1、接觸(chu)式(shi)曝(pu)光(guang)（Contact Printing）

掩膜板直接(jie)(jie)與(yu)光刻膠層接(jie)(jie)觸(chu)。曝光出來的(de)圖形與(yu)掩膜板上的(de)圖形分辨率相(xiang)當，設備簡(jian)單。接(jie)(jie)觸(chu)式，根據施加力量(liang)的(de)方(fang)式不(bu)同又(you)分為：軟(ruan)接(jie)(jie)觸(chu)，硬接(jie)(jie)觸(chu)和真空接(jie)(jie)觸(chu)。

（1）軟接(jie)觸：就是把基(ji)片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基(ji)片放置(zhi)方式），掩膜蓋(gai)在基(ji)片上面(mian)。

（2）硬接觸：是將基片通(tong)過一個氣(qi)壓（氮氣(qi)），往上(shang)頂，使之與掩膜接觸。

（3）真(zhen)空(kong)接觸：是在掩(yan)膜和(he)基(ji)片(pian)中間抽氣(qi)，使(shi)之更(geng)加好的貼合(he)（想一想把被子抽真(zhen)空(kong)放置(zhi)的方式）。

缺點：光刻(ke)膠污染掩(yan)膜板；掩(yan)膜板的(de)磨損(sun)，容易損(sun)壞，壽命很(hen)低（只能使(shi)用5～25次）；容易累積缺陷；上(shang)個世(shi)紀七十年代(dai)的(de)工業水準，已經逐漸被接近式(shi)曝光方(fang)式(shi)所淘汰了(le)，國產光刻(ke)機(ji)均為接觸式(shi)曝光，國產光刻(ke)機(ji)的(de)開發機(ji)構無法提供工藝要求(qiu)更高的(de)非接觸式(shi)曝光的(de)產品化。

2、接近(jin)式曝光(guang)（Proximity Printing）

掩膜板與光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)基(ji)底(di)層保留一(yi)個微小的(de)縫隙（Gap），Gap大約為0～200μm。可(ke)以有(you)效避(bi)免與光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)直(zhi)接(jie)(jie)接(jie)(jie)觸而(er)引起的(de)掩膜板損傷，使(shi)掩膜和光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)基(ji)底(di)能耐久使(shi)用(yong)；掩模壽命長(chang)（可(ke)提高10倍(bei)以上），圖(tu)形(xing)缺陷少。接(jie)(jie)近式在現代光(guang)(guang)刻(ke)工藝中應用(yong)最為廣(guang)泛(fan)。

3、投影式(shi)曝光（Projection Printing）

在掩膜(mo)(mo)板與光刻(ke)膠之間使(shi)用(yong)光學系統(tong)聚(ju)集光實現曝光。一般掩膜(mo)(mo)板的尺寸(cun)會以需要轉移圖形的4倍制(zhi)作。優(you)點：提(ti)高了分辨(bian)率；掩膜(mo)(mo)板的制(zhi)作更(geng)加(jia)容易；掩膜(mo)(mo)板上的缺陷影響減小。

投影式曝光分類(lei)：

（1）掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年(nian)代末～80年(nian)代初，〉1μm工(gong)藝；掩膜板(ban)1：1，全(quan)尺(chi)寸；

（2）步(bu)進重復投影曝(pu)光(guang)（Stepping-repeating Project Printing或稱(cheng)作Stepper）。80年代(dai)(dai)末～90年代(dai)(dai)，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩(yan)膜(mo)板(ban)縮小比例（4：1），曝(pu)光(guang)區域（Exposure Field）22×22mm（一(yi)次曝(pu)光(guang)所能覆蓋(gai)的區域）。增加了棱(leng)鏡系統的制作難(nan)度。

（3）掃描(miao)步(bu)進(jin)投影(ying)曝(pu)光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的(de)掩膜板按照4：1的(de)比例(li)曝(pu)光，曝(pu)光區域（Exposure Field）26×33mm。優點：增大了(le)每次曝(pu)光的(de)視場；提(ti)供硅片表面不平整的(de)補償；提(ti)高整個硅片的(de)尺寸均(jun)勻(yun)性。但是，同時因為需要反向運動(dong)，增加了(le)機械系統的(de)精度要求(qiu)。

4、高精度雙面

主(zhu)要用于中小規模集成電(dian)路(lu)、半導體元器件(jian)、光電(dian)子器件(jian)、聲(sheng)表(biao)面波器件(jian)、薄膜電(dian)路(lu)、電(dian)力電(dian)子器件(jian)的研制(zhi)和生產。

高精(jing)度(du)特制的翻版機(ji)構、雙視場(chang)CCD顯微顯示系(xi)(xi)統(tong)、多(duo)點光源曝光頭(tou)、真空(kong)管(guan)路系(xi)(xi)統(tong)、氣路系(xi)(xi)統(tong)、直聯(lian)式無油真空(kong)泵、防震工作臺等組成(cheng)。

適用(yong)于φ100mm以(yi)下，厚度5mm以(yi)下的(de)各種基片的(de)對準曝光。

5、高精度單面

針對(dui)各大專(zhuan)院校、企業及科研單(dan)位，對(dui)光(guang)刻機使用特性研發的(de)(de)一種高精度光(guang)刻機，中(zhong)小規(gui)模集成電路、半(ban)導體元器(qi)件(jian)、光(guang)電子器(qi)件(jian)、聲表面波器(qi)件(jian)的(de)(de)研制和(he)生產(chan)。

高精度對準工(gong)作(zuo)臺、雙目分離視場CCD顯(xian)微顯(xian)示系(xi)統、曝光頭、氣動(dong)系(xi)統、真空(kong)管路系(xi)統、直聯式無油真空(kong)泵、防(fang)震(zhen)工(gong)作(zuo)臺和附件箱(xiang)等組成。

解(jie)決(jue)非圓形基片、碎片和(he)底面(mian)不(bu)平的(de)基片造成的(de)版(ban)片分離不(bu)開所引起(qi)的(de)版(ban)片無法對準的(de)問題。