1、接觸式曝光（Contact Printing）

掩(yan)膜板(ban)直接(jie)(jie)與光(guang)刻膠(jiao)層接(jie)(jie)觸(chu)。曝光(guang)出來的(de)圖形與掩(yan)膜板(ban)上的(de)圖形分(fen)辨率相當，設備簡單。接(jie)(jie)觸(chu)式，根(gen)據施加力(li)量的(de)方式不同又(you)分(fen)為(wei)：軟(ruan)接(jie)(jie)觸(chu)，硬接(jie)(jie)觸(chu)和真(zhen)空(kong)接(jie)(jie)觸(chu)。

（1）軟(ruan)接觸：就(jiu)是把基片(pian)通(tong)過托盤吸附(fu)住(zhu)（類似(si)于勻膠機的基片(pian)放置(zhi)方式(shi)），掩膜(mo)蓋(gai)在基片(pian)上面。

（2）硬接觸：是將(jiang)基片通過一個氣(qi)壓(ya)（氮氣(qi)），往上頂，使之與掩膜接觸。

（3）真(zhen)空(kong)接觸：是在掩膜(mo)和基片中間抽氣，使之更加(jia)好的(de)貼合（想一想把被子抽真(zhen)空(kong)放置的(de)方式）。

缺(que)點：光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)污染掩膜(mo)板(ban)；掩膜(mo)板(ban)的(de)磨損，容易損壞，壽(shou)命很低（只能使(shi)用(yong)5～25次）；容易累積(ji)缺(que)陷；上(shang)個世(shi)紀七十年代的(de)工(gong)業水準，已經逐(zhu)漸(jian)被接近(jin)式曝光(guang)(guang)方式所淘汰了，國(guo)產(chan)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)機(ji)均為接觸(chu)式曝光(guang)(guang)，國(guo)產(chan)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)機(ji)的(de)開發機(ji)構無法提供工(gong)藝要求更高的(de)非接觸(chu)式曝光(guang)(guang)的(de)產(chan)品化。

2、接(jie)近式曝光（Proximity Printing）

掩膜(mo)(mo)板(ban)與(yu)光(guang)刻膠基底(di)層保(bao)留一個微(wei)小的縫隙（Gap），Gap大(da)約為0～200μm。可以有效避免與(yu)光(guang)刻膠直接(jie)接(jie)觸而引起的掩膜(mo)(mo)板(ban)損(sun)傷(shang)，使掩膜(mo)(mo)和光(guang)刻膠基底(di)能(neng)耐久使用(yong)；掩模壽命長（可提高10倍以上），圖(tu)形缺陷少。接(jie)近式(shi)在(zai)現(xian)代光(guang)刻工(gong)藝中應用(yong)最為廣泛。

3、投影式曝光（Projection Printing）

在掩膜板與光刻膠之間使(shi)用光學系統聚集光實現曝光。一(yi)般掩膜板的(de)尺寸會以需要轉移圖形(xing)的(de)4倍(bei)制作。優點：提高了分辨率；掩膜板的(de)制作更加容易；掩膜板上的(de)缺陷影響減小。

投影式曝光分類：

（1）掃(sao)描投(tou)影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝(yi)；掩膜板1：1，全(quan)尺寸；

（2）步(bu)進重(zhong)復投影(ying)曝(pu)(pu)光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜(mo)板縮(suo)小比(bi)例（4：1），曝(pu)(pu)光區(qu)域（Exposure Field）22×22mm（一次曝(pu)(pu)光所能覆蓋的(de)區(qu)域）。增加了棱鏡系統的(de)制作難度(du)。

（3）掃描步進投影曝光(guang)（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代(dai)末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英(ying)寸(cun)的(de)掩(yan)膜板按照4：1的(de)比例(li)曝光(guang)，曝光(guang)區域（Exposure Field）26×33mm。優(you)點：增大了(le)每次曝光(guang)的(de)視場；提(ti)供硅片(pian)表(biao)面不(bu)平整的(de)補(bu)償(chang)；提(ti)高整個硅片(pian)的(de)尺寸(cun)均勻性。但是(shi)，同時因為需要反(fan)向(xiang)運動，增加了(le)機械系統的(de)精度要求。

4、高精度雙面

主要用(yong)于中小規模(mo)集(ji)成電路、半(ban)導體(ti)元(yuan)器件、光電子器件、聲(sheng)表(biao)面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。

高(gao)精(jing)度(du)特(te)制(zhi)的翻版機(ji)構、雙(shuang)視場CCD顯(xian)微顯(xian)示系(xi)(xi)統(tong)、多點光源(yuan)曝光頭、真空(kong)管路(lu)系(xi)(xi)統(tong)、氣路(lu)系(xi)(xi)統(tong)、直聯(lian)式無油真空(kong)泵、防震工作臺等組成(cheng)。

適(shi)用(yong)于φ100mm以下，厚度5mm以下的各種(zhong)基片的對(dui)準(zhun)曝(pu)光。

5、高精度單面

針對各(ge)大(da)專院校、企業(ye)及科(ke)研(yan)單位，對光刻(ke)機使(shi)用特性研(yan)發的(de)一種高精(jing)度光刻(ke)機，中小規模集成電路、半導體元器件(jian)、光電子器件(jian)、聲表面(mian)波器件(jian)的(de)研(yan)制和生產。

高精度對準(zhun)工作臺、雙目分(fen)離視(shi)場CCD顯(xian)微顯(xian)示系統、曝光頭、氣動(dong)系統、真空管路(lu)系統、直聯式(shi)無油真空泵(beng)、防震工作臺和(he)附件箱等組成。

解決非圓形基(ji)片(pian)(pian)、碎片(pian)(pian)和(he)底(di)面不平(ping)的(de)基(ji)片(pian)(pian)造成(cheng)的(de)版(ban)片(pian)(pian)分離不開所(suo)引起的(de)版(ban)片(pian)(pian)無法對準的(de)問題。