一、單晶硅片尺寸是多少
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大(da)尺寸晶(jing)片對材料和技術的要(yao)求也越高。
大尺寸的優勢：
1、硅片-電池片(pian)-組(zu)件端，降低(di)單瓦非(fei)硅成(cheng)本(ben)。
2、組(zu)件-電(dian)(dian)站(zhan)端，降(jiang)低BOS成本(ben)。硅(gui)片尺寸增大(da)，增加了從硅(gui)片、電(dian)(dian)池、組(zu)件到電(dian)(dian)站(zhan)等各環節的產能輸(shu)出，相當于攤銷了部(bu)分人工、折舊(jiu)、水電(dian)(dian)氣、施工等成本(ben)投入。
二、單晶硅片的厚度是多少
隨著(zhu)產(chan)業鏈合作推(tui)(tui)進，薄片(pian)(pian)化(hua)進程加(jia)速。硅片(pian)(pian)厚度對電(dian)(dian)池片(pian)(pian)的(de)自動(dong)化(hua)、良率(lv)(lv)、轉(zhuan)換效率(lv)(lv)等(deng)均有影響(xiang)，需要(yao)與下游電(dian)(dian)池片(pian)(pian)、組件制造端(duan)需求匹配(pei)，因此薄片(pian)(pian)化(hua)更為依賴產(chan)業鏈各環節的(de)合作推(tui)(tui)進。
2020年多晶硅片(pian)平(ping)均厚(hou)度(du)(du)為(wei)180μm，P型(xing)單晶硅片(pian)平(ping)均厚(hou)度(du)(du)在175μm左右，N型(xing)硅片(pian)平(ping)均厚(hou)度(du)(du)為(wei)168μm，TOPCon電(dian)池的(de)N型(xing)硅片(pian)平(ping)均厚(hou)度(du)(du)為(wei)175μm，異質結電(dian)池的(de)硅片(pian)厚(hou)度(du)(du)約(yue)150μm。
1、P型單晶硅片：薄片化經歷了350μm、250μm、220μm、200μm、180μm等(deng)多個節(jie)點(dian)，預(yu)計(ji)2021年達到170μm，150-160μm的薄片技術目前已經趨于成熟，2025年有望達到160μm。
2、N型單晶硅片：N型(xing)硅片(pian)相比P型(xing)更(geng)容(rong)易實現減薄(bo)，預計2021年達(da)到160-165μm，目前已經具備120-140μm的薄(bo)片(pian)技術，遠期有望達(da)到100-120μm。
3、異質結電池N型單晶硅片：HJT是(shi)最有利于薄片化(hua)的(de)電池結構和工(gong)藝，在薄片化(hua)方面具備天然優勢，原因是(shi)：
（1）對(dui)稱(cheng)結(jie)構(gou)、低溫(wen)或無應力(li)制(zhi)程可以適應更(geng)薄的硅(gui)片。
（2）轉換效率(lv)不受厚度影響，即使減薄到100μm左右，依賴超低表面復(fu)合，短(duan)路(lu)電流Isc的(de)損失可以通過開路(lu)電壓(ya)Voc得(de)到補償。
根據相(xiang)關預測，2024、2027、2030年異質(zhi)結N型硅片厚(hou)度(du)將分別達到140、130、120μm，薄片化的理(li)論極限可(ke)以達到100μm以下。
