答復函中(zhong)(zhong)提(ti)及(ji)(ji)，為推動中(zhong)(zhong)國(guo)工業半導體材料(liao)、芯(xin)片(pian)、器件及(ji)(ji)IGBT模塊產業發(fa)展(zhan)，工信部(bu)、發(fa)展(zhan)改革(ge)委(wei)及(ji)(ji)相(xiang)關部(bu)門，積極研究出臺政策扶持(chi)產業發(fa)展(zhan)。

一是(shi)2014年國務院(yuan)發布的《推進綱要》中，已(yi)經將(jiang)工業(ye)半導(dao)體芯片相關產(chan)(chan)品作為發展重點，通過(guo)資金、應用(yong)、人才等方面(mian)政策推動產(chan)(chan)業(ye)進步。

二是(shi)發(fa)展改革委、我部研究(jiu)制定了集(ji)成(cheng)電(dian)路相關布(bu)局(ju)規劃，推動包括工業(ye)半導體材(cai)料(liao)、芯(xin)片等產業(ye)形(xing)成(cheng)區域集(ji)聚(ju)、主(zhu)體集(ji)中的良(liang)性發(fa)展局(ju)面。

三是按照國發〔2011〕4號文件(jian)的有關要求(qiu)，對(dui)符合條件(jian)的工業半導體(ti)芯片設計、制(zhi)造等企業的企業所得稅、進(jin)口關稅等方面出臺了多項稅收優惠政(zheng)策，對(dui)相關領域給予(yu)重點扶持(chi)。

四是圍繞能源、交通等國家重點工業(ye)(ye)領域，充分發揮相關(guan)行業(ye)(ye)組織作用(yong)，通過舉辦產(chan)用(yong)交流對接會(hui)、新產(chan)品推(tui)介會(hui)、發布典型應用(yong)示(shi)范案例(li)等方式，為(wei)我國工業(ye)(ye)半導體芯片企業(ye)(ye)和整機企業(ye)(ye)搭建交流合作平臺(tai)。

下一步，工(gong)信部及相關部門將持續推進(jin)工(gong)業(ye)半(ban)導(dao)體(ti)材料(liao)、芯片(pian)、器件及IGBT模塊(kuai)產(chan)業(ye)發展(zhan)(zhan)，根據產(chan)業(ye)發展(zhan)(zhan)形勢，調整完善政策實施細則，更好的支持產(chan)業(ye)發展(zhan)(zhan)。通過行業(ye)協會等加大產(chan)業(ye)鏈(lian)合作力度，深入推進(jin)產(chan)學研用(yong)協同，促進(jin)我國(guo)工(gong)業(ye)半(ban)導(dao)體(ti)材料(liao)、芯片(pian)、器件及IGBT模塊(kuai)產(chan)業(ye)的技術迭代和應(ying)用(yong)推廣。

答復函中(zhong)還提及，工信(xin)部(bu)與(yu)相關部(bu)門積極(ji)支持國(guo)(guo)內企業、高(gao)校、研(yan)究(jiu)院(yuan)所與(yu)先進發達國(guo)(guo)家加強交(jiao)流(liu)合作(zuo)。引進國(guo)(guo)外(wai)先進技(ji)術(shu)(shu)和研(yan)發團隊，推動包(bao)括工業半導體(ti)芯(xin)片、器件等領(ling)域(yu)國(guo)(guo)際專家來華交(jiao)流(liu)，支持海(hai)外(wai)高(gao)層次產業人才(cai)來華發展，提升(sheng)中(zhong)國(guo)(guo)在工業半導體(ti)芯(xin)片相關領(ling)域(yu)的研(yan)發能力(li)和技(ji)術(shu)(shu)實(shi)力(li)。

下一(yi)步，工信(xin)部和相關部門將繼續加快(kuai)推進開(kai)放發(fa)(fa)展。引導(dao)國(guo)內企業(ye)(ye)、研究機(ji)構等加強與先進發(fa)(fa)達國(guo)家(jia)產學研機(ji)構的戰(zhan)略合作，進一(yi)步鼓勵(li)中國(guo)企業(ye)(ye)引進國(guo)外專家(jia)團隊，促(cu)進中國(guo)工業(ye)(ye)半導(dao)體(ti)材料、芯片(pian)、器件及IGBT模塊產業(ye)(ye)研發(fa)(fa)能力和產業(ye)(ye)能力的提升。

