高效多結(jie)太(tai)陽能電池技術(shu) 器件結(jie)構和系統的優化設(she)計

太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)光伏技(ji)術(shu)經過近(jin)幾十年的(de)發(fa)(fa)展，已(yi)經在(zai)新(xin)能(neng)(neng)源領域確立了其重(zhong)要地(di)位。大力發(fa)(fa)展太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)光伏發(fa)(fa)電(dian)已(yi)成為人類(lei)解決未來能(neng)(neng)源問題的(de)重(zhong)要途(tu)徑。在(zai)產業界，當前太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)技(ji)術(shu)的(de)重(zhong)點仍是硅(gui)(gui)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池，包括多晶硅(gui)(gui)和非晶硅(gui)(gui)薄膜電(dian)池等。

由于多晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)和(he)非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)薄(bo)膜(mo)電(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)具有(you)相對(dui)較(jiao)高(gao)的(de)(de)(de)轉換效(xiao)率和(he)相對(dui)較(jiao)低(di)的(de)(de)(de)成(cheng)(cheng)本(ben)(ben)，逐漸成(cheng)(cheng)為市場的(de)(de)(de)主導產品。而其它種類(lei)的(de)(de)(de)薄(bo)膜(mo)電(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)由于技(ji)術(shu)不是很成(cheng)(cheng)熟，似乎很難在(zai)短期內替代硅(gui)(gui)(gui)系太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)。目前的(de)(de)(de)硅(gui)(gui)(gui)系太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)最高(gao)轉換效(xiao)率只有(you)20%左右(you)，要想再進一(yi)(yi)步(bu)提(ti)高(gao)已經非(fei)常(chang)困難。眾所周知(zhi)，提(ti)高(gao)轉換效(xiao)率和(he)降低(di)成(cheng)(cheng)本(ben)(ben)是太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)光伏技(ji)術(shu)中的(de)(de)(de)根本(ben)(ben)因素(su)。開展高(gao)效(xiao)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)技(ji)術(shu)研究(jiu)，開發(fa)新的(de)(de)(de)電(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)材(cai)料、電(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)結構(gou)，也一(yi)(yi)直是該(gai)領域的(de)(de)(de)熱點。在(zai)這其中，高(gao)效(xiao)多結太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)技(ji)術(shu)的(de)(de)(de)研究(jiu)尤為引人注目。

認識高效多結太陽能電池技術

一(yi)般(ban)所說的高效(xiao)多結(jie)(jie)太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)是指針對太(tai)陽(yang)光譜，在不同的波(bo)段選取不同頻寬的半導體(ti)材料(liao)做成(cheng)多個太(tai)陽(yang)能子電(dian)(dian)池(chi)，最后將這些子電(dian)(dian)池(chi)串聯(lian)形成(cheng)多結(jie)(jie)太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)。目前研(yan)究較多的III-V族(zu)(zu)材料(liao)體(ti)系(xi)，如InGaP/GaAs/Ge三(san)結(jie)(jie)電(dian)(dian)池(chi)，所報(bao)導的轉換效(xiao)率可達(da)42.8%左右。也有選取II-VI族(zu)(zu)材料(liao)的，但目前還處(chu)于(yu)研(yan)究階(jie)段。本(ben)文將主要介紹InGaP/GaAs/Ge等III-V族(zu)(zu)材料(liao)體(ti)系(xi)。

圖1是(shi)一個(ge)典型的多結太陽能(neng)(neng)電池(chi)示意(yi)圖。其中(zhong)頂(ding)(ding)層(ceng)的InGaP電池(chi)、中(zhong)層(ceng)的GaAs電池(chi)和底層(ceng)的Ge電池(chi)帶隙分別為(wei)1.86eV、1.40eV和0.65eV。在(zai)頂(ding)(ding)層(ceng)和中(zhong)層(ceng)相鄰兩個(ge)電池(chi)間設有寬帶隙的異質結構隧道結，使(shi)得入射光(guang)能(neng)(neng)順(shun)利通過頂(ding)(ding)層(ceng)電池(chi)到達(da)中(zhong)層(ceng)的GaAs電池(chi)。同時提供高的結間勢(shi)壘，防止(zhi)兩層(ceng)中(zhong)產生的少子擴(kuo)散(san)。

