅和非晶(jing)硅薄(bo)膜電(dian)池(chi)等。

由于(yu)多(duo)晶硅(gui)和非(fei)晶硅(gui)薄膜電(dian)(dian)池(chi)(chi)具有相(xiang)對較高(gao)(gao)的(de)轉換效(xiao)(xiao)率和相(xiang)對較低的(de)成(cheng)(cheng)本，逐漸(jian)成(cheng)(cheng)為(wei)市場的(de)主導(dao)產品。而其(qi)它種類的(de)薄膜電(dian)(dian)池(chi)(chi)由于(yu)技(ji)術不是很成(cheng)(cheng)熟，似乎很難(nan)在短期內替代硅(gui)系(xi)太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)。目前(qian)的(de)硅(gui)系(xi)太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)最高(gao)(gao)轉換效(xiao)(xiao)率只有20%左右(you)，要想再進一(yi)步提(ti)高(gao)(gao)已經非(fei)常(chang)困難(nan)。眾所周知，提(ti)高(gao)(gao)轉換效(xiao)(xiao)率和降低成(cheng)(cheng)本是太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)光伏技(ji)術中的(de)根本因素(su)。開展高(gao)(gao)效(xiao)(xiao)太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)技(ji)術研(yan)究(jiu)，開發新的(de)電(dian)(dian)池(chi)(chi)材料、電(dian)(dian)池(chi)(chi)結構，也(ye)一(yi)直是該領域的(de)熱點。在這其(qi)中，高(gao)(gao)效(xiao)(xiao)多(duo)結太陽(yang)(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)技(ji)術的(de)研(yan)究(jiu)尤為(wei)引人注目。

認識高效多結太陽能電池技術

一般所(suo)(suo)說的(de)高效多結(jie)太(tai)陽能電池(chi)(chi)是(shi)指(zhi)針對太(tai)陽光譜，在不同的(de)波段選取不同頻寬的(de)半(ban)導體材(cai)料(liao)做(zuo)成(cheng)多個太(tai)陽能子電池(chi)(chi)，最后(hou)將(jiang)這些子電池(chi)(chi)串(chuan)聯形成(cheng)多結(jie)太(tai)陽能電池(chi)(chi)。目前研(yan)究較多的(de)III-V族材(cai)料(liao)體系，如InGaP/GaAs/Ge三結(jie)電池(chi)(chi)，所(suo)(suo)報導的(de)轉換效率可達(da)42.8%左(zuo)右。也有選取II-VI族材(cai)料(liao)的(de)，但目前還處于(yu)研(yan)究階(jie)段。本文將(jiang)主要介紹InGaP/GaAs/Ge等III-V族材(cai)料(liao)體系。

圖1是一個(ge)典型(xing)的多結(jie)太陽(yang)能電(dian)池(chi)(chi)(chi)示意圖。其中(zhong)頂(ding)層(ceng)(ceng)的InGaP電(dian)池(chi)(chi)(chi)、中(zhong)層(ceng)(ceng)的GaAs電(dian)池(chi)(chi)(chi)和(he)(he)底(di)層(ceng)(ceng)的Ge電(dian)池(chi)(chi)(chi)帶(dai)隙分別(bie)為(wei)1.86eV、1.40eV和(he)(he)0.65eV。在頂(ding)層(ceng)(ceng)和(he)(he)中(zhong)層(ceng)(ceng)相鄰兩個(ge)電(dian)池(chi)(chi)(chi)間設(she)有寬帶(dai)隙的異質(zhi)結(jie)構(gou)隧道(dao)結(jie)，使得入射光能順利通過頂(ding)層(ceng)(ceng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)到達中(zhong)層(ceng)(ceng)的GaAs電(dian)池(chi)(chi)(chi)。同(tong)時(shi)提供高(gao)的結(jie)間勢壘(lei)，防止(zhi)兩層(ceng)(ceng)中(zhong)產生的少(shao)子擴散。

高效多結太陽能電池(chi)技(ji)術(shu) 器件結構和系統(tong)的優化設計

多結太陽能(neng)電池經(jing)過近十幾年(nian)的(de)發展，其在(zai)太空(kong)領域(yu)已經(jing)被廣泛應用(yong)，效(xiao)率紀錄也不斷被刷新。但由于(yu)成本等(deng)原因，很難(nan)得(de)以(yi)大(da)規模地面推廣。因此必須盡(jin)可能(neng)地提(ti)高其轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率，降低成本，才能(neng)顯出(chu)其優勢。

