1、顯(xian)卡(ka)芯片(pian):顯(xian)卡(ka)核心型號(hao)(hao)差(cha)一檔(dang)(dang),性(xing)能也就差(cha)了(le)一檔(dang)(dang),所(suo)以可(ke)根據核心型號(hao)(hao)來判斷顯(xian)卡(ka)的高(gao)低,例如,N卡(ka)型號(hao)(hao)的前綴一共有GTX > GTS > GT > GF,其后(hou)的兩位數或(huo)一位數代表代數,再其后(hou)兩位數越大,表示同代中(zhong)的性(xing)能就越強(qiang),后(hou)綴有Ti、SE、M、MX,分別(bie)表示加強(qiang)版(ban)(ban)、閹割(ge)版(ban)(ban)、移動版(ban)(ban)、移動加強(qiang)版(ban)(ban)。
2、流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器(qi):流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器(qi)是顯卡(ka)的(de)核心(xin),直接影響(xiang)處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力(li),對(dui)于N卡(ka)和A卡(ka)來說(shuo),流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元個數越多則(ze)處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力(li)越強。N卡(ka)和A卡(ka)的(de)流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元可采取近似比較,N卡(ka)的(de)1個流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元相當于AMD的(de)5個流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元。
3、顯存(cun)(cun)(cun)位寬(kuan):顯存(cun)(cun)(cun)位寬(kuan)表示一個時(shi)鐘周期(qi)內(nei)所能(neng)傳(chuan)送數據的位數,位數越大(da)則傳(chuan)輸量越大(da),常見的有64位、128位和256位顯卡。在顯存(cun)(cun)(cun)頻率相(xiang)當情況下,顯存(cun)(cun)(cun)位寬(kuan)決定(ding)著(zhu)帶(dai)寬(kuan)的大(da)小。
4、顯(xian)存類型:顯(xian)存類型主要(yao)有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種(zhong),SDRAM顆粒(li)主要(yao)應用在低端(duan)顯(xian)卡上,頻率一(yi)般不(bu)超過200MHz;DDR SDRAM是主流;DDR SGRAM適合繪圖(tu)專用。
5、散(san)熱(re)設計:散(san)熱(re)系統的(de)好壞直接決定(ding)了性(xing)能(neng)發(fa)揮的(de)穩(wen)定(ding)性(xing),被(bei)動式(shi)噪音低,適(shi)合低頻率顯(xian)(xian)卡;主動式(shi)有散(san)熱(re)片和(he)風扇,適(shi)合高頻率顯(xian)(xian)卡;導流式(shi)適(shi)合高檔游戲(xi)顯(xian)(xian)卡。