高效多(duo)結太陽能電池技術 器件(jian)結構和系統的優化設計

多(duo)結(jie)太陽能電(dian)池經過(guo)近十幾年的發展，其在(zai)太空領域已經被廣泛應用，效(xiao)(xiao)率(lv)紀錄也不斷被刷新(xin)。但由于成本等原(yuan)因，很(hen)難(nan)得(de)以大規模地(di)(di)面推廣。因此(ci)必須(xu)盡(jin)可(ke)能地(di)(di)提高其轉換效(xiao)(xiao)率(lv)，降(jiang)低成本，才能顯出其優勢。

目前降(jiang)低(di)成本主要采(cai)用聚(ju)光(guang)(guang)(guang)鏡(jing)技術(shu)，將(jiang)太(tai)陽(yang)光(guang)(guang)(guang)通過透鏡(jing)收集起來(lai)，大大減(jian)小了(le)芯片的(de)(de)面(mian)積(ji)。日本夏普公司(si)2007年(nian)底(di)公布了(le)1000倍聚(ju)光(guang)(guang)(guang)、轉換效(xiao)率(lv)高達(da)(da)40％的(de)(de)4.5mm2的(de)(de)InGaPAs系多(duo)結(jie)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)(chi)單元。2008年(nian)初，Delaware大學的(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)研(yan)(yan)究(jiu)團隊研(yan)(yan)制(zhi)的(de)(de)超高效(xiao)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)(chi)（VHESC），僅在20個太(tai)陽(yang)的(de)(de)聚(ju)光(guang)(guang)(guang)條件下即(ji)可(ke)(ke)實現42.8%的(de)(de)組合效(xiao)率(lv)。2008年(nian)8月，美國(guo)能源部可(ke)(ke)再生能源實驗室（NREL）宣(xuan)(xuan)布，采(cai)用倒(dao)置贗(yan)形三結(jie)結(jie)構的(de)(de)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)(chi)在326個太(tai)陽(yang)的(de)(de)聚(ju)光(guang)(guang)(guang)條件下，其光(guang)(guang)(guang)電(dian)轉化效(xiao)率(lv)可(ke)(ke)達(da)(da)40.8%，并宣(xuan)(xuan)稱這是迄今為止光(guang)(guang)(guang)伏(fu)技術(shu)中(zhong)被證實的(de)(de)最高效(xiao)率(lv)。隨著效(xiao)率(lv)紀錄不斷被刷新，高效(xiao)多(duo)結(jie)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)研(yan)(yan)發也正進(jin)一步(bu)深(shen)入。

太陽能電池新材料的研發現狀

為了(le)提高多結(jie)(jie)太陽能電(dian)池(chi)的轉換效率，研究(jiu)者們從新(xin)材(cai)料(liao)開(kai)發(fa)、器(qi)件結(jie)(jie)構(gou)乃至整個系統(tong)等方面對多結(jie)(jie)太陽能電(dian)池(chi)進(jin)行了(le)優化。在新(xin)材(cai)料(liao)開(kai)發(fa)方面，主要有摻氮材(cai)料(liao)、量子點結(jie)(jie)構(gou)，以及In(Ga)N氮化物材(cai)料(liao)。

新型材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)研發始終是一個活躍的(de)(de)(de)領(ling)域，研究者們首先想(xiang)到的(de)(de)(de)是摻氮(dan)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)。因為從(cong)III-V族半導體(ti)能(neng)帶結(jie)(jie)構和晶(jing)(jing)格(ge)常數(shu)關系圖中可(ke)以看出，對(dui)于GaInNAs材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)四(si)元(yuan)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)格(ge)和GaAs匹(pi)配，頻(pin)寬為在1.05eV附近(jin)，若將其加(jia)到GaInP/GaAs/Ge三結(jie)(jie)結(jie)(jie)構上，產(chan)生的(de)(de)(de)四(si)結(jie)(jie)電(dian)池（1.88/1.42/1.05/0.67eV），其頻(pin)寬更加(jia)接近(jin)理想(xiang)值。在具有相同結(jie)(jie)數(shu)的(de)(de)(de)器件中，效率可(ke)達到最(zui)大。對(dui)于多結(jie)(jie)太陽(yang)能(neng)電(dian)池來說，它(ta)似乎是實現高效率的(de)(de)(de)最(zui)理想(xiang)的(de)(de)(de)方(fang)法。但是，復雜(za)的(de)(de)(de)四(si)元(yuan)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)體(ti)系在生長上很難(nan)保證(zheng)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)品質，更無法保證(zheng)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)重復性(xing)穩(wen)定性(xing)等問(wen)題。比如少數(shu)載流(liu)子擴散長度的(de)(de)(de)問(wen)題就阻礙了GaInNAs材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)進(jin)展。近(jin)十年來，GaInNAs在光伏方(fang)面的(de)(de)(de)應用正(zheng)在逐漸減少。

