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半導體激光器結構中的勢壘是什么 半導體激光器產生激光的條件介紹

本文章由注冊用戶 時代工業園 上傳提供 2025-04-22 評論 0
摘要:半導體激光(Semiconductor laser)在1962年被成功激發,在1970年實現室溫下連續輸出。后來經過改良,開發出雙異質接合型激光及條紋型構造的激光二極管(Laser diode)等,廣泛使用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器(激光筆),是目前生產量最大的激光器。接下來本文將帶來半導體激光器結構中的勢壘是什么以及半導體激光器產生激光的條件介紹,一起來看看吧!

一、半導體激光器結構中的勢壘是什么

一般在(zai)(zai)談到半導體的(de)(de)PN結(jie)時,就(jiu)會聯系到勢(shi)壘(lei),這(zhe)涉及半導體的(de)(de)基礎內容。簡單地說,所(suo)謂勢(shi)壘(lei)也稱位(wei)壘(lei),就(jiu)是在(zai)(zai)PN結(jie)由于(yu)電(dian)子(zi)、空穴的(de)(de)擴散所(suo)形成的(de)(de)阻擋層,兩側的(de)(de)勢(shi)能差,就(jiu)稱為勢(shi)壘(lei)。

二、半導體激光器產生激光的條件介紹

半導體(ti)激光器(qi)產生激光的條件主要(yao)包(bao)括以下幾點(dian):

1、增益條件。需要在有源(yuan)區(激(ji)射(she)(she)媒質)內建立載流子(zi)的(de)(de)反(fan)轉分布,即(ji)在高(gao)能(neng)態導帶底的(de)(de)電(dian)子(zi)數(shu)(shu)需要大于低(di)能(neng)態價(jia)帶頂的(de)(de)空(kong)穴數(shu)(shu)。這通常通過給同質結或異質結加正向偏壓來(lai)實現,從(cong)而將電(dian)子(zi)從(cong)能(neng)量較(jiao)低(di)的(de)(de)價(jia)帶激(ji)發到能(neng)量較(jiao)高(gao)的(de)(de)導帶。當電(dian)子(zi)和空(kong)穴在粒(li)子(zi)數(shu)(shu)反(fan)轉狀態下復(fu)合時,會產生受激(ji)發射(she)(she)作用。

2、光學諧振腔。諧振腔(qiang)(qiang)由(you)半導體晶體的(de)自然(ran)解理面(mian)形(xing)成(cheng)反(fan)射鏡,出光(guang)(guang)面(mian)通常鍍(du)有減反(fan)膜,而不出光(guang)(guang)的(de)那一端(duan)則鍍(du)上高反(fan)多層介質膜,形(xing)成(cheng)F-P(法布里-拍(pai)羅)腔(qiang)(qiang)。這(zhe)樣(yang)的(de)結構使(shi)得受激輻射的(de)光(guang)(guang)在腔(qiang)(qiang)內多次反(fan)饋,形(xing)成(cheng)激光(guang)(guang)振蕩。

3、滿足閾值條件。激(ji)光(guang)媒質必須提供足(zu)夠的(de)增益(yi),以彌(mi)補諧(xie)振腔引(yin)起的(de)光(guang)損耗及(ji)激(ji)光(guang)輸(shu)出引(yin)起的(de)損耗。這要求有(you)足(zu)夠強的(de)電流(liu)注入,即有(you)足(zu)夠的(de)粒子數反轉。當(dang)激(ji)光(guang)器達(da)到閾值時,具有(you)特定波長的(de)光(guang)就能在腔內諧(xie)振并被(bei)放大,形(xing)成激(ji)光(guang)并連續(xu)輸(shu)出。

此(ci)外,半(ban)導體激光器(qi)產生激光還需(xu)要滿足相位條(tiao)件,以及(ji)具有良好的(de)散(san)熱措(cuo)施,以保(bao)證激光器(qi)的(de)穩定性和壽(shou)命。

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