1、顯(xian)卡(ka)(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)(ka)核心型(xing)號差(cha)一(yi)(yi)檔(dang),性能也就(jiu)差(cha)了(le)一(yi)(yi)檔(dang),所以可(ke)根據核心型(xing)號來判斷(duan)顯(xian)卡(ka)(ka)的(de)高低,例如,N卡(ka)(ka)型(xing)號的(de)前綴(zhui)一(yi)(yi)共有GTX > GTS > GT > GF,其(qi)后的(de)兩位(wei)(wei)數(shu)或(huo)一(yi)(yi)位(wei)(wei)數(shu)代(dai)表(biao)代(dai)數(shu),再(zai)其(qi)后兩位(wei)(wei)數(shu)越大,表(biao)示(shi)同(tong)代(dai)中的(de)性能就(jiu)越強,后綴(zhui)有Ti、SE、M、MX,分(fen)別表(biao)示(shi)加(jia)強版(ban)、閹(yan)割版(ban)、移動(dong)版(ban)、移動(dong)加(jia)強版(ban)。
2、流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理器:流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理器是顯卡(ka)的核心,直接影響(xiang)處(chu)(chu)(chu)理能力,對(dui)于(yu)N卡(ka)和A卡(ka)來說,流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元個數越(yue)多則處(chu)(chu)(chu)理能力越(yue)強(qiang)。N卡(ka)和A卡(ka)的流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元可采取近似(si)比較(jiao),N卡(ka)的1個流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元相當于(yu)AMD的5個流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理單(dan)(dan)元。
3、顯(xian)存位寬:顯(xian)存位寬表示(shi)一個時鐘周期內所能傳送數(shu)據(ju)的(de)位數(shu),位數(shu)越(yue)大則傳輸(shu)量(liang)越(yue)大,常(chang)見的(de)有64位、128位和(he)256位顯(xian)卡。在顯(xian)存頻率相當情況下,顯(xian)存位寬決定著帶寬的(de)大小。
4、顯存(cun)類型:顯存(cun)類型主要(yao)(yao)有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三(san)種,SDRAM顆粒(li)主要(yao)(yao)應用(yong)在低端顯卡上,頻率一般不超過200MHz;DDR SDRAM是(shi)主流;DDR SGRAM適合繪圖專用(yong)。
5、散熱(re)(re)設計:散熱(re)(re)系統(tong)的好壞直接決(jue)定了性能(neng)發(fa)揮的穩定性,被(bei)動式噪(zao)音低(di),適合(he)低(di)頻(pin)率(lv)顯卡(ka);主動式有散熱(re)(re)片和風(feng)扇,適合(he)高頻(pin)率(lv)顯卡(ka);導流式適合(he)高檔游戲顯卡(ka)。