一、半導體硅片純度要求分析

半導體硅(gui)片的(de)(de)(de)(de)純度(du)(du)要(yao)求極高，通(tong)常要(yao)求純度(du)(du)達到99.9999999%以(yi)上(shang)。硅(gui)片的(de)(de)(de)(de)雜質(zhi)種(zhong)(zhong)類(lei)(lei)和濃(nong)度(du)(du)對(dui)(dui)晶體管(guan)和集成(cheng)電路性(xing)(xing)能(neng)有著直(zhi)接的(de)(de)(de)(de)影響(xiang)。各(ge)種(zhong)(zhong)雜質(zhi)對(dui)(dui)半導體硅(gui)片性(xing)(xing)能(neng)的(de)(de)(de)(de)影響(xiang)程度(du)(du)不同，對(dui)(dui)于不同的(de)(de)(de)(de)電路應(ying)用，其要(yao)求的(de)(de)(de)(de)雜質(zhi)種(zhong)(zhong)類(lei)(lei)和濃(nong)度(du)(du)也有所不同。

半導體硅片的(de)純度(du)檢測是半(ban)導體工藝制造中的(de)重(zhong)要環節。常用(yong)的(de)半(ban)導體硅片(pian)純度(du)檢測方法包括室溫光導率、霍爾效應、拉(la)曼散(san)射光譜、小(xiao)角散(san)射等(deng)。

在(zai)半導(dao)體(ti)(ti)工藝制(zhi)造中，加強(qiang)半導(dao)體(ti)(ti)硅片純度控(kong)制(zhi)，提高半導(dao)體(ti)(ti)硅片的純度，將有助(zhu)于保證(zheng)半導(dao)體(ti)(ti)器件(jian)性(xing)(xing)能的穩定性(xing)(xing)和可(ke)靠性(xing)(xing)，提高產品的競(jing)爭力。

二、半導體硅片標準規范

符合標準規范的硅片能夠提高器件的品質，降低制造成本，加速研發和生產進程。因此，半導體硅片的標準規(gui)范(fan)對于半導體行業的發展至關(guan)重要。

1、尺寸：半導體硅(gui)片(pian)的(de)尺(chi)寸(cun)(cun)應符合SEMI M1-0303標準規(gui)范(fan)。常(chang)見的(de)尺(chi)寸(cun)(cun)有2、3、4、5、6和(he)8英(ying)寸(cun)(cun)等多種規(gui)格。在制(zhi)造過程中必(bi)須嚴格控制(zhi)硅(gui)片(pian)的(de)尺(chi)寸(cun)(cun)，保證尺(chi)寸(cun)(cun)精度和(he)一致性(xing)。

2、表面平整度：硅片(pian)的表(biao)面平整度直接影響到芯片(pian)制造的可靠性(xing)和性(xing)能。表(biao)面平整度應符合SEMI M1-0303E標準規范，要求不同區域的平整度誤差在2um以內(nei)。

3、雜質含量：半導體硅片的(de)雜質含量應(ying)(ying)符合SEMI M1-0303E標(biao)準規范。硅片內稟的(de)雜質含量應(ying)(ying)該低于1ppb，同時在(zai)制造過程中應(ying)(ying)避(bi)免外源性雜質的(de)污染。

4、表面特性：硅(gui)(gui)片的表(biao)(biao)面特性(xing)(xing)包括反射性(xing)(xing)、吸收(shou)性(xing)(xing)、散射性(xing)(xing)等(deng)，這些(xie)特性(xing)(xing)與(yu)芯(xin)片的光學性(xing)(xing)能直接相關。硅(gui)(gui)片的表(biao)(biao)面應該經過特殊處理，保(bao)證(zheng)其在(zai)可(ke)見和近紅外光譜范圍(wei)內具有良(liang)好的性(xing)(xing)質。

嚴(yan)格遵守(shou)半(ban)導體硅(gui)片的(de)標準規范對于半(ban)導體生產企業來說很重(zhong)要，它不僅可以(yi)(yi)提(ti)(ti)高(gao)(gao)產品的(de)質量和(he)(he)穩定(ding)性(xing)，同(tong)時也可以(yi)(yi)節(jie)省人(ren)力(li)和(he)(he)物力(li)成本，提(ti)(ti)高(gao)(gao)生產效率。在(zai)芯(xin)片設(she)計和(he)(he)制(zhi)造過程中，半(ban)導體硅(gui)片的(de)標準規范也是(shi)一(yi)個非常重(zhong)要的(de)參考標準。

三、半導體硅片國家標準

半導(dao)體硅片(pian)的相關(guan)國家標準命名(ming)為(wei)：GA 1015-2013《半導(dao)體硅片(pian)》。

1、標準范圍

本標準(zhun)適用于(yu)半導體硅片生(sheng)產(chan)的(de)質量控(kong)制及檢驗，包括(kuo)半導體硅片的(de)外觀、尺寸、厚(hou)度、表面質量、電(dian)學特性(xing)(xing)、熱學特性(xing)(xing)、機(ji)械特性(xing)(xing)等方面的(de)指標和測試方法。

2、主要技術要求

對于半導體硅片的外觀，其表面應平整光滑，無裂紋、劃痕、污漬等明顯缺陷。對于半導體硅片的厚度，應根據所生產的不同硅片類型和用途來確(que)定(ding)具體(ti)規(gui)格(ge)，在標(biao)準范圍內(nei)進行抽樣(yang)檢驗(yan)。對于(yu)半(ban)導體(ti)硅片的電學特性，應根據(ju)(ju)國(guo)際上統一的測試方法和儀器進行測試，并保證測試數據(ju)(ju)的準確(que)性和可靠性。