1、顯卡芯(xin)片(pian):顯卡核心型(xing)號差(cha)一(yi)檔,性能也就差(cha)了一(yi)檔,所以可根據核心型(xing)號來判斷顯卡的(de)(de)高(gao)低,例如,N卡型(xing)號的(de)(de)前綴(zhui)一(yi)共(gong)有GTX > GTS > GT > GF,其后(hou)的(de)(de)兩(liang)位數(shu)(shu)或(huo)一(yi)位數(shu)(shu)代(dai)表(biao)代(dai)數(shu)(shu),再其后(hou)兩(liang)位數(shu)(shu)越大,表(biao)示同代(dai)中的(de)(de)性能就越強,后(hou)綴(zhui)有Ti、SE、M、MX,分別表(biao)示加強版、閹割版、移動版、移動加強版。
2、流(liu)處(chu)理器:流(liu)處(chu)理器是(shi)顯卡(ka)(ka)的(de)(de)核(he)心,直接(jie)影響處(chu)理能力(li)(li),對于N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)來說,流(liu)處(chu)理單(dan)元個(ge)數越多則處(chu)理能力(li)(li)越強。N卡(ka)(ka)和A卡(ka)(ka)的(de)(de)流(liu)處(chu)理單(dan)元可(ke)采取(qu)近(jin)似比(bi)較,N卡(ka)(ka)的(de)(de)1個(ge)流(liu)處(chu)理單(dan)元相(xiang)當于AMD的(de)(de)5個(ge)流(liu)處(chu)理單(dan)元。
3、顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)寬(kuan):顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)寬(kuan)表(biao)示一個時鐘周期內所(suo)能傳送數據的(de)位(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)數,位(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)數越(yue)大則傳輸(shu)量越(yue)大,常見(jian)的(de)有64位(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)、128位(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)和256位(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)顯(xian)卡。在顯(xian)存(cun)頻率相當情況(kuang)下,顯(xian)存(cun)位(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)寬(kuan)決定著(zhu)帶寬(kuan)的(de)大小。
4、顯(xian)存(cun)(cun)類(lei)型:顯(xian)存(cun)(cun)類(lei)型主要有SDRAM,DDR SDRAM,DDR SGRAM三種(zhong),SDRAM顆粒主要應用(yong)在低(di)端顯(xian)卡上(shang),頻率一般不超(chao)過200MHz;DDR SDRAM是主流;DDR SGRAM適合繪(hui)圖專(zhuan)用(yong)。
5、散熱設計:散熱系統的好壞(huai)直(zhi)接決定(ding)了性能發揮的穩定(ding)性,被動式(shi)噪(zao)音低,適合低頻率顯(xian)卡(ka);主(zhu)動式(shi)有散熱片和(he)風扇,適合高頻率顯(xian)卡(ka);導流式(shi)適合高檔游戲(xi)顯(xian)卡(ka)。