1、顯(xian)卡芯片:顯(xian)卡核心(xin)型號差(cha)(cha)一(yi)檔(dang),性能也就差(cha)(cha)了一(yi)檔(dang),所(suo)以可根(gen)據核心(xin)型號來判(pan)斷顯(xian)卡的(de)(de)高(gao)低,例如,N卡型號的(de)(de)前綴(zhui)(zhui)一(yi)共有(you)GTX > GTS > GT > GF,其(qi)后(hou)的(de)(de)兩位數或(huo)一(yi)位數代(dai)(dai)表(biao)代(dai)(dai)數,再其(qi)后(hou)兩位數越大,表(biao)示(shi)同代(dai)(dai)中的(de)(de)性能就越強(qiang),后(hou)綴(zhui)(zhui)有(you)Ti、SE、M、MX,分別表(biao)示(shi)加強(qiang)版(ban)(ban)、閹割版(ban)(ban)、移(yi)動版(ban)(ban)、移(yi)動加強(qiang)版(ban)(ban)。
2、流(liu)(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器:流(liu)(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)器是顯(xian)卡(ka)(ka)的(de)(de)核心(xin),直接影響處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力,對(dui)于(yu)N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)來(lai)說(shuo),流(liu)(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)個(ge)數(shu)越多則處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)能力越強(qiang)。N卡(ka)(ka)和(he)A卡(ka)(ka)的(de)(de)流(liu)(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)可采(cai)取近似比較,N卡(ka)(ka)的(de)(de)1個(ge)流(liu)(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)相(xiang)當于(yu)AMD的(de)(de)5個(ge)流(liu)(liu)(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)單元(yuan)。
3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬:顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬表示(shi)一個時鐘周(zhou)期(qi)內所能(neng)傳(chuan)送數(shu)據(ju)的位(wei)(wei)(wei)數(shu),位(wei)(wei)(wei)數(shu)越大(da)則傳(chuan)輸量越大(da),常見的有64位(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)和256位(wei)(wei)(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當情況下(xia),顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)寬決定著帶寬的大(da)小。
4、顯(xian)存類型:顯(xian)存類型主要有(you)SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種,SDRAM顆粒主要應用在(zai)低(di)端顯(xian)卡上,頻率一般不(bu)超(chao)過200MHz;DDR SDRAM是主流(liu);DDR SGRAM適合繪(hui)圖專用。
5、散(san)(san)熱設計:散(san)(san)熱系統的好壞(huai)直接決定(ding)(ding)了性能發揮的穩定(ding)(ding)性,被動式噪音低,適合(he)低頻率(lv)顯(xian)(xian)卡(ka)(ka);主動式有散(san)(san)熱片和風扇,適合(he)高頻率(lv)顯(xian)(xian)卡(ka)(ka);導流式適合(he)高檔游戲顯(xian)(xian)卡(ka)(ka)。