一、半導體硅片純度要求分析

半(ban)導體(ti)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)的(de)純度要求極高(gao)，通(tong)常(chang)要求純度達到(dao)99.9999999%以上。硅(gui)(gui)片(pian)(pian)的(de)雜(za)(za)質(zhi)種(zhong)(zhong)類和濃度對晶體(ti)管和集(ji)成(cheng)電路性能(neng)有著直接的(de)影響(xiang)。各種(zhong)(zhong)雜(za)(za)質(zhi)對半(ban)導體(ti)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)性能(neng)的(de)影響(xiang)程度不同(tong)(tong)，對于不同(tong)(tong)的(de)電路應用，其要求的(de)雜(za)(za)質(zhi)種(zhong)(zhong)類和濃度也有所不同(tong)(tong)。

半導體硅片的(de)純度檢測(ce)是(shi)半導(dao)體(ti)工藝(yi)制造中的(de)重要環(huan)節。常用的(de)半導(dao)體(ti)硅片(pian)純度檢測(ce)方法包括(kuo)室(shi)溫光(guang)導(dao)率、霍爾效應、拉曼散射(she)光(guang)譜、小角散射(she)等。

在半導體(ti)工藝(yi)制造中，加強半導體(ti)硅片(pian)純度(du)控(kong)制，提高半導體(ti)硅片(pian)的純度(du)，將有助于保證半導體(ti)器件性(xing)能的穩定性(xing)和可(ke)靠性(xing)，提高產品的競爭力。

二、半導體硅片標準規范

符合標準規范的硅片能夠提高器件的品質，降低制造成本，加速研發和生產進程。因此，半導體硅片的(de)標準(zhun)規范對于(yu)半導體行業的(de)發展至關重要(yao)。

1、尺寸：半(ban)導體硅片的(de)尺(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)應符(fu)合(he)SEMI M1-0303標準規范。常見的(de)尺(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)有(you)2、3、4、5、6和8英(ying)寸(cun)(cun)(cun)等多(duo)種規格。在(zai)制造(zao)過程中必(bi)須嚴格控(kong)制硅片的(de)尺(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)，保(bao)證尺(chi)(chi)寸(cun)(cun)(cun)精度(du)和一(yi)致性。

2、表面平整度：硅片(pian)的(de)(de)表(biao)面平整度(du)(du)直接(jie)影響(xiang)到芯片(pian)制造的(de)(de)可(ke)靠性和性能。表(biao)面平整度(du)(du)應符合SEMI M1-0303E標準規范，要(yao)求不同區域的(de)(de)平整度(du)(du)誤差在(zai)2um以(yi)內。

3、雜質含量：半導體硅片(pian)的雜質含(han)(han)量(liang)應符合(he)SEMI M1-0303E標準規范。硅片(pian)內稟的雜質含(han)(han)量(liang)應該低于1ppb，同(tong)時(shi)在制造過程中應避免外源(yuan)性雜質的污染(ran)。

4、表面特性：硅片(pian)(pian)的(de)表面特性(xing)(xing)(xing)包括反射性(xing)(xing)(xing)、吸(xi)收性(xing)(xing)(xing)、散射性(xing)(xing)(xing)等，這些(xie)特性(xing)(xing)(xing)與芯片(pian)(pian)的(de)光學性(xing)(xing)(xing)能(neng)直接相關。硅片(pian)(pian)的(de)表面應該經過特殊處(chu)理，保證其在可見和近紅(hong)外光譜范圍內具有良(liang)好的(de)性(xing)(xing)(xing)質(zhi)。

嚴格(ge)遵守半(ban)(ban)導體(ti)硅片(pian)的標(biao)(biao)準規(gui)范(fan)(fan)對于半(ban)(ban)導體(ti)生(sheng)產企業(ye)來說很重要，它不(bu)僅可以提高(gao)產品的質量(liang)和(he)(he)(he)穩定性，同時也可以節(jie)省(sheng)人(ren)力和(he)(he)(he)物力成(cheng)本(ben)，提高(gao)生(sheng)產效率。在芯片(pian)設計和(he)(he)(he)制造過程中，半(ban)(ban)導體(ti)硅片(pian)的標(biao)(biao)準規(gui)范(fan)(fan)也是一個非(fei)常重要的參考(kao)標(biao)(biao)準。

三、半導體硅片國家標準

半導(dao)體(ti)硅片的相關國家標(biao)準命(ming)名為：GA 1015-2013《半導(dao)體(ti)硅片》。

1、標準范圍

本標準(zhun)適用于半導體硅(gui)(gui)片生產的質量控制及檢驗(yan)，包括半導體硅(gui)(gui)片的外觀、尺寸、厚度、表面質量、電學(xue)特(te)性(xing)、熱(re)學(xue)特(te)性(xing)、機械(xie)特(te)性(xing)等方面的指標和測試方法。

2、主要技術要求

對于半導體硅片的外觀，其表面應平整光滑，無裂紋、劃痕、污漬等明顯缺陷。對于半導體硅片的厚度，應根據所生產的不同硅片類型和用途(tu)來確定具體規(gui)格，在標準(zhun)范(fan)圍內進行(xing)抽樣檢驗(yan)。對(dui)于(yu)半導體硅片的(de)電(dian)學特性，應根(gen)據國際上統(tong)一(yi)的(de)測(ce)試(shi)方法和儀器(qi)進行(xing)測(ce)試(shi)，并(bing)保證測(ce)試(shi)數據的(de)準(zhun)確性和可靠性。