一、bjt指的是什么
bjt是雙極結型晶(jing)體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）的(de)縮(suo)寫(xie)，又常(chang)稱為(wei)雙載子晶(jing)體管。它是通(tong)過(guo)一定的(de)工藝將兩個PN結結合在一起的(de)器件，有PNP和NPN兩種組合結構。
晶體管分兩類：
1、一類是(shi)雙極性晶體管，BJT；BJT是(shi)電流控制器件。
2、一類是(shi)場(chang)效應晶體管，FET；FET是(shi)電壓控制器件。
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二、MOSFET和BJT有什么區別
金(jin)屬(shu)氧化物半導(dao)體(ti)(ti)場效應(ying)晶體(ti)(ti)管(guan)(MOSFET)和(he)雙極結型晶體(ti)(ti)管(guan)(BJT)是兩種(zhong)封裝形式各異的晶體(ti)(ti)管(guan)，不(bu)熟悉(xi)電子產(chan)品(pin)的人常常難以決(jue)定應(ying)該在他們(men)的開發項目中(zhong)使用哪(na)一(yi)種(zhong)。雖然MOSFET和(he)BJT都是晶體(ti)(ti)管(guan)，但它們(men)的工作方(fang)式不(bu)同(tong)(tong)，表現(xian)出不(bu)同(tong)(tong)的行為(wei)，因此它們(men)的使用方(fang)式不(bu)同(tong)(tong)。
MOSFET和BJT之(zhi)間有(you)很多(duo)不同之(zhi)處：
1、MOSFET（電壓(ya)控(kong)制）是金屬氧化物半導(dao)體，而BJT（電流控(kong)制）是雙(shuang)極結(jie)型(xing)晶體管(guan)。
2、雖(sui)然(ran)兩(liang)者都有三(san)個(ge)終端，但它們有所不同。MOSFET具有源極(ji)(ji)(ji)、漏(lou)極(ji)(ji)(ji)和柵極(ji)(ji)(ji)，而BJT具有基極(ji)(ji)(ji)、發射(she)極(ji)(ji)(ji)和集電極(ji)(ji)(ji)。
3、MOSFET是(shi)高功(gong)率應用的(de)理想選擇(ze)，而BJT更常用于(yu)低電(dian)流應用。
4、BJT取決于(yu)其基(ji)極端子上(shang)的(de)電(dian)流，而MOSFET取決于(yu)氧化物絕緣柵電(dian)極上(shang)的(de)電(dian)壓。
5、MOSFET的(de)結構本質上比BJT的(de)結構更復雜(za)。
三、三極管的作用是什么
1、擴流
把(ba)一(yi)(yi)(yi)只小(xiao)功率(lv)可(ke)控硅(gui)(gui)和一(yi)(yi)(yi)只大(da)功率(lv)三極管組(zu)合，就(jiu)可(ke)得到一(yi)(yi)(yi)只大(da)功率(lv)可(ke)控硅(gui)(gui)，其最大(da)輸出電(dian)流(liu)由(you)大(da)功率(lv)三極管的(de)特性決定，利用三極管的(de)電(dian)流(liu)放(fang)大(da)作(zuo)用，將電(dian)容容量擴大(da)若(ruo)干倍。這(zhe)種(zhong)等效電(dian)容和一(yi)(yi)(yi)般電(dian)容器一(yi)(yi)(yi)樣，可(ke)浮置(zhi)工作(zuo)，適(shi)用于在(zai)長延時電(dian)路(lu)中作(zuo)定時電(dian)容。
2、代換
兩只三極管(guan)串聯可(ke)直接代換調光(guang)臺燈中的(de)雙(shuang)向(xiang)觸(chu)發二(er)極管(guan)，三極管(guan)可(ke)代用(yong)(yong)8V左(zuo)(zuo)右(you)(you)的(de)穩壓管(guan)。三極管(guan)可(ke)代用(yong)(yong)30V左(zuo)(zuo)右(you)(you)的(de)穩壓管(guan)。上述應(ying)用(yong)(yong)時，三極管(guan)的(de)基極均不使用(yong)(yong)。
3、模擬
用三極(ji)管夠成的(de)電(dian)(dian)路還可以模(mo)擬其它元器(qi)件。大功率可變電(dian)(dian)阻價貴難覓，其穩(wen)壓(ya)(ya)原理是：當加到A、B兩端的(de)輸入電(dian)(dian)壓(ya)(ya)上升時，因(yin)三極(ji)管的(de)B、E結壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)基(ji)本不變，故R2兩端壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)上升，經過R2的(de)電(dian)(dian)流上升，三極(ji)管發射結正偏增強，其導通性(xing)也增強，C、E極(ji)間呈現的(de)等效電(dian)(dian)阻減小，壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)降(jiang)(jiang)低，從(cong)而使AB端的(de)輸入電(dian)(dian)壓(ya)(ya)下降(jiang)(jiang)。調(diao)節R2即可調(diao)節此模(mo)擬穩(wen)壓(ya)(ya)管的(de)穩(wen)壓(ya)(ya)值。
四、三極管的工作原理是什么
三(san)(san)極(ji)管工作原(yuan)理是(shi)：三(san)(san)極(ji)管，是(shi)一種電(dian)流(liu)(liu)控(kong)制電(dian)流(liu)(liu)的(de)半導體(ti)器件，三(san)(san)極(ji)管是(shi)在一塊(kuai)半導體(ti)基片上制作兩(liang)個(ge)相距很近的(de)PN結，兩(liang)個(ge)PN結把整塊(kuai)半導體(ti)分(fen)成三(san)(san)部分(fen)，中間部分(fen)是(shi)基區(qu)，兩(liang)側部分(fen)是(shi)發射區(qu)和集(ji)電(dian)區(qu)，從而(er)完成工作。
