1、顯(xian)卡(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)核心型(xing)號差一(yi)檔(dang)(dang),性能也就(jiu)差了一(yi)檔(dang)(dang),所以可根據核心型(xing)號來判斷顯(xian)卡(ka)的高(gao)低,例如(ru),N卡(ka)型(xing)號的前(qian)綴一(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF,其后的兩(liang)位(wei)數(shu)或一(yi)位(wei)數(shu)代(dai)表代(dai)數(shu),再其后兩(liang)位(wei)數(shu)越大,表示同代(dai)中的性能就(jiu)越強(qiang)(qiang),后綴有(you)Ti、SE、M、MX,分別表示加(jia)強(qiang)(qiang)版(ban)、閹割版(ban)、移動版(ban)、移動加(jia)強(qiang)(qiang)版(ban)。
2、流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器:流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器是顯卡(ka)的核(he)心,直(zhi)接(jie)影響(xiang)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力,對于(yu)(yu)N卡(ka)和A卡(ka)來說(shuo),流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)個(ge)數越(yue)多則處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力越(yue)強。N卡(ka)和A卡(ka)的流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)可采取近似比較,N卡(ka)的1個(ge)流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)相當(dang)于(yu)(yu)AMD的5個(ge)流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元(yuan)(yuan)。
3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬:顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬表示一個時鐘周(zhou)期內所能傳送數據(ju)的(de)位(wei)(wei)數,位(wei)(wei)數越(yue)大(da)則(ze)傳輸量越(yue)大(da),常(chang)見的(de)有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和256位(wei)(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當情況下,顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)寬決定著帶寬的(de)大(da)小。
4、顯(xian)存(cun)類型(xing):顯(xian)存(cun)類型(xing)主(zhu)(zhu)要(yao)有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種(zhong),SDRAM顆(ke)粒主(zhu)(zhu)要(yao)應用在低端顯(xian)卡上(shang),頻率一般不超過200MHz;DDR SDRAM是主(zhu)(zhu)流;DDR SGRAM適合繪(hui)圖專用。
5、散熱設計:散熱系統的好(hao)壞(huai)直接決定了性(xing)能(neng)發揮的穩定性(xing),被動式(shi)噪音低,適合(he)(he)(he)低頻(pin)率(lv)顯(xian)(xian)(xian)卡;主動式(shi)有散熱片和(he)風扇,適合(he)(he)(he)高(gao)頻(pin)率(lv)顯(xian)(xian)(xian)卡;導流式(shi)適合(he)(he)(he)高(gao)檔(dang)游戲顯(xian)(xian)(xian)卡。