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光刻機哪個牌子好 光刻機什么牌子好

本文章由 MAIGOO文章(zhang)編輯員(yuan)706號 上傳提供 評論 0
光刻機哪個牌子好?
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光刻機什么牌(pai)子的好 光刻機品牌(pai)推薦 光刻(ke)機(ji)什么牌子的好 PREFERRED BRAND
  • ASML阿(a)斯麥(mai)阿(a)斯麥(上海)光刻設備科技有限(xian)公司
  • 發源地:荷蘭 注冊資本:105萬美元
ASML創立于1984年,全球芯片光刻設備市場領導者,是全球最大的半導體光刻設備制造商之一,ASML于2000年推出TWINSCAN光刻機,2010年成功研發首臺EUV光刻機,是當前唯一可以生產EUV光刻機的公司。ASML在全球10余個國家設有60余個辦公室。更多>>
  • Nikon尼康精機(上海)有限公司
  • 發源地:日本 注冊資本:25000萬日元
Nikon光刻機隸屬尼康精機事業部,研制用于半導體生產的半導體光刻設備的開發與研究,Nikon光刻機業務涵蓋ArFi光刻機、ArF光刻機、KrF光刻機、i-line光刻機系列集成電路用光刻機及面板用光刻機,是全球范圍內較大的光刻機制造商。更多>>
  • Canon佳能(neng)光學設(she)備(bei)(上海)有限(xian)公司
  • 發源地:日本 注冊資本:440萬美元
佳能光刻機歷史源于Canon對相機鏡頭技術的應用,Canon于1970年成功發售日本首臺半導體光刻機PPC-1,目前佳能的光刻機產品包括i線光刻機和KrF光刻機產品線,佳能光學設備是佳能公司在中國大陸地區成立的提供半導體及液晶面板生產設備營業輔助業務和技術支持...更多>>
  • 上海微電子Smee上海微電子裝備(集團)股份有限(xian)公(gong)司
  • 發源地:上海市 注冊資本:26612.41萬元
SMEE成立于2002年,是國產半導體光刻設備領域佼佼者,主要致力于半導體裝備、泛半導體裝備、高端智能裝備的開發、設計、制造、銷售及技術服務,廣泛應用于集成電路前道、先進封裝、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造領域。更多>>
人氣光刻機品牌 光刻機品牌投票(piao)榜 光刻機投票榜/關注度 BRAND POLL
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1、接觸式(shi)曝光(Contact Printing)

掩膜板直接(jie)(jie)與光刻膠層接(jie)(jie)觸。曝光出來的(de)圖(tu)形(xing)與掩膜板上的(de)圖(tu)形(xing)分辨率相當,設備簡單。接(jie)(jie)觸式,根據施(shi)加(jia)力量的(de)方(fang)式不同又分為:軟接(jie)(jie)觸,硬接(jie)(jie)觸和真(zhen)空接(jie)(jie)觸。

(1)軟接觸:就(jiu)是把基片通過(guo)托(tuo)盤吸附住(類似于勻膠機(ji)的(de)基片放置方式),掩膜蓋在基片上面。

(2)硬接觸:是將基片通過一個氣壓(氮氣),往上(shang)頂,使之與掩膜接觸。

(3)真(zhen)空接觸:是在掩膜和基片中間抽(chou)氣,使之更加好的貼(tie)合(想(xiang)一想(xiang)把被(bei)子抽(chou)真(zhen)空放置的方式)。

缺(que)點(dian):光(guang)(guang)刻膠污染掩膜(mo)板;掩膜(mo)板的(de)磨損(sun),容易損(sun)壞(huai),壽命很低(只(zhi)能使用5~25次);容易累(lei)積缺(que)陷;上個世紀七(qi)十(shi)年代的(de)工業水準(zhun),已經逐漸(jian)被接近(jin)式曝(pu)光(guang)(guang)方(fang)式所淘汰了,國(guo)產(chan)光(guang)(guang)刻機(ji)(ji)均為接觸式曝(pu)光(guang)(guang),國(guo)產(chan)光(guang)(guang)刻機(ji)(ji)的(de)開發機(ji)(ji)構無法提供工藝(yi)要求更高的(de)非接觸式曝(pu)光(guang)(guang)的(de)產(chan)品化(hua)。

2、接近(jin)式曝光(Proximity Printing)

