一、硅片拋光片與外延片區別是什么
根據用途分類，半導體硅片可分為拋光片、退火片、外延片、結隔離片和以SOI硅片為代表的高端硅片。那么硅片拋光片與外(wai)延(yan)片區(qu)別(bie)是什么(me)呢？
拋光(guang)片(pian)可以(yi)用(yong)于(yu)制作存(cun)儲芯(xin)片(pian)，功率器(qi)件，以(yi)及外(wai)延片(pian)的(de)(de)襯(chen)底材(cai)料。外(wai)延片(pian)，是在拋光(guang)片(pian)的(de)(de)基礎上生長了一層單晶硅，一般用(yong)于(yu)通用(yong)處理器(qi)芯(xin)片(pian)，二極管，以(yi)及igbt功率器(qi)件的(de)(de)制造。由(you)于(yu)拋光(guang)原始(shi)顆粒(li)細微、粒(li)度尺寸小(xiao)于(yu)可見光(guang)的(de)(de)波長，所(suo)以(yi)均勻地分布(bu)后(hou)形成外(wai)觀透(tou)明或半透(tou)明的(de)(de)拋光(guang)膜。
二、硅片拋光片用于哪里
拋光(guang)片是用量最大的(de)(de)產(chan)品，其他的(de)(de)硅片產(chan)品都是在拋光(guang)片的(de)(de)基礎上二次加工產(chan)生的(de)(de)。
拋光片是最基礎、應用范圍最廣的硅片。拋光片可直接用于制作半導體器件，廣泛應用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片等其他類型硅片的襯底材料。
隨著集(ji)成(cheng)(cheng)電路特征線(xian)寬(kuan)的(de)不斷縮小(xiao)，光刻精度(du)日益精細，硅片上極(ji)其(qi)微小(xiao)的(de)不平整都會造成(cheng)(cheng)集(ji)成(cheng)(cheng)電路圖(tu)形的(de)形變和(he)錯(cuo)位，硅片制造技術面臨越來越高(gao)的(de)要求和(he)挑戰(zhan)，硅片表面顆粒度(du)和(he)潔凈(jing)度(du)對半(ban)導(dao)體產品的(de)良率(lv)也有直接(jie)影響。
因(yin)此，拋光工藝對(dui)提高(gao)硅片(pian)表(biao)面(mian)的平(ping)整度和清潔(jie)度至關重要，主要原(yuan)理為通過去除(chu)加(jia)工表(biao)面(mian)殘留(liu)的損傷層，實(shi)現半導(dao)體硅片(pian)表(biao)面(mian)平(ping)坦(tan)化，減(jian)小粗糙(cao)度。
