一、dram芯片是什么

DRAM芯片即動態隨機存(cun)取存(cun)儲(chu)(chu)器，DRAM只能將數(shu)據保(bao)持很短的時(shi)(shi)間，所(suo)以(yi)需要定(ding)時(shi)(shi)刷新。DRAM相對于SRAM來說更加復雜，因為(wei)在DRAM存(cun)儲(chu)(chu)數(shu)據的過程中需要對于存(cun)儲(chu)(chu)的信息不停(ting)的刷新，這也是(shi)它們之間最大的不同。

DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了Intel的另外一種內存標準-Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來(lai)提高帶寬，這可以(yi)大幅度(du)提3D加(jia)速卡的像素(su)渲染能力。

二、dram芯片有哪些引腳

DRAM芯(xin)片通常有很多引腳(jiao)(jiao)，其中常見(jian)的(de)引腳(jiao)(jiao)包(bao)括以下(xia)幾種：

1、地址線引腳（Address Pins）：用于傳輸內存地址信(xin)號，控制DRAM芯片的(de)讀寫(xie)操(cao)作。

2、數據線引腳（Data Pins）：用于傳輸數(shu)據(ju)信號(hao)，將要讀取(qu)或(huo)寫(xie)入的數(shu)據(ju)發送到DRAM芯(xin)片。

3、控制線引腳（Control Pins）：包括(kuo)讀寫控制信(xin)號(hao)、時(shi)(shi)序(xu)控制信(xin)號(hao)等，用于(yu)控制DRAM芯片的(de)工作模式(shi)和時(shi)(shi)序(xu)。

4、電源引腳（Power Pins）：包括供(gong)電(dian)(dian)正(zheng)負極和(he)接地(di)引腳，用于提(ti)供(gong)所需的電(dian)(dian)源電(dian)(dian)壓和(he)電(dian)(dian)流。

5、時鐘引腳（Clock Pin）：用于提供時鐘信號，控制DRAM芯片內部的時序操作。

6、刷新引腳（Refresh Pin）：用于刷新DRAM芯(xin)片中的數(shu)據(ju)(ju)，防止數(shu)據(ju)(ju)的丟失。

7、器件選擇引腳（Chip Select Pin）：用于選擇DRAM芯(xin)片(pian)，當多個DRAM芯(xin)片(pian)連接在同一(yi)總線上時(shi)，可以通(tong)過(guo)CS引腳來(lai)選擇特定的芯(xin)片(pian)。

8、內存總線引腳（Memory Bus Pins）：包括數據(ju)總線(xian)(xian)、地址總線(xian)(xian)和控制總線(xian)(xian)等，用于將DRAM芯片與其他設備或處(chu)理(li)器相連接。

以上是常見的(de)(de)一些DRAM芯(xin)片的(de)(de)引(yin)腳，不同廠家和型號的(de)(de)DRAM芯(xin)片可能會有所差異(yi)，具體(ti)的(de)(de)引(yin)腳設(she)計可以查(cha)看相關的(de)(de)產品規格書或芯(xin)片手冊。

三、dram芯片引腳怎么計算

1、SRAM：數(shu)據(ju)線 地址線 讀/寫控制線（1/2） 片(pian)選線（1）

Eg：某一個RAM芯(xin)片(pian)容量(liang)：512*8位，除(chu)電源和接(jie)地端(duan)外該芯(xin)片(pian)引(yin)腳數量(liang)最(zui)少(shao)為：19

解答(da)：512=2的9次方 8位需要8根地(di)址線，所以：9 8 1 1=19

2、DRAM：（數據線(xian)(xian)/2 地址(zhi)線(xian)(xian) 行，列通(tong)選線(xian)(xian) 片(pian)選線(xian)(xian) 讀寫控制線(xian)(xian)）（DRAM采用(yong)地址(zhi)復(fu)用(yong)技術，地址(zhi)線(xian)(xian)在(zai)RAM計算的基礎上減半，該信息(xi)可告訴也可不告訴）

引腳(jiao)包括有地址線和數據(ju)線，需(xu)要(yao)注意的是如果是DRAM計算(suan)時(shi)：

DRAM有地(di)址復(fu)用，而SRAM沒有，所以計算地(di)址線的時(shi)候需要(yao)?2。

存儲體還需要讀寫控制(zhi)線，題目(mu)會給一根還是兩(liang)根（讀控制(zhi)RD、寫控制(zhi)WE），還有(you)片(pian)(pian)(pian)選線，在DRAM中，片(pian)(pian)(pian)選線為(wei)(wei)兩(liang)根，因為(wei)(wei)有(you)行片(pian)(pian)(pian)選和列片(pian)(pian)(pian)選。