一、二極管激光器和半導體激光器的區別

二極管(guan)激光(guang)(guang)器和半導體激光(guang)(guang)器在發光(guang)(guang)材料、光(guang)(guang)譜范圍(wei)(wei)、使用(yong)范圍(wei)(wei)、工(gong)作原理、輻射光(guang)(guang)譜的(de)(de)差異、電流的(de)(de)差異和應用(yong)方面有所不同(tong)。以下是(shi)詳細(xi)介紹：

1、發光材料不同。二極管激(ji)光器的(de)主(zhu)要發(fa)光材(cai)(cai)料是(shi)氮化鎵，而半導體激(ji)光器的(de)發(fa)光材(cai)(cai)料主(zhu)要是(shi)氮化鎵。

2、光譜范圍不同。二(er)極管激光(guang)器的光(guang)波長主要在800至(zhi)1000納米(mi)范圍內(nei)，屬于近紅外(wai)波段；半導體激光(guang)器的光(guang)譜范圍為650至(zhi)1100納米(mi)。

3、使用范圍不同。二極管激光器通常用于淺組織照射，如消炎和減輕疼痛；半導體激光器更適用于牙周病、牙髓炎等(deng)問(wen)題的治療(liao)。

4、工作原理和輻射光譜不同。半導(dao)(dao)體激(ji)光(guang)(guang)器(qi)是受激(ji)輻射(she)的結(jie)果，采用電能(neng)激(ji)勵激(ji)光(guang)(guang)，而(er)二極管激(ji)光(guang)(guang)器(qi)是自(zi)發的輻射(she)產生光(guang)(guang)。半導(dao)(dao)體激(ji)光(guang)(guang)器(qi)發出(chu)的光(guang)(guang)具(ju)有高單色性，而(er)二極管激(ji)光(guang)(guang)器(qi)發出(chu)的光(guang)(guang)則(ze)有寬帶譜性。

5、電流不同。半導體激(ji)(ji)光器發射光需(xu)要一個高電流的激(ji)(ji)勵，而(er)二極管激(ji)(ji)光器則只需(xu)要一個低電壓的激(ji)(ji)勵。

6、應用不同。半導體(ti)激光器具有高(gao)功(gong)率、高(gao)空(kong)間一(yi)致性和窄譜性的(de)特點，廣泛應用(yong)于工業、生物醫學等(deng)多(duo)個領(ling)域；二極管激光器因(yin)為具有低功(gong)耗(hao)、長壽命、體(ti)積小的(de)特點，在(zai)照明(ming)、顯(xian)示以及(ji)室內嵌入式(shi)等(deng)領(ling)域有廣泛的(de)應用(yong)。

二、二極管激光器的主要技術參數介紹

1、波長：即激光(guang)管工(gong)作波長(chang)，可作光(guang)電開關用的激光(guang)管波長(chang)有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。

2、閾值電流：即激(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)管開始產生激(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)振蕩(dang)的電流，對(dui)一般小功率激(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)管而言，其值(zhi)約在數十毫安，具有應(ying)變多量子阱結構(gou)的激(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)管閾值(zhi)電流可低至10mA以下。

3、工作電流：即(ji)激光(guang)管達到額(e)定(ding)輸(shu)出功率時的(de)驅動電(dian)流，此值對于設計(ji)調試激光(guang)驅動電(dian)路較重要。

4、工作電壓：是發出規(gui)定的光(guang)輸出時需要的正向電壓(ya)。

5、光輸出功率：最(zui)大(da)允(yun)許的瞬時光學功(gong)率輸(shu)出(chu)。這適用于(yu)連(lian)續或脈沖操作模式。

6、暗電流：光電(dian)二極管反向偏置(zhi)時的(de)泄漏電(dian)流。暗電(dian)流既取(qu)決于溫(wen)度又取(qu)決于電(dian)壓，理想(xiang)的(de)二極管/光電(dian)二極管在相反的(de)方向上沒(mei)有電(dian)流。?