成立于2012年,國家封測/系統集成先導技術研發中心,開展多種晶圓級高密度封裝工藝與SiP產品應用的研發,為產業界提供知識產權/技術方案/批量生產以及新設備與材料的工藝開發和驗證的相關服務
華進半導體(ti)封裝先導技術研發(fa)中(zhong)心有(you)限公(gong)司作(zuo)為(wei)江蘇(su)省無(wu)錫市落實中(zhong)央打造以企業(ye)為(wei)創新(xin)主體(ti)的新(xin)創新(xin)體(ti)系典型,在江蘇(su)省/無(wu)錫市政府、國家02重大專項與國家封測產業(ye)鏈技術創新(xin)戰略聯(lian)盟的共(gong)同支(zhi)持下(xia)于2012年9月注冊成立(li)。公(gong)司英文全稱為(wei):National Center for Advanced Packaging Co.,Ltd.(NCAP China)。
公(gong)司(si)是由中(zhong)科(ke)(ke)(ke)院微電子所和長電科(ke)(ke)(ke)技、通富微電、華天科(ke)(ke)(ke)技、深南電路、蘇州晶方(fang)、安捷利(蘇州)、中(zhong)科(ke)(ke)(ke)物聯、興森快(kuai)捷、國開基金等三十(shi)家(jia)(jia)單(dan)位共同投資而建立,總股本為36042.32萬元。2020年(nian)4月獲批準建設國家(jia)(jia)集(ji)成電路特(te)色(se)工藝及封裝測(ce)試(shi)創新中(zhong)心(xin),12月獲準設立國家(jia)(jia)博士(shi)后(hou)科(ke)(ke)(ke)研工作站。
公司(si)作為(wei)國(guo)家(jia)集成電(dian)路特色工(gong)藝及(ji)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)測試創新中心,通過以企業為(wei)創新主(zhu)體(ti)的產(chan)學研用(yong)相結合(he)的模式(shi),開展系(xi)統封(feng)裝(zhuang)(zhuang)設計、2.5D/3D集成、晶(jing)圓級扇出封(feng)裝(zhuang)(zhuang)、大尺寸FCBGA封(feng)裝(zhuang)(zhuang)、光電(dian)合(he)封(feng)、SiP封(feng)裝(zhuang)(zhuang)等關(guan)鍵核心技(ji)術(shu)研發,為(wei)產(chan)業界提供知識產(chan)權、技(ji)術(shu)方(fang)案、批量生產(chan)以及(ji)新設備與材料的工(gong)藝開發和驗證的相關(guan)服務。
公(gong)司研發(fa)(fa)團隊(dui)由(you)中科院領軍人才和(he)(he)具有海(hai)內外豐富研發(fa)(fa)經驗(yan)的(de)人員(yuan)所組成,研發(fa)(fa)人員(yuan)近百人,其中一(yi)半以上具有博士(shi)學位和(he)(he)碩(shuo)士(shi)學位。公(gong)司擁有3200 平米(mi)的(de)凈(jing)化間和(he)(he)300mm晶圓(yuan)整(zheng)套先進封(feng)裝(zhuang)(zhuang)研發(fa)(fa)平臺(tai)(包括(kuo)2.5D/3D IC后端制程和(he)(he)微組裝(zhuang)(zhuang),測試(shi)分(fen)析(xi)與(yu)可(ke)靠性)及先進封(feng)裝(zhuang)(zhuang)設計仿真平臺(tai)。
2015年成為(wei)(wei)(wei)江(jiang)蘇省(sheng)產(chan)(chan)(chan)業(ye)技術研究院(yuan)半導(dao)體封(feng)(feng)裝技術研究所,作為(wei)(wei)(wei)省(sheng)級科研單位本著以企業(ye)為(wei)(wei)(wei)主體、市場為(wei)(wei)(wei)導(dao)向、產(chan)(chan)(chan)學研相結合的方針,按照(zhao)省(sheng)產(chan)(chan)(chan)研院(yuan)建(jian)設(she)平臺一(yi)流、隊伍(wu)一(yi)流、機(ji)制創新研究所的有關(guan)要求,加快產(chan)(chan)(chan)業(ye)關(guan)鍵(jian)共性技術研發,強化企業(ye)合同科研服務(wu),推進(jin)體制機(ji)制的創新與實踐。華進(jin)公(gong)司(si)已初步建(jian)成為(wei)(wei)(wei)全(quan)國(guo)內(nei)領先(xian)、國(guo)際一(yi)流的半導(dao)體封(feng)(feng)測先(xian)導(dao)技術研發中心,國(guo)內(nei)大型的國(guo)產(chan)(chan)(chan)設(she)備驗證(zheng)應(ying)用(yong)基(ji)地(di)之一(yi)、人才實訓基(ji)地(di)和“雙(shuang)創”培育基(ji)地(di)。
專利號/專利申請號 | 專利名稱 | 專利詳情 |
ZL201310163510.6 | 一種TSV露頭工藝 | 第二十一屆中國專利銀獎(2019年) |
標準號 | 標準名稱 | 發布日期 | 實施日期 | 標準詳情 |
GB/T 35010.4-2018 | 半導體芯片產品 第4部分:芯片使用者和供應商要求 | 2019-03-15 | 2019-08-01 |