一、半導體激光器結構中的勢壘是什么

一般在談到半(ban)導(dao)體(ti)(ti)的(de)PN結時(shi)，就(jiu)(jiu)會聯系到勢(shi)壘，這涉及半(ban)導(dao)體(ti)(ti)的(de)基礎內容。簡(jian)單地(di)說，所謂勢(shi)壘也(ye)稱位(wei)壘，就(jiu)(jiu)是在PN結由于電子、空穴的(de)擴散所形成的(de)阻擋層(ceng)，兩(liang)側的(de)勢(shi)能(neng)差，就(jiu)(jiu)稱為勢(shi)壘。

二、半導體激光器產生激光的條件介紹

半導體激光器產生激光的條件主(zhu)要包(bao)括以(yi)下幾點：

1、增益條件。需(xu)要(yao)在(zai)有源區（激射(she)媒質(zhi)）內建立載流子(zi)(zi)的反轉分布，即在(zai)高能(neng)(neng)態(tai)(tai)導(dao)(dao)帶(dai)底的電子(zi)(zi)數(shu)需(xu)要(yao)大于(yu)低(di)能(neng)(neng)態(tai)(tai)價帶(dai)頂的空(kong)穴數(shu)。這通常通過給同質(zhi)結或異質(zhi)結加正(zheng)向偏壓來實現，從(cong)而將(jiang)電子(zi)(zi)從(cong)能(neng)(neng)量較低(di)的價帶(dai)激發到能(neng)(neng)量較高的導(dao)(dao)帶(dai)。當電子(zi)(zi)和空(kong)穴在(zai)粒子(zi)(zi)數(shu)反轉狀態(tai)(tai)下復合時(shi)，會產(chan)生受激發射(she)作用。

2、光學諧振腔。諧振腔(qiang)由(you)半(ban)導體晶體的自(zi)然解理(li)面形(xing)成反(fan)射鏡，出(chu)光面通常鍍有減反(fan)膜(mo)(mo)，而不出(chu)光的那一端則鍍上(shang)高反(fan)多層介質膜(mo)(mo)，形(xing)成F-P（法布里(li)-拍(pai)羅）腔(qiang)。這樣(yang)的結構(gou)使得受激(ji)輻射的光在(zai)腔(qiang)內多次反(fan)饋，形(xing)成激(ji)光振蕩。

3、滿足閾值條件。激(ji)光(guang)媒質必須(xu)提供足夠的(de)增益，以彌(mi)補諧(xie)振腔(qiang)引(yin)(yin)起(qi)的(de)光(guang)損耗(hao)及激(ji)光(guang)輸(shu)出引(yin)(yin)起(qi)的(de)損耗(hao)。這要求有足夠強(qiang)的(de)電(dian)流注(zhu)入(ru)，即有足夠的(de)粒子數反轉(zhuan)。當激(ji)光(guang)器達到閾值時，具有特定波長的(de)光(guang)就能在腔(qiang)內諧(xie)振并(bing)被放大(da)，形成激(ji)光(guang)并(bing)連續(xu)輸(shu)出。

此外，半導體激光器產(chan)生激光還(huan)需要(yao)滿足(zu)相位條件，以及具有良好的散熱措施，以保證激光器的穩定性和壽(shou)命。