其次(ci)，量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)結(jie)(jie)(jie)構也是新材料開(kai)發方(fang)面的熱點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)。主要理念是將(jiang)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)層放在(zai)(zai)p-n結(jie)(jie)(jie)的耗盡(jin)區內，在(zai)(zai)光(guang)生載(zai)流(liu)子(zi)(zi)(zi)(zi)復合(he)之(zhi)前(qian)被(bei)集中(zhong)(zhong)起(qi)來(lai)。這其實是一種使(shi)用中(zhong)(zhong)間(jian)帶的方(fang)法，通過提(ti)高(gao)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)效率(lv)(lv)(lv)來(lai)獲得高(gao)效率(lv)(lv)(lv)。很(hen)容易看出，必(bi)須有足(zu)夠多(duo)的高(gao)品質量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)作(zuo)為(wei)吸收(shou)層才(cai)能(neng)(neng)實現提(ti)高(gao)效率(lv)(lv)(lv)的目(mu)的，這就在(zai)(zai)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)材料生長方(fang)面提(ti)出了(le)很(hen)高(gao)的要求。例如，日本筑波大(da)學的研(yan)究(jiu)者利用量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)的太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電池(chi)單元的光(guang)電轉換效率(lv)(lv)(lv)可(ke)達到8.54％。其量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)型太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電池(chi)是在(zai)(zai)p-n結(jie)(jie)(jie)之(zhi)間(jian)層疊多(duo)個量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)層，在(zai)(zai)1cm2的GaAs襯底上(shang)交(jiao)替疊加了(le)30層GaNAs和30層InAs的超晶格(ge)結(jie)(jie)(jie)構（見圖2）。在(zai)(zai)GaNAs上(shang)生長InAs時，自組織生成高(gao)為(wei)3～4nm、直徑為(wei)20～30nm的量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)。同時，超晶格(ge)結(jie)(jie)(jie)構導致(zhi)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)之(zhi)間(jian)產生結(jie)(jie)(jie)合(he)后，在(zai)(zai)傳導帶上(shang)形成微帶，使(shi)各種波長的光(guang)吸收(shou)成為(wei)可(ke)能(neng)(neng)。多(duo)個早期(qi)研(yan)究(jiu)量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)的研(yan)究(jiu)組目(mu)前(qian)正對量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)在(zai)(zai)太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電池(chi)中(zhong)(zhong)的應用進行深入研(yan)究(jiu)，如英(ying)國(guo)格(ge)拉斯哥大(da)學、日本東京(jing)大(da)學等。量(liang)(liang)(liang)子(zi)(zi)(zi)(zi)點(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)型太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電池(chi)的理論轉換效率(lv)(lv)(lv)可(ke)達60％以上(shang)，是頗受矚目(mu)的高(gao)效太(tai)(tai)陽能(neng)(neng)電池(chi)的候(hou)選者之(zhi)一。

高(gao)效多(duo)結(jie)太陽能電(dian)池技術 器件結(jie)構和系統的優(you)化設計

InN和(he)(he)InGaN的(de)(de)全氮化(hua)物(wu)太(tai)陽能電(dian)(dian)(dian)池(chi)是一種非(fei)常吸引(yin)人的(de)(de)高效電(dian)(dian)(dian)池(chi)，理論上它可以連續復蓋0.7到2.4eV光譜(pu)。南京(jing)大學的(de)(de)研(yan)究者(zhe)們通過計(ji)算得出，在(zai)理想情況下，InGaN材(cai)(cai)(cai)料(liao)應用于單(dan)結、雙結和(he)(he)三(san)結太(tai)陽電(dian)(dian)(dian)池(chi)時，其轉(zhuan)換效率(lv)可分別高達27.3%、36.6%和(he)(he)41.3%。但是，氮化(hua)物(wu)本身(shen)也(ye)存在(zai)很多(duo)問題，如襯底材(cai)(cai)(cai)料(liao)選擇、材(cai)(cai)(cai)料(liao)品質控制(zhi)、p型材(cai)(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)摻雜、隧道二極管的(de)(de)問題等(deng)，因(yin)此目前(qian)的(de)(de)研(yan)究還處于開發(fa)基礎材(cai)(cai)(cai)料(liao)和(he)(he)器件的(de)(de)階段。

