一、單晶硅片尺寸是多少
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶(jing)片(pian)對材料(liao)和技術(shu)的要求(qiu)也越高。
大尺寸的優勢：
1、硅片-電池片-組件端，降低單瓦非(fei)硅成本(ben)。
2、組(zu)件-電站端，降低BOS成本(ben)。硅片尺(chi)寸增大(da)，增加(jia)了從硅片、電池、組(zu)件到(dao)電站等各環節的產能(neng)輸出，相當(dang)于(yu)攤銷了部分(fen)人工(gong)、折(zhe)舊、水電氣、施工(gong)等成本(ben)投入。
二、單晶硅片的厚度是多少
隨著(zhu)產業鏈合作推進，薄片(pian)化(hua)進程加速(su)。硅片(pian)厚度對電(dian)池(chi)片(pian)的(de)自(zi)動化(hua)、良(liang)率、轉換效率等均(jun)有影響，需要與下(xia)游電(dian)池(chi)片(pian)、組件制(zhi)造端需求匹配(pei)，因(yin)此(ci)薄片(pian)化(hua)更為依賴產業鏈各環節的(de)合作推進。
2020年多(duo)晶硅(gui)片(pian)(pian)平(ping)均(jun)厚(hou)度為(wei)(wei)180μm，P型(xing)單(dan)晶硅(gui)片(pian)(pian)平(ping)均(jun)厚(hou)度在175μm左右，N型(xing)硅(gui)片(pian)(pian)平(ping)均(jun)厚(hou)度為(wei)(wei)168μm，TOPCon電(dian)池的N型(xing)硅(gui)片(pian)(pian)平(ping)均(jun)厚(hou)度為(wei)(wei)175μm，異質結電(dian)池的硅(gui)片(pian)(pian)厚(hou)度約150μm。
1、P型單晶硅片：薄(bo)片化經歷(li)了350μm、250μm、220μm、200μm、180μm等多個節點，預計2021年達到(dao)170μm，150-160μm的薄(bo)片技術目前已經趨(qu)于(yu)成熟，2025年有望達到(dao)160μm。
2、N型單晶硅片：N型硅(gui)片相比P型更容易(yi)實(shi)現減薄(bo)，預計2021年達(da)到160-165μm，目前已(yi)經具備(bei)120-140μm的薄(bo)片技術，遠期有望達(da)到100-120μm。
3、異質結電池N型單晶硅片：HJT是最有利于薄片化(hua)的電(dian)池結構和工藝，在薄片化(hua)方面具(ju)備天然優勢，原因是：
（1）對稱結(jie)構、低溫或無應力制程可以(yi)適應更薄(bo)的硅片(pian)。
（2）轉換效率不受厚度影響，即使減薄(bo)到100μm左右，依賴超低表面復(fu)合(he)，短(duan)路電(dian)(dian)流Isc的損(sun)失(shi)可以通過開(kai)路電(dian)(dian)壓Voc得(de)到補償。
根據相關預測(ce)，2024、2027、2030年(nian)異質結N型硅(gui)片厚度將分別達到140、130、120μm，薄片化的理論極(ji)限可以達到100μm以下。
