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手機芯片幾納米是什么意思 手機芯片是幾納米工藝

本文章由注冊用戶 荊湖酒徒 上傳提供 2023-09-09 評論 0
摘要:手機芯片幾納米,指的是它的工藝制程,這里的納米是指晶體管結構中柵極的最小寬度,理論上來說,納米越小,工藝制程越先進,因為縮小工藝制程可以降低能耗、節約材料、滿足輕薄設備的需求,不過實際上手機芯片的性能還會受到其他因素影響,并不是納米越小就一定越好。現在主流的手機芯片大部分是7nm、5nm工藝,并且廠商已經在研發3nm、2nm工藝了。下面一起來了解一下手機芯片是幾納米工藝吧。

一、手機芯片幾納米是什么意思

對(dui)手機芯片比較(jiao)關注的(de)(de)經常會聽到幾納米幾納米的(de)(de)芯片,這個(ge)納米是(shi)什么(me)意思呢?

其實,手機芯片幾納米,指的是手機芯片的(de)工(gong)藝制(zhi)程:手機芯片是晶體管(guan)結構(gou)(gou),在(zai)晶體管(guan)結構(gou)(gou)中,電流從Source(源(yuan)極)流入Drain(漏級),Gate(柵(zha)(zha)極)相當于閘門,主要(yao)負責控制(zhi)兩(liang)端源(yuan)極和漏級的(de)通(tong)斷。而柵(zha)(zha)極的(de)最小寬度(du)(柵(zha)(zha)長),就是工(gong)藝制(zhi)程。

手機芯片的(de)工藝制程越小,柵極寬度越小,意味(wei)著閘門通道越小,那么單位面(mian)積所容納的(de)晶體管就(jiu)會越多,芯片性能也就(jiu)越強,芯片也就(jiu)越先進。

二、手機芯片納米越小越好嗎

理論上來說,手機(ji)芯片(pian)的(de)納米數越(yue)小,說明工(gong)藝(yi)制程(cheng)越(yue)先進(jin),因(yin)為縮小工(gong)藝(yi)制程(cheng)有以下(xia)三大好處:

1、降低能耗

縮小工(gong)藝(yi)(yi)制(zhi)程后,晶體管(guan)(guan)之間的通道(dao)變(bian)窄,晶體管(guan)(guan)之間的電(dian)容(rong)(rong)(rong)也(ye)(ye)會變(bian)低,從而提(ti)升開(kai)(kai)關(guan)的頻率。而晶體管(guan)(guan)開(kai)(kai)關(guan)消耗的電(dian)量與電(dian)容(rong)(rong)(rong)成正比(bi),因(yin)此(ci),電(dian)容(rong)(rong)(rong)降低后,開(kai)(kai)關(guan)速度更(geng)快、也(ye)(ye)更(geng)省電(dian)。此(ci)外,工(gong)藝(yi)(yi)更(geng)精細的芯片,需要(yao)更(geng)低的開(kai)(kai)關(guan)電(dian)壓,也(ye)(ye)能降低部分(fen)能耗。

2、節約材料

芯(xin)片向著更(geng)小的工藝(yi)尺寸進(jin)發,會(hui)導致組件更(geng)小,一片晶圓切(qie)割出來的芯(xin)片就(jiu)會(hui)更(geng)多,進(jin)而節(jie)約材料,達到(dao)降低成本的目的。但是(shi)(shi),當(dang)芯(xin)片工藝(yi)達到(dao)一定程度(du)后(hou),尤其是(shi)(shi)進(jin)入7nm工藝(yi)后(hou),高昂的設備成本、精細化制造、無(wu)塵化工廠(chang)等反而吞噬了晶圓切(qie)割出來的更(geng)多晶片。

3、滿足輕薄設備的需求

縮小(xiao)工藝尺(chi)寸還有一個好(hao)處,就是可(ke)以(yi)在不變大芯片(pian)的尺(chi)寸前提(ti)下,提(ti)高芯片(pian)能(neng)性能(neng),以(yi)達到(dao)提(ti)高手機、電(dian)腦性能(neng)的目(mu)的。同(tong)時高性能(neng),小(xiao)尺(chi)寸的芯片(pian)也有助于制造(zao)輕薄設備,使設備向輕薄型、微小(xiao)型進軍。

不過實際上,并不一定手機芯片納(na)米越小越好,因(yin)為手機芯片的性能還會受(shou)到(dao)其(qi)他因(yin)素的影響,包括核心數、主頻、CPU架構等。

三、手機芯片是幾納米工藝

手(shou)機(ji)芯(xin)片是幾納米工藝,主(zhu)要看手(shou)機(ji)芯(xin)片的(de)型(xing)號,過去一度認為7nm是芯(xin)片的(de)物(wu)理極限,因為當制(zhi)程低(di)于7nm時,晶體管(guan)非常(chang)(chang)集中,而且距離非常(chang)(chang)近,柵(zha)極的(de)厚度也接近極限,因此(ci)容易產生量(liang)子隧穿效(xiao)應,漏電率會大幅增加,不過隨著技(ji)術的(de)進步,7nm、5nm技(ji)術逐漸攻破,7nm和5nm的(de)手(shou)機(ji)芯(xin)片也是現在(zai)主(zhu)流(liu)手(shou)機(ji)品牌使用(yong)的(de);隨著技(ji)術的(de)進步,各(ge)大廠商已經開始進軍3nm、2nm工藝了(le)。

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