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半導體激光器結構中的勢壘是什么 半導體激光器產生激光的條件介紹

本文章由注冊用戶 時代工業園 上傳提供 2025-04-22 評論 0
摘要:半導體激光(Semiconductor laser)在1962年被成功激發,在1970年實現室溫下連續輸出。后來經過改良,開發出雙異質接合型激光及條紋型構造的激光二極管(Laser diode)等,廣泛使用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器(激光筆),是目前生產量最大的激光器。接下來本文將帶來半導體激光器結構中的勢壘是什么以及半導體激光器產生激光的條件介紹,一起來看看吧!

一、半導體激光器結構中的勢壘是什么

一般(ban)在談到半(ban)導體(ti)的(de)(de)PN結(jie)(jie)時,就會聯系到勢(shi)(shi)(shi)壘(lei),這(zhe)涉及半(ban)導體(ti)的(de)(de)基礎(chu)內容。簡單地說(shuo),所謂勢(shi)(shi)(shi)壘(lei)也稱位壘(lei),就是在PN結(jie)(jie)由于(yu)電(dian)子、空(kong)穴的(de)(de)擴散(san)所形成的(de)(de)阻擋層,兩側(ce)的(de)(de)勢(shi)(shi)(shi)能差,就稱為勢(shi)(shi)(shi)壘(lei)。

二、半導體激光器產生激光的條件介紹

半導體激(ji)光器產生激(ji)光的條件主要包括以下(xia)幾點(dian):

1、增益條件。需要在(zai)有(you)源區(激(ji)射媒質(zhi))內建立(li)載流子(zi)(zi)的反(fan)轉分布,即在(zai)高能(neng)(neng)態(tai)(tai)導(dao)帶底的電(dian)子(zi)(zi)數需要大(da)于低(di)能(neng)(neng)態(tai)(tai)價帶頂的空(kong)穴(xue)數。這(zhe)通常通過給同質(zhi)結或異質(zhi)結加正(zheng)向(xiang)偏壓來實現,從而將電(dian)子(zi)(zi)從能(neng)(neng)量(liang)(liang)較低(di)的價帶激(ji)發到(dao)能(neng)(neng)量(liang)(liang)較高的導(dao)帶。當(dang)電(dian)子(zi)(zi)和空(kong)穴(xue)在(zai)粒子(zi)(zi)數反(fan)轉狀態(tai)(tai)下復合時,會(hui)產生受激(ji)發射作用。

2、光學諧振腔。諧振腔(qiang)由半導體晶體的(de)自然解(jie)理面形成反(fan)射(she)鏡,出(chu)光面通常鍍有減反(fan)膜,而不出(chu)光的(de)那一端(duan)則鍍上高反(fan)多(duo)層介質膜,形成F-P(法(fa)布(bu)里-拍羅)腔(qiang)。這樣的(de)結構使(shi)得受激(ji)輻射(she)的(de)光在腔(qiang)內多(duo)次反(fan)饋,形成激(ji)光振蕩。

3、滿足閾值條件。激(ji)光(guang)(guang)(guang)媒質必須提(ti)供足夠的(de)增(zeng)益(yi),以彌(mi)補諧振腔(qiang)引起(qi)的(de)光(guang)(guang)(guang)損耗(hao)及激(ji)光(guang)(guang)(guang)輸出引起(qi)的(de)損耗(hao)。這要求有足夠強(qiang)的(de)電流注(zhu)入,即有足夠的(de)粒(li)子數反轉。當激(ji)光(guang)(guang)(guang)器達到(dao)閾值(zhi)時,具(ju)有特定波長的(de)光(guang)(guang)(guang)就能在(zai)腔(qiang)內諧振并被(bei)放大,形成激(ji)光(guang)(guang)(guang)并連續(xu)輸出。

此(ci)外,半(ban)導體激光器(qi)產生激光還需(xu)要滿足相位條件,以及具有良好的散熱措施,以保證激光器(qi)的穩定(ding)性和壽(shou)命。

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