一、手機芯片幾納米是什么意思

對手機芯片比較關(guan)注的(de)經常會(hui)聽到幾(ji)納(na)米幾(ji)納(na)米的(de)芯片，這個(ge)納(na)米是什么意思呢？

其實，手機芯片幾納米，指的是手機芯片的工藝制程：手(shou)機芯片是晶(jing)體管(guan)結構(gou)，在晶(jing)體管(guan)結構(gou)中，電流從Source（源極(ji)）流入Drain（漏級(ji)），Gate（柵(zha)極(ji)）相當于閘門，主要負責控制兩端源極(ji)和漏級(ji)的通斷。而柵(zha)極(ji)的最小(xiao)寬度（柵(zha)長），就(jiu)是工藝制程。

手機芯(xin)片(pian)的工藝制程越(yue)(yue)(yue)(yue)小，柵極寬度越(yue)(yue)(yue)(yue)小，意(yi)味著閘門通道越(yue)(yue)(yue)(yue)小，那么單位面積(ji)所容納的晶體管就(jiu)(jiu)會越(yue)(yue)(yue)(yue)多，芯(xin)片(pian)性能也就(jiu)(jiu)越(yue)(yue)(yue)(yue)強，芯(xin)片(pian)也就(jiu)(jiu)越(yue)(yue)(yue)(yue)先進。

二、手機芯片納米越小越好嗎

理(li)論上來(lai)說，手機芯片的納米數越小，說明工(gong)藝(yi)制程越先進，因(yin)為縮(suo)小工(gong)藝(yi)制程有(you)以下三大好處(chu)：

1、降低能耗

縮(suo)小工藝(yi)制程(cheng)后(hou)，晶(jing)體管(guan)之間的通(tong)道變窄，晶(jing)體管(guan)之間的電(dian)容也(ye)(ye)會(hui)變低(di)，從而提升開(kai)關(guan)的頻率。而晶(jing)體管(guan)開(kai)關(guan)消耗(hao)的電(dian)量與(yu)電(dian)容成正比，因此，電(dian)容降低(di)后(hou)，開(kai)關(guan)速度更快、也(ye)(ye)更省電(dian)。此外(wai)，工藝(yi)更精細的芯片，需要更低(di)的開(kai)關(guan)電(dian)壓(ya)，也(ye)(ye)能(neng)降低(di)部分能(neng)耗(hao)。

2、節約材料

芯片(pian)向著更(geng)(geng)小的(de)(de)工藝尺(chi)寸進(jin)發(fa)，會導致組件更(geng)(geng)小，一片(pian)晶圓(yuan)切(qie)割出(chu)來(lai)的(de)(de)芯片(pian)就會更(geng)(geng)多，進(jin)而節約(yue)材料，達到(dao)降低成本(ben)的(de)(de)目的(de)(de)。但是，當芯片(pian)工藝達到(dao)一定程度后(hou)，尤其是進(jin)入7nm工藝后(hou)，高昂的(de)(de)設備成本(ben)、精細化制造、無(wu)塵化工廠等反(fan)而吞(tun)噬(shi)了(le)晶圓(yuan)切(qie)割出(chu)來(lai)的(de)(de)更(geng)(geng)多晶片(pian)。

3、滿足輕薄設備的需求

縮小(xiao)工藝尺寸還(huan)有一(yi)個好處，就是可(ke)以在不變大(da)芯(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)尺寸前提(ti)下，提(ti)高(gao)芯(xin)片(pian)(pian)能(neng)性(xing)能(neng)，以達到提(ti)高(gao)手機、電(dian)腦性(xing)能(neng)的(de)(de)目的(de)(de)。同時(shi)高(gao)性(xing)能(neng)，小(xiao)尺寸的(de)(de)芯(xin)片(pian)(pian)也有助于(yu)制造輕薄設備，使設備向(xiang)輕薄型(xing)、微(wei)小(xiao)型(xing)進軍。

不過實(shi)際上，并不一定手(shou)機芯(xin)片(pian)納米越(yue)小越(yue)好，因為手(shou)機芯(xin)片(pian)的(de)性能還會受到其他(ta)因素的(de)影(ying)響，包括核(he)心(xin)數、主頻、CPU架(jia)構(gou)等。

三、手機芯片是幾納米工藝

手機芯(xin)片(pian)(pian)是(shi)幾(ji)納米(mi)工藝，主(zhu)要看手機芯(xin)片(pian)(pian)的型號，過去(qu)一度(du)認為(wei)(wei)7nm是(shi)芯(xin)片(pian)(pian)的物理(li)極限，因為(wei)(wei)當制程低(di)于7nm時，晶(jing)體管非常集中，而且距(ju)離(li)非常近，柵極的厚度(du)也接近極限，因此容易產生量子隧穿效(xiao)應，漏(lou)電率會大幅增加(jia)，不過隨(sui)著(zhu)技(ji)術的進(jin)(jin)步，7nm、5nm技(ji)術逐漸攻破，7nm和5nm的手機芯(xin)片(pian)(pian)也是(shi)現在主(zhu)流手機品牌使用的；隨(sui)著(zhu)技(ji)術的進(jin)(jin)步，各大廠商已經開始進(jin)(jin)軍(jun)3nm、2nm工藝了。