負離子發(fa)生器原(yuan)理 負離子發(fa)生器電路圖

一、負離子發生器簡介

負(fu)(fu)離(li)子(zi)(zi)(zi)發(fa)生器(qi)是一種生成(cheng)空氣負(fu)(fu)離(li)子(zi)(zi)(zi)的(de)裝(zhuang)置，該裝(zhuang)置將輸入的(de)直流(liu)或交(jiao)流(liu)電經EMI處理電路及雷擊保(bao)護電路處理后(hou)，通過脈沖(chong)式電路，過壓(ya)(ya)(ya)限(xian)流(liu)；高(gao)(gao)(gao)(gao)低(di)壓(ya)(ya)(ya)隔離(li)等(deng)線路升(sheng)為(wei)交(jiao)流(liu)高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)，然后(hou)通過特(te)殊等(deng)級電子(zi)(zi)(zi)材料整(zheng)流(liu)濾波后(hou)得到(dao)純凈的(de)直流(liu)負(fu)(fu)高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)，將直流(liu)負(fu)(fu)高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)連(lian)接(jie)到(dao)金屬或碳元素制作的(de)釋放尖端(duan)，利用尖端(duan)直流(liu)高(gao)(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)產生高(gao)(gao)(gao)(gao)電暈，高(gao)(gao)(gao)(gao)速地放出大量的(de)電子(zi)(zi)(zi)(e-),而(er)電子(zi)(zi)(zi)無法長久存(cun)在于(yu)空氣中（存(cun)在的(de)電子(zi)(zi)(zi)壽命只有nS級），立(li)刻會被空氣中的(de)氧(yang)分子(zi)(zi)(zi)(O2)捕捉，從而(er)生成(cheng)空氣負(fu)(fu)離(li)子(zi)(zi)(zi)。實驗研(yan)究表明(ming)：生態級小粒徑負(fu)(fu)氧(yang)離(li)子(zi)(zi)(zi)更(geng)易透(tou)過人體血腦屏(ping)障，起(qi)到(dao)醫療保(bao)健的(de)作用。

負離子發(fa)生器(qi)原理 負離子發(fa)生器(qi)電路

空(kong)氣負(fu)(fu)離(li)子發生(sheng)(sheng)器是(shi)利用高(gao)壓電(dian)(dian)暈增加空(kong)氣中負(fu)(fu)離(li)子成份，從而改善了空(kong)氣質(zhi)量，可(ke)以促進身體健康，被譽為空(kong)氣“維生(sheng)(sheng)素”。醫學(xue)臨床實踐(jian)證明(ming)，它對呼(hu)吸系(xi)統。循環系(xi)統以及神(shen)經(jing)方面等的疾病均(jun)有(you)輔(fu)助療效(xiao)，因而在(zai)生(sheng)(sheng)活(huo)及醫學(xue)界得(de)以廣(guang)泛應用。這是(shi)一種高(gao)效(xiao)開(kai)放(fang)式負(fu)(fu)離(li)子發生(sheng)(sheng)器，它采用可(ke)控(kong)硅逆變高(gao)壓，懸浮式放(fang)電(dian)(dian)針，結構簡單，效(xiao)果良好，安全可(ke)靠。市(shi)電(dian)(dian)電(dian)(dian)壓在(zai)160V～250V均(jun)能正常工(gong)作(zuo)，且(qie)耗電(dian)(dian)極省，僅1W左右，因此可(ke)長期連續工(gong)作(zuo)。

二、負離子發生器工作原理

該負(fu)(fu)離(li)子發生器(qi)電路如圖所(suo)示。220V市(shi)電經VD1.VD2和R1.R2的整流(liu)。限流(liu)，單向脈動電流(liu)控制VS的通斷(duan)，產(chan)生振蕩，經變壓器(qi)T升壓后，經VD3整流(liu)得(de)約萬(wan)伏負(fu)(fu)高壓，經放(fang)(fang)電針對空氣放(fang)(fang)電，產(chan)生電離(li)，生產(chan)負(fu)(fu)離(li)子。

負(fu)離子發生器(qi)原理 負(fu)離子發生器(qi)電(dian)路

三、元器件選擇與制作

C1為(wei)0.1μ/400V滌綸或金屬紙介電(dian)(dian)容。R1為(wei)22k1/2W電(dian)(dian)阻(zu)，R2為(wei)27k.1/4w電(dian)(dian)阻(zu)；VS為(wei)1A/400V塑封可控硅(gui)(gui)。VD1.VD2選用(yong)1N4004整(zheng)流二極管。VD3為(wei)18kV高(gao)壓(ya)硅(gui)(gui)堆(dui)。T可用(yong)35cm黑白電(dian)(dian)視機行輸出變壓(ya)器改制，將低壓(ya)繞組線圈全部拆掉，用(yong)φ0.3mm漆包(bao)線或絲包(bao)線繞28匝(za)為(wei)L1,原高(gao)壓(ya)包(bao)為(wei)L2,L3是防觸電(dian)(dian)保(bao)護電(dian)(dian)阻(zu)，阻(zu)值為(wei)2～4MΩ。三枚放電(dian)(dian)針(zhen)可用(yong)普通鍍(du)鎳大(da)頭針(zhen)，高(gao)壓(ya)端引線要用(yong)黑白行輸出高(gao)壓(ya)電(dian)(dian)。該電(dian)(dian)路只(zhi)要元件(jian)良好，焊接(jie)無誤，不需(xu)調(diao)試即可正(zheng)常工(gong)作。