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什么是電子陶瓷材料 電子陶瓷材料有哪些種類

本文章由注冊用戶 時代工業園 上傳提供 2024-11-15 評論 0
摘要:電子陶瓷是一種應用于電子工業領域的陶瓷材料,通過對表面、晶界和尺寸結構的精密控制而獲得新功能,廣泛用于制作電子功能元件,電子陶瓷的種類也很多,一般根據功能用途不同,可分為絕緣裝置瓷、電容器瓷、鐵電陶瓷、半導體陶瓷和離子陶瓷五大類。下面一起來詳細了解一下什么是電子陶瓷材料以及電子陶瓷材料有哪些種類吧。

一、什么是電子陶瓷材料

電(dian)子(zi)(zi)陶瓷是指在(zai)電(dian)子(zi)(zi)工業中能夠(gou)利用電(dian)、磁性質的陶瓷,一(yi)般在(zai)電(dian)子(zi)(zi)設備當中,作為安裝、固(gu)定、支撐、保(bao)護(hu)、絕緣、隔離以及連(lian)接各種無線電(dian)元件及器件的材料(liao)。

電子陶瓷屬于無機多晶體,微觀結(jie)構上是(shi)介乎單品與玻璃之間(jian)的一(yi)類物質(zhi),陶(tao)(tao)瓷內(nei)部之間(jian)是(shi)由(you)離(li)子鍵(jian)(jian)和(he)(he)共價鍵(jian)(jian)所結(jie)合,通過精(jing)密控制(zhi)陶(tao)(tao)瓷的表面、晶界和(he)(he)尺寸(cun)結(jie)構可以使陶(tao)(tao)瓷獲得新(xin)功能(neng),具有高擦(ca)點(dian)、硬度高和(he)(he)彈性(xing)模量大等(deng)特點(dian),能(neng)夠(gou)耐高溫、磨(mo)損(sun)和(he)(he)氧化腐蝕,化學穩定性(xing)好,廣(guang)泛應用(yong)于光通信(xin)、無線(xian)通信(xin)、工(gong)業激光、消(xiao)費電子、汽車電子等(deng)領域(yu)。

二、電子陶瓷材料有哪些種類

電子陶(tao)瓷(ci)材(cai)料的種(zhong)類眾多,按功能和用(yong)途(tu)不同(tong),可分(fen)為五大類:

1、絕緣裝置瓷

簡稱裝(zhuang)置瓷,具有優良(liang)的電(dian)(dian)絕緣(yuan)性能,用作電(dian)(dian)子設備和(he)器(qi)件(jian)中的結構件(jian)、基(ji)片(pian)和(he)外殼(ke)等的電(dian)(dian)子陶瓷。絕緣(yuan)裝(zhuang)置瓷件(jian)包括各(ge)種絕緣(yuan)子、線(xian)圈骨架(jia)、電(dian)(dian)子管(guan)座(zuo)、波段開(kai)關(guan)、電(dian)(dian)容(rong)器(qi)支(zhi)柱支(zhi)架(jia)、集成(cheng)電(dian)(dian)路基(ji)片(pian)和(he)封(feng)裝(zhuang)外殼(ke)等。對這類瓷的基(ji)本要求是介電(dian)(dian)常(chang)數(shu)ε低,介質(zhi)損耗tanδ小(xiao),絕緣(yuan)電(dian)(dian)阻率(lv)ρ高,擊穿強度E?大,介電(dian)(dian)溫度特性和(he)頻率(lv)特性好。此外,還要求有較(jiao)高的機械強度和(he)化(hua)學穩(wen)定(ding)性。

在這(zhe)類陶瓷(ci)(ci)中以滑石(shi)瓷(ci)(ci)和氧(yang)化(hua)鋁瓷(ci)(ci)應用最廣,滑石(shi)瓷(ci)(ci)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)絕緣性優良且成(cheng)本(ben)較低(di),是(shi)用于射電(dian)(dian)頻(pin)段內的(de)(de)(de)典型高(gao)(gao)頻(pin)裝置瓷(ci)(ci)。氧(yang)化(hua)鋁瓷(ci)(ci)是(shi)一(yi)類電(dian)(dian)絕緣性更(geng)佳的(de)(de)(de)高(gao)(gao)頻(pin)、高(gao)(gao)溫、高(gao)(gao)強度(du)裝置瓷(ci)(ci)。其(qi)電(dian)(dian)性能(neng)和物理(li)性能(neng)隨三氧(yang)化(hua)二(er)(er)鋁含(han)(han)量(liang)(liang)的(de)(de)(de)增多而提高(gao)(gao)。常用的(de)(de)(de)有含(han)(han)75%、95%、99%三氧(yang)化(hua)二(er)(er)鋁的(de)(de)(de)高(gao)(gao)鋁氧(yang)瓷(ci)(ci)。在一(yi)些要求極高(gao)(gao)的(de)(de)(de)集成(cheng)電(dian)(dian)路中,甚至還(huan)使用三氧(yang)化(hua)二(er)(er)鋁含(han)(han)量(liang)(liang)達(da)99.9%的(de)(de)(de)純剛玉瓷(ci)(ci),其(qi)性質(zhi)與藍寶(bao)石(shi)單晶相(xiang)近。高(gao)(gao)鋁氧(yang)瓷(ci)(ci),尤其(qi)是(shi)純剛玉瓷(ci)(ci)的(de)(de)(de)缺點是(shi)制造困難,燒(shao)成(cheng)溫度(du)高(gao)(gao)、價格貴。

