一、電芯k值如何計算

電芯的(de)K值是一個重要的(de)性能(neng)指(zhi)標(biao)，它反映了電(dian)(dian)池的(de)老化速度(du)和(he)容(rong)量。具體來說，K值是通(tong)過測量電(dian)(dian)池充(chong)(chong)滿后(hou)達到的(de)飽和(he)電(dian)(dian)量與其(qi)實際放(fang)電(dian)(dian)電(dian)(dian)流(liu)的(de)比值計算得出的(de)，也被稱為額定充(chong)(chong)放(fang)電(dian)(dian)倍率。具體計算方式如下：

K=電(dian)池(chi)充放電(dian)電(dian)壓或電(dian)流上、下(xia)限值(zhi)的最(zui)大正弦波(bo)幅值(zhi)差與標(biao)稱值(zhi)的百分(fen)比，即K=（Umax-Umin）%÷UN×100%。其中，K代表(biao)偏差系(xi)數(shu)；UN為(wei)標(biao)準規定輸(shu)入/輸(shu)出直流母線額(e)定電(dian)壓（V）；Umax為(wei)在(zai)某(mou)工(gong)況下(xia)的最(zui)高測(ce)試(shi)點(dian)對(dui)應(ying)的充、放電(dian)壓；Umin為(wei)在(zai)某(mou)工(gong)況下(xia)的最(zui)低測(ce)試(shi)點(dian)對(dui)應(ying)的充、放電(dian)壓。這些(xie)數(shu)據需要在(zai)實際(ji)測(ce)量中獲取。

二、影響電芯k值的因素有什么

1、正負極材料、電解液種類、隔膜厚度種類

由于自放電(dian)很大(da)程(cheng)度上是發生于材(cai)料之間，因此材(cai)料的(de)性能對自放電(dian)有很大(da)的(de)影響。有人曾做實驗得(de)知三元材(cai)料比鈷(gu)酸(suan)鋰電(dian)池自放電(dian)更高。

2、存儲的時間

存儲時間(jian)變(bian)長，一方面是使壓降(jiang)(jiang)的(de)絕(jue)(jue)對(dui)值(zhi)增大(da)，另一方面則變(bian)相的(de)減少(shao)了“儀器絕(jue)(jue)對(dui)誤差(cha)/壓降(jiang)(jiang)值(zhi)”，從而使結果更為準確。但儲存時間(jian)過長也會(hui)使正(zheng)負極之(zhi)間(jian)容量(liang)的(de)平衡逐(zhu)漸(jian)被打破并深化，電解液(ye)的(de)分解也會(hui)累(lei)計一些不可逆容量(liang)損失(shi)，使自放(fang)電變(bian)大(da)。

3、存儲的條件

存儲溫度(du)和濕度(du)的增加，會增大(da)自放電程度(du)。

4、保護板自耗

與電芯保護板(ban)自耗電也(ye)有一(yi)定關系。

5、測試的初始電壓

初始(shi)電(dian)(dian)壓(ya)（或(huo)者(zhe)說(shuo)一次(ci)電(dian)(dian)壓(ya)）不同，所得K值差別明顯。一般初始(shi)電(dian)(dian)壓(ya)過高，自放電(dian)(dian)率(lv)越(yue)大。

嚴格的說，自放電用容量的衰減來表示，只是沒有合適的設備在不讓電芯放(fang)電(dian)的(de)(de)情(qing)況下(xia)直接測(ce)出其剩余(yu)容量，而只能(neng)(neng)是(shi)通(tong)過測(ce)量其電(dian)壓來間接的(de)(de)衡量其自(zi)放(fang)電(dian)，也就(jiu)是(shi)所說的(de)(de)K值，所以如果環境條件的(de)(de)改變引起(qi)測(ce)試電(dian)壓的(de)(de)偏差可能(neng)(neng)導致K值的(de)(de)測(ce)量誤差，我們在(zai)實際測(ce)量時甚至得到(dao)了K為(wei)負值的(de)(de)情(qing)況，這顯(xian)然(ran)與自(zi)放(fang)電(dian)本身的(de)(de)意義相矛盾，因此(ci)需要對設備經常進行校驗，測(ce)量環境保持(chi)一致。