汽車芯片是怎么制造的
1、沉積
沉積步(bu)驟從晶圓開始,晶圓是從99.99%的(de)純硅(gui)圓柱體上切下來的(de),并(bing)被打磨(mo)得極為光滑,再根據結構需求將導體、絕緣體或半導體材料(liao)薄膜沉積到晶圓上,以便(bian)能在上面(mian)印(yin)制第一層。
2、光刻膠涂覆
晶(jing)圓隨后(hou)會被涂覆光(guang)(guang)(guang)敏(min)材(cai)料“光(guang)(guang)(guang)刻膠(jiao)(jiao)”。光(guang)(guang)(guang)刻膠(jiao)(jiao)也分為兩種——“正性光(guang)(guang)(guang)刻膠(jiao)(jiao)”和“負性光(guang)(guang)(guang)刻膠(jiao)(jiao)”。正性和負性光(guang)(guang)(guang)刻膠(jiao)(jiao)的主要區別在于(yu)材(cai)料的化(hua)學結構和光(guang)(guang)(guang)刻膠(jiao)(jiao)對光(guang)(guang)(guang)的反應方式。
3、光刻
光刻決定芯片上的(de)晶(jing)體管(guan)可以做到(dao)多小(xiao)(xiao)。晶(jing)圓(yuan)會(hui)被放入(ru)光刻(ke)機(ji)中,暴露在深(shen)紫外光下(xia)。光線(xian)會(hui)通過(guo)“掩(yan)模版”投射到(dao)晶(jing)圓(yuan)上,光刻(ke)機(ji)的(de)光學系統(DUV系統的(de)透鏡)將掩(yan)模版上設計好的(de)電路圖案縮小(xiao)(xiao)并聚焦到(dao)晶(jing)圓(yuan)上的(de)光刻(ke)膠。
4、刻蝕
在"刻(ke)(ke)(ke)蝕"過程中(zhong),晶圓被(bei)烘烤和(he)顯(xian)影,一(yi)些(xie)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠被(bei)洗(xi)掉(diao),從而顯(xian)示出一(yi)個開(kai)放通道的3D圖案。刻(ke)(ke)(ke)蝕也分為“干式(shi)”和(he)“濕式(shi)”兩種。干式(shi)刻(ke)(ke)(ke)蝕使(shi)用(yong)氣體來確定晶圓上的暴露圖案。濕式(shi)刻(ke)(ke)(ke)蝕通過化學方法來清(qing)洗(xi)晶圓
5、離子注入
一旦圖案(an)被刻蝕在晶圓上,晶圓會(hui)受到正(zheng)離(li)子(zi)或負離(li)子(zi)的(de)轟(hong)擊,以(yi)調整(zheng)部分(fen)圖案(an)的(de)導電(dian)(dian)(dian)(dian)特性。將帶(dai)電(dian)(dian)(dian)(dian)離(li)子(zi)引(yin)導到硅晶體(ti)中,讓電(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)流(liu)動可以(yi)被控(kong)制,從而創造(zao)出芯片基本構件的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)開關——晶體(ti)管(guan)。
6、封裝
為(wei)了(le)把芯(xin)(xin)片從(cong)晶(jing)圓上取出(chu)(chu)來,要用(yong)金剛石鋸(ju)將其切成(cheng)單個芯(xin)(xin)片,稱(cheng)為(wei)“裸(luo)晶(jing)”,這些裸(luo)晶(jing)隨(sui)后會(hui)被放置(zhi)在“基(ji)板”上——這種(zhong)基(ji)板使用(yong)金屬箔將裸(luo)晶(jing)的(de)輸入和輸出(chu)(chu)信號(hao)引導到系統的(de)其他部(bu)分。
汽車芯片的主要材料是什么
汽車芯(xin)片的(de)(de)主(zhu)要材料(liao)是硅。硅是最常用(yong)的(de)(de)芯(xin)片材料(liao)之一,價格低廉、成(cheng)熟,適用(yong)于(yu)(yu)(yu)大(da)規(gui)模生(sheng)產(chan)。硅芯(xin)片的(de)(de)功率密度(du)低,特別適用(yong)于(yu)(yu)(yu)低功耗和(he)低成(cheng)本的(de)(de)應(ying)用(yong)場景。硅材質也易(yi)于(yu)(yu)(yu)加工(gong)和(he)集成(cheng),可以輕松實(shi)現超大(da)規(gui)模的(de)(de)集成(cheng)電(dian)路。
汽車芯片很難制造嗎
造汽車芯片的難度(du)較(jiao)大。
1、汽車對(dui)芯片(pian)和元器件的工作溫度要求(qiu)比較寬,根(gen)據不同的安裝(zhuang)位置等有不同的需求(qiu),但一般都要高于民用(yong)產(chan)品的要求(qiu),比如(ru)發(fa)動(dong)機艙要求(qiu)-40℃-150℃;車身控制要求(qiu)-40℃-125℃。
2、汽車在(zai)(zai)行進(jin)過程中(zhong)會(hui)遭遇更多的振(zhen)動和沖擊,車規級半導體必須滿足在(zai)(zai)高(gao)低溫交(jiao)變(bian)、震動風擊、防水(shui)防曬、高(gao)速移動等(deng)各類變(bian)化中(zhong)持續保證穩定(ding)工作。另外汽車對器件(jian)的抗干(gan)擾(rao)性能(neng)要求極(ji)高(gao),包括抗ESD靜電,EFT群脈沖,RS傳(chuan)導輻射(she)、EMC,EMI等(deng)分(fen)析,芯(xin)片在(zai)(zai)這些干(gan)擾(rao)下既不(bu)能(neng)不(bu)可(ke)控(kong)的影響工作,也不(bu)能(neng)干(gan)擾(rao)車內別(bie)的設備(控(kong)制總線,MCU,傳(chuan)感(gan)器,音響,等(deng)等(deng))等(deng)。