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手機芯片幾納米是什么意思 手機芯片是幾納米工藝

本文章由注冊用戶 荊湖酒徒 上傳提供 2023-09-09 評論 0
摘要:手機芯片幾納米,指的是它的工藝制程,這里的納米是指晶體管結構中柵極的最小寬度,理論上來說,納米越小,工藝制程越先進,因為縮小工藝制程可以降低能耗、節約材料、滿足輕薄設備的需求,不過實際上手機芯片的性能還會受到其他因素影響,并不是納米越小就一定越好。現在主流的手機芯片大部分是7nm、5nm工藝,并且廠商已經在研發3nm、2nm工藝了。下面一起來了解一下手機芯片是幾納米工藝吧。

一、手機芯片幾納米是什么意思

對(dui)手機(ji)芯片比較關注的經常會聽到幾(ji)納(na)米(mi)幾(ji)納(na)米(mi)的芯片,這個(ge)納(na)米(mi)是什么意思(si)呢?

其實,手機芯片幾納米,指的是手機芯片的工藝制(zhi)程:手機芯(xin)片是晶體管(guan)結構(gou),在晶體管(guan)結構(gou)中(zhong),電流從Source(源極)流入Drain(漏級),Gate(柵(zha)極)相當于閘(zha)門,主要(yao)負責控(kong)制(zhi)兩端源極和漏級的通(tong)斷。而柵(zha)極的最小寬度(柵(zha)長),就是工藝制(zhi)程。

手機(ji)芯(xin)片的工藝(yi)制程越(yue)小(xiao),柵極寬度越(yue)小(xiao),意(yi)味著(zhu)閘門通(tong)道越(yue)小(xiao),那么單位(wei)面(mian)積所容(rong)納的晶體管(guan)就(jiu)會越(yue)多(duo),芯(xin)片性能也就(jiu)越(yue)強(qiang),芯(xin)片也就(jiu)越(yue)先進。

二、手機芯片納米越小越好嗎

理論上來(lai)說,手機芯片的納(na)米(mi)數(shu)越小(xiao)(xiao),說明工藝制(zhi)程(cheng)越先進,因為縮小(xiao)(xiao)工藝制(zhi)程(cheng)有以(yi)下三大好處:

1、降低能耗

縮小工藝制(zhi)程后(hou),晶體管(guan)之間的(de)通(tong)道變窄,晶體管(guan)之間的(de)電(dian)容也(ye)會變低(di),從而(er)提升(sheng)開(kai)關的(de)頻率。而(er)晶體管(guan)開(kai)關消耗的(de)電(dian)量與電(dian)容成正比,因此(ci),電(dian)容降(jiang)低(di)后(hou),開(kai)關速度(du)更快、也(ye)更省電(dian)。此(ci)外,工藝更精細的(de)芯片(pian),需(xu)要更低(di)的(de)開(kai)關電(dian)壓,也(ye)能降(jiang)低(di)部分能耗。

2、節約材料

芯片(pian)向(xiang)著更(geng)小的(de)工(gong)藝尺(chi)寸(cun)進(jin)發,會導(dao)致組件(jian)更(geng)小,一片(pian)晶(jing)圓(yuan)切割(ge)出來的(de)芯片(pian)就(jiu)會更(geng)多,進(jin)而節約材料,達(da)到降低成本(ben)的(de)目(mu)的(de)。但是(shi),當(dang)芯片(pian)工(gong)藝達(da)到一定程度后,尤其(qi)是(shi)進(jin)入7nm工(gong)藝后,高昂的(de)設備(bei)成本(ben)、精細(xi)化制造、無(wu)塵化工(gong)廠等反而吞噬(shi)了晶(jing)圓(yuan)切割(ge)出來的(de)更(geng)多晶(jing)片(pian)。

3、滿足輕薄設備的需求

縮(suo)小工(gong)藝尺寸還有(you)一個好處,就是可(ke)以在不變大芯片(pian)的(de)尺寸前(qian)提(ti)下,提(ti)高芯片(pian)能性(xing)能,以達(da)到提(ti)高手(shou)機、電腦性(xing)能的(de)目的(de)。同時高性(xing)能,小尺寸的(de)芯片(pian)也有(you)助于制造輕薄設備,使設備向輕薄型、微小型進(jin)軍。

不(bu)過實際上,并不(bu)一定手機芯片納(na)米(mi)越(yue)小越(yue)好,因為手機芯片的(de)性能(neng)還會受(shou)到其(qi)他因素(su)的(de)影(ying)響,包括核心數、主頻、CPU架構(gou)等。

三、手機芯片是幾納米工藝

手機(ji)(ji)芯片是(shi)幾納米(mi)工藝,主要看手機(ji)(ji)芯片的型(xing)號,過(guo)(guo)去(qu)一度認(ren)為7nm是(shi)芯片的物(wu)理(li)極(ji)限,因(yin)為當制(zhi)程低(di)于7nm時,晶體管非常集(ji)中,而且(qie)距離非常近,柵極(ji)的厚度也接近極(ji)限,因(yin)此容易產生量子隧穿(chuan)效應,漏電率會(hui)大幅增加,不過(guo)(guo)隨(sui)著(zhu)技(ji)術的進(jin)(jin)步(bu),7nm、5nm技(ji)術逐漸攻破,7nm和5nm的手機(ji)(ji)芯片也是(shi)現在主流手機(ji)(ji)品牌(pai)使用的;隨(sui)著(zhu)技(ji)術的進(jin)(jin)步(bu),各(ge)大廠商已經開始進(jin)(jin)軍3nm、2nm工藝了。

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