高效多結太陽(yang)能電池技術 器件(jian)結構和(he)系(xi)統的優化設計(ji)

太(tai)陽(yang)能光(guang)伏技術經(jing)過近幾十(shi)年的(de)發(fa)展，已(yi)經(jing)在(zai)新能源領域確(que)立了其重要(yao)地位。大力(li)發(fa)展太(tai)陽(yang)能光(guang)伏發(fa)電(dian)已(yi)成為人類解(jie)決(jue)未來能源問題的(de)重要(yao)途(tu)徑(jing)。在(zai)產業界，當前太(tai)陽(yang)能技術的(de)重點仍(reng)是硅(gui)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)，包括多晶硅(gui)和非晶硅(gui)薄膜電(dian)池(chi)等。

由于(yu)多(duo)晶(jing)硅(gui)和(he)非(fei)晶(jing)硅(gui)薄膜電(dian)(dian)(dian)池具有相對較(jiao)高的(de)(de)轉換效率和(he)相對較(jiao)低的(de)(de)成本，逐漸成為(wei)市(shi)場的(de)(de)主(zhu)導產品。而(er)其它(ta)種類的(de)(de)薄膜電(dian)(dian)(dian)池由于(yu)技(ji)術(shu)不是(shi)很成熟(shu)，似乎很難在短期內替代硅(gui)系太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)(dian)池。目前的(de)(de)硅(gui)系太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)(dian)池最高轉換效率只有20%左右，要想再進一步提(ti)高已經非(fei)常(chang)困難。眾所(suo)周(zhou)知，提(ti)高轉換效率和(he)降低成本是(shi)太(tai)陽(yang)(yang)能光伏技(ji)術(shu)中的(de)(de)根本因素。開(kai)展高效太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)(dian)池技(ji)術(shu)研究(jiu)，開(kai)發新的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)池材料、電(dian)(dian)(dian)池結構(gou)，也一直是(shi)該領(ling)域的(de)(de)熱點。在這其中，高效多(duo)結太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)(dian)池技(ji)術(shu)的(de)(de)研究(jiu)尤為(wei)引(yin)人注目。

認識高效多結太陽能電池技術

一(yi)般所(suo)說的(de)(de)(de)高效多(duo)結太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池是(shi)指針(zhen)對太(tai)陽(yang)光譜，在不(bu)同的(de)(de)(de)波(bo)段選取(qu)不(bu)同頻寬(kuan)的(de)(de)(de)半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)(liao)做成(cheng)(cheng)多(duo)個太(tai)陽(yang)能子電(dian)(dian)池，最(zui)后將這些子電(dian)(dian)池串(chuan)聯形(xing)成(cheng)(cheng)多(duo)結太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池。目前研(yan)究(jiu)較多(duo)的(de)(de)(de)III-V族(zu)材(cai)料(liao)(liao)體(ti)系(xi)(xi)，如InGaP/GaAs/Ge三結電(dian)(dian)池，所(suo)報(bao)導(dao)的(de)(de)(de)轉換效率可達42.8%左右。也(ye)有(you)選取(qu)II-VI族(zu)材(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)，但目前還處于研(yan)究(jiu)階段。本文將主要介紹(shao)InGaP/GaAs/Ge等(deng)III-V族(zu)材(cai)料(liao)(liao)體(ti)系(xi)(xi)。

圖1是一個典型(xing)的(de)(de)多結太陽能電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)示意(yi)圖。其(qi)中(zhong)頂層(ceng)(ceng)的(de)(de)InGaP電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)、中(zhong)層(ceng)(ceng)的(de)(de)GaAs電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)和(he)(he)底層(ceng)(ceng)的(de)(de)Ge電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)帶隙分別為1.86eV、1.40eV和(he)(he)0.65eV。在(zai)頂層(ceng)(ceng)和(he)(he)中(zhong)層(ceng)(ceng)相(xiang)鄰兩個電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)間(jian)設(she)有寬帶隙的(de)(de)異質結構隧道結，使(shi)得入(ru)射光能順利(li)通過(guo)頂層(ceng)(ceng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)到達中(zhong)層(ceng)(ceng)的(de)(de)GaAs電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)。同時提供高的(de)(de)結間(jian)勢壘，防止兩層(ceng)(ceng)中(zhong)產生的(de)(de)少子擴散(san)。

