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1、顯(xian)卡芯片：顯(xian)卡核心(xin)型號差一(yi)(yi)(yi)檔，性(xing)能也就差了一(yi)(yi)(yi)檔，所以可根據核心(xin)型號來判(pan)斷顯(xian)卡的(de)(de)高低，例如，N卡型號的(de)(de)前綴(zhui)一(yi)(yi)(yi)共有GTX > GTS > GT > GF，其后(hou)的(de)(de)兩(liang)位數(shu)或一(yi)(yi)(yi)位數(shu)代(dai)表(biao)代(dai)數(shu)，再(zai)其后(hou)兩(liang)位數(shu)越(yue)(yue)大，表(biao)示(shi)同代(dai)中的(de)(de)性(xing)能就越(yue)(yue)強，后(hou)綴(zhui)有Ti、SE、M、MX，分(fen)別表(biao)示(shi)加(jia)強版(ban)、閹割版(ban)、移動版(ban)、移動加(jia)強版(ban)。

2、流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)器(qi)：流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)器(qi)是顯(xian)卡(ka)的(de)核心，直接影響處(chu)(chu)理(li)(li)(li)能(neng)力，對于N卡(ka)和(he)(he)A卡(ka)來說，流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)(yuan)個(ge)數(shu)越(yue)多(duo)則處(chu)(chu)理(li)(li)(li)能(neng)力越(yue)強。N卡(ka)和(he)(he)A卡(ka)的(de)流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)(yuan)可采取近(jin)似比較，N卡(ka)的(de)1個(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)(yuan)相當于AMD的(de)5個(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元(yuan)(yuan)。

3、顯存(cun)位(wei)寬：顯存(cun)位(wei)寬表示一個時鐘周期內(nei)所能傳送數(shu)(shu)據的位(wei)數(shu)(shu)，位(wei)數(shu)(shu)越大則傳輸量越大，常(chang)見的有(you)64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯卡。在顯存(cun)頻率相當(dang)情況(kuang)下，顯存(cun)位(wei)寬決定著帶寬的大小(xiao)。

4、顯存類(lei)型：顯存類(lei)型主要(yao)有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三(san)種，SDRAM顆粒主要(yao)應用在低端顯卡上，頻率一般不超過200MHz；DDR SDRAM是(shi)主流(liu)；DDR SGRAM適合繪圖(tu)專(zhuan)用。

5、散熱(re)設計(ji)：散熱(re)系統的好壞直接決定了性能發揮的穩(wen)定性，被動(dong)式噪音低，適(shi)合(he)低頻率顯卡(ka)；主(zhu)動(dong)式有散熱(re)片和風扇，適(shi)合(he)高頻率顯卡(ka)；導流(liu)式適(shi)合(he)高檔游(you)戲顯卡(ka)。