一、二極管激光器和半導體激光器的區別

二極管激光(guang)器和(he)半導體激光(guang)器在(zai)發光(guang)材(cai)料、光(guang)譜范圍、使用范圍、工(gong)作(zuo)原理、輻射光(guang)譜的(de)差異、電流的(de)差異和(he)應用方面(mian)有所不同。以(yi)下是(shi)詳細介紹：

1、發光材料不同。二極管激光(guang)(guang)器(qi)的(de)(de)主要發光(guang)(guang)材(cai)料是氮化鎵，而半導體激光(guang)(guang)器(qi)的(de)(de)發光(guang)(guang)材(cai)料主要是氮化鎵。

2、光譜范圍不同。二(er)極管激光器的光波(bo)長主要(yao)在800至1000納(na)米范圍(wei)內(nei)，屬(shu)于近紅外波(bo)段(duan)；半導體激光器的光譜范圍(wei)為650至1100納(na)米。

3、使用范圍不同。二極管激光器通常用于淺組織照射，如消炎和減輕疼痛；半導體激光器更適用(yong)于牙周病、牙髓炎等問題的治療。

4、工作原理和輻射光譜不同。半導體激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)是受(shou)激(ji)輻射的(de)(de)結果，采用電能激(ji)勵激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)，而二極管激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)是自發(fa)的(de)(de)輻射產生光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)。半導體激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)發(fa)出的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)具(ju)有(you)高單色性，而二極管激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)發(fa)出的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)則有(you)寬帶譜性。

5、電流不同。半(ban)導體激(ji)光器(qi)發射光需要(yao)一(yi)個高電流的激(ji)勵，而二(er)極(ji)管激(ji)光器(qi)則(ze)只需要(yao)一(yi)個低電壓的激(ji)勵。

6、應用不同。半導體(ti)(ti)激光(guang)器具(ju)有(you)高功率、高空間一致性和窄譜性的特點，廣泛應用于工業、生物醫學(xue)等多個(ge)領(ling)域(yu)；二極管激光(guang)器因為具(ju)有(you)低功耗、長(chang)壽命(ming)、體(ti)(ti)積(ji)小(xiao)的特點，在照明、顯示以及室(shi)內嵌(qian)入(ru)式(shi)等領(ling)域(yu)有(you)廣泛的應用。

二、二極管激光器的主要技術參數介紹

1、波長：即激(ji)光管工作(zuo)波長(chang)，可作(zuo)光電開(kai)關用的激(ji)光管波長(chang)有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。

2、閾值電流：即激光管開始(shi)產(chan)生激光振(zhen)蕩(dang)的電流(liu)，對一般小功率激光管而言，其(qi)值(zhi)約在(zai)數十(shi)毫安，具有應變多量子阱結(jie)構的激光管閾(yu)值(zhi)電流(liu)可低(di)至10mA以下(xia)。

3、工作電流：即激光管達到額(e)定輸出(chu)功(gong)率(lv)時的(de)驅動(dong)電流(liu)，此(ci)值對于設計調試(shi)激光驅動(dong)電路(lu)較重(zhong)要(yao)。

4、工作電壓：是(shi)發出規(gui)定的(de)光輸(shu)出時需要的(de)正向電壓。

5、光輸出功率：最大允許的瞬時(shi)光學功率(lv)輸(shu)出。這適(shi)用(yong)于連(lian)續或(huo)脈(mo)沖操作模式。

6、暗電流：光(guang)電(dian)二(er)極管反向偏置時的(de)泄漏電(dian)流。暗電(dian)流既取(qu)決(jue)于溫(wen)度又(you)取(qu)決(jue)于電(dian)壓，理想(xiang)的(de)二(er)極管/光(guang)電(dian)二(er)極管在相反的(de)方(fang)向上沒有電(dian)流。?