高效多結(jie)太陽(yang)能電(dian)池技術 器件(jian)結(jie)構和系(xi)統的優(you)化設計

多結太(tai)陽能電池經(jing)過近(jin)十幾(ji)年(nian)的發(fa)展(zhan)，其(qi)在太(tai)空(kong)領域已經(jing)被廣泛(fan)應用，效(xiao)率紀錄也(ye)不斷被刷新。但由于成本(ben)等原因，很難(nan)得以大規(gui)模地面推廣。因此必(bi)須盡可能地提(ti)高其(qi)轉換效(xiao)率，降低成本(ben)，才能顯出其(qi)優勢。

目前降低成本主要采(cai)用聚光(guang)(guang)鏡技(ji)術，將(jiang)太(tai)陽(yang)(yang)光(guang)(guang)通過透鏡收集起來，大(da)(da)大(da)(da)減小了芯片的(de)(de)(de)(de)面積。日本夏普公(gong)司2007年底公(gong)布了1000倍聚光(guang)(guang)、轉(zhuan)換效(xiao)(xiao)率(lv)高達40％的(de)(de)(de)(de)4.5mm2的(de)(de)(de)(de)InGaPAs系多結太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)單(dan)元。2008年初，Delaware大(da)(da)學的(de)(de)(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)(de)(de)研究團(tuan)隊研制的(de)(de)(de)(de)超高效(xiao)(xiao)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)（VHESC），僅在20個(ge)太(tai)陽(yang)(yang)的(de)(de)(de)(de)聚光(guang)(guang)條件下即可(ke)實(shi)現42.8%的(de)(de)(de)(de)組合(he)效(xiao)(xiao)率(lv)。2008年8月，美國(guo)能(neng)源(yuan)部可(ke)再生能(neng)源(yuan)實(shi)驗室(shi)（NREL）宣(xuan)布，采(cai)用倒置贗(yan)形三結結構的(de)(de)(de)(de)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)在326個(ge)太(tai)陽(yang)(yang)的(de)(de)(de)(de)聚光(guang)(guang)條件下，其光(guang)(guang)電(dian)轉(zhuan)化效(xiao)(xiao)率(lv)可(ke)達40.8%，并宣(xuan)稱這是(shi)迄今為止光(guang)(guang)伏技(ji)術中被(bei)證實(shi)的(de)(de)(de)(de)最高效(xiao)(xiao)率(lv)。隨著效(xiao)(xiao)率(lv)紀錄(lu)不斷(duan)被(bei)刷新，高效(xiao)(xiao)多結太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)研發也正進(jin)一步深(shen)入。

太陽能電池新材料的研發現狀

為(wei)了(le)提高(gao)多(duo)結太(tai)陽能(neng)電池的轉換效(xiao)率，研究者們(men)從新(xin)材(cai)(cai)料(liao)(liao)開發(fa)、器件結構乃至整(zheng)個系統等方面對多(duo)結太(tai)陽能(neng)電池進行了(le)優化(hua)(hua)。在(zai)新(xin)材(cai)(cai)料(liao)(liao)開發(fa)方面，主要有摻(chan)氮(dan)材(cai)(cai)料(liao)(liao)、量子點結構，以及In(Ga)N氮(dan)化(hua)(hua)物材(cai)(cai)料(liao)(liao)。

新型材(cai)(cai)料的(de)(de)(de)(de)研(yan)發始終(zhong)是(shi)一個活躍(yue)的(de)(de)(de)(de)領域，研(yan)究(jiu)者(zhe)們首先(xian)想到(dao)的(de)(de)(de)(de)是(shi)摻氮材(cai)(cai)料。因(yin)為從III-V族(zu)半導體能帶結(jie)構和(he)(he)晶格常數(shu)關系(xi)圖(tu)中可以看出(chu)，對(dui)于GaInNAs材(cai)(cai)料四元材(cai)(cai)料的(de)(de)(de)(de)晶格和(he)(he)GaAs匹(pi)配，頻(pin)寬為在1.05eV附(fu)近(jin)(jin)，若(ruo)將其加(jia)到(dao)GaInP/GaAs/Ge三結(jie)結(jie)構上(shang)，產生(sheng)的(de)(de)(de)(de)四結(jie)電(dian)池(chi)（1.88/1.42/1.05/0.67eV），其頻(pin)寬更加(jia)接近(jin)(jin)理想值(zhi)。在具有(you)相同(tong)結(jie)數(shu)的(de)(de)(de)(de)器件中，效率可達到(dao)最(zui)大。對(dui)于多結(jie)太陽能電(dian)池(chi)來(lai)說，它(ta)似乎是(shi)實現高效率的(de)(de)(de)(de)最(zui)理想的(de)(de)(de)(de)方法。但是(shi)，復(fu)雜(za)的(de)(de)(de)(de)四元材(cai)(cai)料體系(xi)在生(sheng)長上(shang)很難保(bao)證材(cai)(cai)料的(de)(de)(de)(de)品質(zhi)，更無法保(bao)證材(cai)(cai)料的(de)(de)(de)(de)重復(fu)性穩(wen)定性等(deng)問題(ti)。比如少數(shu)載流子擴散長度的(de)(de)(de)(de)問題(ti)就(jiu)阻礙了GaInNAs材(cai)(cai)料的(de)(de)(de)(de)進展。近(jin)(jin)十(shi)年來(lai)，GaInNAs在光伏方面的(de)(de)(de)(de)應用正在逐漸(jian)減少。

