一、硅片拋光片與外延片區別是什么
根據用途分類，半導體硅片可分為拋光片、退火片、外延片、結隔離片和以SOI硅片為代表的高端硅片。那么硅片拋光片與外(wai)延片區別是什(shen)么呢？
拋光(guang)片(pian)可(ke)以(yi)用于制作存儲(chu)芯(xin)片(pian)，功率器(qi)件，以(yi)及外延(yan)片(pian)的(de)(de)襯底(di)材(cai)料。外延(yan)片(pian)，是(shi)在(zai)拋光(guang)片(pian)的(de)(de)基礎(chu)上生長了一層單(dan)晶硅，一般用于通用處理器(qi)芯(xin)片(pian)，二(er)極(ji)管(guan)，以(yi)及igbt功率器(qi)件的(de)(de)制造。由于拋光(guang)原始顆粒(li)細(xi)微、粒(li)度(du)尺寸小于可(ke)見光(guang)的(de)(de)波長，所(suo)以(yi)均勻地分布(bu)后(hou)形成外觀透明(ming)或半透明(ming)的(de)(de)拋光(guang)膜。
二、硅片拋光片用于哪里
拋光片是用量最大的產(chan)品(pin)，其他的硅片產(chan)品(pin)都(dou)是在拋光片的基礎上二次加工產(chan)生的。
拋光片是最基礎、應用范圍最廣的硅片。拋光片可直接用于制作半導體器件，廣泛應用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片等其他類型硅片的襯底材料。
隨(sui)著集(ji)成(cheng)電路特(te)征線(xian)寬的(de)(de)不斷縮小，光刻精度(du)日益精細，硅片(pian)上極其(qi)微(wei)小的(de)(de)不平整(zheng)都會造成(cheng)集(ji)成(cheng)電路圖形的(de)(de)形變和(he)錯(cuo)位，硅片(pian)制(zhi)造技術面(mian)臨(lin)越(yue)來越(yue)高的(de)(de)要求和(he)挑(tiao)戰，硅片(pian)表面(mian)顆(ke)粒度(du)和(he)潔凈度(du)對(dui)半導體產品的(de)(de)良率也有直接影響。
因此，拋(pao)光工(gong)藝對提(ti)高硅片(pian)表(biao)面的平整度和(he)清潔度至關(guan)重要，主(zhu)要原(yuan)理為通過去除加工(gong)表(biao)面殘留的損傷層，實現半導(dao)體硅片(pian)表(biao)面平坦化，減小粗糙度。
