1、接觸式曝(pu)光（Contact Printing）

掩膜板直接(jie)與(yu)光刻(ke)膠層接(jie)觸(chu)。曝光出(chu)來的(de)圖形(xing)與(yu)掩膜板上的(de)圖形(xing)分辨率(lv)相當，設備簡單。接(jie)觸(chu)式，根據施(shi)加力(li)量的(de)方式不同又(you)分為：軟接(jie)觸(chu)，硬接(jie)觸(chu)和(he)真(zhen)空接(jie)觸(chu)。

（1）軟接觸：就是把基片(pian)通(tong)過托盤吸(xi)附(fu)住（類似(si)于勻(yun)膠機(ji)的基片(pian)放置方式），掩膜蓋在基片(pian)上面。

（2）硬接(jie)觸(chu)：是將基片通過一個(ge)氣壓（氮氣），往上頂(ding)，使(shi)之與掩(yan)膜(mo)接(jie)觸(chu)。

（3）真空接觸(chu)：是(shi)在(zai)掩膜和基片中間抽(chou)氣，使(shi)之更加好(hao)的貼合(he)（想一(yi)想把被子抽(chou)真空放置(zhi)的方式）。

缺點(dian)：光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠污染掩膜板；掩膜板的磨(mo)損(sun)，容易(yi)損(sun)壞，壽命很低（只能使用5～25次）；容易(yi)累(lei)積缺陷(xian)；上個世(shi)紀七十年(nian)代的工(gong)業(ye)水準，已經逐(zhu)漸被接(jie)(jie)近式(shi)曝(pu)光(guang)(guang)方式(shi)所淘汰了，國產光(guang)(guang)刻(ke)(ke)機(ji)均為接(jie)(jie)觸式(shi)曝(pu)光(guang)(guang)，國產光(guang)(guang)刻(ke)(ke)機(ji)的開發機(ji)構無法提(ti)供工(gong)藝要求更高的非接(jie)(jie)觸式(shi)曝(pu)光(guang)(guang)的產品化。

2、接近(jin)式曝光（Proximity Printing）

掩膜(mo)板(ban)與光(guang)刻(ke)膠(jiao)基(ji)底層保(bao)留(liu)一個微(wei)小的(de)縫隙(xi)（Gap），Gap大約(yue)為0～200μm。可以有效避免與光(guang)刻(ke)膠(jiao)直接接觸而(er)引起的(de)掩膜(mo)板(ban)損傷，使(shi)掩膜(mo)和(he)光(guang)刻(ke)膠(jiao)基(ji)底能耐(nai)久使(shi)用(yong)；掩模壽命長（可提高(gao)10倍以上），圖形缺陷少。接近式在現代光(guang)刻(ke)工藝中應用(yong)最為廣泛。

3、投影(ying)式曝光（Projection Printing）

在(zai)掩膜(mo)(mo)板(ban)與光刻膠之間使用光學系統聚集光實現(xian)曝光。一般掩膜(mo)(mo)板(ban)的(de)尺寸會以需要轉移圖形的(de)4倍制作。優點：提(ti)高了分辨率；掩膜(mo)(mo)板(ban)的(de)制作更(geng)加(jia)容易；掩膜(mo)(mo)板(ban)上的(de)缺陷影響減小。

投影式(shi)曝光分類：

（1）掃描投影曝光(guang)（Scanning Project Printing）。70年(nian)代(dai)末～80年(nian)代(dai)初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；

（2）步進重(zhong)復投影(ying)曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩(yan)膜板縮小比例(li)（4：1），曝光區域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所(suo)能覆蓋的區域）。增加了棱鏡系統(tong)的制作難度。

（3）掃描(miao)步進投(tou)影曝光(guang)（Scanning-Stepping Project Printing）。90年(nian)代末～至今，用于≤0.18μm工藝(yi)。采用6英寸的(de)(de)(de)掩膜板按照4：1的(de)(de)(de)比例曝光(guang)，曝光(guang)區(qu)域（Exposure Field）26×33mm。優點：增大了每(mei)次曝光(guang)的(de)(de)(de)視場；提(ti)供硅(gui)片(pian)表面不(bu)平(ping)整(zheng)的(de)(de)(de)補償；提(ti)高整(zheng)個硅(gui)片(pian)的(de)(de)(de)尺寸均(jun)勻性。但(dan)是，同(tong)時因為(wei)需要(yao)反向運動，增加了機械系(xi)統的(de)(de)(de)精(jing)度(du)要(yao)求。

4、高精度雙面

主(zhu)要(yao)用于(yu)中小(xiao)規模(mo)集成電(dian)路(lu)、半導體(ti)元器(qi)件(jian)、光電(dian)子器(qi)件(jian)、聲表(biao)面波器(qi)件(jian)、薄(bo)膜電(dian)路(lu)、電(dian)力(li)電(dian)子器(qi)件(jian)的研制和生產。

高精度特制的翻版(ban)機構(gou)、雙(shuang)視場(chang)CCD顯(xian)微顯(xian)示系統、多點光源(yuan)曝光頭、真(zhen)空管路(lu)系統、氣路(lu)系統、直(zhi)聯式(shi)無油真(zhen)空泵、防(fang)震工作臺等組成。

適(shi)用(yong)于φ100mm以(yi)下，厚度5mm以(yi)下的各種基片的對準曝光(guang)。

5、高精度單面

針對各大專院校、企業及(ji)科研(yan)單位(wei)，對光(guang)刻(ke)機(ji)使(shi)用特性研(yan)發的一(yi)種高(gao)精度光(guang)刻(ke)機(ji)，中小(xiao)規模集(ji)成電(dian)路、半導體(ti)元(yuan)器件(jian)、光(guang)電(dian)子器件(jian)、聲表面波(bo)器件(jian)的研(yan)制和生(sheng)產。

高精(jing)度對(dui)準工作臺(tai)、雙(shuang)目(mu)分離(li)視(shi)場CCD顯微顯示(shi)系統、曝光頭(tou)、氣動系統、真空管路系統、直(zhi)聯式無油真空泵、防震工作臺(tai)和附件箱等組成(cheng)。

解(jie)決非圓(yuan)形基片、碎片和底面不平(ping)的基片造成的版片分(fen)離不開所引起(qi)的版片無(wu)法對準的問題。