其(qi)次，量(liang)子點結(jie)構(gou)也是新(xin)材料開發方面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱點。主(zhu)要理念(nian)是將量(liang)子點層放(fang)在(zai)p-n結(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)耗盡區內，在(zai)光(guang)生(sheng)載流子復合(he)之前被(bei)集中(zhong)起來(lai)。這其(qi)實(shi)是一種使(shi)用中(zhong)間(jian)帶(dai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)方法，通過(guo)提(ti)高(gao)量(liang)子效(xiao)(xiao)(xiao)率來(lai)獲得高(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)率。很容易看出，必須(xu)有足夠多的(de)(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)品質(zhi)量(liang)子點作(zuo)為吸收層才能(neng)實(shi)現提(ti)高(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)率的(de)(de)(de)(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)，這就(jiu)在(zai)量(liang)子點材料生(sheng)長(chang)(chang)方面提(ti)出了(le)很高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)要求。例(li)如，日本(ben)筑波大學(xue)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研究(jiu)(jiu)(jiu)者利用量(liang)子點的(de)(de)(de)(de)(de)(de)太陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池單元的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)電(dian)(dian)轉(zhuan)換效(xiao)(xiao)(xiao)率可達到8.54％。其(qi)量(liang)子點型(xing)太陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池是在(zai)p-n結(jie)之間(jian)層疊多個量(liang)子點層，在(zai)1cm2的(de)(de)(de)(de)(de)(de)GaAs襯底上(shang)交替疊加了(le)30層GaNAs和(he)30層InAs的(de)(de)(de)(de)(de)(de)超晶格結(jie)構(gou)（見(jian)圖2）。在(zai)GaNAs上(shang)生(sheng)長(chang)(chang)InAs時，自組(zu)織生(sheng)成(cheng)(cheng)高(gao)為3～4nm、直徑為20～30nm的(de)(de)(de)(de)(de)(de)量(liang)子點。同(tong)時，超晶格結(jie)構(gou)導致量(liang)子點之間(jian)產(chan)生(sheng)結(jie)合(he)后，在(zai)傳導帶(dai)上(shang)形成(cheng)(cheng)微帶(dai)，使(shi)各種波長(chang)(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)吸收成(cheng)(cheng)為可能(neng)。多個早期研究(jiu)(jiu)(jiu)量(liang)子點的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研究(jiu)(jiu)(jiu)組(zu)目(mu)前正對量(liang)子點在(zai)太陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)應用進(jin)行深(shen)入研究(jiu)(jiu)(jiu)，如英國格拉斯哥大學(xue)、日本(ben)東京大學(xue)等。量(liang)子點型(xing)太陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)(de)理論(lun)轉(zhuan)換效(xiao)(xiao)(xiao)率可達60％以(yi)上(shang)，是頗受矚目(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)太陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)(de)候選者之一。

高效(xiao)多結太陽(yang)能(neng)電池(chi)技術 器件結構(gou)和(he)系(xi)統的優化設(she)計

InN和(he)InGaN的(de)全氮化物太陽能電(dian)(dian)池是一種非常吸引人的(de)高效(xiao)(xiao)電(dian)(dian)池，理(li)論上它可(ke)以連續復蓋0.7到2.4eV光(guang)譜。南京大學(xue)的(de)研究者們通過(guo)計(ji)算得出，在(zai)(zai)理(li)想情況下，InGaN材(cai)(cai)料應用(yong)于(yu)單結(jie)、雙結(jie)和(he)三結(jie)太陽電(dian)(dian)池時，其轉換效(xiao)(xiao)率可(ke)分(fen)別高達27.3%、36.6%和(he)41.3%。但是，氮化物本(ben)身也存在(zai)(zai)很(hen)多問題(ti)，如(ru)襯底材(cai)(cai)料選(xuan)擇(ze)、材(cai)(cai)料品質控制、p型材(cai)(cai)料的(de)摻雜、隧道二極管的(de)問題(ti)等，因此目前的(de)研究還處于(yu)開發(fa)基礎材(cai)(cai)料和(he)器件的(de)階段。

