汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉積(ji)步驟從晶(jing)圓(yuan)開始，晶(jing)圓(yuan)是從99.99%的純硅圓(yuan)柱體(ti)(ti)上切下來的，并被打磨得極為光滑，再根(gen)據結構需求將導體(ti)(ti)、絕(jue)緣(yuan)體(ti)(ti)或半導體(ti)(ti)材料薄膜沉積(ji)到晶(jing)圓(yuan)上，以便(bian)能在上面印制(zhi)第一(yi)層。

2、光刻膠涂覆

晶圓隨后(hou)會被涂覆(fu)光(guang)(guang)敏材料(liao)“光(guang)(guang)刻(ke)膠”。光(guang)(guang)刻(ke)膠也(ye)分為兩種(zhong)——“正性光(guang)(guang)刻(ke)膠”和(he)“負(fu)性光(guang)(guang)刻(ke)膠”。正性和(he)負(fu)性光(guang)(guang)刻(ke)膠的主要區別在于材料(liao)的化(hua)學結構(gou)和(he)光(guang)(guang)刻(ke)膠對光(guang)(guang)的反應方式。

3、光刻

光刻決定芯片上的晶體管可以做到(dao)多小(xiao)。晶圓會被放入光(guang)刻機中，暴(bao)露在(zai)深紫外光(guang)下。光(guang)線會通過“掩模版(ban)”投射(she)到(dao)晶圓上，光(guang)刻機的光(guang)學系統(tong)（DUV系統(tong)的透(tou)鏡）將掩模版(ban)上設計好的電(dian)路圖(tu)案縮小(xiao)并(bing)聚焦(jiao)到(dao)晶圓上的光(guang)刻膠。

4、刻蝕

在"刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)"過程中，晶(jing)圓(yuan)被(bei)烘烤和(he)顯(xian)影，一些光刻(ke)(ke)膠被(bei)洗(xi)(xi)掉，從而顯(xian)示出一個開放(fang)通道的(de)3D圖案。刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)也分(fen)為(wei)“干式(shi)”和(he)“濕式(shi)”兩(liang)種(zhong)。干式(shi)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)使(shi)用(yong)氣體來確定晶(jing)圓(yuan)上的(de)暴露圖案。濕式(shi)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)通過化學(xue)方法來清(qing)洗(xi)(xi)晶(jing)圓(yuan)

5、離子注入

一(yi)旦圖案被刻蝕在(zai)晶圓上(shang)，晶圓會受到正離(li)子(zi)或負離(li)子(zi)的(de)轟擊(ji)，以調整部(bu)分圖案的(de)導電(dian)特(te)性。將帶電(dian)離(li)子(zi)引導到硅(gui)晶體(ti)中，讓電(dian)的(de)流(liu)動可(ke)以被控制(zhi)，從而創(chuang)造出芯片基本構(gou)件(jian)的(de)電(dian)子(zi)開關——晶體(ti)管。

6、封裝

為(wei)了(le)把芯片(pian)從晶(jing)圓(yuan)上(shang)取出來(lai)，要用金(jin)剛石鋸(ju)將(jiang)其切成單個芯片(pian)，稱為(wei)“裸(luo)(luo)晶(jing)”，這些裸(luo)(luo)晶(jing)隨后(hou)會被放置在“基板”上(shang)——這種基板使用金(jin)屬箔(bo)將(jiang)裸(luo)(luo)晶(jing)的(de)輸入和輸出信號引導到(dao)系(xi)統的(de)其他部分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽車(che)芯(xin)片(pian)的(de)主(zhu)要材(cai)料是硅。硅是最(zui)常用(yong)的(de)芯(xin)片(pian)材(cai)料之一，價格低(di)廉、成(cheng)熟(shu)，適用(yong)于大規(gui)模(mo)生產。硅芯(xin)片(pian)的(de)功率密度低(di)，特別適用(yong)于低(di)功耗和(he)低(di)成(cheng)本(ben)的(de)應用(yong)場景。硅材(cai)質也(ye)易(yi)于加工和(he)集成(cheng)，可以輕松實(shi)現超(chao)大規(gui)模(mo)的(de)集成(cheng)電路。

汽車芯片很難制造嗎

造汽車芯(xin)片的難度較(jiao)大。

1、汽車(che)(che)對芯(xin)片和元器件的工作(zuo)溫度(du)要(yao)求(qiu)比較寬，根據(ju)不同的安裝位(wei)置等(deng)有不同的需求(qiu)，但一般都要(yao)高于民用產品的要(yao)求(qiu)，比如發動機艙要(yao)求(qiu)-40℃-150℃；車(che)(che)身控制(zhi)要(yao)求(qiu)-40℃-125℃。

2、汽車在(zai)(zai)行進(jin)過程中會遭遇更多的振動和(he)沖擊，車規級半導體必須滿足(zu)在(zai)(zai)高低溫(wen)交變、震(zhen)動風擊、防水防曬、高速移(yi)動等(deng)(deng)各類變化(hua)中持續保證穩定工作。另外汽(qi)車對器件的抗(kang)干擾性能要求極(ji)高，包括抗(kang)ESD靜電，EFT群脈沖，RS傳(chuan)導輻射、EMC，EMI等(deng)(deng)分析，芯(xin)片(pian)在(zai)(zai)這些干擾下既不(bu)能不(bu)可控(kong)的影響工作，也不(bu)能干擾車內別的設備（控(kong)制總線，MCU，傳(chuan)感器，音響，等(deng)(deng)等(deng)(deng)）等(deng)(deng)。