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1、顯(xian)卡(ka)芯片：顯(xian)卡(ka)核心(xin)型(xing)號差(cha)一(yi)檔，性能也(ye)就差(cha)了一(yi)檔，所以(yi)可根據核心(xin)型(xing)號來判斷顯(xian)卡(ka)的高(gao)低，例(li)如，N卡(ka)型(xing)號的前綴一(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF，其后的兩位數或(huo)一(yi)位數代(dai)(dai)表代(dai)(dai)數，再其后兩位數越大(da)，表示同(tong)代(dai)(dai)中的性能就越強，后綴有(you)Ti、SE、M、MX，分(fen)別表示加(jia)強版、閹割版、移(yi)動(dong)版、移(yi)動(dong)加(jia)強版。

2、流處(chu)(chu)理(li)器：流處(chu)(chu)理(li)器是顯(xian)卡(ka)的(de)核(he)心，直接影響(xiang)處(chu)(chu)理(li)能(neng)力，對于N卡(ka)和A卡(ka)來說，流處(chu)(chu)理(li)單元個(ge)數越多則處(chu)(chu)理(li)能(neng)力越強(qiang)。N卡(ka)和A卡(ka)的(de)流處(chu)(chu)理(li)單元可采取(qu)近(jin)似比(bi)較，N卡(ka)的(de)1個(ge)流處(chu)(chu)理(li)單元相當于AMD的(de)5個(ge)流處(chu)(chu)理(li)單元。

3、顯(xian)(xian)存(cun)位(wei)寬(kuan)：顯(xian)(xian)存(cun)位(wei)寬(kuan)表示(shi)一個時鐘周期內所(suo)能傳送(song)數據的(de)位(wei)數，位(wei)數越大(da)(da)則傳輸量越大(da)(da)，常(chang)見(jian)的(de)有64位(wei)、128位(wei)和(he)256位(wei)顯(xian)(xian)卡。在顯(xian)(xian)存(cun)頻率相(xiang)當情況下，顯(xian)(xian)存(cun)位(wei)寬(kuan)決(jue)定著帶寬(kuan)的(de)大(da)(da)小。

4、顯(xian)(xian)存(cun)類型：顯(xian)(xian)存(cun)類型主要有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆(ke)粒主要應用(yong)(yong)在(zai)低端顯(xian)(xian)卡(ka)上，頻率一般不超過200MHz；DDR SDRAM是主流；DDR SGRAM適合繪圖專用(yong)(yong)。

5、散熱設(she)計(ji)：散熱系統的(de)好壞直接決定(ding)了性(xing)能發(fa)揮的(de)穩定(ding)性(xing)，被動式噪音低，適(shi)合低頻(pin)率顯卡；主動式有散熱片和風扇，適(shi)合高(gao)頻(pin)率顯卡；導流式適(shi)合高(gao)檔(dang)游戲顯卡。