一、euv光刻膠是什么

euv光刻膠也稱(cheng)極紫(zi)外(wai)光(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)或EUVL，是一種使(shi)用(yong)極紫(zi)外(wai)（EUV）波(bo)(bo)長的下一代光(guang)刻(ke)(ke)技術。EUV光(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)采用(yong)波(bo)(bo)長為(wei)10-14納米的極紫(zi)外(wai)光(guang)作為(wei)光(guang)源，可使(shi)曝光(guang)波(bo)(bo)長一下子(zi)降到13.5nm，它能夠把(ba)光(guang)刻(ke)(ke)技術擴展到32nm以下的特征(zheng)尺(chi)寸。

二、euv光刻膠的缺點

EUV光刻膠用(yong)于晶圓廠(chang)的芯片(pian)生產(chan)，它(ta)使(shi)用(yong)一個巨大(da)的掃描(miao)儀(yi)在(zai)高級節點(dian)上(shang)對芯片(pian)的微小特(te)征進行(xing)圖案化(hua)，在(zai)操(cao)作中，EUV的掃描(miao)儀(yi)產(chan)生光子，最終與晶圓上(shang)的光敏(min)材料(liao)光刻膠相互(hu)作用(yong)，以(yi)形(xing)成精(jing)確的特(te)征化(hua)圖案。

不(bu)過，并(bing)不(bu)是每次都可(ke)以(yi)實現精確(que)圖案(an)化(hua)，在EUV中(zhong)，光(guang)子撞擊光(guang)刻(ke)膠發生(sheng)反應(ying)且這一動作重復多次，這些過程充滿不(bu)可(ke)預(yu)測性(xing)和(he)隨(sui)(sui)機(ji)性(xing)，可(ke)能(neng)會(hui)(hui)產生(sheng)新的(de)反應(ying)，也就是說EUV光(guang)刻(ke)工(gong)藝(yi)容易出現所(suo)謂的(de)隨(sui)(sui)機(ji)性(xing)，是具有(you)隨(sui)(sui)機(ji)變量的(de)事件，這些變化(hua)被統稱(cheng)為隨(sui)(sui)機(ji)效應(ying)。隨(sui)(sui)機(ji)效應(ying)有(you)時會(hui)(hui)導(dao)致(zhi)芯片(pian)中(zhong)出現不(bu)必要(yao)的(de)接(jie)觸缺陷或有(you)粗糙(cao)度的(de)圖案(an)，兩(liang)者都會(hui)(hui)影響芯片(pian)的(de)性(xing)能(neng)，甚至導(dao)致(zhi)設備(bei)出現故障(zhang)。

在(zai)操作中，EUV掃描(miao)儀應該在(zai)芯片中創建各種圖案，例如微(wei)小的接(jie)(jie)觸孔(kong)、線(xian)條(tiao)和通(tong)孔(kong)，并且具有良好的均勻性。但有時，掃描(miao)儀可能無(wu)法圖案化(hua)所(suo)需(xu)線(xian)條(tiao)，出現(xian)換行符，無(wu)法打印(yin)每一個(ge)(ge)接(jie)(jie)觸孔(kong)，出現(xian)缺失接(jie)(jie)觸，其(qi)他(ta)情況下，該過程還會導致一個(ge)(ge)或多個(ge)(ge)孔(kong)合并，出現(xian)“接(jie)(jie)吻接(jie)(jie)觸”。

換行符、缺(que)失接(jie)觸和接(jie)吻接(jie)觸都(dou)被(bei)(bei)認為是(shi)隨機效應引起(qi)的缺(que)陷(xian)，另一個隨機效應是(shi)線(xian)邊(bian)緣粗糙度（LER）。LER被(bei)(bei)定義為特征邊(bian)緣與(yu)理(li)想形狀的偏差，不隨特征大(da)小而(er)縮放，因此是(shi)有問題的。