一、euv光刻膠是什么

euv光刻膠也稱極紫(zi)外光(guang)刻(ke)膠(jiao)或(huo)EUVL，是一(yi)種(zhong)使(shi)用極紫(zi)外（EUV）波長(chang)的下一(yi)代(dai)光(guang)刻(ke)技術。EUV光(guang)刻(ke)膠(jiao)采(cai)用波長(chang)為10-14納米(mi)的極紫(zi)外光(guang)作為光(guang)源，可使(shi)曝光(guang)波長(chang)一(yi)下子降到13.5nm，它(ta)能夠把光(guang)刻(ke)技術擴展到32nm以下的特征尺寸。

二、euv光刻膠的缺點

EUV光刻膠用于晶圓(yuan)廠的(de)芯片生產，它使用一個巨大(da)的(de)掃(sao)描儀(yi)在高級節點上對芯片的(de)微小特征進(jin)行圖案化，在操作(zuo)中，EUV的(de)掃(sao)描儀(yi)產生光子，最終與(yu)晶圓(yuan)上的(de)光敏材料光刻膠(jiao)相互作(zuo)用，以(yi)形成精確的(de)特征化圖案。

不過，并不是每次都可以實現(xian)精確圖案(an)化，在(zai)EUV中，光子撞擊(ji)光刻膠發(fa)生反應(ying)且這一(yi)動作重復多次，這些(xie)過程充滿不可預(yu)測性和隨(sui)(sui)機(ji)性，可能(neng)(neng)會(hui)(hui)產生新的(de)反應(ying)，也就是說EUV光刻工(gong)藝(yi)容(rong)易出(chu)現(xian)所謂的(de)隨(sui)(sui)機(ji)性，是具有隨(sui)(sui)機(ji)變(bian)量的(de)事件，這些(xie)變(bian)化被(bei)統稱(cheng)為隨(sui)(sui)機(ji)效應(ying)。隨(sui)(sui)機(ji)效應(ying)有時會(hui)(hui)導致芯片中出(chu)現(xian)不必(bi)要的(de)接(jie)觸缺陷(xian)或有粗糙度的(de)圖案(an)，兩者都會(hui)(hui)影(ying)響芯片的(de)性能(neng)(neng)，甚(shen)至導致設備(bei)出(chu)現(xian)故(gu)障。

在(zai)操作中(zhong)，EUV掃(sao)描儀應該在(zai)芯片中(zhong)創(chuang)建各種圖案，例如微小的接(jie)觸(chu)孔(kong)、線條(tiao)和通孔(kong)，并(bing)且具(ju)有良好的均勻性。但有時，掃(sao)描儀可(ke)能無法圖案化所需線條(tiao)，出現換(huan)行符，無法打印每一(yi)個接(jie)觸(chu)孔(kong)，出現缺失(shi)接(jie)觸(chu)，其(qi)他情況(kuang)下，該過程還會(hui)導致一(yi)個或多(duo)個孔(kong)合并(bing)，出現“接(jie)吻接(jie)觸(chu)”。

換行符、缺失(shi)接(jie)觸和(he)接(jie)吻接(jie)觸都被認為是隨(sui)機效應引起的(de)缺陷，另一個隨(sui)機效應是線邊緣粗糙(cao)度（LER）。LER被定義(yi)為特征(zheng)邊緣與理想形狀的(de)偏(pian)差，不隨(sui)特征(zheng)大小(xiao)而縮放(fang)，因(yin)此是有問題的(de)。