一、硅片拋光片與外延片區別是什么
根據用途分類，半導體硅片可分為拋光片、退火片、外延片、結隔離片和以SOI硅片為代表的高端硅片。那么硅片拋光(guang)片(pian)與外延片(pian)區別是什么呢？
拋(pao)光(guang)(guang)片(pian)可以用(yong)于(yu)制作存儲(chu)芯片(pian)，功率器件(jian)，以及(ji)外(wai)延片(pian)的襯(chen)底(di)材料。外(wai)延片(pian)，是(shi)在拋(pao)光(guang)(guang)片(pian)的基(ji)礎上生長(chang)了一(yi)層單晶硅(gui)，一(yi)般用(yong)于(yu)通用(yong)處(chu)理器芯片(pian)，二極(ji)管，以及(ji)igbt功率器件(jian)的制造。由于(yu)拋(pao)光(guang)(guang)原始顆粒細微、粒度(du)尺寸小于(yu)可見光(guang)(guang)的波長(chang)，所以均(jun)勻地分(fen)布后形成外(wai)觀透明或半(ban)透明的拋(pao)光(guang)(guang)膜。
二、硅片拋光片用于哪里
拋光(guang)片是用量最(zui)大的(de)產品，其他(ta)的(de)硅片產品都是在拋光(guang)片的(de)基礎上(shang)二次加工(gong)產生的(de)。
拋光片是最基礎、應用范圍最廣的硅片。拋光片可直接用于制作半導體器件，廣泛應用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片等其他類型硅片的襯底材料。
隨著(zhu)集(ji)成電路特(te)征線(xian)寬(kuan)的(de)(de)不(bu)斷(duan)縮小，光刻精度(du)日益精細，硅(gui)片(pian)(pian)上極其微小的(de)(de)不(bu)平整都會造成集(ji)成電路圖形的(de)(de)形變和錯位，硅(gui)片(pian)(pian)制(zhi)造技術面(mian)臨(lin)越來(lai)越高(gao)的(de)(de)要求和挑戰，硅(gui)片(pian)(pian)表面(mian)顆粒度(du)和潔凈(jing)度(du)對半導體(ti)產品的(de)(de)良率也有直接影響。
因此，拋光工藝對提高硅片表(biao)面的平整度(du)(du)(du)和(he)清(qing)潔度(du)(du)(du)至關重要，主(zhu)要原理為通過去除(chu)加(jia)工表(biao)面殘留(liu)的損傷層，實現半(ban)導體(ti)硅片表(biao)面平坦化，減小粗(cu)糙度(du)(du)(du)。
