汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉積步驟從晶圓(yuan)開始，晶圓(yuan)是從99.99%的純硅圓(yuan)柱(zhu)體(ti)上(shang)切下(xia)來的，并(bing)被(bei)打磨得極為光滑，再(zai)根據結構需求(qiu)將導體(ti)、絕緣體(ti)或半導體(ti)材(cai)料薄膜沉積到(dao)晶圓(yuan)上(shang)，以便能(neng)在上(shang)面印制第(di)一層。

2、光刻膠涂覆

晶圓隨后會被(bei)涂覆光敏材料“光刻(ke)膠”。光刻(ke)膠也分為(wei)兩種——“正性光刻(ke)膠”和(he)“負性光刻(ke)膠”。正性和(he)負性光刻(ke)膠的主要區(qu)別在于材料的化學結構和(he)光刻(ke)膠對(dui)光的反應方式。

3、光刻

光刻決定芯片上(shang)(shang)的(de)(de)晶(jing)體管(guan)可以(yi)做到多小。晶(jing)圓會(hui)被放入光刻(ke)機(ji)中，暴露在(zai)深紫外光下。光線會(hui)通過“掩模(mo)版(ban)”投射(she)到晶(jing)圓上(shang)(shang)，光刻(ke)機(ji)的(de)(de)光學系(xi)統（DUV系(xi)統的(de)(de)透鏡(jing)）將掩模(mo)版(ban)上(shang)(shang)設計好(hao)的(de)(de)電路圖(tu)案縮小并(bing)聚焦到晶(jing)圓上(shang)(shang)的(de)(de)光刻(ke)膠。

4、刻蝕

在(zai)"刻(ke)蝕(shi)(shi)"過(guo)程中，晶圓(yuan)(yuan)被烘烤和顯影，一些光刻(ke)膠(jiao)被洗掉，從(cong)而顯示(shi)出一個開放通(tong)(tong)道(dao)的(de)3D圖(tu)案。刻(ke)蝕(shi)(shi)也分(fen)為“干式(shi)”和“濕(shi)式(shi)”兩種。干式(shi)刻(ke)蝕(shi)(shi)使用氣體來確定晶圓(yuan)(yuan)上的(de)暴露圖(tu)案。濕(shi)式(shi)刻(ke)蝕(shi)(shi)通(tong)(tong)過(guo)化(hua)學方法來清洗晶圓(yuan)(yuan)

5、離子注入

一旦圖(tu)案被刻蝕在晶(jing)圓上(shang)，晶(jing)圓會受到正離子或負(fu)離子的轟擊，以調整部分圖(tu)案的導(dao)(dao)電(dian)特性。將帶電(dian)離子引導(dao)(dao)到硅(gui)晶(jing)體中，讓電(dian)的流動可(ke)以被控制，從而(er)創造出(chu)芯片(pian)基本構(gou)件的電(dian)子開(kai)關——晶(jing)體管。

6、封裝

為了把芯片從晶(jing)圓上取(qu)出來，要用金(jin)剛石鋸將其切成單(dan)個芯片，稱為“裸(luo)晶(jing)”，這些(xie)裸(luo)晶(jing)隨后(hou)會被放置在“基(ji)板”上——這種基(ji)板使(shi)用金(jin)屬箔將裸(luo)晶(jing)的輸入和輸出信(xin)號引導到系(xi)統的其他部分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽(qi)車(che)芯(xin)片的(de)主要(yao)材(cai)料是硅(gui)。硅(gui)是最常(chang)用(yong)的(de)芯(xin)片材(cai)料之一(yi)，價格低廉、成(cheng)熟，適(shi)用(yong)于(yu)(yu)大(da)規模生產(chan)。硅(gui)芯(xin)片的(de)功率密(mi)度低，特別適(shi)用(yong)于(yu)(yu)低功耗和低成(cheng)本的(de)應用(yong)場景。硅(gui)材(cai)質也易于(yu)(yu)加工和集成(cheng)，可以輕(qing)松實現超大(da)規模的(de)集成(cheng)電(dian)路。

汽車芯片很難制造嗎

造(zao)汽車芯片的難度較(jiao)大(da)。

1、汽車對芯片和元器件(jian)的(de)工作溫(wen)度要求比較(jiao)寬，根據不同的(de)安裝位置(zhi)等有(you)不同的(de)需求，但一(yi)般都要高于民用產品的(de)要求，比如(ru)發動機艙要求-40℃-150℃；車身控制要求-40℃-125℃。

2、汽車在(zai)行進過程(cheng)中會遭遇(yu)更多的(de)(de)振動和(he)沖擊，車(che)規級半導(dao)體必(bi)須滿足在(zai)高低溫交變、震動風擊、防水防曬、高速移動等(deng)各類變化(hua)中持續保證(zheng)穩定(ding)工作(zuo)(zuo)。另外汽(qi)車(che)對器件的(de)(de)抗干擾(rao)性(xing)能(neng)要求極高，包(bao)括(kuo)抗ESD靜電，EFT群脈沖，RS傳(chuan)導(dao)輻射、EMC，EMI等(deng)分析，芯(xin)片在(zai)這(zhe)些(xie)干擾(rao)下既(ji)不(bu)能(neng)不(bu)可控的(de)(de)影(ying)響工作(zuo)(zuo)，也不(bu)能(neng)干擾(rao)車(che)內別的(de)(de)設備（控制(zhi)總線，MCU，傳(chuan)感器，音(yin)響，等(deng)等(deng)）等(deng)。