一、euv光刻膠是什么

euv光刻膠也稱(cheng)極(ji)紫外(wai)光刻膠(jiao)或EUVL，是一種(zhong)使用(yong)(yong)極(ji)紫外(wai)（EUV）波長(chang)的(de)下(xia)一代光刻技術(shu)。EUV光刻膠(jiao)采用(yong)(yong)波長(chang)為10-14納米(mi)的(de)極(ji)紫外(wai)光作為光源，可使曝光波長(chang)一下(xia)子(zi)降(jiang)到13.5nm，它能(neng)夠把光刻技術(shu)擴展(zhan)到32nm以下(xia)的(de)特(te)征尺(chi)寸。

二、euv光刻膠的缺點

EUV光刻膠用(yong)于(yu)晶(jing)圓(yuan)廠的芯片生產，它使用(yong)一個巨大的掃(sao)描(miao)儀在高(gao)級節點上對(dui)芯片的微小特征進行(xing)圖案(an)化(hua)，在操作(zuo)(zuo)中，EUV的掃(sao)描(miao)儀產生光子，最終與晶(jing)圓(yuan)上的光敏材(cai)料光刻膠相互作(zuo)(zuo)用(yong)，以形成精(jing)確的特征化(hua)圖案(an)。

不(bu)過，并不(bu)是每(mei)次都可(ke)以實現(xian)精確圖案(an)化，在(zai)EUV中，光子撞擊光刻膠發生反應且這(zhe)一動作重(zhong)復多次，這(zhe)些(xie)過程(cheng)充滿不(bu)可(ke)預測(ce)性和隨機(ji)(ji)性，可(ke)能會(hui)(hui)產生新的(de)(de)(de)反應，也就(jiu)是說EUV光刻工藝(yi)容易出現(xian)所謂的(de)(de)(de)隨機(ji)(ji)性，是具有(you)隨機(ji)(ji)變量的(de)(de)(de)事(shi)件，這(zhe)些(xie)變化被統稱為隨機(ji)(ji)效(xiao)應。隨機(ji)(ji)效(xiao)應有(you)時會(hui)(hui)導(dao)致(zhi)芯片中出現(xian)不(bu)必要的(de)(de)(de)接(jie)觸缺陷或(huo)有(you)粗(cu)糙度的(de)(de)(de)圖案(an)，兩(liang)者都會(hui)(hui)影響(xiang)芯片的(de)(de)(de)性能，甚至導(dao)致(zhi)設(she)備出現(xian)故(gu)障。

在操作中(zhong)，EUV掃描(miao)(miao)儀應該在芯(xin)片(pian)中(zhong)創建各種圖案(an)，例如微小的(de)接(jie)(jie)觸(chu)孔、線條和通孔，并且具有(you)良好的(de)均勻性。但有(you)時，掃描(miao)(miao)儀可能無法(fa)圖案(an)化(hua)所需(xu)線條，出(chu)(chu)現換(huan)行符，無法(fa)打印(yin)每一(yi)個接(jie)(jie)觸(chu)孔，出(chu)(chu)現缺失接(jie)(jie)觸(chu)，其他情況下，該過程還會導(dao)致一(yi)個或(huo)多個孔合并，出(chu)(chu)現“接(jie)(jie)吻接(jie)(jie)觸(chu)”。

換行符(fu)、缺失(shi)接觸和接吻接觸都(dou)被認為是隨機(ji)效應(ying)引起的缺陷，另一個隨機(ji)效應(ying)是線邊緣粗糙(cao)度（LER）。LER被定義為特(te)征邊緣與(yu)理(li)想形狀的偏(pian)差，不隨特(te)征大小而縮(suo)放，因此是有問題的。