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1、顯(xian)卡(ka)(ka)芯片：顯(xian)卡(ka)(ka)核心(xin)型(xing)號(hao)差一(yi)(yi)(yi)檔(dang)，性能也就差了一(yi)(yi)(yi)檔(dang)，所(suo)以可根據核心(xin)型(xing)號(hao)來(lai)判(pan)斷顯(xian)卡(ka)(ka)的(de)高低，例如，N卡(ka)(ka)型(xing)號(hao)的(de)前綴一(yi)(yi)(yi)共有GTX > GTS > GT > GF，其后的(de)兩位數(shu)或一(yi)(yi)(yi)位數(shu)代表代數(shu)，再其后兩位數(shu)越大，表示同(tong)代中(zhong)的(de)性能就越強，后綴有Ti、SE、M、MX，分(fen)別表示加強版、閹割版、移動版、移動加強版。

2、流(liu)(liu)處(chu)理(li)器：流(liu)(liu)處(chu)理(li)器是(shi)顯(xian)卡(ka)的(de)(de)(de)核心，直接影響處(chu)理(li)能(neng)(neng)力，對于N卡(ka)和(he)A卡(ka)來說，流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元個數越多(duo)則(ze)處(chu)理(li)能(neng)(neng)力越強。N卡(ka)和(he)A卡(ka)的(de)(de)(de)流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元可采取(qu)近(jin)似比(bi)較，N卡(ka)的(de)(de)(de)1個流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元相當于AMD的(de)(de)(de)5個流(liu)(liu)處(chu)理(li)單(dan)元。

3、顯存(cun)(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)：顯存(cun)(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)表示一個時鐘(zhong)周期內所(suo)能傳送數據的(de)(de)位(wei)(wei)數，位(wei)(wei)數越大(da)則(ze)傳輸量(liang)越大(da)，常見(jian)的(de)(de)有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和256位(wei)(wei)顯卡。在顯存(cun)(cun)頻率相當情況下(xia)，顯存(cun)(cun)位(wei)(wei)寬(kuan)決定著帶寬(kuan)的(de)(de)大(da)小。

4、顯(xian)存類型(xing)：顯(xian)存類型(xing)主要(yao)有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種(zhong)，SDRAM顆粒主要(yao)應用(yong)在低(di)端顯(xian)卡上(shang)，頻(pin)率一般不超(chao)過(guo)200MHz；DDR SDRAM是(shi)主流；DDR SGRAM適合(he)繪圖專(zhuan)用(yong)。

5、散(san)熱(re)設計：散(san)熱(re)系(xi)統的好壞直(zhi)接決(jue)定(ding)了性能(neng)發揮的穩定(ding)性，被動(dong)(dong)式噪(zao)音低(di)(di)，適合低(di)(di)頻(pin)率(lv)顯(xian)(xian)卡；主(zhu)動(dong)(dong)式有散(san)熱(re)片(pian)和風(feng)扇，適合高(gao)頻(pin)率(lv)顯(xian)(xian)卡；導流式適合高(gao)檔游(you)戲顯(xian)(xian)卡。