目(mu)前(qian)降低(di)成本主要采(cai)用聚光(guang)鏡技術，將太(tai)(tai)(tai)陽光(guang)通(tong)過(guo)透(tou)鏡收集起來(lai)，大(da)大(da)減小了(le)芯片(pian)的(de)(de)(de)(de)面(mian)積(ji)。日(ri)本夏(xia)普公司(si)2007年底公布了(le)1000倍聚光(guang)、轉換效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)高(gao)(gao)達40％的(de)(de)(de)(de)4.5mm2的(de)(de)(de)(de)InGaPAs系多結(jie)太(tai)(tai)(tai)陽能(neng)電池單元。2008年初，Delaware大(da)學(xue)的(de)(de)(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)(de)(de)研(yan)究團隊研(yan)制的(de)(de)(de)(de)超(chao)高(gao)(gao)效(xiao)(xiao)太(tai)(tai)(tai)陽能(neng)電池（VHESC），僅在20個太(tai)(tai)(tai)陽的(de)(de)(de)(de)聚光(guang)條(tiao)件下即可(ke)實現(xian)42.8%的(de)(de)(de)(de)組合效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)。2008年8月(yue)，美國(guo)能(neng)源部(bu)可(ke)再生能(neng)源實驗室（NREL）宣布，采(cai)用倒置贗形三結(jie)結(jie)構的(de)(de)(de)(de)太(tai)(tai)(tai)陽能(neng)電池在326個太(tai)(tai)(tai)陽的(de)(de)(de)(de)聚光(guang)條(tiao)件下，其(qi)光(guang)電轉化效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)可(ke)達40.8%，并宣稱這是迄今為止光(guang)伏技術中被證實的(de)(de)(de)(de)最高(gao)(gao)效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)。隨著效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)紀錄不(bu)斷(duan)被刷新，高(gao)(gao)效(xiao)(xiao)多結(jie)太(tai)(tai)(tai)陽能(neng)電池的(de)(de)(de)(de)研(yan)發也(ye)正進一步(bu)深入。

太陽能電池新材料的研發現狀

為了提(ti)高多(duo)(duo)結(jie)太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)的轉換效(xiao)率，研究者們(men)從新材料(liao)開發、器件(jian)結(jie)構(gou)乃(nai)至整個系統等方面(mian)對多(duo)(duo)結(jie)太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)進行(xing)了優(you)化。在新材料(liao)開發方面(mian)，主要有摻氮(dan)(dan)材料(liao)、量(liang)子點(dian)結(jie)構(gou)，以及(ji)In(Ga)N氮(dan)(dan)化物(wu)材料(liao)。

新型材(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)研(yan)發始終(zhong)是(shi)(shi)一個活躍的(de)領(ling)域，研(yan)究者們(men)首先想到的(de)是(shi)(shi)摻氮(dan)材(cai)(cai)料(liao)(liao)。因為(wei)從III-V族半導體能帶結(jie)構(gou)和(he)晶(jing)(jing)格常數關系圖(tu)中(zhong)可以看出，對(dui)于GaInNAs材(cai)(cai)料(liao)(liao)四元材(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)晶(jing)(jing)格和(he)GaAs匹(pi)配，頻寬為(wei)在1.05eV附近，若將其加到GaInP/GaAs/Ge三結(jie)結(jie)構(gou)上，產生的(de)四結(jie)電(dian)池（1.88/1.42/1.05/0.67eV），其頻寬更(geng)加接近理想值。在具有相同結(jie)數的(de)器件(jian)中(zhong)，效率可達(da)到最(zui)大。對(dui)于多結(jie)太陽(yang)能電(dian)池來(lai)說(shuo)，它(ta)似乎是(shi)(shi)實(shi)現高(gao)效率的(de)最(zui)理想的(de)方(fang)法。但是(shi)(shi)，復雜(za)的(de)四元材(cai)(cai)料(liao)(liao)體系在生長上很難(nan)保(bao)證材(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)品質，更(geng)無法保(bao)證材(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)重復性穩定性等(deng)問題(ti)。比如少數載流子擴散長度的(de)問題(ti)就阻礙了(le)GaInNAs材(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)進展。近十年來(lai)，GaInNAs在光伏(fu)方(fang)面(mian)的(de)應用(yong)正在逐漸減少。