裝置瓷(ci)(ci)(ci)中還有一類以氧(yang)化(hua)(hua)鈹(pi)(BeO)為(wei)代表(biao)的(de)(de)(de)高(gao)(gao)熱(re)(re)導(dao)(dao)瓷(ci)(ci)(ci)。含BeO95%的(de)(de)(de)氧(yang)化(hua)(hua)鈹(pi)瓷(ci)(ci)(ci)的(de)(de)(de)室溫導(dao)(dao)熱(re)(re)率(lv)與金屬相同。氧(yang)化(hua)(hua)鈹(pi)還具有良好的(de)(de)(de)介電(dian)性、耐溫度劇變性和很(hen)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)機械強(qiang)度。其缺(que)點是BeO原料的(de)(de)(de)毒性很(hen)大,瓷(ci)(ci)(ci)料燒成(cheng)溫度高(gao)(gao),因而限制了(le)它的(de)(de)(de)應用。氮化(hua)(hua)硼?(BN)瓷(ci)(ci)(ci)和氮化(hua)(hua)鋁(AlN)瓷(ci)(ci)(ci)也屬于高(gao)(gao)熱(re)(re)導(dao)(dao)瓷(ci)(ci)(ci),其導(dao)(dao)熱(re)(re)性雖不及氧(yang)化(hua)(hua)鈹(pi)瓷(ci)(ci)(ci),但(dan)無毒,加工性能和介電(dian)性能均好,可(ke)供高(gao)(gao)頻大功率(lv)晶(jing)體管和大規模(mo)集成(cheng)電(dian)路中作(zuo)散(san)熱(re)(re)及絕緣用。

2、電容器瓷

是用(yong)作(zuo)電(dian)(dian)(dian)容(rong)器(qi)(qi)介質的(de)電(dian)(dian)(dian)子陶瓷,這(zhe)類陶瓷用(yong)量最(zui)大、規格品種(zhong)也最(zui)多(duo),主(zhu)要的(de)有高(gao)頻、低(di)頻電(dian)(dian)(dian)容(rong)器(qi)(qi)瓷和(he)半導體電(dian)(dian)(dian)容(rong)器(qi)(qi)瓷:

(1)高頻電容器瓷:屬于Ⅰ類電(dian)容(rong)器瓷(ci)(ci),主(zhu)要用于制造高頻(pin)電(dian)路(lu)中的(de)高穩定性陶(tao)瓷(ci)(ci)電(dian)容(rong)器和溫(wen)度(du)補償電(dian)容(rong)器。構(gou)成這類陶(tao)瓷(ci)(ci)的(de)主(zhu)要成分(fen)大多是堿土(tu)金屬或稀土(tu)金屬的(de)鈦酸鹽和以鈦酸鹽為(wei)基的(de)固(gu)溶體。

(2)低頻電容器瓷:屬于Ⅱ類電(dian)容器瓷(ci)(ci),主要用于制(zhi)造低頻電(dian)路(lu)中的(de)旁路(lu)、隔直流和(he)濾(lv)波用的(de)陶(tao)瓷(ci)(ci)電(dian)容器。主要特點是(shi)介電(dian)常(chang)數ε?高,損耗角正(zheng)切較大且tanδ及ε隨(sui)溫度的(de)變化(hua)率較大。這類陶(tao)瓷(ci)(ci)中應用最多的(de)是(shi)以(yi)鐵電(dian)鈦酸鋇(BaTiO3)為主成分(fen),通(tong)過(guo)摻雜改(gai)性而(er)得(de)到(dao)的(de)高ε(室溫下可達20000)和(he)ε的(de)溫度變化(hua)率低的(de)瓷(ci)(ci)料(liao)。

