一、中國光刻機現在多少納米

2018年3月，上海微電子的90nm光刻機項目通過正式驗收。也就是說，我們的國產光刻機目前可(ke)以做(zuo)到90納米工藝。

之前(qian)有網友(you)爆料，上(shang)海(hai)微電子將于2020年12月(yue)下(xia)線首臺采用ArF光(guang)源的SSA800/10W光(guang)刻機(ji)(ji)，這是一臺國產浸沒式DUV 光(guang)刻機(ji)(ji)，可實現(xian)單次曝光(guang)28nm節點。所(suo)以網絡(luo)里一直流傳著這個說法。不過對(dui)于此消息，有人(ren)說是真(zhen)的，有人(ren)說是假的。讓人(ren)很(hen)是迷糊。

上(shang)海微電子的(de)確在做可以實現28納米制程的(de)國產DUV光刻(ke)機。只是是否通過驗收，到(dao)底何時能(neng)交付，目前未知。

28納米將會是我們國(guo)產光刻(ke)機的最高工藝水平，嚴格(ge)來說，這個真的算不上(shang)高水平，它的前面還有14、7、5、3、2，甚(shen)至(zhi)是1nm。

但是28納米是成熟工藝，生產(chan)成本低，只(zhi)要不追求極致性能的情況下(xia)，這(zhe)種制程的芯片，其性能也(ye)夠用的，用來生產(chan)我們日常生活中的電子設備是沒(mei)有問題的，例如電視、電視盒(he)子、音響、電梯、空調、微波爐、冰箱(xiang)、汽車等(deng)(deng)等(deng)(deng)。

另外，根(gen)據研究機構IC Insights發(fa)布(bu)的(de)(de)(de)《2020-2024年全(quan)球晶圓產(chan)能(neng)》報告，預計到2024年，半導體制程格(ge)局將出(chu)現10nm以下，10-20nm，20nm以上工藝(yi)三分天下的(de)(de)(de)格(ge)局，各(ge)自市(shi)(shi)(shi)場(chang)占有(you)(you)率約為1/3，而28nm以上的(de)(de)(de)成熟(shu)工藝(yi)在未來四年的(de)(de)(de)市(shi)(shi)(shi)場(chang)份額沒有(you)(you)明顯變(bian)化(hua)，仍然有(you)(you)很大的(de)(de)(de)市(shi)(shi)(shi)場(chang)，所以無(wu)需盲目(mu)地追求制程工藝(yi)。

二、中國高端光刻機什么時候能研制出來

很(hen)多人疑惑，中(zhong)國是(shi)(shi)世界上(shang)工業生產能(neng)力最(zui)強的(de)國家，為什么中(zhong)國造不出高(gao)端的(de)光(guang)刻(ke)機？其實最(zui)大的(de)原因就是(shi)(shi)中(zhong)國的(de)工業是(shi)(shi)多而不精。光(guang)刻(ke)機并不是(shi)(shi)一項技術的(de)突破，而是(shi)(shi)一整個光(guang)學(xue)領域絕大多數技術的(de)突破。

目前全球最頂尖(jian)的(de)光刻機(ji)接近200噸，由差(cha)不多(duo)十(shi)萬個零(ling)件組成。其中絕(jue)大多(duo)數都是(shi)核心零(ling)件，每一個零(ling)件都需(xu)要很(hen)多(duo)技術(shu)的(de)突破才能(neng)做(zuo)出來。有工(gong)程師(shi)稱，里面一些零(ling)件需(xu)要打磨十(shi)年才能(neng)誕生。

雖然最先(xian)進的(de)(de)(de)光刻機出(chu)自荷(he)蘭(lan)，但荷(he)蘭(lan)公司也只是做(zuo)一個(ge)組裝和調試的(de)(de)(de)工(gong)作，里面(mian)的(de)(de)(de)核心零(ling)件(jian)來源于大多數西方國(guo)家(jia)。從(cong)美(mei)國(guo)到英國(guo)，從(cong)法國(guo)到比利時，所有站在(zai)西方陣營(ying)的(de)(de)(de)國(guo)家(jia)合在(zai)一起，才能造出(chu)一臺最頂尖的(de)(de)(de)光刻機。所以中國(guo)要(yao)造最頂尖的(de)(de)(de)光刻機并不是在(zai)和某一個(ge)國(guo)家(jia)對抗，而是在(zai)和整個(ge)西方世界對抗。