其次，量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)結構也是(shi)新材(cai)料開(kai)發方(fang)面的(de)(de)(de)(de)熱點(dian)(dian)(dian)。主(zhu)要理(li)念是(shi)將量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)放在(zai)(zai)(zai)(zai)p-n結的(de)(de)(de)(de)耗盡區內，在(zai)(zai)(zai)(zai)光(guang)生(sheng)載流(liu)子(zi)(zi)(zi)(zi)復(fu)合之(zhi)前被集(ji)中起來。這其實是(shi)一種(zhong)使(shi)用(yong)中間(jian)帶的(de)(de)(de)(de)方(fang)法，通過提高(gao)量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)效(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)來獲(huo)得高(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)。很容易看出(chu)，必須有足(zu)夠多的(de)(de)(de)(de)高(gao)品質量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)作為(wei)(wei)(wei)吸(xi)收層(ceng)(ceng)(ceng)才能實現(xian)提高(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)的(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)，這就在(zai)(zai)(zai)(zai)量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)材(cai)料生(sheng)長(chang)方(fang)面提出(chu)了(le)很高(gao)的(de)(de)(de)(de)要求。例如，日本筑波大學的(de)(de)(de)(de)研究者利(li)用(yong)量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)單元的(de)(de)(de)(de)光(guang)電(dian)轉換(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)可達(da)到8.54％。其量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)型太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)是(shi)在(zai)(zai)(zai)(zai)p-n結之(zhi)間(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)疊(die)多個量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)，在(zai)(zai)(zai)(zai)1cm2的(de)(de)(de)(de)GaAs襯底(di)上(shang)(shang)交替疊(die)加(jia)了(le)30層(ceng)(ceng)(ceng)GaNAs和30層(ceng)(ceng)(ceng)InAs的(de)(de)(de)(de)超(chao)晶格結構（見圖2）。在(zai)(zai)(zai)(zai)GaNAs上(shang)(shang)生(sheng)長(chang)InAs時(shi)，自(zi)組織生(sheng)成(cheng)高(gao)為(wei)(wei)(wei)3～4nm、直徑為(wei)(wei)(wei)20～30nm的(de)(de)(de)(de)量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)。同時(shi)，超(chao)晶格結構導(dao)致量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)之(zhi)間(jian)產生(sheng)結合后，在(zai)(zai)(zai)(zai)傳導(dao)帶上(shang)(shang)形成(cheng)微(wei)帶，使(shi)各(ge)種(zhong)波長(chang)的(de)(de)(de)(de)光(guang)吸(xi)收成(cheng)為(wei)(wei)(wei)可能。多個早期研究量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)研究組目前正對量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)在(zai)(zai)(zai)(zai)太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)中的(de)(de)(de)(de)應用(yong)進行深入研究，如英國格拉(la)斯哥(ge)大學、日本東京大學等(deng)。量(liang)(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)型太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)理(li)論轉換(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)(lv)可達(da)60％以上(shang)(shang)，是(shi)頗受矚(zhu)目的(de)(de)(de)(de)高(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)候選者之(zhi)一。

高效多結太陽能電(dian)池技術 器件結構和系統的優(you)化設計

InN和InGaN的(de)全氮化(hua)物(wu)太(tai)陽能電池(chi)是一種(zhong)非常吸引人的(de)高效電池(chi)，理論上它可以(yi)連(lian)續(xu)復(fu)蓋0.7到2.4eV光(guang)譜。南京大學(xue)的(de)研(yan)究(jiu)者們(men)通過計算得出，在(zai)理想情況下，InGaN材(cai)料(liao)應用(yong)于單結、雙(shuang)結和三結太(tai)陽電池(chi)時，其轉換效率可分別高達27.3%、36.6%和41.3%。但是，氮化(hua)物(wu)本身也(ye)存在(zai)很多問題，如襯底材(cai)料(liao)選擇、材(cai)料(liao)品質控制、p型材(cai)料(liao)的(de)摻雜、隧道二(er)極管的(de)問題等，因此(ci)目前的(de)研(yan)究(jiu)還處于開發(fa)基礎材(cai)料(liao)和器件的(de)階段。

器件結構和系統的優化設計

器件(jian)(jian)結(jie)(jie)(jie)構和系統的優化(hua)設計也是(shi)提高(gao)多結(jie)(jie)(jie)太陽(yang)能電池效率(lv)的重要(yao)方法。器件(jian)(jian)結(jie)(jie)(jie)構及系統改進(jin)方面主要(yao)包括贗形層結(jie)(jie)(jie)構、機械疊(die)加結(jie)(jie)(jie)結(jie)(jie)(jie)構等等。

贗形層(ceng)結(jie)構(gou)是(shi)指在(zai)已有的(de)GaInP/GaAs/Ge三結(jie)電池上(shang)增加一(yi)個晶格(ge)失配層(ceng)（贗形層(ceng)），其實(shi)這是(shi)結(jie)合材料(liao)生長與器(qi)件結(jie)構(gou)優化的(de)一(yi)種方法。

