一、單晶硅片尺寸是多少
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的(de)成本也就越(yue)低。但大尺(chi)寸晶片對材料(liao)和技術(shu)的(de)要(yao)求也越(yue)高(gao)。
大尺寸的優勢：
1、硅片-電池(chi)片(pian)-組(zu)件端，降低單瓦(wa)非(fei)硅成本。
2、組(zu)件-電站端，降低BOS成(cheng)本。硅(gui)(gui)片(pian)(pian)尺寸增(zeng)大，增(zeng)加了(le)從硅(gui)(gui)片(pian)(pian)、電池、組(zu)件到電站等(deng)各環節的(de)產能輸出，相(xiang)當于攤銷了(le)部分(fen)人工(gong)、折舊、水電氣、施工(gong)等(deng)成(cheng)本投入。
二、單晶硅片的厚度是多少
隨(sui)著產業(ye)鏈(lian)合作推(tui)進(jin)(jin)，薄片(pian)(pian)(pian)化進(jin)(jin)程(cheng)加速。硅片(pian)(pian)(pian)厚度(du)對電池(chi)片(pian)(pian)(pian)的自動化、良率(lv)、轉換效率(lv)等均有影響，需要(yao)與下游(you)電池(chi)片(pian)(pian)(pian)、組件制(zhi)造端需求匹配，因此薄片(pian)(pian)(pian)化更為(wei)依(yi)賴產業(ye)鏈(lian)各環節的合作推(tui)進(jin)(jin)。
2020年多(duo)晶硅(gui)(gui)片(pian)平(ping)(ping)均(jun)厚(hou)(hou)度(du)(du)為(wei)180μm，P型單晶硅(gui)(gui)片(pian)平(ping)(ping)均(jun)厚(hou)(hou)度(du)(du)在175μm左右，N型硅(gui)(gui)片(pian)平(ping)(ping)均(jun)厚(hou)(hou)度(du)(du)為(wei)168μm，TOPCon電池的N型硅(gui)(gui)片(pian)平(ping)(ping)均(jun)厚(hou)(hou)度(du)(du)為(wei)175μm，異質結電池的硅(gui)(gui)片(pian)厚(hou)(hou)度(du)(du)約150μm。
1、P型單晶硅片：薄片(pian)化(hua)經(jing)歷了350μm、250μm、220μm、200μm、180μm等多個節點(dian)，預(yu)計2021年達(da)到170μm，150-160μm的薄片(pian)技術目前已經(jing)趨(qu)于成熟，2025年有望達(da)到160μm。
2、N型單晶硅片：N型硅片(pian)相比(bi)P型更(geng)容易(yi)實現減薄，預計(ji)2021年(nian)達到160-165μm，目前已(yi)經具備120-140μm的薄片(pian)技術，遠期有(you)望達到100-120μm。
3、異質結電池N型單晶硅片：HJT是最有利于薄片(pian)化(hua)的電池結構和工藝(yi)，在薄片(pian)化(hua)方(fang)面具備天然(ran)優勢，原因是：
（1）對稱(cheng)結構、低溫或無(wu)應(ying)力(li)制程可以適應(ying)更薄(bo)的硅片。
（2）轉換效率不受厚度影響，即使減薄到100μm左右，依賴超低表(biao)面復合，短路電(dian)流Isc的損(sun)失可以通過開路電(dian)壓Voc得到補償。
根據相關預測，2024、2027、2030年異(yi)質(zhi)結N型硅片(pian)厚度(du)將分別達到140、130、120μm，薄片(pian)化的理論極限可(ke)以達到100μm以下(xia)。
