一、單晶硅片尺寸是多少
單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的(de)成本也就越低(di)。但大尺寸晶片(pian)對材料和技術的(de)要求(qiu)也越高。
大尺寸的優勢：
1、硅片-電池片-組(zu)件端，降低(di)單瓦非硅成本。
2、組件-電(dian)(dian)站端，降低BOS成本。硅(gui)片尺寸增(zeng)(zeng)大(da)，增(zeng)(zeng)加了(le)從硅(gui)片、電(dian)(dian)池、組件到電(dian)(dian)站等各環節的(de)產能輸出，相(xiang)當于攤銷了(le)部分人工、折舊、水電(dian)(dian)氣、施(shi)工等成本投入(ru)。
二、單晶硅片的厚度是多少
隨著產業鏈(lian)合作(zuo)推進，薄片(pian)化(hua)進程(cheng)加速(su)。硅片(pian)厚(hou)度對(dui)電(dian)池片(pian)的(de)自動(dong)化(hua)、良率(lv)、轉換(huan)效率(lv)等(deng)均(jun)有影響，需(xu)要(yao)與(yu)下(xia)游(you)電(dian)池片(pian)、組件制(zhi)造(zao)端需(xu)求匹(pi)配，因此(ci)薄片(pian)化(hua)更為(wei)依賴(lai)產業鏈(lian)各環(huan)節的(de)合作(zuo)推進。
2020年多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)片平均厚(hou)度(du)為(wei)180μm，P型(xing)(xing)單晶(jing)(jing)硅(gui)片平均厚(hou)度(du)在175μm左(zuo)右，N型(xing)(xing)硅(gui)片平均厚(hou)度(du)為(wei)168μm，TOPCon電池的N型(xing)(xing)硅(gui)片平均厚(hou)度(du)為(wei)175μm，異質(zhi)結(jie)電池的硅(gui)片厚(hou)度(du)約150μm。
1、P型單晶硅片：薄(bo)片化經歷(li)了350μm、250μm、220μm、200μm、180μm等(deng)多個節點，預計2021年(nian)達(da)到170μm，150-160μm的薄(bo)片技(ji)術目前(qian)已經趨于成熟(shu)，2025年(nian)有望達(da)到160μm。
2、N型單晶硅片：N型(xing)硅片相比P型(xing)更容易實現減薄(bo)，預計2021年達到160-165μm，目前已經具備(bei)120-140μm的薄(bo)片技術(shu)，遠期有望達到100-120μm。
3、異質結電池N型單晶硅片：HJT是(shi)最有(you)利于薄(bo)(bo)片化(hua)的電(dian)池結(jie)構和(he)工藝，在(zai)薄(bo)(bo)片化(hua)方面具(ju)備天然優勢，原因(yin)是(shi)：
（1）對稱結構、低溫或無應力(li)制程可(ke)以適應更薄的硅片。
（2）轉換效率不受(shou)厚度影響(xiang)，即使減(jian)薄到(dao)100μm左(zuo)右，依賴超低表面復合(he)，短(duan)路電流Isc的損(sun)失可以通過開路電壓(ya)Voc得到(dao)補(bu)償(chang)。
根據相(xiang)關預測，2024、2027、2030年異質結N型(xing)硅片(pian)厚度將分別達到140、130、120μm，薄片(pian)化的理論極限可以達到100μm以下。
