一、bjt指的是什么
bjt是(shi)雙(shuang)極結(jie)型(xing)晶(jing)體管(guan)(Bipolar Junction Transistor—BJT)的縮寫,又常稱(cheng)為雙(shuang)載子(zi)晶(jing)體管(guan)。它是(shi)通過一定的工藝將兩(liang)個PN結(jie)結(jie)合在一起的器件(jian),有PNP和NPN兩(liang)種組合結(jie)構(gou)。
晶體管分兩類:
1、一類是雙極性晶體(ti)管(guan),BJT;BJT是電流控制器件。
2、一(yi)類是(shi)場效應晶體管,FET;FET是(shi)電壓控制(zhi)器(qi)件。
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二、MOSFET和BJT有什么區別
金屬氧(yang)化物半(ban)導體(ti)(ti)場效應(ying)晶體(ti)(ti)管(guan)(MOSFET)和(he)雙極結型晶體(ti)(ti)管(guan)(BJT)是兩(liang)種(zhong)封(feng)裝形式各異的(de)晶體(ti)(ti)管(guan),不熟悉(xi)電子(zi)產(chan)品(pin)的(de)人常常難以決定(ding)應(ying)該在他(ta)們(men)的(de)開(kai)發項目中使用哪一種(zhong)。雖然MOSFET和(he)BJT都是晶體(ti)(ti)管(guan),但它(ta)們(men)的(de)工作(zuo)方式不同,表現出不同的(de)行為,因(yin)此它(ta)們(men)的(de)使用方式不同。
MOSFET和(he)BJT之間有很多不(bu)同之處(chu):
1、MOSFET(電壓控(kong)制)是金屬氧化物(wu)半導體,而BJT(電流控(kong)制)是雙(shuang)極結型晶(jing)體管。
2、雖(sui)然兩者都有(you)三個終端,但(dan)它們(men)有(you)所不同。MOSFET具有(you)源極(ji)、漏極(ji)和柵極(ji),而(er)BJT具有(you)基極(ji)、發射極(ji)和集(ji)電(dian)極(ji)。
3、MOSFET是高功率應(ying)用(yong)(yong)的理想(xiang)選擇,而BJT更常用(yong)(yong)于(yu)低電流應(ying)用(yong)(yong)。
4、BJT取決(jue)于其(qi)基極端(duan)子(zi)上(shang)的(de)電流,而MOSFET取決(jue)于氧化物(wu)絕緣柵電極上(shang)的(de)電壓。
5、MOSFET的結(jie)構本質(zhi)上比BJT的結(jie)構更(geng)復雜。
三、三極管的作用是什么
1、擴流
把一(yi)(yi)只小(xiao)功率(lv)(lv)可(ke)控硅和一(yi)(yi)只大功率(lv)(lv)三極管(guan)(guan)組合,就可(ke)得到一(yi)(yi)只大功率(lv)(lv)可(ke)控硅,其最大輸(shu)出電(dian)(dian)流(liu)(liu)由(you)大功率(lv)(lv)三極管(guan)(guan)的特(te)性決定,利(li)用(yong)三極管(guan)(guan)的電(dian)(dian)流(liu)(liu)放大作用(yong),將電(dian)(dian)容容量擴大若(ruo)干倍。這種等效電(dian)(dian)容和一(yi)(yi)般電(dian)(dian)容器一(yi)(yi)樣,可(ke)浮置工作,適用(yong)于在長延時(shi)電(dian)(dian)路(lu)中作定時(shi)電(dian)(dian)容。
2、代換
兩(liang)只三極管(guan)(guan)(guan)串聯(lian)可直(zhi)接代換調光臺燈中的雙向觸發(fa)二(er)極管(guan)(guan)(guan),三極管(guan)(guan)(guan)可代用(yong)(yong)8V左右(you)的穩壓(ya)管(guan)(guan)(guan)。三極管(guan)(guan)(guan)可代用(yong)(yong)30V左右(you)的穩壓(ya)管(guan)(guan)(guan)。上述(shu)應用(yong)(yong)時,三極管(guan)(guan)(guan)的基極均不使用(yong)(yong)。
3、模擬
用三(san)極(ji)(ji)管夠成的(de)(de)電(dian)(dian)路還(huan)可(ke)以(yi)模擬其(qi)它元器(qi)件。大功率可(ke)變電(dian)(dian)阻(zu)價(jia)貴難覓,其(qi)穩(wen)壓(ya)(ya)原(yuan)理是:當加到A、B兩(liang)端的(de)(de)輸(shu)入電(dian)(dian)壓(ya)(ya)上升時,因三(san)極(ji)(ji)管的(de)(de)B、E結(jie)壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)基本不變,故R2兩(liang)端壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)上升,經過R2的(de)(de)電(dian)(dian)流上升,三(san)極(ji)(ji)管發射結(jie)正偏增(zeng)強(qiang),其(qi)導通性也增(zeng)強(qiang),C、E極(ji)(ji)間呈現(xian)的(de)(de)等效電(dian)(dian)阻(zu)減小(xiao),壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)降(jiang)(jiang)低,從(cong)而(er)使(shi)AB端的(de)(de)輸(shu)入電(dian)(dian)壓(ya)(ya)下降(jiang)(jiang)。調(diao)節R2即可(ke)調(diao)節此模擬穩(wen)壓(ya)(ya)管的(de)(de)穩(wen)壓(ya)(ya)值(zhi)。
四、三極管的工作原理是什么
三極管(guan)工作(zuo)原理是(shi):三極管(guan),是(shi)一(yi)種電流控(kong)制電流的半導體器(qi)件,三極管(guan)是(shi)在(zai)一(yi)塊半導體基片上(shang)制作(zuo)兩個(ge)相距很近(jin)的PN結,兩個(ge)PN結把(ba)整塊半導體分成三部(bu)分,中間部(bu)分是(shi)基區(qu),兩側部(bu)分是(shi)發(fa)射區(qu)和(he)集(ji)電區(qu),從而完成工作(zuo)。