器件結構和系統的優化設計

器件(jian)(jian)結(jie)(jie)構和系(xi)統的優化(hua)設(she)計也是提高多(duo)結(jie)(jie)太(tai)陽能電池效率的重要(yao)方法。器件(jian)(jian)結(jie)(jie)構及系(xi)統改進方面主(zhu)要(yao)包括(kuo)贗形(xing)層結(jie)(jie)構、機械疊加結(jie)(jie)結(jie)(jie)構等等。

贗形層(ceng)結(jie)(jie)構是指在已有的GaInP/GaAs/Ge三(san)結(jie)(jie)電(dian)池上(shang)增加一個晶格失(shi)配層(ceng)（贗形層(ceng)），其實這是結(jie)(jie)合材料(liao)生長與器件(jian)結(jie)(jie)構優化的一種方法。

一般多結(jie)(jie)(jie)電(dian)池的(de)(de)(de)外延(yan)層是(shi)晶格(ge)失配(pei)生(sheng)長(chang)，會產(chan)生(sheng)很多位(wei)錯，減少了少子擴散長(chang)度，降低了器件(jian)性能(neng)。在(zai)贗(yan)(yan)形層結(jie)(jie)(jie)構多結(jie)(jie)(jie)太陽(yang)能(neng)電(dian)池中(zhong)，使(shi)用組(zu)分漸(jian)變方(fang)法(fa)在(zai)GaInP/GaAs雙結(jie)(jie)(jie)上生(sheng)長(chang)InGaAs結(jie)(jie)(jie)，使(shi)得(de)所有(you)位(wei)錯都局限在(zai)低頻寬的(de)(de)(de)InGaAs結(jie)(jie)(jie)中(zhong)。其實(shi)贗(yan)(yan)形層方(fang)法(fa)在(zai)GaAs基(ji)HEMT的(de)(de)(de)開發(fa)(fa)中(zhong)廣泛應用，近幾年在(zai)GaAs基(ji)長(chang)波長(chang)雷射器中(zhong)也有(you)應用。值得(de)一提的(de)(de)(de)是(shi)，倒(dao)置的(de)(de)(de)贗(yan)(yan)形層多結(jie)(jie)(jie)太陽(yang)能(neng)電(dian)池結(jie)(jie)(jie)構（IMM）是(shi)EMCORE公(gong)司的(de)(de)(de)專(zhuan)利(li)技術（見圖3），它(ta)采用倒(dao)置的(de)(de)(de)方(fang)法(fa)生(sheng)長(chang)和(he)Ge或(huo)GaAs襯(chen)(chen)(chen)底匹配(pei)的(de)(de)(de)GaInP和(he)GaAs結(jie)(jie)(jie)，InGaP首先被淀積在(zai)基(ji)于Ge襯(chen)(chen)(chen)底的(de)(de)(de)子電(dian)池上面(mian)。這種(zhong)設計(ji)保持了GaInP/GaAs結(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)品質(zhi)，它(ta)對整個器件(jian)總的(de)(de)(de)發(fa)(fa)電(dian)能(neng)力具有(you)決定性的(de)(de)(de)作用。倒(dao)置贗(yan)(yan)性三(san)結(jie)(jie)(jie)結(jie)(jie)(jie)構據稱可(ke)與(yu)多項其它(ta)工藝相(xiang)容，如柔性襯(chen)(chen)(chen)底。因為Ge襯(chen)(chen)(chen)底能(neng)夠被去(qu)除，從而器件(jian)可(ke)以安(an)裝在(zai)如聚醯亞胺膠帶等(deng)柔性襯(chen)(chen)(chen)底上。