這就(jiu)好比班級考試，考試的(de)科(ke)(ke)(ke)目(mu)有數百科(ke)(ke)(ke)。總(zong)(zong)成(cheng)(cheng)績(ji)(ji)好點的(de)學(xue)生(sheng)固(gu)然能考出一(yi)個(ge)(ge)比較高的(de)總(zong)(zong)成(cheng)(cheng)績(ji)(ji)，但是這個(ge)(ge)學(xue)生(sheng)不(bu)能讓自己(ji)每一(yi)科(ke)(ke)(ke)的(de)成(cheng)(cheng)績(ji)(ji)都(dou)達到最高。和他相比，那些(xie)成(cheng)(cheng)績(ji)(ji)不(bu)好的(de)學(xue)生(sheng)雖然偏科(ke)(ke)(ke)，但是他們總(zong)(zong)有一(yi)兩科(ke)(ke)(ke)自己(ji)擅(shan)長的(de)科(ke)(ke)(ke)目(mu)，這些(xie)科(ke)(ke)(ke)目(mu)總(zong)(zong)有得高分(fen)(fen)甚至是滿分(fen)(fen)的(de)機會。這些(xie)學(xue)生(sheng)最好的(de)科(ke)(ke)(ke)目(mu)加起(qi)來，就(jiu)能組成(cheng)(cheng)一(yi)個(ge)(ge)非常高的(de)“各科(ke)(ke)(ke)總(zong)(zong)成(cheng)(cheng)績(ji)(ji)”。

要造(zao)出最頂端的(de)光刻(ke)機(ji)，就需要這些科目每一(yi)顆(ke)都得(de)到極高(gao)的(de)分數(shu)甚(shen)至是(shi)滿分。所以中(zhong)國(guo)的(de)光刻(ke)機(ji)之路(lu)并(bing)不是(shi)突破(po)幾項(xiang)新技(ji)術(shu)(shu)就能(neng)走穩、走好(hao)的(de)，中(zhong)國(guo)需要在整(zheng)個光學技(ji)術(shu)(shu)上的(de)絕(jue)大多數(shu)技(ji)術(shu)(shu)中(zhong)得(de)到突破(po)，才能(neng)以一(yi)個國(guo)家的(de)科技(ji)實力對抗整(zheng)個西方社會。

很(hen)多人疑惑中(zhong)國(guo)什(shen)么(me)時候能造出最頂尖的(de)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)機，這(zhe)個問題的(de)答案沒(mei)有(you)(you)任何人能給(gei)出來。中(zhong)國(guo)在(zai)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)機領(ling)域遇到的(de)困難，和中(zhong)國(guo)當年造原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)彈時，沒(mei)有(you)(you)計算機，沒(mei)有(you)(you)離心機，沒(mei)有(you)(you)數據資料(liao)一樣困難。當年中(zhong)國(guo)在(zai)美國(guo)造出原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)彈接近9年后擁有(you)(you)了自己的(de)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)彈，中(zhong)國(guo)現在(zai)打(da)算大力研制光(guang)(guang)(guang)刻(ke)機也是近兩(liang)年的(de)事(shi)情(qing)。

就目前來說，我國最頂尖的光刻機也就是國(guo)際(ji)上(shang)2005年(nian)左右的(de)(de)光(guang)刻機最頂(ding)尖水平(ping)(ping)，差距在15年(nian)左右。所以很多人認為，我國(guo)應該會(hui)在十來年(nian)左右達到讓自己的(de)(de)光(guang)刻機達到國(guo)際(ji)社會(hui)的(de)(de)最頂(ding)尖水平(ping)(ping)。