(3)半導體電容器瓷:利用半導(dao)體化的陶瓷(ci)(ci)外表面或晶粒(li)間的內表面(晶界(jie))上(shang)形成(cheng)的絕緣層(ceng)為電(dian)(dian)(dian)容(rong)器(qi)介質(zhi)(zhi)(zhi)的電(dian)(dian)(dian)子(zi)陶瓷(ci)(ci)。其中利用陶瓷(ci)(ci)晶界(jie)層(ceng)的介電(dian)(dian)(dian)性質(zhi)(zhi)(zhi)而制(zhi)成(cheng)的邊界(jie)層(ceng)電(dian)(dian)(dian)容(rong)器(qi)是(shi)一(yi)類新(xin)型(xing)的高(gao)(gao)性能、高(gao)(gao)可靠的電(dian)(dian)(dian)容(rong)器(qi),它的介電(dian)(dian)(dian)損耗小(xiao)(xiao)、絕緣電(dian)(dian)(dian)阻及工(gong)作電(dian)(dian)(dian)壓高(gao)(gao)。這(zhe)種(zhong)陶瓷(ci)(ci)的視在介電(dian)(dian)(dian)常數(shu)極高(gao)(gao)(可達105以上(shang))、介質(zhi)(zhi)(zhi)損耗小(xiao)(xiao)(小(xiao)(xiao)于1%)、體電(dian)(dian)(dian)阻率高(gao)(gao)(高(gao)(gao)于1011歐(ou)·厘米)、介質(zhi)(zhi)(zhi)色散(san)頻(pin)率高(gao)(gao)(高(gao)(gao)于1吉赫(he))、抗潮性好,是(shi)一(yi)種(zhong)高(gao)(gao)性能、高(gao)(gao)穩定的電(dian)(dian)(dian)容(rong)器(qi)介質(zhi)(zhi)(zhi)。

3、鐵電陶瓷

是(shi)以(yi)鐵電(dian)性(xing)晶體為(wei)主晶相的電(dian)子陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci),利用(yong)其壓電(dian)特性(xing)可以(yi)制(zhi)成壓電(dian)器件(jian),這是(shi)鐵電(dian)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)的主要(yao)應用(yong),因(yin)而常(chang)把(ba)鐵電(dian)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)稱為(wei)壓電(dian)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)。利用(yong)鐵電(dian)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)的熱釋(shi)電(dian)特性(xing)(在溫度變化時,因(yin)極(ji)化強度的變化而在鐵電(dian)體表面(mian)釋(shi)放(fang)電(dian)荷(he)的效(xiao)應)可以(yi)制(zhi)成紅外探測器件(jian),在測溫、控溫、遙測、遙感以(yi)至生物、醫學等領域均有(you)重要(yao)應用(yong)價值。

利用(yong)透明鐵(tie)電(dian)(dian)陶(tao)瓷PLZT(摻鑭的(de)鈦鋯酸鉛(qian))的(de)強電(dian)(dian)光(guang)(guang)效(xiao)應(ying)(通(tong)過外加電(dian)(dian)場對透明鐵(tie)電(dian)(dian)陶(tao)瓷電(dian)(dian)疇狀態的(de)控(kong)制(zhi)而改(gai)變其光(guang)(guang)學性質,從而表現出(chu)電(dian)(dian)控(kong)雙(shuang)折射和電(dian)(dian)控(kong)光(guang)(guang)散射的(de)效(xiao)應(ying)),可以制(zhi)成激(ji)光(guang)(guang)調(diao)制(zhi)器(qi)(qi)(qi)、光(guang)(guang)電(dian)(dian)顯示器(qi)(qi)(qi)、光(guang)(guang)信息(xi)存儲器(qi)(qi)(qi)、光(guang)(guang)開關、光(guang)(guang)電(dian)(dian)傳感器(qi)(qi)(qi)、圖像存儲和顯示器(qi)(qi)(qi),以及激(ji)光(guang)(guang)或核輻射防(fang)護鏡等(deng)新型器(qi)(qi)(qi)件。

4、半導體陶瓷

通過半導(dao)(dao)體化措施使陶瓷(ci)具有半導(dao)(dao)電(dian)性(xing)(xing)晶粒和絕緣性(xing)(xing)(或半導(dao)(dao)體性(xing)(xing))晶界,從而(er)呈現很強(qiang)的(de)界面勢壘等半導(dao)(dao)體特性(xing)(xing)的(de)電(dian)子(zi)陶瓷(ci)。

半導體(ti)(ti)陶瓷種類很多,其中包括利(li)(li)用半導體(ti)(ti)瓷中晶粒本(ben)身性質(zhi)(zhi)制成(cheng)的各(ge)種負溫(wen)度系(xi)數熱敏(min)電(dian)阻;利(li)(li)用晶界性質(zhi)(zhi)制成(cheng)的半導體(ti)(ti)電(dian)容(rong)器、ZnO?壓敏(min)電(dian)阻器、BaTiO3系(xi)正溫(wen)度系(xi)數熱敏(min)電(dian)阻器、CdS/Cu2S太陽能電(dian)池;以及利(li)(li)用表面性質(zhi)(zhi)制成(cheng)的各(ge)種陶瓷型濕敏(min)電(dian)阻器和氣敏(min)電(dian)阻器等。

5、離子陶瓷

快離子導電的電子陶瓷,具有快(kuai)速傳遞正離子(zi)的(de)特性,典型代表是β-Al2O3瓷。這種陶瓷在300℃下離子(zi)電(dian)導率可達0.1/(歐·厘(li)米),可用來制作較經(jing)濟的(de)高(gao)(gao)比率能(neng)量的(de)固(gu)體電(dian)池,還可制作緩慢放電(dian)的(de)高(gao)(gao)儲能(neng)密度的(de)電(dian)容器,它是有助于(yu)解決(jue)能(neng)源問題(ti)的(de)材料。

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