高效多(duo)結(jie)太陽能電池技(ji)術(shu) 器件結(jie)構和系統的(de)優(you)化設計

機(ji)械(xie)疊加多芯(xin)片結(jie)一般是指(zhi)，將生(sheng)長在(zai)不同(tong)襯(chen)(chen)底上(shang)不同(tong)頻寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)壓(ya)焊到一起(qi)而形成所謂的(de)(de)(de)(de)多芯(xin)片結(jie)。如(ru)將Ge或GaAs襯(chen)(chen)底上(shang)的(de)(de)(de)(de)頻寬(kuan)(kuan)較寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)GaInP/GaAs多結(jie)結(jie)構電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)壓(ya)焊到InP襯(chen)(chen)底上(shang)的(de)(de)(de)(de)頻寬(kuan)(kuan)較窄的(de)(de)(de)(de)GaInAsP/GaInAs（1.05/0.75eV）串聯結(jie)構電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)之上(shang)。也(ye)可采用光(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)互(hu)連以(yi)及(ji)機(ji)械(xie)疊加相(xiang)結(jie)合的(de)(de)(de)(de)方法(fa)，如(ru)Delaware大學的(de)(de)(de)(de)Allen Barnett的(de)(de)(de)(de)研(yan)究團隊研(yan)制(zhi)的(de)(de)(de)(de)超高效太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)（VHESC），組合效率在(zai)20個太(tai)陽(yang)聚光(guang)(guang)條件(jian)下可達42.8%。這(zhe)種(zhong)超高效太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)采用全新的(de)(de)(de)(de)橫向(xiang)(xiang)光(guang)(guang)學聚焦(jiao)系(xi)統，使入(ru)射(she)光(guang)(guang)的(de)(de)(de)(de)不同(tong)光(guang)(guang)譜波段被(bei)光(guang)(guang)學地分離和定向(xiang)(xiang)，然后被(bei)不同(tong)頻寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)所吸收(shou)（見圖4）。這(zhe)種(zhong)光(guang)(guang)學聚焦(jiao)系(xi)統具(ju)有較寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)(de)接收(shou)角度，從而不需(xu)要(yao)復雜(za)的(de)(de)(de)(de)定位跟蹤系(xi)統。但是我們可以(yi)看出，機(ji)械(xie)疊加類型(xing)的(de)(de)(de)(de)結(jie)構設計(ji)在(zai)生(sheng)長工(gong)藝需(xu)要(yao)多種(zhong)襯(chen)(chen)底，工(gong)藝中需(xu)要(yao)襯(chen)(chen)底的(de)(de)(de)(de)剝離，在(zai)外延(yan)層(ceng)上(shang)壓(ya)焊芯(xin)片等，成本較高和而且器件(jian)品(pin)質(zhi)很難保證。

高效多(duo)結(jie)太陽能(neng)電池技術 器件結(jie)構(gou)和系(xi)統的優化(hua)設(she)計

發展前景廣闊

高(gao)(gao)效(xiao)(xiao)多(duo)結(jie)(jie)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)技術(shu)(shu)的(de)(de)(de)研究一直是(shi)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)光(guang)伏技術(shu)(shu)中(zhong)的(de)(de)(de)熱點(dian)之(zhi)一，國外多(duo)家研究機(ji)構、公司等投入(ru)了大量的(de)(de)(de)人力物力。我(wo)國在這方(fang)(fang)面的(de)(de)(de)研究起(qi)步(bu)也較(jiao)早，如(ru)電(dian)子(zi)18所(suo)、航太(tai)811所(suo)、中(zhong)科院半(ban)導體所(suo)等等。最近廈門三安的(de)(de)(de)GaAs/Ge多(duo)結(jie)(jie)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)外延片關鍵技術(shu)(shu)研制(zhi)及產(chan)業化項(xiang)目(mu)宣稱，其研制(zhi)的(de)(de)(de)多(duo)結(jie)(jie)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)光(guang)電(dian)轉換效(xiao)(xiao)率達27%，遠高(gao)(gao)于(yu)19.5%的(de)(de)(de)硅電(dian)池(chi)最高(gao)(gao)轉換效(xiao)(xiao)率。并具有更強的(de)(de)(de)抗輻照能(neng)(neng)力、更好的(de)(de)(de)耐高(gao)(gao)性能(neng)(neng)，加上聚光(guang)技術(shu)(shu)的(de)(de)(de)應用（降低成本），將是(shi)新(xin)一代高(gao)(gao)性能(neng)(neng)長(chang)壽命(ming)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)最具發展潛力的(de)(de)(de)產(chan)品。但我(wo)們可以看出，相比(bi)國外來說，轉換效(xiao)(xiao)率相對較(jiao)低，并且器(qi)件(jian)指標還有一定差(cha)距。總之(zhi)，從新(xin)材(cai)料開發、器(qi)件(jian)結(jie)(jie)構乃至整(zheng)個(ge)系(xi)統(tong)設計方(fang)(fang)面，在高(gao)(gao)效(xiao)(xiao)多(duo)結(jie)(jie)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)池(chi)方(fang)(fang)面還有很多(duo)工作值得(de)進一步(bu)深入(ru)研究。