器件結構和系統的優化設計

器(qi)件結(jie)構(gou)和(he)系(xi)統的優化設計也是提(ti)高多結(jie)太陽能電(dian)池效率的重要(yao)方法(fa)。器(qi)件結(jie)構(gou)及(ji)系(xi)統改進方面主(zhu)要(yao)包(bao)括(kuo)贗形層(ceng)結(jie)構(gou)、機械疊加結(jie)結(jie)構(gou)等等。

贗(yan)形層結(jie)構(gou)是(shi)指在(zai)已有的GaInP/GaAs/Ge三(san)結(jie)電池上(shang)增加(jia)一個晶格失配層（贗(yan)形層），其實這(zhe)是(shi)結(jie)合(he)材料生長與器件結(jie)構(gou)優化的一種方法。

一(yi)般多結(jie)(jie)電池的外延層是晶格失(shi)配生(sheng)長，會產生(sheng)很多位錯，減(jian)少(shao)了(le)(le)少(shao)子(zi)擴散(san)長度，降低(di)了(le)(le)器件性(xing)能(neng)。在(zai)贗(yan)形(xing)層結(jie)(jie)構(gou)多結(jie)(jie)太(tai)陽能(neng)電池中，使用(yong)組分漸變方(fang)法(fa)在(zai)GaInP/GaAs雙結(jie)(jie)上生(sheng)長InGaAs結(jie)(jie)，使得所有位錯都局限(xian)在(zai)低(di)頻寬的InGaAs結(jie)(jie)中。其實贗(yan)形(xing)層方(fang)法(fa)在(zai)GaAs基HEMT的開(kai)發(fa)中廣(guang)泛應用(yong)，近幾年(nian)在(zai)GaAs基長波長雷射器中也(ye)有應用(yong)。值得一(yi)提的是，倒(dao)置的贗(yan)形(xing)層多結(jie)(jie)太(tai)陽能(neng)電池結(jie)(jie)構(gou)（IMM）是EMCORE公司的專(zhuan)利(li)技(ji)術（見圖3），它采用(yong)倒(dao)置的方(fang)法(fa)生(sheng)長和Ge或GaAs襯底(di)匹配的GaInP和GaAs結(jie)(jie)，InGaP首先被(bei)(bei)淀積在(zai)基于Ge襯底(di)的子(zi)電池上面。這(zhe)種設計保持了(le)(le)GaInP/GaAs結(jie)(jie)的品質(zhi)，它對(dui)整個(ge)器件總的發(fa)電能(neng)力具有決(jue)定性(xing)的作用(yong)。倒(dao)置贗(yan)性(xing)三結(jie)(jie)結(jie)(jie)構(gou)據稱(cheng)可與(yu)多項其它工藝相容(rong)，如柔性(xing)襯底(di)。因為Ge襯底(di)能(neng)夠被(bei)(bei)去(qu)除(chu)，從而器件可以安(an)裝在(zai)如聚醯亞胺膠帶等柔性(xing)襯底(di)上。

