汽車芯片是怎么制造的

1、沉積

沉積步(bu)驟從晶圓(yuan)(yuan)(yuan)開始，晶圓(yuan)(yuan)(yuan)是從99.99%的(de)純硅圓(yuan)(yuan)(yuan)柱體(ti)(ti)上切下(xia)來的(de)，并被打(da)磨得極為光滑(hua)，再根據結構需求將導體(ti)(ti)、絕緣體(ti)(ti)或半導體(ti)(ti)材(cai)料薄膜沉積到晶圓(yuan)(yuan)(yuan)上，以便能在上面印制第一層(ceng)。

2、光刻膠涂覆

晶(jing)圓隨后會被涂覆光(guang)(guang)敏材料“光(guang)(guang)刻(ke)膠”。光(guang)(guang)刻(ke)膠也分(fen)為兩種(zhong)——“正(zheng)(zheng)性光(guang)(guang)刻(ke)膠”和(he)“負(fu)性光(guang)(guang)刻(ke)膠”。正(zheng)(zheng)性和(he)負(fu)性光(guang)(guang)刻(ke)膠的主要(yao)區別在(zai)于材料的化學結構和(he)光(guang)(guang)刻(ke)膠對光(guang)(guang)的反應方(fang)式。

3、光刻

光刻決定芯片上(shang)的(de)晶體(ti)管可以做(zuo)到(dao)(dao)多(duo)小(xiao)。晶圓會被放入光(guang)刻(ke)(ke)機(ji)中，暴(bao)露在深紫外光(guang)下(xia)。光(guang)線會通(tong)過“掩(yan)模(mo)版(ban)”投射到(dao)(dao)晶圓上(shang)，光(guang)刻(ke)(ke)機(ji)的(de)光(guang)學(xue)系(xi)統(tong)(tong)（DUV系(xi)統(tong)(tong)的(de)透鏡）將掩(yan)模(mo)版(ban)上(shang)設計(ji)好的(de)電路圖案縮小(xiao)并聚(ju)焦到(dao)(dao)晶圓上(shang)的(de)光(guang)刻(ke)(ke)膠。

4、刻蝕

在(zai)"刻(ke)蝕"過程中，晶(jing)圓(yuan)被(bei)烘烤和顯(xian)影，一些光刻(ke)膠被(bei)洗(xi)掉，從而顯(xian)示(shi)出(chu)一個開放通道的3D圖案(an)。刻(ke)蝕也分為“干式(shi)”和“濕式(shi)”兩種(zhong)。干式(shi)刻(ke)蝕使用氣體(ti)來確定晶(jing)圓(yuan)上的暴(bao)露圖案(an)。濕式(shi)刻(ke)蝕通過化學方法來清洗(xi)晶(jing)圓(yuan)

5、離子注入

一旦(dan)圖案(an)被刻蝕(shi)在晶(jing)(jing)圓上，晶(jing)(jing)圓會受到(dao)正離子(zi)(zi)或(huo)負離子(zi)(zi)的(de)(de)(de)轟(hong)擊，以調整部分圖案(an)的(de)(de)(de)導電特性。將(jiang)帶電離子(zi)(zi)引導到(dao)硅晶(jing)(jing)體中，讓電的(de)(de)(de)流(liu)動可以被控制，從而創造出芯片基本構件的(de)(de)(de)電子(zi)(zi)開關——晶(jing)(jing)體管。

6、封裝

為了(le)把芯片(pian)從晶(jing)圓上取出來，要用(yong)金剛石(shi)鋸(ju)將(jiang)其切成單個(ge)芯片(pian)，稱為“裸(luo)(luo)晶(jing)”，這些裸(luo)(luo)晶(jing)隨后會被放置在“基(ji)板”上——這種基(ji)板使(shi)用(yong)金屬箔(bo)將(jiang)裸(luo)(luo)晶(jing)的輸入和輸出信號引導到系統的其他部分。

汽車芯片的主要材料是什么

汽車芯片的(de)主要材料是硅(gui)。硅(gui)是最常(chang)用的(de)芯片材料之一，價格低廉、成熟，適用于大(da)規模(mo)生產。硅(gui)芯片的(de)功(gong)率密度低，特別適用于低功(gong)耗(hao)和低成本的(de)應用場景。硅(gui)材質(zhi)也(ye)易于加工(gong)和集成，可以輕(qing)松實(shi)現超(chao)大(da)規模(mo)的(de)集成電路。

汽車芯片很難制造嗎

造汽車芯片的難(nan)度較(jiao)大(da)。

1、汽(qi)車對芯片和元(yuan)器件的(de)(de)(de)工作溫度(du)要求比(bi)較(jiao)寬，根據不同的(de)(de)(de)安裝位置等有不同的(de)(de)(de)需求，但一般都要高于(yu)民用產(chan)品的(de)(de)(de)要求，比(bi)如發動機艙要求-40℃-150℃；車身控制(zhi)要求-40℃-125℃。

2、汽車在行進過程中(zhong)會遭遇(yu)更多的(de)振動(dong)(dong)和沖擊，車規級半導體必須滿足在高(gao)低(di)溫交變、震(zhen)動(dong)(dong)風擊、防(fang)(fang)水防(fang)(fang)曬、高(gao)速移動(dong)(dong)等(deng)各類變化中(zhong)持(chi)續保證(zheng)穩定(ding)工(gong)作。另外汽車對(dui)器件的(de)抗干(gan)擾性(xing)能要求(qiu)極高(gao)，包括抗ESD靜電，EFT群脈沖，RS傳(chuan)導輻射、EMC，EMI等(deng)分析，芯(xin)片在這些干(gan)擾下既(ji)不能不可控的(de)影響(xiang)工(gong)作，也不能干(gan)擾車內別的(de)設備（控制總線，MCU，傳(chuan)感(gan)器，音響(xiang)，等(deng)等(deng)）等(deng)。