一(yi)般多(duo)結(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)外延(yan)層(ceng)是晶(jing)格失配(pei)生(sheng)長(chang)(chang)，會產生(sheng)很多(duo)位錯(cuo)，減少(shao)了(le)少(shao)子擴散長(chang)(chang)度，降低了(le)器(qi)(qi)件性(xing)能。在(zai)贗形層(ceng)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)多(duo)結(jie)(jie)(jie)太陽能電(dian)(dian)池(chi)中(zhong)，使(shi)用(yong)組分漸變(bian)方(fang)(fang)(fang)法在(zai)GaInP/GaAs雙結(jie)(jie)(jie)上生(sheng)長(chang)(chang)InGaAs結(jie)(jie)(jie)，使(shi)得(de)所有位錯(cuo)都局限在(zai)低頻(pin)寬的(de)(de)(de)(de)InGaAs結(jie)(jie)(jie)中(zhong)。其實贗形層(ceng)方(fang)(fang)(fang)法在(zai)GaAs基(ji)(ji)HEMT的(de)(de)(de)(de)開發(fa)(fa)中(zhong)廣(guang)泛(fan)應用(yong)，近幾年在(zai)GaAs基(ji)(ji)長(chang)(chang)波長(chang)(chang)雷射(she)器(qi)(qi)中(zhong)也(ye)有應用(yong)。值得(de)一(yi)提的(de)(de)(de)(de)是，倒(dao)置(zhi)的(de)(de)(de)(de)贗形層(ceng)多(duo)結(jie)(jie)(jie)太陽能電(dian)(dian)池(chi)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)（IMM）是EMCORE公司的(de)(de)(de)(de)專(zhuan)利技(ji)術（見(jian)圖(tu)3），它采(cai)用(yong)倒(dao)置(zhi)的(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)(fang)法生(sheng)長(chang)(chang)和Ge或GaAs襯(chen)底(di)匹配(pei)的(de)(de)(de)(de)GaInP和GaAs結(jie)(jie)(jie)，InGaP首先被淀積(ji)在(zai)基(ji)(ji)于Ge襯(chen)底(di)的(de)(de)(de)(de)子電(dian)(dian)池(chi)上面。這種設計保持了(le)GaInP/GaAs結(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)品質，它對整個器(qi)(qi)件總的(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)電(dian)(dian)能力具(ju)有決定性(xing)的(de)(de)(de)(de)作用(yong)。倒(dao)置(zhi)贗性(xing)三結(jie)(jie)(jie)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)據稱(cheng)可(ke)與多(duo)項其它工藝(yi)相容(rong)，如(ru)柔性(xing)襯(chen)底(di)。因為Ge襯(chen)底(di)能夠被去除，從(cong)而器(qi)(qi)件可(ke)以安(an)裝在(zai)如(ru)聚醯亞(ya)胺(an)膠帶等柔性(xing)襯(chen)底(di)上。

