1、顯卡(ka)芯片:顯卡(ka)核(he)心型號(hao)(hao)(hao)差一(yi)檔,性能也就(jiu)差了一(yi)檔,所以可根據核(he)心型號(hao)(hao)(hao)來判斷(duan)顯卡(ka)的(de)高(gao)低,例(li)如,N卡(ka)型號(hao)(hao)(hao)的(de)前(qian)綴一(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)兩(liang)位(wei)數或一(yi)位(wei)數代表(biao)代數,再其后兩(liang)位(wei)數越(yue)大,表(biao)示同代中的(de)性能就(jiu)越(yue)強,后綴有(you)Ti、SE、M、MX,分別表(biao)示加(jia)強版(ban)(ban)、閹割版(ban)(ban)、移動版(ban)(ban)、移動加(jia)強版(ban)(ban)。
2、流(liu)(liu)(liu)處(chu)理器(qi):流(liu)(liu)(liu)處(chu)理器(qi)是顯卡(ka)的(de)(de)核(he)心,直接(jie)影響處(chu)理能力,對于N卡(ka)和(he)A卡(ka)來說,流(liu)(liu)(liu)處(chu)理單(dan)元個數越多則處(chu)理能力越強(qiang)。N卡(ka)和(he)A卡(ka)的(de)(de)流(liu)(liu)(liu)處(chu)理單(dan)元可采取(qu)近(jin)似(si)比較,N卡(ka)的(de)(de)1個流(liu)(liu)(liu)處(chu)理單(dan)元相當于AMD的(de)(de)5個流(liu)(liu)(liu)處(chu)理單(dan)元。
3、顯(xian)(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)(kuan):顯(xian)(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)表示一個時鐘周(zhou)期內(nei)所能傳(chuan)送數據的位(wei)(wei)(wei)數,位(wei)(wei)(wei)數越大(da)則傳(chuan)輸量越大(da),常見(jian)的有64位(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)和(he)256位(wei)(wei)(wei)顯(xian)(xian)卡(ka)。在(zai)顯(xian)(xian)存(cun)頻率(lv)相當(dang)情況下,顯(xian)(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)(kuan)決(jue)定著帶寬(kuan)(kuan)的大(da)小。
4、顯(xian)存類(lei)型(xing):顯(xian)存類(lei)型(xing)主(zhu)要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三(san)種,SDRAM顆(ke)粒主(zhu)要應(ying)用(yong)在低端顯(xian)卡上(shang),頻率一般不超(chao)過200MHz;DDR SDRAM是(shi)主(zhu)流(liu);DDR SGRAM適合繪(hui)圖(tu)專用(yong)。
5、散熱(re)設計:散熱(re)系(xi)統的好壞直(zhi)接決定了性(xing)能發揮的穩定性(xing),被(bei)動(dong)式(shi)噪音低,適(shi)合(he)低頻率(lv)顯(xian)卡(ka);主動(dong)式(shi)有散熱(re)片和風(feng)扇,適(shi)合(he)高頻率(lv)顯(xian)卡(ka);導流式(shi)適(shi)合(he)高檔游(you)戲顯(xian)卡(ka)。