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1、顯(xian)(xian)卡芯片：顯(xian)(xian)卡核(he)心(xin)型(xing)號(hao)(hao)差一檔，性(xing)能(neng)(neng)也(ye)就差了一檔，所以可根據核(he)心(xin)型(xing)號(hao)(hao)來判斷顯(xian)(xian)卡的(de)高低，例如，N卡型(xing)號(hao)(hao)的(de)前(qian)綴一共(gong)有GTX > GTS > GT > GF，其后的(de)兩位數或(huo)一位數代(dai)表代(dai)數，再其后兩位數越(yue)大，表示(shi)同代(dai)中的(de)性(xing)能(neng)(neng)就越(yue)強(qiang)，后綴有Ti、SE、M、MX，分別表示(shi)加(jia)強(qiang)版(ban)、閹割版(ban)、移動(dong)版(ban)、移動(dong)加(jia)強(qiang)版(ban)。

2、流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)器：流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)器是顯卡(ka)(ka)的核心，直接(jie)影響處(chu)(chu)理(li)(li)(li)能力(li)，對(dui)于N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)來說，流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元個(ge)數越多則處(chu)(chu)理(li)(li)(li)能力(li)越強(qiang)。N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)的流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元可采取近(jin)似比較，N卡(ka)(ka)的1個(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元相當于AMD的5個(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)(li)單元。

3、顯(xian)存位(wei)(wei)寬(kuan)：顯(xian)存位(wei)(wei)寬(kuan)表示一個時鐘周期(qi)內(nei)所能傳送數(shu)據(ju)的(de)(de)位(wei)(wei)數(shu)，位(wei)(wei)數(shu)越大(da)則(ze)傳輸(shu)量越大(da)，常見的(de)(de)有64位(wei)(wei)、128位(wei)(wei)和(he)256位(wei)(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存頻率相當情況下，顯(xian)存位(wei)(wei)寬(kuan)決定著(zhu)帶寬(kuan)的(de)(de)大(da)小。

4、顯(xian)存類型：顯(xian)存類型主要有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆粒主要應用在低(di)端顯(xian)卡上，頻率一般不超過200MHz；DDR SDRAM是主流(liu)；DDR SGRAM適合繪(hui)圖(tu)專用。

5、散(san)熱設計：散(san)熱系統的好壞直接決定(ding)了性能發揮的穩(wen)定(ding)性，被動式噪(zao)音低，適(shi)合低頻率顯卡；主動式有散(san)熱片(pian)和風扇，適(shi)合高頻率顯卡；導流式適(shi)合高檔游戲(xi)顯卡。