1、顯(xian)卡(ka)(ka)芯片:顯(xian)卡(ka)(ka)核心(xin)型號(hao)(hao)差一檔(dang)(dang),性能(neng)也就(jiu)差了一檔(dang)(dang),所以可(ke)根據核心(xin)型號(hao)(hao)來判斷顯(xian)卡(ka)(ka)的(de)高低,例如,N卡(ka)(ka)型號(hao)(hao)的(de)前綴一共有GTX > GTS > GT > GF,其后的(de)兩位(wei)數或一位(wei)數代表代數,再其后兩位(wei)數越大,表示(shi)同(tong)代中(zhong)的(de)性能(neng)就(jiu)越強(qiang),后綴有Ti、SE、M、MX,分別表示(shi)加強(qiang)版、閹(yan)割版、移動版、移動加強(qiang)版。
2、流處(chu)(chu)理器(qi)(qi):流處(chu)(chu)理器(qi)(qi)是(shi)顯卡(ka)(ka)的(de)核心,直(zhi)接影響處(chu)(chu)理能(neng)力,對于N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)來說(shuo),流處(chu)(chu)理單(dan)元(yuan)個數越多則處(chu)(chu)理能(neng)力越強。N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)的(de)流處(chu)(chu)理單(dan)元(yuan)可采取近似比較,N卡(ka)(ka)的(de)1個流處(chu)(chu)理單(dan)元(yuan)相當(dang)于AMD的(de)5個流處(chu)(chu)理單(dan)元(yuan)。
3、顯(xian)存位(wei)(wei)(wei)寬(kuan):顯(xian)存位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)表(biao)示一個時鐘周期(qi)內所(suo)能傳(chuan)送(song)數據的(de)位(wei)(wei)(wei)數,位(wei)(wei)(wei)數越大則傳(chuan)輸量越大,常見的(de)有64位(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)和256位(wei)(wei)(wei)顯(xian)卡。在(zai)顯(xian)存頻率相當情(qing)況下,顯(xian)存位(wei)(wei)(wei)寬(kuan)決定(ding)著帶寬(kuan)的(de)大小。
4、顯存(cun)類型:顯存(cun)類型主(zhu)要(yao)有(you)SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三(san)種,SDRAM顆粒(li)主(zhu)要(yao)應用在低端顯卡上,頻率一(yi)般不(bu)超過(guo)200MHz;DDR SDRAM是主(zhu)流;DDR SGRAM適合繪(hui)圖專用。
5、散(san)(san)熱設計(ji):散(san)(san)熱系統的(de)好(hao)壞直(zhi)接決定了性(xing)能發揮的(de)穩(wen)定性(xing),被(bei)動式(shi)噪(zao)音低,適(shi)合(he)低頻(pin)率(lv)顯(xian)卡(ka);主動式(shi)有散(san)(san)熱片(pian)和(he)風扇,適(shi)合(he)高頻(pin)率(lv)顯(xian)卡(ka);導流式(shi)適(shi)合(he)高檔(dang)游戲(xi)顯(xian)卡(ka)。