一、GaN充電器有什么好處

1、體積小

因為(wei)運用了(le)氮(dan)化(hua)鎵的(de)(de)原因以及氮(dan)化(hua)鎵的(de)(de)一個特性(xing)：開(kai)(kai)關頻(pin)率高(gao)。它是目前(qian)全(quan)球最快的(de)(de)功率開(kai)(kai)關器件(jian)，開(kai)(kai)關頻(pin)率高(gao)可以減(jian)小變(bian)壓器和電(dian)容的(de)(de)體(ti)積，那么(me)自然氮(dan)化(hua)鎵充(chong)(chong)電(dian)頭就(jiu)會比(bi)一般充(chong)(chong)電(dian)頭的(de)(de)體(ti)積和重量更小、更低(di)了(le)，同時發熱量也會降低(di)。

2、功率大

因為氮化鎵本身(shen)具有(you)更寬的帶隙，而(er)寬帶隙也就等(deng)于(yu)能承(cheng)受更高的電(dian)壓，具有(you)更好的導電(dian)能力，并且(qie)會讓電(dian)子產品的用(yong)電(dian)量減少10%~25%。

當然(ran)不止(zhi)省電(dian)費，主要還是充電(dian)快(kuai)！具體有多快(kuai)呢？以(yi)小米10氮化(hua)鎵充電(dian)為(wei)例，它可在(zai)45min內為(wei)小米10 Pro充電(dian)100%，為(wei)iPhone 11充電(dian)100%的時間(jian)是1h50min，比5W原裝充電(dian)器快(kuai)了約(yue)50%。

3、易散熱

GaN與第一代半(ban)導體Si和第二代半(ban)導體GaAs相(xiang)比，GaN的禁帶寬度(du)大(da)、零界擊穿(chuan)電場強度(du)大(da)、導熱系數更高。

GaN器(qi)件(jian)(jian)可在200℃以(yi)(yi)上(shang)的高(gao)(gao)(gao)溫(wen)下工(gong)作，能(neng)夠承載更高(gao)(gao)(gao)的能(neng)量(liang)密(mi)度(du)，可靠性更高(gao)(gao)(gao)；較(jiao)大禁帶寬度(du)和絕緣(yuan)破壞(huai)電場，使(shi)得器(qi)件(jian)(jian)導通(tong)電阻(zu)減少，有利于(yu)提(ti)升器(qi)件(jian)(jian)整體的能(neng)效；電子(zi)飽和速度(du)快，以(yi)(yi)及較(jiao)高(gao)(gao)(gao)的載流子(zi)遷移率，可讓器(qi)件(jian)(jian)高(gao)(gao)(gao)速地工(gong)作。

4、兼容好

根據(ju)公開的數(shu)據(ju)，某(mou)品(pin)牌(pai)GaN充(chong)電(dian)器可以(yi)智(zhi)能識(shi)別輸出電(dian)流，兼(jian)容大(da)多(duo)數(shu)Type-C型智(zhi)能手機、筆記本(ben)電(dian)腦、平板電(dian)腦、新潮游戲(xi)設備(bei)，包括全系iPhone、Switch以(yi)及眾多(duo)品(pin)牌(pai)的筆電(dian)。

眾所周(zhou)知，聯想thinkplus、OPPO支(zhi)持(chi)的多(duo)為(wei)自家筆電和手機產品，沒(mei)有給出其他品牌的詳細兼容(rong)性測(ce)試列表。

目前市面上(shang)的充(chong)電(dian)器運用最廣泛的半(ban)導(dao)體材料還(huan)是(shi)硅(gui)(gui)（Si），比如(ru)你手邊(bian)的蘋(pin)果充(chong)電(dian)器或者華為(wei)充(chong)電(dian)器等等。但硅(gui)(gui)已經快被(bei)人(ren)類運用到(dao)極限了(le)，所以氮化(hua)鎵作為(wei)硅(gui)(gui)的三代半(ban)導(dao)體材料，開始逐步應用在大部(bu)分(fen)的電(dian)子器件上(shang)。

二、氮化鎵充電器有必要買嗎

GaN（氮(dan)化鎵）是新(xin)型半導(dao)體(ti)材(cai)料，該材(cai)料具(ju)(ju)有超強的(de)導(dao)熱效(xiao)率(lv)、耐高溫(wen)和耐酸(suan)堿的(de)特(te)性。而作為充(chong)電頭的(de)材(cai)料，具(ju)(ju)有高效(xiao)率(lv)低發(fa)熱、高功(gong)率(lv)小體(ti)積(ji)的(de)特(te)點(dian)，并(bing)且在充(chong)電功(gong)率(lv)轉(zhuan)換上(shang)相比同功(gong)率(lv)（非GaN）充(chong)電器(qi)更(geng)(geng)具(ju)(ju)優勢。其充(chong)電器(qi)體(ti)積(ji)更(geng)(geng)小巧，一(yi)(yi)般只有傳統充(chong)電器(qi)的(de)一(yi)(yi)半體(ti)積(ji)。同時可以確保低溫(wen)、安全地充(chong)電，給整個手(shou)機行(xing)業帶來了改(gai)變，堪(kan)稱(cheng)“快充(chong)革(ge)命”，一(yi)(yi)時之間成為行(xing)業的(de)風口。

縱然氮化鎵眼(yan)下市場風口正(zheng)盛，不(bu)過對于(yu)手機用(yong)戶而言，是(shi)否立即更(geng)換氮化鎵充電(dian)器，還需考慮(lv)。

一般(ban)來說(shuo)，如果手機電(dian)池沒(mei)有(you)超過3500毫(hao)安，手機快充沒(mei)超過30W，使(shi)用(yong)氮化鎵充電(dian)器(qi)的意(yi)義(yi)不大，使(shi)用(yong)手機本身自帶(dai)的充電(dian)器(qi)就(jiu)已足夠。

即(ji)使更換(huan)大(da)功率(lv)(lv)的氮化鎵充電器，也只是以30W的功率(lv)(lv)充電，未免(mian)有點大(da)材(cai)小用了。

如果你的(de)手(shou)(shou)機(ji)電(dian)(dian)池超過3500毫安(an)，手(shou)(shou)機(ji)快充能達到40W以上，且手(shou)(shou)機(ji)標配的(de)充電(dian)(dian)器(qi)瓦數(shu)較(jiao)低(di)，那氮(dan)化(hua)鎵充電(dian)(dian)器(qi)就非(fei)常適合你了(le)。

當(dang)然(ran)了(le)，如果是給筆(bi)記本電(dian)(dian)腦充電(dian)(dian)，氮(dan)化鎵充電(dian)(dian)器確實是個不錯的(de)選擇。

三、氮化鎵充電器為什么貴

原因很簡單：之前氮化鎵技術不成熟，成本也相對更高！氮化鎵充電器最主要的成(cheng)本來(lai)自于(yu)MOS功率芯片，昂貴的原材料直(zhi)接導(dao)致(zhi)了消費級GaN充電器價格偏高，目(mu)前(qian)市(shi)面上的氮(dan)化鎵充電器基本上是一(yi)百多塊。不過隨著(zhu)越來(lai)越多廠商(shang)參(can)與進來(lai)，相(xiang)信技(ji)術會越來(lai)越成(cheng)熟，成(cheng)本下降只是時間問題。