掩膜板(ban)與光刻(ke)膠(jiao)基底層保留一個微小的縫隙(Gap),Gap大約為0~200μm。可以(yi)(yi)有效(xiao)避(bi)免與光刻(ke)膠(jiao)直接(jie)接(jie)觸而引起的掩膜板(ban)損傷(shang),使掩膜和光刻(ke)膠(jiao)基底能耐久使用(yong);掩模壽命長(可提高(gao)10倍以(yi)(yi)上(shang)),圖(tu)形(xing)缺陷少(shao)。接(jie)近式在(zai)現代光刻(ke)工藝(yi)中(zhong)應用(yong)最為廣(guang)泛。

3、投(tou)影式曝光(guang)(Projection Printing)

在掩(yan)膜板(ban)(ban)與光刻膠之間使用光學(xue)系統聚集光實現曝光。一般掩(yan)膜板(ban)(ban)的(de)(de)尺寸(cun)會以需要轉移圖形的(de)(de)4倍制作。優點:提高(gao)了分辨率;掩(yan)膜板(ban)(ban)的(de)(de)制作更加(jia)容易;掩(yan)膜板(ban)(ban)上(shang)的(de)(de)缺陷影響減小。

投影式曝光分類:

(1)掃描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年(nian)代末~80年(nian)代初,〉1μm工(gong)藝;掩(yan)膜板1:1,全(quan)尺寸;

(2)步進重復投影曝(pu)光(guang)(Stepping-repeating Project Printing或稱作(zuo)Stepper)。80年代(dai)末~90年代(dai),0.35μm(I line)~0.25μm(DUV)。掩膜板(ban)縮(suo)小比(bi)例(li)(4:1),曝(pu)光(guang)區域(Exposure Field)22×22mm(一次曝(pu)光(guang)所(suo)能覆(fu)蓋的區域)。增加了棱鏡系統的制作(zuo)難度。

(3)掃描步(bu)進(jin)投影曝(pu)光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用于≤0.18μm工藝。采用6英寸(cun)的(de)(de)(de)(de)掩(yan)膜板按(an)照4:1的(de)(de)(de)(de)比(bi)例曝(pu)光,曝(pu)光區域(Exposure Field)26×33mm。優點(dian):增大了每(mei)次(ci)曝(pu)光的(de)(de)(de)(de)視(shi)場;提供硅(gui)片表面不平整的(de)(de)(de)(de)補償;提高整個硅(gui)片的(de)(de)(de)(de)尺寸(cun)均勻性。但是,同時因為需(xu)要反向(xiang)運動,增加了機械(xie)系統的(de)(de)(de)(de)精度要求。

4、高精度雙面

主要(yao)用于中小規模集成電路、半導(dao)體元器件、光電子器件、聲(sheng)表(biao)面波器件、薄膜電路、電力(li)電子器件的研制和生產。

高精度特制的翻(fan)版機構、雙視場CCD顯微顯示系統、多點光(guang)源曝(pu)光(guang)頭、真空管(guan)路(lu)系統、氣(qi)路(lu)系統、直聯(lian)式無(wu)油真空泵、防震(zhen)工作臺等組(zu)成。

適(shi)用(yong)于φ100mm以(yi)下,厚度(du)5mm以(yi)下的(de)各種(zhong)基(ji)片的(de)對準曝光。

5、高精度單面

針對各大專(zhuan)院校、企(qi)業及科研(yan)單位,對光(guang)刻(ke)機(ji)使用特性研(yan)發的一(yi)種(zhong)高精度光(guang)刻(ke)機(ji),中小規模集成電路、半導(dao)體元器(qi)件(jian)、光(guang)電子(zi)器(qi)件(jian)、聲表(biao)面波器(qi)件(jian)的研(yan)制和生產。

高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微顯示系(xi)(xi)統(tong)、曝光頭、氣動系(xi)(xi)統(tong)、真空(kong)管路系(xi)(xi)統(tong)、直(zhi)聯式無油真空(kong)泵、防震工作臺和附件箱等組成。

解決非圓形基片(pian)、碎(sui)片(pian)和(he)底面(mian)不(bu)(bu)平的(de)基片(pian)造(zao)成的(de)版(ban)片(pian)分離不(bu)(bu)開所引起的(de)版(ban)片(pian)無法對準的(de)問題。

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