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集成電路封裝技術的發展可分為哪幾個階段 集成電路封裝技術發展趨勢

本文章由注冊用戶 荊湖酒徒 上傳提供 2024-04-18 評論 0
摘要:集成電路封裝技術從20世紀70年代發展至今,已經經過了四個時代,可分為通孔插裝階段、表面貼裝階段、面積陣列封裝階段以及三維封裝、系統級封裝階段,未來集成電路封裝技術的發展主要呈現功能多樣化、連接多樣化、堆疊多樣化三大趨勢。下面一起來詳細了解一下集成電路封裝技術的發展可分為哪幾個階段以及集成電路封裝技術發展趨勢吧。

一、集成電路封裝技術的發展可分為哪幾個階段

集成電路需要進行芯片封裝處(chu)理(li),主要是(shi)為了固定(ding)集成(cheng)電(dian)路,使其(qi)免(mian)受物理(li)損傷(shang)、化學損傷(shang),并(bing)能(neng)增強(qiang)散熱性能(neng)、便(bian)于安裝和(he)運輸(shu)。集成(cheng)電(dian)路封裝技(ji)術(shu)發展至今,已經經過了四個階(jie)段:

1、通孔插裝階段

20世紀70年(nian)代(dai)(dai)(dai)是(shi)通孔插裝(zhuang)(zhuang)時代(dai)(dai)(dai),以雙列(lie)直(zhi)插封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(DIP)為代(dai)(dai)(dai)表(biao),DIP適(shi)合在(zai)印刷電路板(ban)上穿(chuan)孔焊接,操作(zuo)方便。在(zai)衡量一個芯片(pian)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)技術是(shi)否先進(jin)的(de)重要指標是(shi)芯片(pian)面(mian)(mian)積和(he)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)面(mian)(mian)積之比越(yue)接近于1,這種封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)技術越(yue)先進(jin)。DIP封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)因為芯片(pian)面(mian)(mian)積和(he)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)面(mian)(mian)積之比相差大,故(gu)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)完(wan)成后體積也比較(jiao)大,因此在(zai)無法滿(man)足小型化等要求(qiu)的(de)情況下而逐步(bu)被淘汰(tai)。

2、表面貼裝階段

20世紀(ji)80年(nian)代(dai)是表(biao)面貼裝(zhuang)(zhuang)時代(dai),以薄型小(xiao)尺(chi)寸封裝(zhuang)(zhuang)技術(TSOP)為代(dai)表(biao),到(dao)目前為止(zhi)依然保(bao)留著內存封裝(zhuang)(zhuang)的主流(liu)地位。改進的TSOP技術依然被部分內存制造商(shang)所采用。

3、面積陣列封裝階段

20世紀90年(nian)代出現了跨越式發展(zhan),進入了面(mian)積陣(zhen)列封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)時代,該階段出現了球柵陣(zhen)列封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(BGA)為(wei)代表的(de)先進封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)技(ji)術,這(zhe)種技(ji)術在(zai)縮減體積的(de)同時提(ti)高(gao)了系統性能。其(qi)次還有(you)芯(xin)片(pian)尺寸封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(CSP)、無引(yin)線(xian)四邊扁平(ping)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(PQFN)、多芯(xin)片(pian)組件(MCM)。BGA技(ji)術的(de)成功開發,讓(rang)一直落后(hou)于芯(xin)片(pian)發展(zhan)的(de)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)終于追上了芯(xin)片(pian)發展(zhan)的(de)步伐(fa),CSP技(ji)術解(jie)決了長期存(cun)在(zai)的(de)芯(xin)片(pian)小(xiao),封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)大(da)的(de)矛盾,引(yin)發了集成電(dian)路封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)領域(yu)的(de)技(ji)術革命(ming)。

4、三維封裝、系統級封裝階段

進入(ru)21世(shi)紀,封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)技術迎來(lai)了(le)三維封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)、系(xi)(xi)統級封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)的時(shi)代。它在封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)觀念(nian)上發生了(le)革(ge)命性的變化(hua),從原(yuan)來(lai)的封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)元件(jian)概(gai)念(nian)演(yan)變成封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)系(xi)(xi)統,主要有系(xi)(xi)統級芯片(pian)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(SoC)、微機電系(xi)(xi)統封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(MEMS)。

二、集成電路封裝技術發展趨勢

集成(cheng)電路封裝(zhuang)(zhuang)技術(shu)(shu)發展已(yi)經進入到(dao)先進封裝(zhuang)(zhuang)技術(shu)(shu)時代,未(wei)來集成(cheng)電路封裝(zhuang)(zhuang)技術(shu)(shu)的發展主要呈現三大趨勢:

1、功能多樣化

封裝對象從最初的單裸片向多裸片發展,一個芯片封裝下可能(neng)(neng)有多種不同功能(neng)(neng)的裸片。

2、連接多樣化

封裝下的內部互(hu)連(lian)技術不(bu)斷(duan)多樣化,從凸塊(kuai)(Bumping)到嵌(qian)入式互(hu)連(lian),連(lian)接的密度不(bu)斷(duan)提升。

3、堆疊多樣化

器件排列(lie)已(yi)經從平面逐漸走(zou)向立體,通過組(zu)合不同的(de)(de)互(hu)連方式構建豐富的(de)(de)堆疊拓撲。先進封(feng)裝(zhuang)技術的(de)(de)發展延伸和拓展了(le)封(feng)裝(zhuang)的(de)(de)概念,從晶圓到系統均可用“封(feng)裝(zhuang)”描述集成(cheng)化的(de)(de)處理工藝。

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