一、半導體激光器結構中的勢壘是什么

一般在談到半導(dao)體的(de)(de)(de)PN結(jie)時，就(jiu)(jiu)會聯系到勢壘，這涉(she)及半導(dao)體的(de)(de)(de)基礎內(nei)容。簡單(dan)地說，所謂勢壘也稱位壘，就(jiu)(jiu)是在PN結(jie)由于(yu)電子、空穴的(de)(de)(de)擴散所形成的(de)(de)(de)阻擋層，兩側(ce)的(de)(de)(de)勢能(neng)差，就(jiu)(jiu)稱為勢壘。

二、半導體激光器產生激光的條件介紹

半導體激光器產生激光的(de)條件(jian)主要包括以(yi)下幾(ji)點：

1、增益條件。需要在有源區（激射(she)媒(mei)質）內建立(li)載流(liu)子(zi)(zi)的(de)反轉分布，即在高能態導帶底(di)的(de)電子(zi)(zi)數(shu)需要大(da)于低能態價帶頂的(de)空(kong)(kong)穴數(shu)。這通常通過給同質結或異質結加(jia)正向偏壓(ya)來實現，從而(er)將電子(zi)(zi)從能量(liang)較低的(de)價帶激發(fa)到能量(liang)較高的(de)導帶。當(dang)電子(zi)(zi)和空(kong)(kong)穴在粒子(zi)(zi)數(shu)反轉狀態下復合(he)時(shi)，會(hui)產生(sheng)受激發(fa)射(she)作用。

2、光學諧振腔。諧(xie)振腔由半導體晶體的(de)(de)自然(ran)解理面(mian)形(xing)成反(fan)射鏡，出光面(mian)通常鍍有減反(fan)膜，而不(bu)出光的(de)(de)那一端(duan)則鍍上高反(fan)多層介(jie)質(zhi)膜，形(xing)成F-P（法布里-拍羅(luo)）腔。這樣(yang)的(de)(de)結構使得受激輻射的(de)(de)光在腔內(nei)多次(ci)反(fan)饋，形(xing)成激光振蕩。

3、滿足閾值條件。激(ji)光(guang)媒質必須提供足夠(gou)的(de)增益(yi)，以彌補(bu)諧(xie)振(zhen)腔引起的(de)光(guang)損耗(hao)及激(ji)光(guang)輸出(chu)引起的(de)損耗(hao)。這要求有(you)足夠(gou)強的(de)電流(liu)注(zhu)入(ru)，即有(you)足夠(gou)的(de)粒(li)子數反(fan)轉(zhuan)。當激(ji)光(guang)器達(da)到閾值時，具有(you)特(te)定波長的(de)光(guang)就能在(zai)腔內諧(xie)振(zhen)并被(bei)放大，形成激(ji)光(guang)并連續輸出(chu)。

此外，半導體(ti)激光器產生激光還需要滿足相位條件(jian)，以(yi)及(ji)具有良好(hao)的散熱措施(shi)，以(yi)保(bao)證(zheng)激光器的穩定(ding)性和壽(shou)命。