一、bjt指的是什么
bjt是雙極(ji)結(jie)型晶(jing)體(ti)管（Bipolar Junction Transistor—BJT）的(de)(de)(de)縮寫，又常稱為雙載子晶(jing)體(ti)管。它是通過一定(ding)的(de)(de)(de)工藝將兩個PN結(jie)結(jie)合在一起的(de)(de)(de)器件(jian)，有PNP和NPN兩種組合結(jie)構。
晶體管分兩類：
1、一(yi)類是(shi)雙極性晶體(ti)管，BJT；BJT是(shi)電(dian)流控制器(qi)件。
2、一(yi)類是場效應晶(jing)體(ti)管，FET；FET是電(dian)壓控制器件。
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二、MOSFET和BJT有什么區別
金(jin)屬氧化(hua)物半導體(ti)(ti)場(chang)效應晶體(ti)(ti)管(guan)(MOSFET)和雙極結型晶體(ti)(ti)管(guan)(BJT)是(shi)兩種封裝形式(shi)各(ge)異的(de)(de)(de)晶體(ti)(ti)管(guan)，不(bu)熟悉電子(zi)產品的(de)(de)(de)人常常難以決定應該(gai)在他們(men)(men)的(de)(de)(de)開發項目中使(shi)(shi)用(yong)哪一種。雖然MOSFET和BJT都是(shi)晶體(ti)(ti)管(guan)，但它們(men)(men)的(de)(de)(de)工作(zuo)方(fang)式(shi)不(bu)同，表現出不(bu)同的(de)(de)(de)行為，因此它們(men)(men)的(de)(de)(de)使(shi)(shi)用(yong)方(fang)式(shi)不(bu)同。
MOSFET和BJT之(zhi)間有很多不同之(zhi)處：
1、MOSFET（電壓控制）是(shi)金屬(shu)氧化物半導(dao)體，而BJT（電流(liu)控制）是(shi)雙(shuang)極結型晶體管。
2、雖(sui)然兩者都(dou)有三個終端(duan)，但它們有所(suo)不同。MOSFET具有源極(ji)(ji)、漏(lou)極(ji)(ji)和(he)柵極(ji)(ji)，而BJT具有基極(ji)(ji)、發射極(ji)(ji)和(he)集電極(ji)(ji)。
3、MOSFET是(shi)高功率應用的理(li)想選(xuan)擇(ze)，而BJT更常用于(yu)低(di)電(dian)流應用。
4、BJT取(qu)決于其基極(ji)端子上的(de)電(dian)流，而MOSFET取(qu)決于氧化物絕(jue)緣柵電(dian)極(ji)上的(de)電(dian)壓。
5、MOSFET的結構(gou)本質(zhi)上比BJT的結構(gou)更復雜。
三、三極管的作用是什么
1、擴流
把一只(zhi)小功(gong)(gong)率(lv)可(ke)控(kong)硅(gui)和(he)一只(zhi)大功(gong)(gong)率(lv)三極管組合，就可(ke)得到一只(zhi)大功(gong)(gong)率(lv)可(ke)控(kong)硅(gui)，其最大輸出電(dian)流由大功(gong)(gong)率(lv)三極管的特性決定(ding)(ding)，利(li)用(yong)三極管的電(dian)流放大作用(yong)，將電(dian)容容量(liang)擴大若干倍。這種等效電(dian)容和(he)一般電(dian)容器(qi)一樣，可(ke)浮(fu)置工作，適(shi)用(yong)于在長延時電(dian)路(lu)中(zhong)作定(ding)(ding)時電(dian)容。
2、代換
兩只三(san)極(ji)管(guan)(guan)串聯可(ke)直接(jie)代(dai)換調(diao)光臺(tai)燈(deng)中的雙向觸發二極(ji)管(guan)(guan)，三(san)極(ji)管(guan)(guan)可(ke)代(dai)用8V左(zuo)(zuo)右的穩壓(ya)管(guan)(guan)。三(san)極(ji)管(guan)(guan)可(ke)代(dai)用30V左(zuo)(zuo)右的穩壓(ya)管(guan)(guan)。上(shang)述應用時，三(san)極(ji)管(guan)(guan)的基極(ji)均不(bu)使用。
3、模擬
用三極(ji)(ji)(ji)管(guan)夠(gou)成的(de)(de)(de)(de)電(dian)路還(huan)可以模(mo)擬其它元器(qi)件。大功率可變(bian)電(dian)阻價貴難覓，其穩(wen)壓(ya)(ya)原理是：當加到A、B兩端的(de)(de)(de)(de)輸入電(dian)壓(ya)(ya)上升(sheng)(sheng)時，因三極(ji)(ji)(ji)管(guan)的(de)(de)(de)(de)B、E結(jie)壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)基本不變(bian)，故R2兩端壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)上升(sheng)(sheng)，經過R2的(de)(de)(de)(de)電(dian)流上升(sheng)(sheng)，三極(ji)(ji)(ji)管(guan)發(fa)射結(jie)正偏(pian)增強(qiang)，其導通性也增強(qiang)，C、E極(ji)(ji)(ji)間呈現的(de)(de)(de)(de)等效電(dian)阻減小(xiao)，壓(ya)(ya)降(jiang)(jiang)降(jiang)(jiang)低，從而(er)使AB端的(de)(de)(de)(de)輸入電(dian)壓(ya)(ya)下降(jiang)(jiang)。調節(jie)R2即可調節(jie)此模(mo)擬穩(wen)壓(ya)(ya)管(guan)的(de)(de)(de)(de)穩(wen)壓(ya)(ya)值。
四、三極管的工作原理是什么
三(san)極(ji)管(guan)工(gong)作原理是(shi)：三(san)極(ji)管(guan)，是(shi)一(yi)種電(dian)流控制(zhi)電(dian)流的(de)半導體(ti)器件(jian)，三(san)極(ji)管(guan)是(shi)在(zai)一(yi)塊(kuai)半導體(ti)基(ji)(ji)片上制(zhi)作兩(liang)個(ge)(ge)相距很近的(de)PN結，兩(liang)個(ge)(ge)PN結把(ba)整塊(kuai)半導體(ti)分成(cheng)三(san)部(bu)分，中間部(bu)分是(shi)基(ji)(ji)區(qu)，兩(liang)側部(bu)分是(shi)發(fa)射(she)區(qu)和集電(dian)區(qu)，從而完成(cheng)工(gong)作。
