一、硅片拋光片與外延片區別是什么
根據用途分類，半導體硅片可分為拋光片、退火片、外延片、結隔離片和以SOI硅片為代表的高端硅片。那么硅片拋光片與(yu)外延片區別(bie)是什么呢？
拋(pao)光(guang)片可以用(yong)于制作存儲芯(xin)片，功率器件，以及外延(yan)片的(de)襯底材料。外延(yan)片，是(shi)在(zai)拋(pao)光(guang)片的(de)基礎上生長(chang)了一(yi)層單晶(jing)硅(gui)，一(yi)般(ban)用(yong)于通用(yong)處(chu)理器芯(xin)片，二極管(guan)，以及igbt功率器件的(de)制造。由于拋(pao)光(guang)原始顆粒細微(wei)、粒度尺寸小于可見光(guang)的(de)波(bo)長(chang)，所以均勻地分布(bu)后(hou)形成外觀透明或(huo)半(ban)透明的(de)拋(pao)光(guang)膜(mo)。
二、硅片拋光片用于哪里
拋光片是用量最大(da)的產品(pin)，其他的硅片產品(pin)都是在拋光片的基礎(chu)上二次加工產生(sheng)的。
拋光片是最基礎、應用范圍最廣的硅片。拋光片可直接用于制作半導體器件，廣泛應用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片等其他類型硅片的襯底材料。
隨著集(ji)成(cheng)電(dian)路特征線寬的(de)(de)不斷縮小(xiao)，光(guang)刻精度日(ri)益精細，硅片(pian)(pian)上極其微(wei)小(xiao)的(de)(de)不平整都(dou)會(hui)造成(cheng)集(ji)成(cheng)電(dian)路圖形的(de)(de)形變和(he)錯位，硅片(pian)(pian)制(zhi)造技術面臨越(yue)來越(yue)高的(de)(de)要(yao)求和(he)挑戰，硅片(pian)(pian)表面顆粒度和(he)潔(jie)凈度對(dui)半(ban)導體產品的(de)(de)良率也有直接影(ying)響(xiang)。
因此(ci)，拋光工藝對提(ti)高(gao)硅(gui)片表(biao)面的平整度和清潔度至關重(zhong)要(yao)，主要(yao)原理(li)為通過去除加工表(biao)面殘留(liu)的損傷層(ceng)，實現半導體硅(gui)片表(biao)面平坦化(hua)，減小粗(cu)糙度。
