1、顯卡(ka)芯(xin)片:顯卡(ka)核(he)(he)心(xin)(xin)型(xing)(xing)號(hao)差一(yi)檔,性(xing)能也就差了一(yi)檔,所(suo)以可根據核(he)(he)心(xin)(xin)型(xing)(xing)號(hao)來判斷顯卡(ka)的(de)高低,例如,N卡(ka)型(xing)(xing)號(hao)的(de)前(qian)綴一(yi)共有GTX > GTS > GT > GF,其(qi)后(hou)的(de)兩位數(shu)(shu)(shu)或一(yi)位數(shu)(shu)(shu)代表(biao)(biao)代數(shu)(shu)(shu),再(zai)其(qi)后(hou)兩位數(shu)(shu)(shu)越(yue)大(da),表(biao)(biao)示(shi)同代中(zhong)的(de)性(xing)能就越(yue)強,后(hou)綴有Ti、SE、M、MX,分別表(biao)(biao)示(shi)加(jia)(jia)強版(ban)、閹割版(ban)、移(yi)動(dong)版(ban)、移(yi)動(dong)加(jia)(jia)強版(ban)。
2、流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理器:流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理器是顯卡(ka)(ka)(ka)的(de)核心,直(zhi)接影響處(chu)(chu)(chu)理能(neng)力,對于N卡(ka)(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)(ka)來說,流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元個(ge)數越多則處(chu)(chu)(chu)理能(neng)力越強(qiang)。N卡(ka)(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)(ka)的(de)流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元可采取(qu)近似(si)比較,N卡(ka)(ka)(ka)的(de)1個(ge)流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元相當(dang)于AMD的(de)5個(ge)流(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元。
3、顯(xian)存(cun)位寬(kuan):顯(xian)存(cun)位寬(kuan)表示一個時鐘周(zhou)期內所能傳送數據的(de)位數,位數越(yue)大則傳輸量越(yue)大,常(chang)見的(de)有64位、128位和256位顯(xian)卡。在(zai)顯(xian)存(cun)頻率相當情況下(xia),顯(xian)存(cun)位寬(kuan)決定(ding)著帶寬(kuan)的(de)大小(xiao)。
4、顯(xian)存(cun)類(lei)型:顯(xian)存(cun)類(lei)型主(zhu)要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆(ke)粒主(zhu)要應(ying)用在低端(duan)顯(xian)卡上,頻率(lv)一般不超(chao)過200MHz;DDR SDRAM是主(zhu)流;DDR SGRAM適合繪圖專用。
5、散(san)熱設計:散(san)熱系統(tong)的好(hao)壞直接決定(ding)了性能發揮(hui)的穩定(ding)性,被(bei)動(dong)式(shi)噪音(yin)低(di),適(shi)合(he)低(di)頻(pin)率(lv)顯(xian)卡;主動(dong)式(shi)有散(san)熱片和風扇,適(shi)合(he)高(gao)頻(pin)率(lv)顯(xian)卡;導流式(shi)適(shi)合(he)高(gao)檔(dang)游(you)戲顯(xian)卡。