答復函中提及(ji)，為推動中國工(gong)(gong)業半導(dao)體材料、芯片、器件及(ji)IGBT模塊產業發展，工(gong)(gong)信部、發展改革委及(ji)相關部門(men)，積(ji)極(ji)研(yan)究出臺政(zheng)策扶持產業發展。

一是2014年國務院發布的《推(tui)進綱要》中，已(yi)經將工業半導體芯片相關(guan)產品(pin)作為(wei)發展(zhan)重點，通過資(zi)金、應(ying)用、人才等方(fang)面政策推(tui)動產業進步。

二是發展改革(ge)委、我(wo)部研究制定了集成(cheng)(cheng)電路相關布局規劃，推動包括工業半(ban)導體材料、芯片(pian)等產業形成(cheng)(cheng)區(qu)域集聚、主體集中(zhong)的良性發展局面。

三是(shi)按照國發〔2011〕4號文件的有關要求(qiu)，對(dui)(dui)符合(he)條件的工業半導體(ti)芯(xin)片(pian)設計、制造等(deng)企業的企業所得稅(shui)(shui)、進(jin)口關稅(shui)(shui)等(deng)方面出(chu)臺了多項稅(shui)(shui)收優惠政(zheng)策，對(dui)(dui)相關領(ling)域給予重點(dian)扶持。

四是圍繞能(neng)源、交(jiao)(jiao)通等(deng)國(guo)家(jia)重點工(gong)(gong)業(ye)(ye)領域，充分發揮(hui)相關行(xing)業(ye)(ye)組織(zhi)作(zuo)(zuo)用(yong)，通過舉辦(ban)產用(yong)交(jiao)(jiao)流對接會、新(xin)產品推介會、發布典型應用(yong)示范案(an)例等(deng)方式(shi)，為我國(guo)工(gong)(gong)業(ye)(ye)半導體芯(xin)片(pian)企業(ye)(ye)和整(zheng)機(ji)企業(ye)(ye)搭建(jian)交(jiao)(jiao)流合作(zuo)(zuo)平臺。

下一步，工(gong)信部及相(xiang)關部門將(jiang)持(chi)續推(tui)進(jin)工(gong)業(ye)半導(dao)體材料、芯片(pian)、器(qi)(qi)件(jian)及IGBT模塊產(chan)(chan)業(ye)發展，根據產(chan)(chan)業(ye)發展形勢(shi)，調整完善政策實(shi)施細則，更好的(de)支持(chi)產(chan)(chan)業(ye)發展。通(tong)過行業(ye)協會等加大產(chan)(chan)業(ye)鏈合作力度，深入推(tui)進(jin)產(chan)(chan)學研用協同(tong)，促進(jin)我國工(gong)業(ye)半導(dao)體材料、芯片(pian)、器(qi)(qi)件(jian)及IGBT模塊產(chan)(chan)業(ye)的(de)技(ji)術迭(die)代和(he)應用推(tui)廣。

答(da)復函中還提及(ji)，工信部與相(xiang)關(guan)部門積極支持國內(nei)企業、高(gao)校(xiao)、研(yan)究(jiu)院所與先(xian)進(jin)發(fa)達國家加強交流合作。引進(jin)國外(wai)先(xian)進(jin)技術和研(yan)發(fa)團隊(dui)，推動包括工業半(ban)導(dao)體芯片(pian)、器件等領域國際(ji)專家來華交流，支持海外(wai)高(gao)層(ceng)次產業人才來華發(fa)展，提升(sheng)中國在(zai)工業半(ban)導(dao)體芯片(pian)相(xiang)關(guan)領域的研(yan)發(fa)能力和技術實力。

下一步(bu)，工信部和相關部門將繼續加快推(tui)進(jin)開放發展。引導國內(nei)企(qi)業(ye)(ye)(ye)、研究(jiu)機(ji)(ji)構等(deng)加強與先(xian)進(jin)發達國家產(chan)學研機(ji)(ji)構的戰略(lve)合作，進(jin)一步(bu)鼓(gu)勵(li)中國企(qi)業(ye)(ye)(ye)引進(jin)國外專家團隊，促進(jin)中國工業(ye)(ye)(ye)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chan)業(ye)(ye)(ye)研發能力(li)和產(chan)業(ye)(ye)(ye)能力(li)的提(ti)升。

