1、顯(xian)卡(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)核(he)心型(xing)號(hao)(hao)差一(yi)(yi)檔,性能也就(jiu)差了一(yi)(yi)檔,所以可(ke)根據核(he)心型(xing)號(hao)(hao)來判斷顯(xian)卡(ka)的高低,例如,N卡(ka)型(xing)號(hao)(hao)的前(qian)綴(zhui)一(yi)(yi)共有GTX > GTS > GT > GF,其(qi)后(hou)(hou)的兩位(wei)數或一(yi)(yi)位(wei)數代(dai)表(biao)代(dai)數,再其(qi)后(hou)(hou)兩位(wei)數越(yue)大,表(biao)示同代(dai)中的性能就(jiu)越(yue)強,后(hou)(hou)綴(zhui)有Ti、SE、M、MX,分別表(biao)示加強版、閹割版、移(yi)(yi)動版、移(yi)(yi)動加強版。
2、流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)器(qi):流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)器(qi)是顯卡(ka)(ka)(ka)的(de)核(he)心,直接影響處(chu)理(li)(li)能力,對于(yu)N卡(ka)(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)(ka)來說,流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)單元(yuan)(yuan)個數越(yue)多則處(chu)理(li)(li)能力越(yue)強(qiang)。N卡(ka)(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)(ka)的(de)流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)單元(yuan)(yuan)可采取近似比較,N卡(ka)(ka)(ka)的(de)1個流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)單元(yuan)(yuan)相當于(yu)AMD的(de)5個流(liu)(liu)(liu)處(chu)理(li)(li)單元(yuan)(yuan)。
3、顯存位(wei)寬(kuan):顯存位(wei)寬(kuan)表示一個時鐘周期內所能傳送數據的位(wei)數,位(wei)數越大(da)則傳輸(shu)量越大(da),常見的有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯卡。在顯存頻率相當情(qing)況下,顯存位(wei)寬(kuan)決定(ding)著帶(dai)寬(kuan)的大(da)小。
4、顯(xian)(xian)存類(lei)型:顯(xian)(xian)存類(lei)型主要(yao)有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆(ke)粒(li)主要(yao)應(ying)用(yong)(yong)在(zai)低(di)端顯(xian)(xian)卡上,頻(pin)率一般不超過200MHz;DDR SDRAM是主流;DDR SGRAM適合繪圖專用(yong)(yong)。
5、散熱設計(ji):散熱系統的好壞直接決(jue)定了性(xing)能發(fa)揮的穩定性(xing),被(bei)動(dong)式噪(zao)音(yin)低,適合(he)低頻(pin)率(lv)顯卡;主動(dong)式有(you)散熱片(pian)和風扇,適合(he)高(gao)頻(pin)率(lv)顯卡;導流式適合(he)高(gao)檔(dang)游戲顯卡。