一、單晶硅片尺寸是多少
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的(de)成本也就越低。但(dan)大(da)尺寸(cun)晶片對(dui)材料和技術的(de)要求也越高。
大尺寸的優勢：
1、硅片-電池片-組件(jian)端(duan)，降低單瓦非硅(gui)成本。
2、組(zu)件(jian)-電(dian)(dian)站端，降低BOS成本。硅(gui)片尺寸增(zeng)大(da)，增(zeng)加(jia)了(le)從(cong)硅(gui)片、電(dian)(dian)池、組(zu)件(jian)到電(dian)(dian)站等各環節(jie)的產(chan)能輸出，相當(dang)于攤(tan)銷了(le)部分人(ren)工、折舊、水(shui)電(dian)(dian)氣、施工等成本投入。
二、單晶硅片的厚度是多少
隨著產業(ye)(ye)鏈(lian)合作(zuo)推(tui)進，薄(bo)片(pian)(pian)化(hua)進程(cheng)加速。硅片(pian)(pian)厚(hou)度對電池片(pian)(pian)的自動(dong)化(hua)、良率(lv)、轉換(huan)效率(lv)等均有影響(xiang)，需要與(yu)下游電池片(pian)(pian)、組件制造端需求(qiu)匹配，因此(ci)薄(bo)片(pian)(pian)化(hua)更為依賴產業(ye)(ye)鏈(lian)各環節的合作(zuo)推(tui)進。
2020年多晶硅片(pian)平均(jun)厚(hou)(hou)度(du)(du)為(wei)180μm，P型(xing)單晶硅片(pian)平均(jun)厚(hou)(hou)度(du)(du)在175μm左右(you)，N型(xing)硅片(pian)平均(jun)厚(hou)(hou)度(du)(du)為(wei)168μm，TOPCon電池的N型(xing)硅片(pian)平均(jun)厚(hou)(hou)度(du)(du)為(wei)175μm，異質結電池的硅片(pian)厚(hou)(hou)度(du)(du)約150μm。
1、P型單晶硅片：薄片化經歷了(le)350μm、250μm、220μm、200μm、180μm等多個節點，預(yu)計2021年達(da)到170μm，150-160μm的薄片技術目(mu)前已經趨(qu)于成(cheng)熟(shu)，2025年有(you)望達(da)到160μm。
2、N型單晶硅片：N型硅片(pian)相比P型更容易實(shi)現減薄(bo)，預計2021年達到160-165μm，目前已經具備120-140μm的(de)薄(bo)片(pian)技術，遠(yuan)期有(you)望(wang)達到100-120μm。
3、異質結電池N型單晶硅片：HJT是最(zui)有利于薄片化的電池結構和工藝(yi)，在薄片化方面具備天然(ran)優(you)勢，原因是：
（1）對稱結構、低溫(wen)或無(wu)應力(li)制程可以(yi)適應更薄(bo)的硅(gui)片(pian)。
（2）轉換效率(lv)不受厚度影響，即使減薄到100μm左右，依(yi)賴超(chao)低表面復合，短(duan)路電流Isc的損失可以(yi)通過開(kai)路電壓Voc得到補(bu)償。
根(gen)據(ju)相關預測，2024、2027、2030年(nian)異質結N型(xing)硅片厚度(du)將分別(bie)達到(dao)140、130、120μm，薄(bo)片化的理論極限可以達到(dao)100μm以下(xia)。
