一、光刻機中國能造嗎

可以。目前中國最牛的光刻機生產商就(jiu)是上(shang)海微電子(zi)裝備(bei)公司（SMEE），它可(ke)以做到(dao)最(zui)精密的(de)加(jia)工制(zhi)程是90nm，相當于2004年最(zui)新款(kuan)的(de)intel奔騰四處理器的(de)水平。

別小瞧(qiao)這(zhe)(zhe)個90nm制(zhi)程的能力。這(zhe)(zhe)已經足夠驅動基礎的國(guo)防和工業。哪怕是面對“所有進(jin)口光刻機(ji)都瞬(shun)間停止工作”這(zhe)(zhe)種極端(duan)的情況(kuang)時(shi)，中國(guo)仍然有芯片可用(yong)。

在這種情(qing)況下，“斷供”就達不到“弄死人”的效果，最大的作用其實是“談(tan)判(pan)籌碼”，不會真的發生。

于是，中國這兩年芯片進(jin)口價(jia)值超越(yue)了石油，蔚為(wei)壯觀(guan)。計算力“基建(jian)”的最后一顆龍珠也基本(ben)穩住。

這些芯片進入(ru)了(le)服務器和移動設備，成(cheng)為了(le)云(yun)上算(suan)力和端(duan)上算(suan)力，組成(cheng)了(le)龐大的“互聯網基建”，組成(cheng)了(le)下(xia)一個大時代的入(ru)場券。

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二、國產光刻機和荷蘭光刻機的差距在哪里

中國(guo)的(de)光(guang)刻(ke)技(ji)術(shu)和荷蘭ASML的(de)EUV光(guang)刻(ke)技(ji)術(shu)，關鍵點的(de)區別在于采用紫外光(guang)源的(de)不(bu)同和光(guang)源能量控制。

1、紫外光源的不同

中國光刻技術(shu)采用193nm深紫外光源，荷蘭ASML的EUV采用13.5nm極紫外光源。

光(guang)(guang)刻(ke)是制(zhi)程芯片最關(guan)鍵技(ji)術(shu)，制(zhi)程芯片過程幾乎離不開光(guang)(guang)刻(ke)技(ji)術(shu)。但光(guang)(guang)刻(ke)技(ji)術(shu)的核心是光(guang)(guang)源，光(guang)(guang)源的波(bo)長決(jue)定了光(guang)(guang)刻(ke)技(ji)術(shu)的工藝(yi)能(neng)力。

我(wo)國光刻技(ji)(ji)術采(cai)(cai)用(yong)193nm波(bo)長(chang)的(de)深(shen)紫外光源(yuan)，即(ji)將準分子深(shen)紫外光源(yuan)的(de)波(bo)長(chang)縮(suo)小(xiao)到(dao)ArF的(de)193nm。它可實現最高工藝節(jie)點是65nm，如采(cai)(cai)用(yong)浸入式技(ji)(ji)術可將光源(yuan)縮(suo)小(xiao)至134nm。為提高分辨率(lv)采(cai)(cai)取NA相(xiang)移(yi)掩模技(ji)(ji)術還可推進(jin)到(dao)28nm。

到(dao)了28nm以后(hou)，由于單次(ci)曝光的(de)(de)圖形間距無法進一步提(ti)升，所以廣泛使用(yong)多次(ci)曝光和刻(ke)蝕(shi)的(de)(de)方法來(lai)求得(de)更致密的(de)(de)電子(zi)線路(lu)圖形。

荷蘭ASML的EUV光刻技術(shu)，采用是美國研發提供的13.5nm極紫(zi)外光源為(wei)工作波長的投(tou)影光刻技術(shu)。是用準(zhun)分(fen)子激光照射在錫等靶材上激發出13.5nm光子作為(wei)光刻技術(shu)的光源。

極紫外光源是傳統(tong)光刻技術向更(geng)短波(bo)長的(de)合(he)理延伸，被行業(ye)賦予了(le)拯(zheng)救摩爾定律的(de)使命。

當今的ASML的EUV光(guang)刻(ke)技術，已能用(yong)(yong)13.5nm極(ji)紫(zi)外(wai)光(guang)制(zhi)程7nm甚至(zhi)5nm以下芯(xin)片。而(er)我國(guo)還是(shi)采用(yong)(yong)193nm深紫(zi)外(wai)源光(guang)刻(ke)技術，如上(shang)海(hai)微電子(zi)28nm工藝即是(shi)如此。

雖然我們采用DUV光(guang)(guang)刻技術通(tong)過多重曝光(guang)(guang)和(he)刻蝕方法提升制(zhi)程工藝，但成本巨大、良(liang)率較低、難(nan)以(yi)商業化量產(chan)。所以(yi)光(guang)(guang)源的(de)不同導致光(guang)(guang)刻技術的(de)重大區別。

2、光源能量控制不同

在光(guang)(guang)(guang)刻技(ji)(ji)術的光(guang)(guang)(guang)源能(neng)量精準控制上，我國光(guang)(guang)(guang)刻技(ji)(ji)術與(yu)荷(he)蘭的EUV也有重大(da)區別。

光(guang)刻(ke)(ke)技(ji)術的(de)光(guang)學系統極其復(fu)雜，要減小誤差達到高精度要求，光(guang)源的(de)計(ji)量和(he)控制非常重要。它(ta)可(ke)通過透鏡(jing)曝光(guang)的(de)補償參數決定光(guang)刻(ke)(ke)的(de)分(fen)辨率和(he)套刻(ke)(ke)精度。

光(guang)(guang)刻技(ji)術的(de)分(fen)辨率代表能清(qing)晰(xi)投(tou)影(ying)最小圖像的(de)能力(li)，和光(guang)(guang)源波長有著密切關係。在光(guang)(guang)源波長不變情(qing)況下，NA數值孔徑大小直接(jie)決定光(guang)(guang)刻技(ji)術的(de)分(fen)辨率和工藝節(jie)點。

我國在(zai)精密加工(gong)透鏡技(ji)術上(shang)無法(fa)與ASML采用的德國蔡司鏡頭相(xiang)比，所以(yi)光刻技(ji)術分辨(bian)率難以(yi)大幅提高。

套刻精度是(shi)光刻技術(shu)非常重要的技術(shu)指標，是(shi)指前后兩道工(gong)序、不同(tong)鏡頭之間彼此圖形對(dui)準(zhun)精度。如果對(dui)準(zhun)偏差、圖形就(jiu)產生誤差，產品良率就(jiu)小。

所以(yi)需不斷調(diao)整透(tou)鏡曝光補償(chang)參數和(he)光源(yuan)計量進(jin)行控制(zhi)，達到滿意的(de)(de)光刻(ke)效果。我國除缺(que)少精密加(jia)工透(tou)鏡的(de)(de)技(ji)術外，在光源(yuan)控制(zhi)、透(tou)鏡曝光參數調(diao)整上也是缺(que)乏相關技(ji)術的(de)(de)。

我(wo)國在(zai)5G時代、大數(shu)據和(he)人工智能都(dou)要用到高端芯(xin)(xin)片，離不開(kai)頂尖的(de)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)技(ji)術，這是必須要攀登的(de)“高峰”。相信我(wo)國刻(ke)(ke)(ke)苦研發后(hou)能掌(zhang)握先進(jin)的(de)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)技(ji)術和(he)設備，制(zhi)程生產自己所(suo)需(xu)的(de)各種高端芯(xin)(xin)片。