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1、顯卡(ka)芯片：顯卡(ka)核(he)心型號差一(yi)(yi)(yi)檔，性能(neng)也(ye)就差了一(yi)(yi)(yi)檔，所以可根據核(he)心型號來(lai)判斷顯卡(ka)的高低，例如，N卡(ka)型號的前綴(zhui)(zhui)一(yi)(yi)(yi)共有GTX > GTS > GT > GF，其(qi)后(hou)的兩(liang)位數或一(yi)(yi)(yi)位數代(dai)表(biao)代(dai)數，再其(qi)后(hou)兩(liang)位數越大，表(biao)示同(tong)代(dai)中的性能(neng)就越強，后(hou)綴(zhui)(zhui)有Ti、SE、M、MX，分別表(biao)示加強版(ban)、閹割(ge)版(ban)、移動(dong)(dong)版(ban)、移動(dong)(dong)加強版(ban)。

2、流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)器：流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)器是(shi)顯(xian)卡(ka)的(de)核(he)心，直接影響處(chu)理(li)(li)(li)能力，對于N卡(ka)和(he)A卡(ka)來說，流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元個數越多則處(chu)理(li)(li)(li)能力越強(qiang)。N卡(ka)和(he)A卡(ka)的(de)流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元可采取近似比較，N卡(ka)的(de)1個流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元相(xiang)當于AMD的(de)5個流(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元。

3、顯(xian)存(cun)(cun)位寬(kuan)(kuan)：顯(xian)存(cun)(cun)位寬(kuan)(kuan)表示一個(ge)時(shi)鐘周期內所能傳送(song)數據的(de)位數，位數越大則傳輸量越大，常見的(de)有64位、128位和256位顯(xian)卡(ka)。在顯(xian)存(cun)(cun)頻率相當情況(kuang)下，顯(xian)存(cun)(cun)位寬(kuan)(kuan)決定著帶寬(kuan)(kuan)的(de)大小。

4、顯(xian)(xian)存類(lei)型(xing)：顯(xian)(xian)存類(lei)型(xing)主要有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆(ke)粒主要應用在低端(duan)顯(xian)(xian)卡上，頻(pin)率(lv)一般不超過200MHz；DDR SDRAM是主流；DDR SGRAM適合繪圖專(zhuan)用。

5、散(san)熱設計：散(san)熱系統的好壞直接(jie)決定了性能發(fa)揮的穩定性，被動(dong)式噪音低，適(shi)合低頻率顯卡；主動(dong)式有散(san)熱片(pian)和風扇，適(shi)合高(gao)頻率顯卡；導流(liu)式適(shi)合高(gao)檔游戲(xi)顯卡。