一、單晶硅片尺寸是多少
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成(cheng)本(ben)也就越(yue)低。但大尺寸(cun)晶片(pian)對材料和技術的要求也越(yue)高。
大尺寸的優勢：
1、硅片-電(dian)池片-組件端，降(jiang)低單(dan)瓦非(fei)硅成本(ben)。
2、組(zu)件-電(dian)(dian)站端，降(jiang)低(di)BOS成本。硅片(pian)尺寸增(zeng)大，增(zeng)加了從硅片(pian)、電(dian)(dian)池、組(zu)件到(dao)電(dian)(dian)站等各環節(jie)的(de)產能輸(shu)出，相當于攤(tan)銷了部(bu)分人工、折舊、水電(dian)(dian)氣、施工等成本投入。
二、單晶硅片的厚度是多少
隨著(zhu)產業鏈(lian)合作推(tui)進，薄片化進程加速。硅片厚度對電(dian)池片的自(zi)動化、良率、轉換效(xiao)率等(deng)均有影響，需要與(yu)下游電(dian)池片、組件制造端需求匹配，因(yin)此薄片化更(geng)為依賴產業鏈(lian)各環節的合作推(tui)進。
2020年多晶(jing)硅片平均(jun)厚(hou)度(du)為180μm，P型單晶(jing)硅片平均(jun)厚(hou)度(du)在175μm左右，N型硅片平均(jun)厚(hou)度(du)為168μm，TOPCon電池(chi)的(de)N型硅片平均(jun)厚(hou)度(du)為175μm，異質(zhi)結(jie)電池(chi)的(de)硅片厚(hou)度(du)約(yue)150μm。
1、P型單晶硅片：薄(bo)片化經歷了(le)350μm、250μm、220μm、200μm、180μm等多個節點，預計2021年達到(dao)170μm，150-160μm的薄(bo)片技術目(mu)前已經趨于成熟，2025年有(you)望(wang)達到(dao)160μm。
2、N型單晶硅片：N型硅片相比P型更(geng)容易實現(xian)減薄(bo)，預(yu)計2021年達到160-165μm，目前已(yi)經(jing)具(ju)備120-140μm的薄(bo)片技術，遠期(qi)有望達到100-120μm。
3、異質結電池N型單晶硅片：HJT是(shi)最(zui)有利于薄(bo)片化的電池(chi)結構和(he)工藝，在薄(bo)片化方面具備天然優勢，原(yuan)因(yin)是(shi)：
（1）對(dui)稱結構、低溫或無應力制程(cheng)可(ke)以適應更薄的硅片。
（2）轉換(huan)效率不受厚度影響，即使減薄到100μm左右，依賴超低表(biao)面復(fu)合，短路電(dian)流Isc的損失可以通過開路電(dian)壓Voc得到補償。
根據相(xiang)關預(yu)測，2024、2027、2030年異(yi)質結N型硅片(pian)(pian)厚度將(jiang)分(fen)別達到(dao)140、130、120μm，薄片(pian)(pian)化的理論極限可以達到(dao)100μm以下(xia)。