高效多結太(tai)陽(yang)能電池技術(shu) 器件結構和(he)系(xi)統(tong)的(de)優化設計

機(ji)械疊(die)加多(duo)芯(xin)片結(jie)(jie)一般是指，將生長在(zai)不(bu)同(tong)襯底上(shang)不(bu)同(tong)頻(pin)寬(kuan)的(de)(de)(de)(de)電(dian)池壓(ya)焊到(dao)一起而形成所謂的(de)(de)(de)(de)多(duo)芯(xin)片結(jie)(jie)。如(ru)將Ge或(huo)GaAs襯底上(shang)的(de)(de)(de)(de)頻(pin)寬(kuan)較(jiao)寬(kuan)的(de)(de)(de)(de)GaInP/GaAs多(duo)結(jie)(jie)結(jie)(jie)構(gou)電(dian)池壓(ya)焊到(dao)InP襯底上(shang)的(de)(de)(de)(de)頻(pin)寬(kuan)較(jiao)窄的(de)(de)(de)(de)GaInAsP/GaInAs（1.05/0.75eV）串聯(lian)結(jie)(jie)構(gou)電(dian)池之上(shang)。也可采(cai)用(yong)光電(dian)互(hu)連以及(ji)機(ji)械疊(die)加相結(jie)(jie)合的(de)(de)(de)(de)方法，如(ru)Delaware大學(xue)的(de)(de)(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)(de)(de)研究團(tuan)隊研制(zhi)的(de)(de)(de)(de)超高(gao)(gao)效太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池（VHESC），組(zu)合效率在(zai)20個太(tai)陽(yang)(yang)聚光條件下可達(da)42.8%。這(zhe)種超高(gao)(gao)效太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池采(cai)用(yong)全新(xin)的(de)(de)(de)(de)橫(heng)向(xiang)光學(xue)聚焦(jiao)(jiao)系(xi)統(tong)(tong)(tong)，使(shi)入(ru)射光的(de)(de)(de)(de)不(bu)同(tong)光譜波段被光學(xue)地分(fen)離和定向(xiang)，然后被不(bu)同(tong)頻(pin)寬(kuan)的(de)(de)(de)(de)太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池所吸收（見圖4）。這(zhe)種光學(xue)聚焦(jiao)(jiao)系(xi)統(tong)(tong)(tong)具有較(jiao)寬(kuan)的(de)(de)(de)(de)接收角(jiao)度(du)，從而不(bu)需(xu)要復(fu)雜的(de)(de)(de)(de)定位(wei)跟蹤系(xi)統(tong)(tong)(tong)。但是我(wo)們可以看出(chu)，機(ji)械疊(die)加類型(xing)的(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)構(gou)設計在(zai)生長工藝需(xu)要多(duo)種襯底，工藝中需(xu)要襯底的(de)(de)(de)(de)剝(bo)離，在(zai)外延層上(shang)壓(ya)焊芯(xin)片等，成本(ben)較(jiao)高(gao)(gao)和而且器件品質(zhi)很難保證。

高效多(duo)結(jie)太陽能電池技術 器件結(jie)構和(he)系統(tong)的(de)優化設計

發展前景廣闊

高(gao)效(xiao)(xiao)多(duo)(duo)結太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)池(chi)技(ji)術的(de)(de)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)一直(zhi)是太(tai)陽能(neng)(neng)光伏(fu)技(ji)術中(zhong)(zhong)的(de)(de)熱(re)點之一，國外(wai)多(duo)(duo)家研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)機構、公司等(deng)投(tou)入(ru)了大(da)量的(de)(de)人(ren)力(li)(li)物力(li)(li)。我國在(zai)這方(fang)面(mian)的(de)(de)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)起(qi)步也較早，如電(dian)子18所、航(hang)太(tai)811所、中(zhong)(zhong)科院半導體所等(deng)等(deng)。最近廈門三安(an)的(de)(de)GaAs/Ge多(duo)(duo)結太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)池(chi)外(wai)延片關鍵技(ji)術研(yan)(yan)制及產(chan)業化項目宣(xuan)稱，其研(yan)(yan)制的(de)(de)多(duo)(duo)結太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)池(chi)光電(dian)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)達(da)27%，遠高(gao)于19.5%的(de)(de)硅電(dian)池(chi)最高(gao)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)。并具有更強的(de)(de)抗輻照能(neng)(neng)力(li)(li)、更好(hao)的(de)(de)耐高(gao)性能(neng)(neng)，加上聚光技(ji)術的(de)(de)應用（降低成本），將是新一代高(gao)性能(neng)(neng)長壽命太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)池(chi)最具發(fa)展潛(qian)力(li)(li)的(de)(de)產(chan)品。但我們可以看出，相(xiang)比(bi)國外(wai)來說，轉(zhuan)換(huan)效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)相(xiang)對較低，并且(qie)器(qi)(qi)件指標還有一定(ding)差距(ju)。總之，從(cong)新材料開發(fa)、器(qi)(qi)件結構乃至整個(ge)系(xi)統設計方(fang)面(mian)，在(zai)高(gao)效(xiao)(xiao)多(duo)(duo)結太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)池(chi)方(fang)面(mian)還有很多(duo)(duo)工作值(zhi)得進(jin)一步深入(ru)研(yan)(yan)究(jiu)(jiu)。