工(gong)信部(bu)回復稱，為解決工(gong)業(ye)半導體材料(liao)、芯(xin)片、器(qi)件(jian)、IGBT模塊(kuai)等核(he)心部(bu)件(jian)的(de)關(guan)鍵性技術問題，工(gong)信部(bu)等相關(guan)部(bu)門積極支(zhi)持工(gong)業(ye)半導體材料(liao)、芯(xin)片、器(qi)件(jian)、IGBT模塊(kuai)領域(yu)關(guan)鍵技術攻(gong)關(guan)。

一是2017年工(gong)信(xin)部推出(chu)“工(gong)業強(qiang)基IGBT器件一條龍應用計劃”，針(zhen)對新能源汽車、智能電網、軌道交通三大領域(yu)，重點支持IGBT設計、芯片制造、模(mo)塊生產及IDM、上游材(cai)料、生產設備制造等環節，促進(jin)IGBT及相(xiang)關(guan)產業的(de)發展。

二是指導(dao)湖南(nan)省(sheng)建(jian)立功率半(ban)導(dao)體(ti)制(zhi)造(zao)業(ye)創新中心建(jian)設(she)，整合產業(ye)鏈(lian)上下游(you)資源，協同攻關工業(ye)半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)、芯片、器(qi)件、IGBT模塊(kuai)領域關鍵共(gong)性技術。

三(san)是指導中(zhong)國寬禁帶半(ban)導體及應用產業(ye)聯盟發(fa)布《中(zhong)國IGBT技(ji)術(shu)與產業(ye)發(fa)展路線圖(2018-2030)》，引導我國IGBT行業(ye)技(ji)術(shu)升級(ji)，推(tui)動相關產業(ye)發(fa)展。

下一步，工(gong)信(xin)部將繼續(xu)支持我國工(gong)業半(ban)導體(ti)領域成熟技術發展，推(tui)動中國芯(xin)片(pian)制造領域良率、產(chan)(chan)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chan)(chan)品技術的研發，推(tui)動我國工(gong)業半(ban)導體(ti)材料、芯(xin)片(pian)、器件、IGBT模塊產(chan)(chan)業的發展。

工信部表示，當前，人(ren)才問題特別是高端(duan)人(ren)才團隊短缺成為(wei)制約中(zhong)國工業半(ban)導體材料、芯片(pian)、器件(jian)及IGBT模塊產業可(ke)持續發(fa)展的關(guan)鍵(jian)因素，為(wei)此工信部及相(xiang)關(guan)部門積極推動中(zhong)國相(xiang)關(guan)產業人(ren)才的培養。

一是工信部、教(jiao)育(yu)部共同推(tui)動籌建集(ji)成電路產教(jiao)融合發展聯(lian)盟，促進產業界(jie)和(he)學術(shu)界(jie)的資源(yuan)整(zheng)合，推(tui)動培養擁(yong)有工程化能力的產業人才。

二是同時以集成電路為試點實施關(guan)鍵領域核心技術緊缺博士(shi)人才自主(zhu)培養(yang)專項，根(gen)據行業(ye)企業(ye)需要，依托(tuo)高水平大學和(he)國(guo)內骨干(gan)企業(ye)，針對性地培養(yang)一批高端博士(shi)人才。

三是教育(yu)部、工信部等相關(guan)部門印發(fa)了(le)《關(guan)于支(zhi)持有(you)關(guan)高校建設示范性微電子學院(yuan)的通知(zhi)》，支(zhi)持26所高校建設或(huo)籌(chou)建示范性微電子學院(yuan)，推動高校與區域(yu)內集成電路領域(yu)骨干企業、國家公(gong)共服務平臺、科技創新平臺、產業化基地和地方政府等加強合(he)作(zuo)。

工(gong)信(xin)部表示(shi)，下一(yi)步，與教(jiao)育部等部門(men)將進一(yi)步加強人才隊伍建設(she)。推進設(she)立集成電路(lu)一(yi)級(ji)學科，進一(yi)步做(zuo)實做(zuo)強示(shi)范(fan)性(xing)微(wei)電子學院，加快建設(she)集成電路(lu)產(chan)教(jiao)融合(he)協(xie)同育人平臺，保(bao)障我國在工(gong)業(ye)半導體材料、芯片、器(qi)件及IGBT模塊產(chan)業(ye)的可持(chi)續發展。