高效多結太(tai)陽能(neng)電池(chi)技術 器(qi)件結構和系統的優化(hua)設計

機(ji)械疊(die)加多(duo)芯(xin)片(pian)結一般是指，將(jiang)生長(chang)在(zai)不(bu)同(tong)襯(chen)底上(shang)不(bu)同(tong)頻寬的(de)(de)(de)電池(chi)(chi)壓焊到一起(qi)而形成所謂的(de)(de)(de)多(duo)芯(xin)片(pian)結。如將(jiang)Ge或(huo)GaAs襯(chen)底上(shang)的(de)(de)(de)頻寬較(jiao)寬的(de)(de)(de)GaInP/GaAs多(duo)結結構(gou)電池(chi)(chi)壓焊到InP襯(chen)底上(shang)的(de)(de)(de)頻寬較(jiao)窄的(de)(de)(de)GaInAsP/GaInAs（1.05/0.75eV）串(chuan)聯結構(gou)電池(chi)(chi)之上(shang)。也可(ke)采(cai)用光(guang)(guang)電互連以(yi)(yi)及機(ji)械疊(die)加相結合的(de)(de)(de)方法，如Delaware大學(xue)的(de)(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)(de)研究團隊研制(zhi)的(de)(de)(de)超(chao)高(gao)(gao)(gao)效太(tai)陽能(neng)電池(chi)(chi)（VHESC），組(zu)合效率(lv)在(zai)20個太(tai)陽聚(ju)光(guang)(guang)條(tiao)件(jian)下可(ke)達(da)42.8%。這(zhe)種超(chao)高(gao)(gao)(gao)效太(tai)陽能(neng)電池(chi)(chi)采(cai)用全新的(de)(de)(de)橫向光(guang)(guang)學(xue)聚(ju)焦系(xi)統，使入射光(guang)(guang)的(de)(de)(de)不(bu)同(tong)光(guang)(guang)譜波(bo)段(duan)被光(guang)(guang)學(xue)地分離(li)和(he)定向，然后被不(bu)同(tong)頻寬的(de)(de)(de)太(tai)陽能(neng)電池(chi)(chi)所吸收（見圖(tu)4）。這(zhe)種光(guang)(guang)學(xue)聚(ju)焦系(xi)統具有較(jiao)寬的(de)(de)(de)接(jie)收角度，從而不(bu)需要(yao)復雜的(de)(de)(de)定位跟(gen)蹤系(xi)統。但是我們可(ke)以(yi)(yi)看出，機(ji)械疊(die)加類型(xing)的(de)(de)(de)結構(gou)設計在(zai)生長(chang)工藝(yi)需要(yao)多(duo)種襯(chen)底，工藝(yi)中需要(yao)襯(chen)底的(de)(de)(de)剝離(li)，在(zai)外延(yan)層上(shang)壓焊芯(xin)片(pian)等，成本較(jiao)高(gao)(gao)(gao)和(he)而且器件(jian)品質很(hen)難保(bao)證(zheng)。

高(gao)效多結太(tai)陽(yang)能電池技(ji)術 器件結構和系(xi)統的優化設計

發展前景廣闊

高(gao)(gao)效多(duo)(duo)結(jie)太(tai)(tai)(tai)陽(yang)能(neng)(neng)(neng)電池技(ji)(ji)(ji)術(shu)的(de)(de)(de)研(yan)究一(yi)(yi)直是太(tai)(tai)(tai)陽(yang)能(neng)(neng)(neng)光(guang)(guang)伏技(ji)(ji)(ji)術(shu)中的(de)(de)(de)熱點之一(yi)(yi)，國(guo)(guo)外(wai)多(duo)(duo)家(jia)研(yan)究機構、公司等(deng)投(tou)入(ru)(ru)了大量的(de)(de)(de)人力物力。我(wo)國(guo)(guo)在(zai)這方面的(de)(de)(de)研(yan)究起步(bu)也較早(zao)，如電子(zi)18所(suo)、航太(tai)(tai)(tai)811所(suo)、中科院(yuan)半(ban)導(dao)體(ti)所(suo)等(deng)等(deng)。最近廈門三(san)安的(de)(de)(de)GaAs/Ge多(duo)(duo)結(jie)太(tai)(tai)(tai)陽(yang)能(neng)(neng)(neng)電池外(wai)延片關(guan)鍵(jian)技(ji)(ji)(ji)術(shu)研(yan)制及(ji)產業化項(xiang)目宣稱，其研(yan)制的(de)(de)(de)多(duo)(duo)結(jie)太(tai)(tai)(tai)陽(yang)能(neng)(neng)(neng)電池光(guang)(guang)電轉換(huan)效率(lv)達27%，遠高(gao)(gao)于19.5%的(de)(de)(de)硅(gui)電池最高(gao)(gao)轉換(huan)效率(lv)。并具(ju)有更強的(de)(de)(de)抗輻(fu)照能(neng)(neng)(neng)力、更好的(de)(de)(de)耐高(gao)(gao)性(xing)能(neng)(neng)(neng)，加上聚光(guang)(guang)技(ji)(ji)(ji)術(shu)的(de)(de)(de)應用(yong)（降低成本），將(jiang)是新一(yi)(yi)代高(gao)(gao)性(xing)能(neng)(neng)(neng)長(chang)壽命(ming)太(tai)(tai)(tai)陽(yang)能(neng)(neng)(neng)電池最具(ju)發展(zhan)潛力的(de)(de)(de)產品(pin)。但我(wo)們(men)可以看出，相比國(guo)(guo)外(wai)來說，轉換(huan)效率(lv)相對較低，并且器件(jian)指標還有一(yi)(yi)定差距。總之，從新材料開(kai)發、器件(jian)結(jie)構乃至整個系統設計方面，在(zai)高(gao)(gao)效多(duo)(duo)結(jie)太(tai)(tai)(tai)陽(yang)能(neng)(neng)(neng)電池方面還有很多(duo)(duo)工作值得(de)進一(yi)(yi)步(bu)深(shen)入(ru)(ru)研(yan)究。