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1、顯卡(ka)芯片(pian)：顯卡(ka)核(he)心型(xing)號差一(yi)檔(dang)，性(xing)能也(ye)就(jiu)差了一(yi)檔(dang)，所以(yi)可根據核(he)心型(xing)號來判斷顯卡(ka)的(de)高低，例如，N卡(ka)型(xing)號的(de)前綴(zhui)一(yi)共(gong)有(you)GTX > GTS > GT > GF，其后(hou)的(de)兩位數(shu)或(huo)一(yi)位數(shu)代表代數(shu)，再其后(hou)兩位數(shu)越(yue)大，表示(shi)同代中的(de)性(xing)能就(jiu)越(yue)強，后(hou)綴(zhui)有(you)Ti、SE、M、MX，分別表示(shi)加(jia)強版(ban)、閹割版(ban)、移(yi)動版(ban)、移(yi)動加(jia)強版(ban)。

2、流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)器：流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)器是(shi)顯(xian)卡的核心，直(zhi)接影響處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)能力(li)，對于N卡和A卡來說，流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元個數越多則處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)能力(li)越強。N卡和A卡的流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元可采取近似比(bi)較，N卡的1個流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元相(xiang)當于AMD的5個流(liu)(liu)處(chu)(chu)(chu)理(li)(li)(li)單(dan)元。

3、顯(xian)(xian)存位寬(kuan)：顯(xian)(xian)存位寬(kuan)表(biao)示一個時(shi)鐘周期內所(suo)能傳送數據的位數，位數越大則傳輸量越大，常見的有64位、128位和(he)256位顯(xian)(xian)卡。在顯(xian)(xian)存頻率相當情況(kuang)下，顯(xian)(xian)存位寬(kuan)決定著帶寬(kuan)的大小。

4、顯(xian)存類型(xing)：顯(xian)存類型(xing)主要有SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆粒主要應(ying)用(yong)在低端顯(xian)卡(ka)上，頻率一般不超過(guo)200MHz；DDR SDRAM是(shi)主流；DDR SGRAM適合繪(hui)圖專用(yong)。

5、散(san)熱(re)(re)(re)設計：散(san)熱(re)(re)(re)系統的好壞直(zhi)接決定(ding)了性能發揮(hui)的穩定(ding)性，被(bei)動(dong)(dong)式(shi)噪音低(di)，適合(he)低(di)頻率顯(xian)卡(ka)(ka)；主動(dong)(dong)式(shi)有散(san)熱(re)(re)(re)片和風(feng)扇，適合(he)高(gao)頻率顯(xian)卡(ka)(ka)；導流式(shi)適合(he)高(gao)檔(dang)游戲(xi)顯(xian)卡(ka)(ka)。