一、euv光刻膠是什么

euv光刻膠也稱極(ji)紫外光(guang)刻膠或(huo)EUVL，是一種使用極(ji)紫外（EUV）波(bo)長(chang)的(de)下一代(dai)光(guang)刻技(ji)術(shu)。EUV光(guang)刻膠采用波(bo)長(chang)為10-14納米的(de)極(ji)紫外光(guang)作為光(guang)源(yuan)，可使曝光(guang)波(bo)長(chang)一下子降到13.5nm，它能(neng)夠把光(guang)刻技(ji)術(shu)擴展(zhan)到32nm以下的(de)特(te)征尺寸(cun)。

二、euv光刻膠的缺點

EUV光刻膠用于(yu)晶圓廠的芯片生產，它使用一個巨大的掃描儀(yi)(yi)在(zai)高級節點(dian)上對芯片的微小(xiao)特征(zheng)進行圖案化，在(zai)操作中，EUV的掃描儀(yi)(yi)產生光(guang)子，最終(zhong)與晶圓上的光(guang)敏材料光(guang)刻膠相互作用，以形成精確(que)的特征(zheng)化圖案。

不(bu)過(guo)，并不(bu)是每(mei)次都可(ke)(ke)以實現精確圖(tu)案化(hua)，在(zai)EUV中，光子(zi)撞擊(ji)光刻膠(jiao)發生反應(ying)且這(zhe)一動作(zuo)重復多次，這(zhe)些過(guo)程充滿不(bu)可(ke)(ke)預測性(xing)和(he)隨(sui)機(ji)性(xing)，可(ke)(ke)能(neng)會(hui)產(chan)生新的反應(ying)，也就是說EUV光刻工藝(yi)容易出(chu)現所(suo)謂的隨(sui)機(ji)性(xing)，是具有(you)隨(sui)機(ji)變(bian)量的事件(jian)，這(zhe)些變(bian)化(hua)被統(tong)稱為隨(sui)機(ji)效應(ying)。隨(sui)機(ji)效應(ying)有(you)時會(hui)導致芯片(pian)中出(chu)現不(bu)必要的接觸(chu)缺陷或有(you)粗糙(cao)度的圖(tu)案，兩者都會(hui)影響芯片(pian)的性(xing)能(neng)，甚至導致設(she)備出(chu)現故障。

在操作中，EUV掃(sao)描(miao)儀應該在芯片中創建各(ge)種圖案，例如微小的(de)(de)接(jie)觸(chu)孔、線(xian)條和通孔，并且具(ju)有良好的(de)(de)均勻性。但有時，掃(sao)描(miao)儀可能無法(fa)圖案化所需線(xian)條，出(chu)現換行符，無法(fa)打印每(mei)一個接(jie)觸(chu)孔，出(chu)現缺失接(jie)觸(chu)，其(qi)他情況下，該過程(cheng)還會導致(zhi)一個或多個孔合并，出(chu)現“接(jie)吻接(jie)觸(chu)”。

換行符、缺(que)失(shi)接觸(chu)和接吻接觸(chu)都(dou)被認為是(shi)(shi)隨(sui)機效應引起的缺(que)陷，另(ling)一個隨(sui)機效應是(shi)(shi)線邊緣粗糙(cao)度（LER）。LER被定義為特征(zheng)邊緣與理想形狀的偏差，不(bu)隨(sui)特征(zheng)大小(xiao)而縮(suo)放(fang)，因此是(shi)(shi)有問題的。