一、GaN充電器有什么好處

1、體積小

因為(wei)運用(yong)了氮化鎵的(de)原因以及氮化鎵的(de)一個特性：開(kai)關(guan)頻率高。它是(shi)目前全球(qiu)最快的(de)功率開(kai)關(guan)器件(jian)，開(kai)關(guan)頻率高可以減小(xiao)變壓(ya)器和(he)電容的(de)體積(ji)，那么(me)自然氮化鎵充(chong)電頭就會比一般(ban)充(chong)電頭的(de)體積(ji)和(he)重量更(geng)小(xiao)、更(geng)低了，同(tong)時發熱(re)量也會降(jiang)低。

2、功率大

因(yin)為氮化鎵本身具(ju)有更寬的帶(dai)隙，而寬帶(dai)隙也就(jiu)等于能承受更高(gao)的電(dian)(dian)(dian)壓(ya)，具(ju)有更好(hao)的導電(dian)(dian)(dian)能力，并且會讓電(dian)(dian)(dian)子產(chan)品的用(yong)電(dian)(dian)(dian)量減(jian)少(shao)10%~25%。

當然不止省(sheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)費，主要還是(shi)充電(dian)(dian)(dian)(dian)快！具體有多快呢？以(yi)小米(mi)10氮化鎵充電(dian)(dian)(dian)(dian)為例，它可在45min內為小米(mi)10 Pro充電(dian)(dian)(dian)(dian)100%，為iPhone 11充電(dian)(dian)(dian)(dian)100%的時(shi)間是(shi)1h50min，比5W原裝充電(dian)(dian)(dian)(dian)器快了約50%。

3、易散熱

GaN與第(di)一代(dai)半(ban)導(dao)體Si和第(di)二代(dai)半(ban)導(dao)體GaAs相比，GaN的禁帶寬度(du)大、零界擊(ji)穿電場強(qiang)度(du)大、導(dao)熱系數(shu)更(geng)高。

GaN器件(jian)(jian)(jian)可(ke)在200℃以(yi)(yi)上的(de)高(gao)(gao)溫下工(gong)作(zuo)，能夠(gou)承載(zai)更(geng)高(gao)(gao)的(de)能量(liang)密度(du)，可(ke)靠性更(geng)高(gao)(gao)；較(jiao)大(da)禁帶寬度(du)和(he)絕緣破壞電場，使(shi)得器件(jian)(jian)(jian)導通電阻減少(shao)，有利于提升器件(jian)(jian)(jian)整體的(de)能效(xiao)；電子飽和(he)速度(du)快，以(yi)(yi)及較(jiao)高(gao)(gao)的(de)載(zai)流子遷(qian)移率，可(ke)讓(rang)器件(jian)(jian)(jian)高(gao)(gao)速地工(gong)作(zuo)。

4、兼容好

根據(ju)公開的數據(ju)，某品(pin)牌(pai)GaN充電(dian)器可以智(zhi)(zhi)能(neng)識別輸出(chu)電(dian)流(liu)，兼(jian)容(rong)大多(duo)數Type-C型智(zhi)(zhi)能(neng)手機(ji)、筆(bi)記(ji)本(ben)電(dian)腦(nao)、平(ping)板電(dian)腦(nao)、新(xin)潮游戲設備，包括(kuo)全(quan)系iPhone、Switch以及眾(zhong)多(duo)品(pin)牌(pai)的筆(bi)電(dian)。

眾(zhong)所周知，聯想thinkplus、OPPO支持的(de)多為(wei)自家筆(bi)電和手(shou)機產品(pin)，沒有給出(chu)其他品(pin)牌的(de)詳(xiang)細兼容性測(ce)試(shi)列表。

目前市面上(shang)的(de)充電器(qi)(qi)運用(yong)最廣泛的(de)半(ban)導體材料還是硅(gui)（Si），比如你手邊的(de)蘋果(guo)充電器(qi)(qi)或者華為充電器(qi)(qi)等等。但硅(gui)已經(jing)快(kuai)被人類運用(yong)到極限了(le)，所以氮化鎵作為硅(gui)的(de)三代半(ban)導體材料，開(kai)始(shi)逐(zhu)步應用(yong)在大部分的(de)電子器(qi)(qi)件上(shang)。

二、氮化鎵充電器有必要買嗎

GaN（氮化鎵）是新型半導體材料，該(gai)材料具有(you)超(chao)強的(de)導熱效率(lv)、耐高(gao)溫和耐酸堿(jian)的(de)特性(xing)。而作(zuo)為充(chong)電(dian)頭(tou)的(de)材料，具有(you)高(gao)效率(lv)低(di)發熱、高(gao)功率(lv)小(xiao)體積(ji)的(de)特點，并且(qie)在充(chong)電(dian)功率(lv)轉換上相比(bi)同功率(lv)（非GaN）充(chong)電(dian)器更具優(you)勢。其充(chong)電(dian)器體積(ji)更小(xiao)巧(qiao)，一般只有(you)傳統(tong)充(chong)電(dian)器的(de)一半體積(ji)。同時可(ke)以(yi)確保低(di)溫、安全(quan)地充(chong)電(dian)，給整個(ge)手機行業帶來了(le)改變，堪稱“快充(chong)革命”，一時之間成(cheng)為行業的(de)風口。

縱然氮(dan)化鎵眼下市場風口正(zheng)盛，不過對于手機用(yong)戶而言，是否立即更換氮(dan)化鎵充(chong)電器，還需考(kao)慮(lv)。

一般來說(shuo)，如果手機(ji)(ji)電(dian)(dian)池沒(mei)(mei)有超過3500毫安，手機(ji)(ji)快充沒(mei)(mei)超過30W，使用(yong)氮化鎵(jia)充電(dian)(dian)器的(de)意(yi)義不大，使用(yong)手機(ji)(ji)本(ben)身自帶的(de)充電(dian)(dian)器就已足夠。

即使更(geng)換(huan)大功率的氮(dan)化鎵充電器，也只是以30W的功率充電，未免有點大材小用了。

如果你(ni)的手(shou)機(ji)電(dian)池超過3500毫安，手(shou)機(ji)快充(chong)能(neng)達到40W以(yi)上，且(qie)手(shou)機(ji)標配的充(chong)電(dian)器(qi)瓦數較低，那氮化鎵充(chong)電(dian)器(qi)就非(fei)常適合你(ni)了。

當然了，如果是給筆記(ji)本(ben)電(dian)腦充(chong)電(dian)，氮化鎵充(chong)電(dian)器確實是個(ge)不錯的選擇。

三、氮化鎵充電器為什么貴

原因很簡單：之前氮化鎵技術不成熟，成本也相對更高！氮化鎵充電器最主要的成(cheng)(cheng)本來自于MOS功(gong)率芯片，昂貴的原材料(liao)直接導致了消費級GaN充電器價格偏高，目前市面上(shang)的氮化鎵充電器基(ji)本上(shang)是(shi)一百多塊。不(bu)過隨著(zhu)越來越多廠商參與進來，相信技術會越來越成(cheng)(cheng)熟，成(cheng)(cheng)本下降只是(shi)時(shi)間問題。