一、euv光刻膠是什么

euv光刻膠也稱(cheng)極(ji)紫外(wai)(wai)光(guang)刻膠(jiao)或EUVL，是(shi)一(yi)種使用極(ji)紫外(wai)(wai)（EUV）波長(chang)的(de)(de)下(xia)一(yi)代光(guang)刻技(ji)術(shu)。EUV光(guang)刻膠(jiao)采用波長(chang)為(wei)10-14納(na)米的(de)(de)極(ji)紫外(wai)(wai)光(guang)作為(wei)光(guang)源，可使曝光(guang)波長(chang)一(yi)下(xia)子降到(dao)13.5nm，它能夠把(ba)光(guang)刻技(ji)術(shu)擴展到(dao)32nm以下(xia)的(de)(de)特征尺寸。

二、euv光刻膠的缺點

EUV光刻膠用于晶(jing)圓廠的(de)(de)(de)(de)芯片(pian)生產(chan)，它使用一個巨大的(de)(de)(de)(de)掃(sao)描儀(yi)在高(gao)級節點上對(dui)芯片(pian)的(de)(de)(de)(de)微(wei)小特(te)征進行圖(tu)案化(hua)，在操作中，EUV的(de)(de)(de)(de)掃(sao)描儀(yi)產(chan)生光(guang)子(zi)，最終與晶(jing)圓上的(de)(de)(de)(de)光(guang)敏材(cai)料光(guang)刻膠(jiao)相互(hu)作用，以形(xing)成(cheng)精確的(de)(de)(de)(de)特(te)征化(hua)圖(tu)案。

不過，并不是每次都(dou)可(ke)以實現(xian)(xian)精(jing)確圖案化，在EUV中(zhong)，光(guang)子撞擊光(guang)刻膠發生反應且這一(yi)動作(zuo)重復(fu)多次，這些過程充滿不可(ke)預測性和隨(sui)(sui)機性，可(ke)能(neng)會產生新(xin)的(de)反應，也(ye)就是說EUV光(guang)刻工藝容易出(chu)現(xian)(xian)所謂的(de)隨(sui)(sui)機性，是具有隨(sui)(sui)機變量的(de)事件，這些變化被統稱為(wei)隨(sui)(sui)機效應。隨(sui)(sui)機效應有時(shi)會導(dao)致芯片中(zhong)出(chu)現(xian)(xian)不必(bi)要的(de)接觸缺陷或有粗糙度的(de)圖案，兩者都(dou)會影響芯片的(de)性能(neng)，甚至導(dao)致設備出(chu)現(xian)(xian)故障。

在操作中，EUV掃(sao)描(miao)(miao)儀(yi)(yi)應(ying)該在芯片中創建各種圖(tu)案(an)，例如微(wei)小的接(jie)觸(chu)孔(kong)、線條和通(tong)孔(kong)，并且具有良好(hao)的均勻(yun)性。但有時，掃(sao)描(miao)(miao)儀(yi)(yi)可能無法(fa)(fa)圖(tu)案(an)化所需線條，出現(xian)換行(xing)符，無法(fa)(fa)打印每一(yi)個(ge)接(jie)觸(chu)孔(kong)，出現(xian)缺(que)失接(jie)觸(chu)，其他情況下，該過程還會導(dao)致(zhi)一(yi)個(ge)或(huo)多個(ge)孔(kong)合(he)并，出現(xian)“接(jie)吻(wen)接(jie)觸(chu)”。

換(huan)行(xing)符、缺失接(jie)(jie)觸和接(jie)(jie)吻接(jie)(jie)觸都被(bei)認(ren)為是隨(sui)(sui)(sui)機(ji)效(xiao)應引起的(de)缺陷(xian)，另一(yi)個隨(sui)(sui)(sui)機(ji)效(xiao)應是線邊緣粗糙度（LER）。LER被(bei)定義(yi)為特征(zheng)邊緣與(yu)理想形狀的(de)偏差(cha)，不隨(sui)(sui)(sui)特征(zheng)大小而縮放，因此是有問題的(de)。