工信部回復(fu)稱(cheng)，為解決工業(ye)半導體(ti)材(cai)料、芯片(pian)、器(qi)件、IGBT模(mo)塊等(deng)核心部件的關(guan)(guan)鍵性技術問題，工信部等(deng)相關(guan)(guan)部門積極支持工業(ye)半導體(ti)材(cai)料、芯片(pian)、器(qi)件、IGBT模(mo)塊領域關(guan)(guan)鍵技術攻關(guan)(guan)。

一是2017年(nian)工信部推出“工業強基IGBT器件一條龍應(ying)用計(ji)劃”，針對新能源汽車、智能電(dian)網、軌道交通(tong)三大領域，重點(dian)支持(chi)IGBT設計(ji)、芯片制造、模塊生(sheng)產(chan)(chan)及IDM、上游材料、生(sheng)產(chan)(chan)設備制造等環節，促進IGBT及相(xiang)關產(chan)(chan)業的(de)發展(zhan)。

二是指導湖南(nan)省建立功率(lv)半導體制造(zao)業創新中(zhong)心建設(she)，整合產業鏈上(shang)下游資源，協(xie)同攻關工業半導體材料(liao)、芯(xin)片、器(qi)件、IGBT模(mo)塊領域關鍵共性技術。

三是指導(dao)(dao)中國寬禁帶半導(dao)(dao)體及應(ying)用產業聯盟發(fa)(fa)布(bu)《中國IGBT技(ji)術與產業發(fa)(fa)展路線圖(2018-2030)》，引導(dao)(dao)我國IGBT行業技(ji)術升級，推動相關產業發(fa)(fa)展。

下一(yi)步，工(gong)信部(bu)將繼續支持我(wo)國工(gong)業半導體領域成熟技術(shu)發(fa)展，推動中國芯(xin)片(pian)制(zhi)造領域良率、產(chan)(chan)量(liang)的提升(sheng)。積極部(bu)署新材料(liao)及新一(yi)代產(chan)(chan)品(pin)技術(shu)的研(yan)發(fa)，推動我(wo)國工(gong)業半導體材料(liao)、芯(xin)片(pian)、器件、IGBT模塊(kuai)產(chan)(chan)業的發(fa)展。

工(gong)信部表示，當(dang)前，人(ren)才問題(ti)特(te)別是高端人(ren)才團隊(dui)短缺成為制約中(zhong)國工(gong)業(ye)半(ban)導體(ti)材料、芯片、器(qi)件及IGBT模塊(kuai)產業(ye)可(ke)持(chi)續發展的關鍵因素，為此(ci)工(gong)信部及相關部門積極推動中(zhong)國相關產業(ye)人(ren)才的培養。

一是工信部、教育部共(gong)同推動籌建集(ji)成電路產(chan)教融合(he)發展(zhan)聯盟，促進(jin)產(chan)業界和學術(shu)界的資源(yuan)整合(he)，推動培養擁有工程化能(neng)力的產(chan)業人才。

二(er)是同時以(yi)集成(cheng)電路為試點實施關鍵領(ling)域核心技術緊(jin)缺博士人才自主培養專項，根據行業(ye)企業(ye)需要，依托(tuo)高水平大學和國內(nei)骨干企業(ye)，針對性地培養一批高端博士人才。

三(san)是(shi)教育部(bu)(bu)、工(gong)信部(bu)(bu)等相關部(bu)(bu)門印(yin)發了《關于支持有(you)關高(gao)(gao)校建(jian)設示范性(xing)微電(dian)子(zi)學院的(de)通知》，支持26所(suo)高(gao)(gao)校建(jian)設或(huo)籌建(jian)示范性(xing)微電(dian)子(zi)學院，推動(dong)高(gao)(gao)校與(yu)區域內集成電(dian)路領域骨干企業、國家(jia)公共(gong)服務平(ping)臺(tai)、科技創新平(ping)臺(tai)、產業化基地和(he)地方政府(fu)等加強合作。

工信部(bu)表(biao)示，下一步(bu)，與教育部(bu)等(deng)部(bu)門將進(jin)一步(bu)加(jia)強(qiang)人(ren)才隊伍建設。推進(jin)設立集成(cheng)電(dian)路一級學科，進(jin)一步(bu)做實(shi)做強(qiang)示范性微(wei)電(dian)子學院，加(jia)快建設集成(cheng)電(dian)路產教融合(he)協(xie)同(tong)育人(ren)平(ping)臺，保障我國在工業半(ban)導體(ti)材料、芯片、器件及IGBT模塊產業的可(ke)持續(xu)發展。