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1、顯(xian)卡芯片：顯(xian)卡核心(xin)(xin)型號差(cha)一(yi)檔，性能也就差(cha)了一(yi)檔，所以(yi)可根據核心(xin)(xin)型號來判斷顯(xian)卡的(de)高低，例如(ru)，N卡型號的(de)前綴一(yi)共有GTX > GTS > GT > GF，其后(hou)的(de)兩(liang)位數或一(yi)位數代(dai)表代(dai)數，再其后(hou)兩(liang)位數越大，表示同(tong)代(dai)中(zhong)的(de)性能就越強，后(hou)綴有Ti、SE、M、MX，分別表示加強版、閹割版、移動版、移動加強版。

2、流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)器：流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)器是(shi)顯卡(ka)的核心，直接影響處(chu)(chu)理(li)(li)(li)能(neng)力(li)，對于(yu)N卡(ka)和A卡(ka)來(lai)說(shuo)，流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)個(ge)數越(yue)多則處(chu)(chu)理(li)(li)(li)能(neng)力(li)越(yue)強(qiang)。N卡(ka)和A卡(ka)的流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)可采取近似比較，N卡(ka)的1個(ge)流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)相當(dang)于(yu)AMD的5個(ge)流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)。

3、顯(xian)存位(wei)寬(kuan)：顯(xian)存位(wei)寬(kuan)表(biao)示一個時鐘周期內所能(neng)傳(chuan)送數(shu)據的位(wei)數(shu)，位(wei)數(shu)越(yue)大(da)(da)(da)則(ze)傳(chuan)輸量越(yue)大(da)(da)(da)，常見的有64位(wei)、128位(wei)和(he)256位(wei)顯(xian)卡(ka)。在顯(xian)存頻率相當情況下，顯(xian)存位(wei)寬(kuan)決定著帶寬(kuan)的大(da)(da)(da)小(xiao)。

4、顯(xian)存類型(xing)：顯(xian)存類型(xing)主(zhu)要有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種(zhong)，SDRAM顆粒主(zhu)要應用在低端顯(xian)卡上，頻率一般(ban)不(bu)超過200MHz；DDR SDRAM是主(zhu)流；DDR SGRAM適合繪圖專用。

5、散熱設(she)計：散熱系統的(de)好壞直接(jie)決(jue)定了性(xing)能發揮的(de)穩定性(xing)，被動式噪音低(di)，適(shi)合低(di)頻率顯卡；主動式有(you)散熱片和風(feng)扇，適(shi)合高(gao)頻率顯卡；導流式適(shi)合高(gao)檔游戲顯卡。