負離(li)子(zi)發生器原理 負離(li)子(zi)發生器電路圖(tu)

一、負離子發生器簡介

負(fu)(fu)離(li)子(zi)發生(sheng)(sheng)器是一種(zhong)生(sheng)(sheng)成空(kong)(kong)氣(qi)負(fu)(fu)離(li)子(zi)的裝置(zhi)，該裝置(zhi)將輸入(ru)的直(zhi)流(liu)或(huo)交流(liu)電(dian)經EMI處理電(dian)路(lu)(lu)及雷擊保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)(lu)處理后，通(tong)過脈沖式電(dian)路(lu)(lu)，過壓(ya)限流(liu)；高(gao)低壓(ya)隔(ge)離(li)等(deng)線路(lu)(lu)升為交流(liu)高(gao)壓(ya)，然后通(tong)過特殊等(deng)級(ji)電(dian)子(zi)材料(liao)整流(liu)濾波(bo)后得到(dao)純凈的直(zhi)流(liu)負(fu)(fu)高(gao)壓(ya)，將直(zhi)流(liu)負(fu)(fu)高(gao)壓(ya)連接到(dao)金屬或(huo)碳元(yuan)素制作的釋放(fang)尖端，利用尖端直(zhi)流(liu)高(gao)壓(ya)產生(sheng)(sheng)高(gao)電(dian)暈，高(gao)速地放(fang)出大量的電(dian)子(zi)(e-),而(er)電(dian)子(zi)無(wu)法長久存(cun)在(zai)(zai)于空(kong)(kong)氣(qi)中(zhong)（存(cun)在(zai)(zai)的電(dian)子(zi)壽(shou)命只有nS級(ji)），立刻(ke)會(hui)被(bei)空(kong)(kong)氣(qi)中(zhong)的氧(yang)分(fen)子(zi)(O2)捕捉，從而(er)生(sheng)(sheng)成空(kong)(kong)氣(qi)負(fu)(fu)離(li)子(zi)。實驗(yan)研(yan)究表明：生(sheng)(sheng)態級(ji)小粒徑負(fu)(fu)氧(yang)離(li)子(zi)更易透過人體血腦屏障，起到(dao)醫療保(bao)健的作用。

負(fu)離(li)子發生器(qi)原理 負(fu)離(li)子發生器(qi)電路(lu)

空氣負(fu)離子發生器(qi)是利用高(gao)(gao)壓電(dian)暈增(zeng)加空氣中負(fu)離子成(cheng)份，從而(er)改(gai)善了空氣質量，可(ke)以促進身體健(jian)康，被譽為空氣“維生素”。醫學(xue)臨(lin)床實踐(jian)證明，它(ta)對(dui)呼吸系(xi)統(tong)。循環系(xi)統(tong)以及(ji)神經(jing)方面等的疾病均有(you)輔(fu)助療效，因而(er)在生活(huo)及(ji)醫學(xue)界得以廣泛應用。這是一(yi)種高(gao)(gao)效開放式(shi)(shi)負(fu)離子發生器(qi)，它(ta)采用可(ke)控硅逆變高(gao)(gao)壓，懸浮式(shi)(shi)放電(dian)針，結構簡單，效果(guo)良好，安全可(ke)靠。市(shi)電(dian)電(dian)壓在160V～250V均能正(zheng)常工作(zuo)，且耗電(dian)極(ji)省，僅(jin)1W左(zuo)右(you)，因此可(ke)長期(qi)連續工作(zuo)。

二、負離子發生器工作原理

該(gai)負離(li)子發生(sheng)(sheng)器(qi)(qi)電(dian)(dian)路如(ru)圖所示(shi)。220V市(shi)電(dian)(dian)經(jing)VD1.VD2和R1.R2的整(zheng)流。限流，單向(xiang)脈動電(dian)(dian)流控(kong)制(zhi)VS的通斷，產生(sheng)(sheng)振(zhen)蕩，經(jing)變壓器(qi)(qi)T升(sheng)壓后，經(jing)VD3整(zheng)流得(de)約萬伏負高壓，經(jing)放電(dian)(dian)針對(dui)空氣放電(dian)(dian)，產生(sheng)(sheng)電(dian)(dian)離(li)，生(sheng)(sheng)產負離(li)子。

負(fu)(fu)離(li)子發生器(qi)原理 負(fu)(fu)離(li)子發生器(qi)電路

三、元器件選擇與制作

C1為(wei)0.1μ/400V滌綸或金屬(shu)紙介電(dian)(dian)容。R1為(wei)22k1/2W電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)，R2為(wei)27k.1/4w電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)；VS為(wei)1A/400V塑封(feng)可(ke)控(kong)硅。VD1.VD2選用1N4004整流二極管。VD3為(wei)18kV高(gao)(gao)壓(ya)(ya)硅堆。T可(ke)用35cm黑白(bai)電(dian)(dian)視機行(xing)輸出變壓(ya)(ya)器改制，將低壓(ya)(ya)繞組線(xian)(xian)圈全(quan)部拆掉，用φ0.3mm漆包(bao)(bao)線(xian)(xian)或絲包(bao)(bao)線(xian)(xian)繞28匝為(wei)L1,原高(gao)(gao)壓(ya)(ya)包(bao)(bao)為(wei)L2,L3是防(fang)觸電(dian)(dian)保護(hu)電(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)，阻(zu)(zu)(zu)值為(wei)2～4MΩ。三(san)枚放電(dian)(dian)針可(ke)用普通鍍鎳大頭針，高(gao)(gao)壓(ya)(ya)端引線(xian)(xian)要(yao)用黑白(bai)行(xing)輸出高(gao)(gao)壓(ya)(ya)電(dian)(dian)。該電(dian)(dian)路只(zhi)要(yao)元(yuan)件良好，焊接無誤(wu)，不需(xu)調(diao)試(shi)即可(ke)正常工作。